Гольданский В. И
| Вид материала | Литература |
105. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. - М., 1977. - 489 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2317. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 9. - 1978.
106. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. - 1978. - Т. 239, № 5. - С. 1082 - 1085.
107. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония //
Известия вузов. Физика. - 1979. - № 5. - С. 66 - 70.
108. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. Всесоюзной конференции "Радиационные дефекты в твердых телах". - Ашхабад, 1977. - С. 63.
109. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // Тез. докл.
"8-я Всесоюзная конференция по микроэлектронике". - М., 1978. - С. 71.
110. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // Тез. докл. "28-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1978. - С. 542.
111. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А3В5 // Тез. докл. Всесоюзной конференции "Физика соединений А3В5". -
Л., 1978. - С. 43.
112. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // Тез. докл. "4-я Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов". - Саласпилс, 1978. - С. 409.
113. Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. 3-го Всесоюзного совещания "Дефекты структуры в полупроводниках". - Новосибирск, 1978. - С. 258.
114. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса - Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // Тез. докл. 3-го Всесоюзного
совещания "Дефекты структуры в полупроводниках". - Новосибирск, 1978. - С. 150.
115. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. - М., 1978. - 126 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2501. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 24. - 1978.
116. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // Тез. докл. "4-е Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов". - Саласпилс, 1978. - С. 367.
117. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на -Al2O3 методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. "20-е Всесоюзное совещание по физике низких температур". - М., 1979. -
Т. 3. Cверхпроводимость. - С. 77.
118. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем
дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 14, вып. 1. -
С. 200 - 202.
119. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. - М., 1979. - 12 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2757. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 28. - 1979. - Сер. "ЭР".
120. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тез. докл. "3-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам". - Л., 1978. - С. 32.
121. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектов в полупроводниках // Тез. докл.
"29-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1979. - С. 499.
122. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов //
Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т. 13. - С. 1810 - 1815.
123. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 // Физика твердого тела. - 1979. - Т. 21. - С. 2452 - 2454.
124. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. - М., 1979. - 15 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2648. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 19. - 1979. - Сер. "ЭР".
125. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1979. - Вып. 5. - С. 62 - 66.
126. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // Тез. докл. "30-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1980. - С. 555.
127. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 60-градусными дислокациями в полупроводниках
n- и р-типа // Тез. докл. "Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященный памяти академика
АН УзССР У.А.Арифова". - Ташкент, 1979. - С. 145.
128. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тез. докл. "Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященный памяти академика АН УзССР У.А.Арифова". - Ташкент, 1979. - С. 143, 144.
129. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // Тез. докл. "Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященный памяти академика АН УзССР У.А.Арифова". - Ташкент, 1979. - С. 122, 123.
130. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. - М., 1979. - 384 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2837. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 27. - 1980. - Сер. "ЭР".
131. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тез. докл. "30-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1980. - С. 553.
132. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тез. докл. "30-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1980. - С. 556.
133. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тез. докл. "30-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1980. - С. 554.
134. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. - 1980. - Т. 9. -
С. 120 - 122.
135. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 14, вып. 7. - С. 1271 - 1275.
136. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979. - Л., 1979. - С. 265 - 269.
137. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. - 1980. - Т. 22, вып. 4. - С. 1252, 1253.
138. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. - Lake Yamanaka, Japan, 8 - 11 april 1979. - NL-21. - P. 208.
139. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. - Lake Yamanaka, Japan, 8 - 11 april 1979. - NL-22. - P. 208.
140. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. - 1980. - Т. 50, вып. 4. - С. 1892 - 1922.
141. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. - 1980. - Т. 25, № 7. - С. 1396 - 1398.
142. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. - 1980. - № 11. - С. 75 - 78.
143. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата
60-градусными дислокациями в полупроводниках n- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1980. - Вып. 1. - С. 71 - 74.
144. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р–n-перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. - 1980. - Т. 14, вып. 7. - С. 1414 - 1418.
145. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // Тез. докл. "31-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1981. - С. 569.
146. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // Тез. докл. "31-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1981. - С. 568.
147. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем
Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. - 1980. -
Т. 14. - С. 1904 - 1907.
148. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. - 1981. -
Т. 15. - С. 2089.
149. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. - 1981. - № 4. -
С. 10 - 14.
150. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. - 1981. - № 4. -
С. 16, 17.
151. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. - 1980. - № 11-12. - С. 20 - 22.
152. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. - 1981. - Т. 51. - С. 1938 - 1941.
153. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1981. - Вып. 2. - С. 32 - 34.
154. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 88 с.
155. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs n-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. - 1981. -
Т. 23, вып. 1. - С. 211 - 214.
156. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // Тез. докл. "31-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1981. -
С. 556.
157. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. "31-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1981. - С. 552.
158. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // Прикладная ядерная спектроскопия. -
М., 1982. - Т. 11. - С. 236 - 238.
159. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование
радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3B5,
облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции - Препринт. - М., 1980. - 18 с. - (Изд-во ОНТИ ИТЭФ,
№ ИТЭФ-133).
160. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si n- и р-типа // Физика твердого тела. - 1981. - Т. 23. - С. 1542 - 1545.
161. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - 1981. - Вып. 3. - С. 95 - 97.
162. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1981. - Вып. 9. - С. 47, 48.
163. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // Тез. докл.
"31-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1981. - С. 601.
164. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // Прикладная ядерная спектроскопия. - Л., 1984. - Т. 13. - С. 87 - 89.
165. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации
позитронов при низких температурах // Прикладная ядерная спектроскопия. - Л., 1984. - Т. 13. - С. 82 - 84.
166. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н.,
Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. - 1982. - Т. 16, вып. 1. - С. 147 - 149.
167. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1982. -
Вып. 11. - С. 27, 28.
168. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Т. 15. -
С. 708 - 711.
169. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. - 1980. - Т. 7. - С. 141 - 146.
170. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1981. - Вып. 11. - С. 48 - 50.
171. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // Краткие сообщения "18-я Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике". -
М., 1981. - С. 314, 315.
172. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // Краткие сообщения "18-я Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике". - М., 1981. - С. 313.
173. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П., Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // Тез. докл. "7-е Совещание по стеклообразному состоянию". - Л., 1981. - С. 46.
174. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. - 1981. - Т. 9. -
С. 63, 64.
175. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. - 1981. - Т. 9. - С. 65 - 68.
176. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Тез. докл. "32-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1982. - С. 515.
177. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As2S3 и As2Se3 //
Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 14, вып. 11. -
С. 2163 - 2166.
178. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. - 1982. - № 5. - С. 40 - 43.
179. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // Тез. докл. "32-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1982. - С. 514.
180. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. - Тбилиси, 1982. - С. 50 - 54.
181. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. "6-я Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок". - Новосибирск, 1982. - С. 67, 68.
182. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1983. - Вып. 8. -
С. 75, 76.
183. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри - Фока. - М., 1982. - 32 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3413. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". -
№ 17. - 1982. - Сер."О".
184. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). - 1982. - Vol. 73, № 2. - P. 321 - 324.
185. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1982. - Вып. 11. - С. 36, 37.
186. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. "Amorphous Semiconductors-82". - Bucharest, 30 august - 4 semtember, 1982. -
P. 189 - 191.
187. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf. "Amorphous Semiconductors-82". - Bucharest, 30 august -
4 semtember, 1982. - P. 191 - 193.
188. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1983. - Вып. 1. - С. 72, 73.
189. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // Тез. докл. "32-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1982. - С. 591.
190. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. -
М., 1982. - 138 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 8. - 1983. - Сер. "ЭР".
191. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1983. - Вып. 8. -
С. 29, 30.
192.