Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы паспор тфедеральной целевой программы

Вид материалаПрограмма

Содержание


Приложение № 2
Подобный материал:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   22



____________


ПРИЛОЖЕНИЕ № 2

к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы

"Национальная технологическая база"

на 2007 - 2011 годы


П Е Р Е Ч Е Н Ь


мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы


(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)




Мероприятия

2007-2011 годы - всего

В том числе

Ожидаемые результаты

2007 год

2008 год

2009 год

2010 год

2011 год










I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы





Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"


1.

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5


312

208*

105

70

147

98

60

40

-

-

создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах

единой системы конструкторской,

























технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


2.

Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных

микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастотных

субмодулей X-диапазона

265

175

-

-

60

40

120

79

85

56

создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных

микросхем и объемных
приемо-передающих сверхвысокочастотных

субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи,

























разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


3.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур

467

312

153

102

214

143

100

67

-

-

создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации


4.

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур

770

512

-

-

136

90

337

225

297

197

создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для связной техники, радиолокации, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и

























производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


5.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

357

231

120

80

166

111

71

40

-

-

создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


6.

Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"

532

352

-

-

100

64

246

164

186

124

создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


7.

Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональ-ных блоков



















разработка

аттестованных библиотек сложнофункциональных




для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетеростуктур "кремний - германий"

171

121

60

40

76

51

35

30

-

-

блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe

с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


8.

Разработка базовых технологий проектирования кремний - германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков

207

142

-

-

40

30

100

67

67

45

создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 

























ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


9.

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

163,5

110

43,5

30

60

40

60

40

-

-

создание базовых технологий производства и конструкций элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

10.

Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры

153

102

-

-

-

89

60

64

42

создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию

производственной линии




























11.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X , C, S, L и P - диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью

162,5

110

38,5

25

74

52

50

33

-

-

создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии


12.

Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов

150

97

-

-

45

30

60

40

45

27

создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов


13.

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов

93

62

-

-

-

60

32

33

30

создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно- космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии



14.

Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов

141,5

92

45,5

30

53

35

43

27

-

-

создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры,

























разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии


15.

Разработка конструктивно- параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов

170

116

-

-

-

95

70

75

46

создание конструктивно- параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

16.

Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X, C, S, L и P - диапазонов для их массового производства


147

97

60

40

45

27

42

30

-

-

разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании

17.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных

161

107

57

38

54

36

50

33

-

-

создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных




сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками,

магнитоэлектрических

приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения




















радиоэлектронных систем и аппаратуры связи

космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

18.

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых

141

95

-

-

-

89

60

52

35

разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной




фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения




















документации, ввод в эксплуатацию производственной линии