Программа "Национальная технологическая база" на 2007 2011 годы (утв постановлением Правительства РФ от 29 января 2007 г. N 54) (с изменениями от 26 ноября 2007 г.
| Вид материала | Программа |
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3594.41kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3467.76kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3650.19kb.
- Федеральная целевая программа «Национальная технологическая база» на 2007 2011 годы, 816.3kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.39kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4200.13kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.34kb.
- Правительства Российской Федерации от 21 ноября 2005 года №1993-р о плане мероприятий, 137.39kb.
- Паспор т подпрограммы "Развитие отечественного станкостроения и инструментальной промышленности", 1861.22kb.
- Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. №809 связано с корректировкой, 1210.52kb.
Перечень
мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
┌────┬─────────────────────────┬─────────┬───────────────────────────────────────┬────────────────────────────┐
│ │ Мероприятия │2007-2011│ В том числе │ Ожидаемые результаты │
│ │ │ годы - ├───────┬───────┬───────┬───────┬───────┤ │
│ │ │ всего │ 2007 │ 2008 │ 2009 │ 2010 │ 2011 │ │
│ │ │ │ год │ год │ год │ год │ год │ │
├────┼─────────────────────────┴─────────┴───────┴───────┴───────┴───────┴───────┴────────────────────────────┤
│ │ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы │
├────┼────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┤
│ │ Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника" │
├────┼─────────────────────────┬─────────┬───────┬───────┬───────┬───────┬───────┬────────────────────────────┤
│1. │Разработка технологии│ 312 │ 105 │ 147 │ 60 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │производства мощных│ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства мощных│
│ │сверхвысокочастотных │ 208* │ 70 │ 98 │ 40 │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │транзисторов на основе│ │ │ │ │ │ │транзисторов на основе│
│ │гетероструктур материалов│ │ │ │ │ │ │гетероструктур материалов│
│ │группы А3В5 │ │ │ │ │ │ │группы А3В5 для бортовой и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │наземной аппаратуры,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│2. │Разработка базовой│ 265 │ - │ - │ 60 │ 120 │ 85 │создание базовой технологии│
│ │технологии производства│ ------- │ │ │-------│-------│-------│производства монолитных│
│ │монолитных │ 175 │ │ │ 40 │ 79 │ 56 │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │микросхем и объемных │
│ │микросхем и объемных│ │ │ │ │ │ │приемо-передающих │
│ │приемо-передающих │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │субмодулей X-диапазона на│
│ │субмодулей X-диапазона │ │ │ │ │ │ │основе гетероструктур│
│ │ │ │ │ │ │ │ │материалов группы А3В5 для│
│ │ │ │ │ │ │ │ │бортовой и наземной│
│ │ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры радиолокации,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │средств связи, разработка│
│ │ │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│3. │Разработка базовой│ 467 │ 153 │ 214 │ 100 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологии производства│ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства мощных│
│ │мощных │ 312 │ 102 │ 143 │ 67 │ │ │транзисторов │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотного │
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ │диапазона на основе│
│ │приборов на основе│ │ │ │ │ │ │нитридных │
│ │нитридных │ │ │ │ │ │ │гетероэпитаксиальных │
│ │гетероэпитаксиальных │ │ │ │ │ │ │структур для техники связи,│
│ │структур │ │ │ │ │ │ │радиолокации │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│4. │Разработка базовой│ 770 │ - │ - │ 136 │ 337 │ 297 │создание технологии│
│ │технологии и библиотеки│ ------- │ │ │-------│-------│-------│производства на основе│
│ │элементов для│ 512 │ │ │ 90 │ 225 │ 197 │нитридных │
│ │проектирования и│ │ │ │ │ │ │гетероэпитаксиальных │
│ │производства монолитных│ │ │ │ │ │ │структур мощных│
│ │интегральных схем│ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотного │ │ │ │ │ │ │монолитных интегральных схем│
│ │диапазона на основе│ │ │ │ │ │ │с рабочими частотами до 20│
│ │нитридных │ │ │ │ │ │ │ГГц для связной техники,│
│ │гетероэпитаксиальных │ │ │ │ │ │ │радиолокации, разработка│
│ │структур │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│5. │Разработка базовой│ 357 │ 120 │ 166 │ 71 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │технологии производства│ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства компонентов для│
│ │сверхвысокочастотных │ 231 │ 80 │ 111 │ 40 │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │компонентов и│ │ │ │ │ │ │интегральных схем диапазона│
│ │сложнофункциональных │ │ │ │ │ │ │2 - 12 ГГц с высокой│
│ │блоков для│ │ │ │ │ │ │степенью интеграции для│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │аппаратуры радиолокации и│
│ │интегральных схем высокой│ │ │ │ │ │ │связи бортового и наземного│
│ │степени интеграции на│ │ │ │ │ │ │применения, а также бытовой│
│ │основе гетероструктур│ │ │ │ │ │ │и автомобильной электроники,│
│ │"кремний - германий" │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│6. │Разработка базовой│ 532 │ - │ - │ 100 │ 246 │ 186 │создание базовой технологии│
│ │технологии производства│ ------- │ │ │-------│-------│-------│производства │
│ │сверхвысокочастотных │ 352 │ │ │ 64 │ 164 │ 124 │сверхвысокочастотных │
│ │интегральных схем высокой│ │ │ │ │ │ │интегральных схем диапазона│
│ │степени интеграции на│ │ │ │ │ │ │2-12 ГГц с высокой степенью│
│ │основе гетероструктур│ │ │ │ │ │ │интеграции для аппаратуры│
│ │"кремний - германий" │ │ │ │ │ │ │радиолокации и связи│
│ │ │ │ │ │ │ │ │бортового и наземного│
│ │ │ │ │ │ │ │ │применения, а также бытовой│
│ │ │ │ │ │ │ │ │и автомобильной электроники,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│7. │Разработка аттестованных│ 171 │ 60 │ 76 │ 35 │ - │ - │разработка аттестованных│
│ │библиотек │ ------- │-------│-------│-------│ │ │библиотек │
│ │сложнофункциональных │ 121 │ 40 │ 51 │ 30 │ │ │сложнофункциональных блоков│
│ │блоков для проектирования│ │ │ │ │ │ │для проектирования широкого│
│ │сверхвысокочастотных и│ │ │ │ │ │ │спектра сверхвысокочастотных│
│ │радиочастотных │ │ │ │ │ │ │интегральных схем на SiGe с│
│ │интегральных схем на│ │ │ │ │ │ │рабочими частотами до│
│ │основе гетеростуктур│ │ │ │ │ │ │150 ГГц, разработка│
│ │"кремний - германий" │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│8. │Разработка базовых│ 207 │ - │ - │ 40 │ 100 │ 67 │создание базовых технологий│
│ │технологий проектирования│ ------- │ │ │-------│-------│-------│проектирования на основе│
│ │кремний - германиевых│ 142 │ │ │ 30 │ 67 │ 45 │библиотеки │
│ │сверхвысокочастотных и│ │ │ │ │ │ │сложнофункциональных блоков│
│ │радиочастотных │ │ │ │ │ │ │широкого спектра│
│ │интегральных схем на│ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │основе аттестованной│ │ │ │ │ │ │интегральных схем на SiGe с│
│ │библиотеки │ │ │ │ │ │ │рабочими частотами до│
│ │сложнофункциональных │ │ │ │ │ │ │150 ГГц, разработка│
│ │блоков │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│9. │Разработка базовых│ 163,5 │ 43,5 │ 60 │ 60 │ - │ - │создание базовых технологий│
│ │технологий производства│ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства и конструкций│
│ │элементной базы для ряда│ 110 │ 30 │ 40 │ 40 │ │ │элементной базы для│
│ │силовых герметичных│ │ │ │ │ │ │высокоплотных источников│
│ │модулей высокоплотных│ │ │ │ │ │ │вторичного электропитания│
│ │источников вторичного│ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │электропитания вакуумных│ │ │ │ │ │ │приборов и узлов аппаратуры,│
│ │и твердотельных│ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │приборов и узлов│ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │аппаратуры │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│10. │Разработка базовых│ 153 │ - │ - │ - │ 89 │ 64 │создание базовых конструкций│
│ │технологий производства│ ------- │ │ │ │-------│-------│и технологии производства│
│ │ряда силовых герметичных│ 102 │ │ │ │ 60 │ 42 │высокоэффективных, │
│ │модулей высокоплотных│ │ │ │ │ │ │высокоплотных источников│
│ │источников вторичного│ │ │ │ │ │ │вторичного электропитания│
│ │электропитания вакуумных│ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │и твердотельных│ │ │ │ │ │ │приборов и узлов аппаратуры│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │на основе гибридно-пленочной│
│ │приборов и узлов│ │ │ │ │ │ │технологии с применением│
│ │аппаратуры │ │ │ │ │ │ │бескорпусной элементной│
│ │ │ │ │ │ │ │ │базы, разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│11. │Разработка базовых│ 162,5 │ 38,5 │ 74 │ 50 │ - │ - │создание технологии│
│ │конструкций и технологии│ ------- │-------│-------│-------│ │ │массового производства ряда│
│ │производства корпусов│ 110 │ 25 │ 52 │ 33 │ │ │корпусов мощных│
│ │мощных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │приборов для "бессвинцовой"│
│ │транзисторов X, C, S, L и│ │ │ │ │ │ │сборки, разработка│
│ │P-диапазонов из│ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │малотоксичных материалов│ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │с высокой│ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │теплопроводностью │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│12. │Разработка базовых│ 150 │ - │ - │ 45 │ 60 │ 45 │создание базовых│
│ │конструкций │ ------- │ │ │-------│-------│-------│конструктивных рядов│
│ │теплоотводящих элементов│ 97 │ │ │ 30 │ 40 │ 27 │элементов систем охлаждения│
│ │систем охлаждения│ │ │ │ │ │ │аппаратуры Х и С-диапазонов│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │наземных, корабельных и│
│ │приборов Х и С-диапазонов│ │ │ │ │ │ │воздушно-космических │
│ │на основе новых│ │ │ │ │ │ │комплексов │
│ │материалов │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│13. │Разработка базовой│ 93 │ - │ - │ - │ 60 │ 33 │создание технологии│
│ │технологии производства│ ------- │ │ │ │-------│-------│массового производства│
│ │теплоотводящих элементов│ 62 │ │ │ │ 32 │ 30 │конструктивного ряда│
│ │систем охлаждения│ │ │ │ │ │ │элементов систем охлаждения│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │аппаратуры Х и С-диапазонов│
│ │приборов Х и С-диапазонов│ │ │ │ │ │ │наземных, корабельных и│
│ │на основе новых│ │ │ │ │ │ │воздушно-космических │
│ │материалов │ │ │ │ │ │ │комплексов, разработка│
│ │ │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│14. │Разработка базовых│ 141,5 │ 45,5 │ 53 │ 43 │ - │ - │создание технологии│
│ │технологий производства│ ------- │-------│-------│-------│ │ │массового производства│
│ │суперлинейных кремниевых│ 92 │ 30 │ 35 │ 27 │ │ │конструктивного ряда│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │транзисторов S и L│ │ │ │ │ │ │транзисторов S и L│
│ │диапазонов │ │ │ │ │ │ │диапазонов для связной│
│ │ │ │ │ │ │ │ │аппаратуры, локации и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │контрольной аппаратуры,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│15. │Разработка конструктивно-│ 170 │ - │ - │ - │ 95 │ 75 │создание конструктивно-│
│ │параметрического ряда│ ------- │ │ │ │-------│-------│параметрического ряда│
│ │суперлинейных кремниевых│ 116 │ │ │ │ 70 │ 46 │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │транзисторов S и L│
│ │транзисторов S и L│ │ │ │ │ │ │диапазонов для связной│
│ │диапазонов │ │ │ │ │ │ │аппаратуры, локации и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │контрольной аппаратуры,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│16. │Разработка технологии│ 147 │ 60 │ 45 │ 42 │ - │ - │разработка метрологической│
│ │измерений и базовых│ ------- │-------│-------│-------│ │ │аппаратуры нового поколения│
│ │конструкций установок│ 97 │ 40 │ 27 │ 30 │ │ │для исследования и контроля│
│ │автоматизированного │ │ │ │ │ │ │параметров полупроводниковых│
│ │измерения параметров│ │ │ │ │ │ │структур, активных элементов│
│ │нелинейных моделей│ │ │ │ │ │ │и сверхвысокочастотных│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │монолитных интегральных схем│
│ │полупроводниковых │ │ │ │ │ │ │в производстве и при их│
│ │структур, мощных│ │ │ │ │ │ │использовании │
│ │транзисторов и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │монолитных интегральных│ │ │ │ │ │ │ │
│ │схем X, C, S, L и│ │ │ │ │ │ │ │
│ │P-диапазонов для их│ │ │ │ │ │ │ │
│ │массового производства │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│17. │Исследование и разработка│ 161 │ 57 │ 54 │ 50 │ - │ - │создание технологии│
│ │базовых технологий для│ ------- │-------│-------│-------│ │ │унифицированных │
│ │создания нового поколения│ 107 │ 38 │ 36 │ 33 │ │ │сверхширокополосных приборов│
│ │мощных │ │ │ │ │ │ │среднего и большого уровня│
│ │вакуумно-твердотельных │ │ │ │ │ │ │мощности сантиметрового│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │диапазона длин волн и│
│ │приборов и гибридных│ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │магнитоэлектрических │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │приборов для перспективных│
│ │модулей с улучшенными│ │ │ │ │ │ │радиоэлектронных систем и│
│ │массогабаритными │ │ │ │ │ │ │аппаратуры связи│
│ │характеристиками, │ │ │ │ │ │ │космического базирования,│
│ │магнитоэлектрических │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │приборов │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │сверхвысокочастотного │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │диапазона, в том числе:│ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │циркуляторов и│ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │фазовращателей, вентилей,│ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │высокодобротных │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │резонаторов, │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │перестраиваемых фильтров,│ │ │ │ │ │ │производственной линии │
│ │микроволновых приборов со│ │ │ │ │ │ │ │
│ │спиновым управлением для│ │ │ │ │ │ │ │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │радиоэлектронных систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │двойного применения │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│18. │Разработка базовых│ 141 │ - │ - │ - │ 89 │ 52 │разработка конструктивных│
│ │конструкций и технологии│ ------- │ │ │ │-------│-------│рядов и базовых технологий│
│ │производства нового│ 95 │ │ │ │ 60 │ 35 │производства │
│ │поколения мощных│ │ │ │ │ │ │сверхширокополосных приборов│
│ │вакуумно-твердотельных │ │ │ │ │ │ │среднего и большого уровня│
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │мощности сантиметрового│
│ │приборов и гибридных│ │ │ │ │ │ │диапазона длин волн и│
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │магнитоэлектрических │
│ │модулей с улучшенными│ │ │ │ │ │ │приборов для перспективных│
│ │массогабаритными │ │ │ │ │ │ │радиоэлектронных систем и│
│ │характеристиками, │ │ │ │ │ │ │аппаратуры связи│
│ │магнитоэлектрических │ │ │ │ │ │ │космического базирования,│
│ │приборов │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │сверхвысокочастотного │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │диапазона, в том числе:│ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │циркуляторов и│ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │фазовращателей, вентилей,│ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │высокодобротных │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │резонаторов, │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │перестраиваемых фильтров,│ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │микроволновых приборов со│ │ │ │ │ │ │производственной линии │
│ │спиновым управлением для│ │ │ │ │ │ │ │
│ │перспективных │ │ │ │ │ │ │ │
│ │радиоэлектронных систем│ │ │ │ │ │ │ │
│ │двойного применения │ │ │ │ │ │ │ │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│19. │Исследование и разработка│ 130 │ 45 │ 45 │ 40 │ - │ - │создание технологических│
│ │процессов и базовых│ ------- │-------│-------│-------│ │ │процессов производства│
│ │технологий нанопленочных│ 87 │ 30 │ 30 │ 27 │ │ │нанопленочных малогабаритных│
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │резисторно-индуктивно-емкос-│
│ │резисторно-индуктивно-ем-│ │ │ │ │ │ │тных матриц│
│ │костных матриц│ │ │ │ │ │ │многофункционального │
│ │многофункционального │ │ │ │ │ │ │назначения для печатного│
│ │назначения для печатного│ │ │ │ │ │ │монтажа, создание базовой│
│ │монтажа и│ │ │ │ │ │ │технологии получения│
│ │сверхбыстродействующих │ │ │ │ │ │ │сверхбыстродействующих (до│
│ │(до 150 ГГц) приборов на│ │ │ │ │ │ │150 ГГц) приборов на│
│ │наногетероструктурах с│ │ │ │ │ │ │наногетероструктурах с│
│ │квантовыми дефектами │ │ │ │ │ │ │квантовыми дефектами,│
│ │ │ │ │ │ │ │ │разработка комплектов│
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации в стандартах│
│ │ │ │ │ │ │ │ │единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│20. │Разработка базовых│ 85 │ - │ - │ - │ 45 │ 40 │создание конструктивных│
│ │конструкций и технологии│ ------- │ │ │ │-------│-------│рядов и базовых технологий│
│ │производства │ 57 │ │ │ │ 30 │ 27 │производства нанопленочных│
│ │нанопленочных │ │ │ │ │ │ │малогабаритных │
│ │малогабаритных │ │ │ │ │ │ │сверхвысокочастотных │
│ │сверхвысокочастотных │ │ │ │ │ │ │резисторно-индуктивно-емкос-│
│ │резисторно-индуктивно-ем-│ │ │ │ │ │ │тных матриц│
│ │костных матриц│ │ │ │ │ │ │многофункционального │
│ │многофункционального │ │ │ │ │ │ │назначения для печатного│
│ │назначения для печатного│ │ │ │ │ │ │монтажа, разработка│
│ │монтажа │ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │ │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│21. │Разработка базовой│ 246 │ 90 │ 86 │ 70 │ - │ - │создание базовой технологии│
│ │технологии │ ------- │-------│-------│-------│ │ │производства элементов и│
│ │сверхвысокочастотных │ 164 │ 60 │ 57 │ 47 │ │ │специальных элементов и│
│ │p-i-n диодов, матриц,│ │ │ │ │ │ │блоков портативной│
│ │узлов управления и│ │ │ │ │ │ │аппаратуры миллиметрового│
│ │портативных фазированных│ │ │ │ │ │ │диапазона длин волн для│
│ │блоков аппаратуры│ │ │ │ │ │ │нового поколения средств│
│ │миллиметрового диапазона│ │ │ │ │ │ │связи, радиолокационных│
│ │длин волн на основе│ │ │ │ │ │ │станций, радионавигации,│
│ │магнитоэлектронных │ │ │ │ │ │ │измерительной техники,│
│ │твердотельных и│ │ │ │ │ │ │автомобильных радаров,│
│ │высокоскоростных цифровых│ │ │ │ │ │ │охранных и сигнальных│
│ │приборов и устройств с│ │ │ │ │ │ │устройств, разработка│
│ │функциями адаптации и│ │ │ │ │ │ │комплектов документации в│
│ │цифрового │ │ │ │ │ │ │стандартах единой системы│
│ │диаграммообразования │ │ │ │ │ │ │конструкторской, │
│ │ │ │ │ │ │ │ │технологической и│
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной │
│ │ │ │ │ │ │ │ │документации, ввод в│
│ │ │ │ │ │ │ │ │эксплуатацию │
│ │ │ │ │ │ │ │ │производственной линии │
├────┼─────────────────────────┼─────────┼───────┼───────┼───────┼───────┼───────┼────────────────────────────┤
│ │Всего по направлению 1 │ 5024,5 │ 817,5 │ 1020 │ 1002 │ 1241 │ 944 │ │
│ │ │ ------- │-------│-------│-------│-------│-------│ │
│ │ │ 3349 │ 545 │ 680 │ 668 │ 827 │ 629 │ │
├────┴─────────────────────────┴─────────┴───────┴───────┴───────┴───────┴───────┴────────────────────────────┤
│