Гольданский В. И
| Вид материала | Литература |
300. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1987. - Вып. 1. - С. 78 - 80.
301. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. - М., 1995. - С. 90 - 97. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
302. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. - М., 1995. - С. 98 - 107. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
303. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х–е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. - М., 1995. - С. 121 - 129. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-5501.
304. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors // The Report on "Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation". - Pichovichi,
4 - 8 october , 1983. - P. 5.
305. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. - Ч. 1. - М., 1995. - С. 109 - 119. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
306. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. - М., 1995. - С. 132 - 140. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-5501.
307. Прокопьев Е.П. "Позитронные" эффективные заряды анионов в полярных веществах. - Ч. 1. - М., 1995. - С. 149 - 164. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
308. Прокопьев Е.П. "Позитронные" эффективные заряды анионов в полярных веществах. - М., 1995. - С. 150 - 164. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
309. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и Оже-спектроскопии // Тез. докл. на 9-й Всесоюзной конф. "Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения". - Устинов, 1985. - С. 111, 112.
310. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и Оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - 1986. - Вып. 1. - С. 3 - 5.
311. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. - М., 1986. - 86 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер. "ИМ". - №12. - 1987.
312. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках А3В5 // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1990. - Вып. 7. - С. 60, 61.
313. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных веществах. - М., 1987. - 10 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер. "РТ". - № 27. - 1987.
314. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. - М., 1987. - 13 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей.
Сер. "РТ". - № 27. - 1987.
315. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. - М., 1987. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4421.
Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер. "РТ". -
№ 27. - 1987.
316. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. - М., 1987. - 13 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. - Вып. 1. - 1986.
317. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. - М., 1987. - 10 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер. "РТ". - № 47. - 1987.
318. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Тез. докл. на 1-м Всесоюзном совещании "Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих материалов". - М., 1988. - С. 34.
319. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. - М., 1989. - 29 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5090.
320. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом // Тез. докл. на 4-й Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников". - М., 1989. - С. 5.
321. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. - М., 1989. - С. 474, 475.
322. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. -
М., 1989. - 60 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5154.
323. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции позитронов. - М., 1989. - 37 с. -
Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5472.
324. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // Тез. докл. на 4-м семинаре "Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников". - Новосибирск, 1989. - С. 9.
325. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Тез. докл. на семинаре "Позитронная аннигиляция в твердых телах". - Киев, 1989. - С. 1.
326. Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // Тез. докл. на 39-м Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Л., 1989. - С. 501.
327. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // Тез. докл. на 39-м Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Л., 1989. - С. 502.
328. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным методом // Тез. докл. на 39-м Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Л., 1989. - С. 503.
329. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. - 1990. - № 5. - С. 52 - 56.
330. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких энергий. - 1990. - Т. 24,
№ 3. - С. 278 - 280.
331. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. - М., 1990. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5313.
332. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. - М., 1990. - С. 34. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
333. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в полупроводниках. - М., 1990. - С. 52. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
334. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. - М., 1990. - С. 35. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
335. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. - М., 1990. - С. 37. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
336. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции. - М., 1990. - С. 36. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
337. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. - М., 1990. - С. 39. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5413.
338. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. - 1990. - Т. 16, вып. 24. - С. 6 - 10.
339. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы
-Н и р-
. - М., 1991. - С. 55 - 59. - Деп. в ВИНИТИ 5.07.91, № 2886-В91.340. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. - М., 1991. - С. 58, 59. - Деп. в ВИНИТИ 5.07.91,
№ 2886-В91.
341. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в полупроводниковых сверхструктурах. - М., 1991. - С. 62 - 65. - Деп. в ВИНИТИ 5.07.91, № 2886-В91.
342. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. - М., 1991. - С. 66, 67. - Деп. в ВИНИТИ 5.07.91, № 2886-В91.
343. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. - М., 1991. - С. 68, 69. - Деп. в ВИНИТИ 5.07.91,
№ 2886-В91.
344. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических частицах. - М., 1991. - С. 70, 71. - Деп. в ВИНИТИ № 2886-В91.
345. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью // Тез. докл. на 41-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Л., 1991. - С. 453.
346. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП
материалов методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. на 41-м
Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Л., 1991. - С. 475.
347. Прокопьев Е.П. Исследование ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов. - М., 1991. - 51 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5451.
348. Прокопьев Е.П. Позитроны зондируют сверхпроводимость // Тез. докл. на 42-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Санкт-Петербург, 1992. - С. 407.
349. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в полупроводниковых сверхрешетках // Тез. докл. на 42-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Санкт-Петербург, 1992. - С. 408.
350. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде. - М., 1992. - С. 53 - 60. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
351. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела. - М., 1992. - С. 61 - 65. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-5482.
352. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. - М., 1992. - С. 66. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
353. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. - М., 1992. - С. 67 - 72. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
354. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. - Ч. 2. - М., 1992. - С. 73 - 77. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
355. Прокопьев Е.П. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных средах: модельный потенциал V(r) = –Ze /( + r). -
М., 1992. - С. 78. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
356. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью. - М., 1992. -
С. 79 - 84. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
357. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. - М., 1992. - С. 85 - 89. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
358. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде // Физика твердого тела. - 1992. - Т. 34, № 6. - С. 1671 - 1675.
359. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. - 1992. -
Т. 26, вып. 10. - С. 1681 - 1687.
360. Прокопьев Е.П. О взаимодействии вещества и антивещества. Системы
-Н, р- и Н-. Приложения в электронике // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - 1992. - Вып. 4. - С. 65 - 68. 361. Прокопьев Е.П. Поляронные свойства позитрония при локализации в квантовых ямах // Химия высоких энергий. - 1992. - Т. 26,
№ 5. - С. 395 - 397.
362. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F-центрах в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. - 1994. - Т. 28, № 4. -
С. 366 - 368.
363. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела // Поверхность. - 1993. - № 10. - С. 91 - 94.
364. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках // Химия высоких энергий. - 1994. -
Т. 28, № 3. - С. 286 - 288.
365. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью // Астрономический журнал. - 1994. - Т. 70, № 3. - С. 906 - 908.
366. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П., Тарасов В.Д.,
Фокина Л.А., Кобрин Б.В. Механизм аннигиляции при облучении позитронами полярных веществ // Химия высоких энергий. - 1995. -
Т. 29, № 1. - С. 66 - 69.
367. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. - 1993. - Т. 27, вып. 9. - С. 1569 - 1572.
368. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и комплексы Уилера в полупроводниках // Химия высоких энергий. - 1995. - Т. 29, № 5. -
С. 394 - 396.
369. Прокопьев Е.П. О влиянии внешнего магнитного поля на свойства позитрония в полупроводниках // Поверхность. - 1994. - № 4. -
С. 117 - 120.
370. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных веществах // Поверхность. - 1994. - № 5. - С. 5 - 7.
371. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в новой физике полупроводников. - М., 1993. - С. 15. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5490.
372. Прокопьев Е.П. Новые представления об аннигиляции позитронов и позитронных состояниях в полупроводниках // Химия высоких энергий. - 1994. - Т. 28, № 5. - С. 426 - 428.
373. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках. - М., 1994. - С. 184 - 191. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5497.
374. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных состояний и позитронной аннигиляции в новой физике полупроводников. - М., 1994. -
С. 192 - 194. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5497.
375. Prokop’ev E.P. Positron annihilation in a new Semiconductor Physics // Abstracts of 10th International Conference on Positron Annihilation. Beijing, China. - May 23 - 29, 1994. - P. 2 - 10.
376. Prokop’ev E.P. Positron annihilation and positron states in galactic medium with low density // Abstracts of 10th International Conference on positron annihilation. Beijing, China. - May 23 - 29, 1994. - C. 24 - 2.
377. Прокопьев Е.П. Позитроний в квантовой яме и сильном магнитном поле в полупроводниковых сверхструктурах // Тез. докл. на 44-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Санкт-Петербург, 1994. - С. 367.
378. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. - М., 1994. - 138 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5500.
379. Прокопьев Е.П. Исследования в области электронного материаловедения и физических методов исследования материалов электронной техники. - Отчет НИИМВ. № 2858 инф. - М., 1994. - 196 с.
380. Прокопьев Е.П. Позитроний в резко анизотропных слоях полупроводников и сильном магнитном поле // Поверхность. - 1994. -
№ 12. - С. 54 - 59.
381. Прокопьев Е.П. О локализованных позитронных и позитрониевых состояниях на дефектах структуры кристаллов // Тез. докл. на 45-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Санкт-Петербург, 1995. - С. 407.
382. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к исследованию позитронных процессов в кристаллах // Поверхность. - 1995. -
№ 7 - 8. - С. 5 - 11.
383. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method // Abstracts of 8 Internat. Conf. on the Physics of Non-Crystalline Solids. - Turku, Finland. - 1995. - P. 92.
384. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors // Abstracts of 8 Inernat. Conf. on the Physics of Non-Crystaline Solids. - Turku, Finland. - 1995. - P. 92.
385. Prokop’ev E.P. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on date of positron annihilation // Proc. of "12 Internat. Congress on Glass". - 1995. - Vol. 7. - P. 174. (Beijing, 9 - 14 october 1995).
386. Прокопьев Е.П., Петров С.В., Соколов Е.М. Некоторые вопросы теории технологии получения аморфных и эпитаксиальных слоев кремния, физики медленных позитронов и сложных систем. - М., 1995. - 149 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
387. Прокопьев Е.П. Магнитопозитроний в полупроводниках //
Химия высоких энергий. - 1996. - Т. 30, № 2. - С. 141 - 144.
388. Прокопьев Е.П. Особенности определения свободных объемов и их распределение по радиусам в технически важных материалах методом ПАВ спектроскопии // Тез. докл. на 46-м Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. - Санкт-Петербург, 1996. - С. 377.
389. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитроники полупроводников и ионных кристаллов. - М., 1996. - 128 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
390. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Квантовополевая теория позитронных состояний в твердых телах, содежащих электроны, позитроны, дырки, экситоны, атом позитрония и комплексы Уилера // Химия высоких энергий. - 1996. - Т. 30, № 4. - С. 300 - 303.
391. Prokop’ev E.P. Investigations in area of slow positron physics, complex systems and material science. - М., 1995. - С. 49. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
392. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method. - М., 1995. - С. 130. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
393. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. - М., 1995. - С. 131. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
394. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в кристаллах. -
М., 1996. - С. 1 - 15. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
395. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах. - М., 1996. - С. 16 - 25. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
396. Прокопьев Е.П. Теория позитронных
-центров в ионных кристаллах. - М., 1996. - С. 26 - 37. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
397. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов. -
М., 1996. - С. 39 - 56. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
398. Прокопьев Е.П. "Позитронные" эффективные заряды анионов в средах ионного типа. - М., 1996. - С. 57 - 77. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
399. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кристаллов. - М., 1996. - С. 78 - 87. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
400. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в кремнии i-типа. - М., 1996. - С. 88 - 100. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
401. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в бездефектных кристаллах кремния. - М., 1996. - С. 113 - 128. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
402. Prokop’ev E.P., Shantarovich V.P., Minaev V.S. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on data of positron annihilation. - М., 1996. - С. 101, 102. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5502.
403. Ore A. Orto-parapositronium conversion // Universitet Bergen, Arbok, Naturwitenskar Rekke. - 1949. - P. 1 - 13.
404. Ferrell R.A. Theory of positron annihilation in solids // Rev. Mod. Phys. - 1956. - Vol. 8, № 1. - P. 308 - 315.
405. Wheeler J.A. Polyelectron systems // Ann. N.Y. Acad. Sci. - 1946. - Vol. 48, № 1. - P. 219 - 226.
406. Ferrante G. Annihilation from Positronium Negative Ion e–e+e– // Phys. Rev. - 1968. - Vol. 170, № 1. - P. 76 - 80.
407. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. - М.:
Физматгиз, 1963.
408.