Гольданский В. И
| Вид материала | Литература |
Материалы 2-го Всесоюзного совещания. - Алма-Ата, 1981. - С. 59 - 62.
193. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. - М., 1982. - 64 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1983. - № 16. - Сер. "ЭР".
194. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // Тез. докл. "33-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1983. - С. 557.
195. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // Тез. докл. "33-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1983. - С. 543.
196. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. - М., 1982. - 60 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1983. - Сер. "ЭР".
197. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. - 1983. - № 8. - С. 117, 118.
198. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. - М., 1983. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3634. МРС ВИМИ "Техника,
технология, экономика". - 1983. - № 9. - Сер. "О".
199. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). - 1983. - Vol. 78, № 2. - P. 385 - 389.
200. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // Тез. докл.
"34-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1984. - С. 529.
201. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем позитрон - анион в полярных веществах. - М., 1984. - 23 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3845. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1984. - № 9. - Сер. "О".
202. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // Тез. докл. "34-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1984. - С. 530.
203. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. - М., 1984. - 15 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3870. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1984. - № 11. - Сер. "О".
204. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. - М., 1984. - 30 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3826. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1984. - № 8. - Сер. "О".
205. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. - М., 1984. - 13 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3973. "Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей". - 1985. - № 4. - Сер. "МФ".
206. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. - М., 1984. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3974. "Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей". - 1985. - № 4. - Сер. "МФ".
207. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. - М., 1984. - 31 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3897. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - 1984. - № 30. - Сер. "ЭР".
208. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. - М., 1985. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4071. "Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей". - 1985. - № 7. - Сер. "МФ".
209. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания полупроводниковых слоев. - М., 1985. - 30 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4164.
210. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // Тез. докл. "35-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1985. - С. 528.
211. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // Тез. докл. семинара "Позитронная аннигиляция в твердых
телах". - Киев, 1985. - С. 5.
212. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях полупроводников // Тез. докл.
"36-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1986. - С. 562.
213. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее развития // Межвузовский сборник научных трудов. - Тбилиси, 1984. - С. 152 - 157.
214. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Сер. физико-математических наук. - 1987. - № 5. -
С. 92 - 94.
215. Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. - 1985. - № 8. - С. 92 - 94.
216. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. - М., 1988. - 5 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4939.
217. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тез. докл. "37-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1987. - С. 591.
218. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS - Препринт ИАЭ-3019. - М., 1978. - 13 с.
219. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тез. докл. "Всесоюзная школа по физико-химическим основам электронного материаловедения". - Ашхабад, 1977. - С. 3.
220. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // Тез. докл. 37-го Совещания "Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра". - Л., 1987. - С. 595.
221. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // Тез. докл. "Широкозонные
материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения". -
Новосибирск, 1980. - С. 3.
222. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // Тез. докл. на 2-м Всесоюзном совещании "Радиационные дефекты в металлах". - Алма-Ата, 1980. - С. 5.
223. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6. - Отчет ТПИ. № гос.
регистрации 78048301. - Томск, 1979. - 60 с.
224. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов. - Отчет НИИМВ. Инв. № 3635. - М., 1980. - 70 с.
225. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом пространстве. - М., 1980. - 6 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника. Р-2993.
226. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Тез. докл. на 9-х Гагаринских чтениях. - М., 1979. - С. 10.
227. Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. - М., 1980. - 4 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2994.
228. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции. - М., 1982. - С. 110 - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475.
229. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. - М., 1982. - С. 111. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475.
230. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов
методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. на 11-х Гагаринских чтениях. - М., 1981. - С. 15.
231. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции позитронов. - М., 1982. -
С. 40. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
232. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6. - Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. - Томск, 1980. - 60 с.
233. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем позитрон - анион // Тез. докл. на 3-м Всесоюзном совещании по квантовой химии. - Кишинев, 1963. - С. 3.
234. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах щелочных металлов методом
Хартри - Фока // Тез. докл. на 4-м Всесоюзном совещании по квантовой химии. - Киев, 1966. - С. 6.
235. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. - М., 1985. - С. 6 - 10. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4164.
236. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. - М., 1982. - С. 113. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475.
237. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов в металлах. - М., 1982. -
С. 115. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475.
238. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р.,
Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту орбитальной станции "Салют-6" // Тез. докл. на 11-х Гагаринских чтениях. - М., 1981. - С. 12.
239. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока. -
М., 1982. - С. 33 - 38. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
240. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах // Тез. докл. на 6-м Всесоюзном семинаре "Экситоны в кристаллах". - Черноголовка, 1970. - С. 2.
241. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. - М., 1992. - С. 91 - 95. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
242. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. - М., 1992. - С. 90. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5482.
243. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. -
М., 1982. - С. 23. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
244. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. - М., 1982. - С. 127. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3475.
245. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. - М., 1985. - С. 3 - 10. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4164.
246. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. - М., 1982. - С. 118 - 126. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3475.
247. Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. - М., 1982. - С. 24 - 27. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
248. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. - М., 1982. - С. 32. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
249. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов // Тез. докл. на 13-х Гагаринских чтениях. - М., 1983. - С. 38.
250. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. - М., 1982. - С. 39. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
251. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982.
С. 28 - 31. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
252. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования вакансий в полупроводниках. - М., 1982. - С. 14. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
253. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в конденсированных средах ионного типа. Автореферат канд. физ.-мат. наук. - М., 1964. - 15 с.
254. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в ядерной энергетике. -
М., 1982. - С. 45. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
255. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции позитронов. - М., 1982. - С. 46. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
256. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // "Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра". Тез. докл. на 41-м Международном совещании. - Л., 1991. - С. 454.
257. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых размеров. - М., 1982. - С. 47. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
258. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной: Обзор. - М., 1991. - 34 с. - Деп. в ВИНИТИ 15.03.91, № 1133-В91.
259. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в проблемах экологии. - М., 1982. - С. 48. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
260. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. - М., 1982. - С. 49.- Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
261. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом аннигиляции позитронов. - М., 1982. - С. 50. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
262. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. - М., 1982. - С. 51 - 54. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
263. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. - М., 1982. - С. 55. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
264. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле. - М., 1982. - С. 56. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
265. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. - М., 1982. - С. 57 - 59. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3534.
266. Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных позитронов. - М., 1982. - С. 60. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3534.
267. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. - М., 1982. - С. 50 - 52. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3556.
268. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. - М., 1982. - С. 53, 54. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3556.
269. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. - М., 1982. - С. 55. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556.
270. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. - М., 1982. -
С. 57. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556.
271. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. - М., 1982. - С. 58. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556.
272. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной диагностики. - М., 1982. -
С. 59, 60. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556.
273. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики. - М., 1982. - С. 56. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3556.
274. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. - М., 1991. - С. 30 - 34. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5436.
275. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных центров окраски в кристаллах. - М., 1983. - С. 9. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3634.
276. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. - М., 1985. - С. 12 - 17. - Деп. в ЦНИИ
"Электроника". Р-4164.
277. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений физики высоких энергий. - М., 1983. -
С. 10, 11. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3634.
278. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод
неразрушающего контроля качества технически важных материалов. -
М., 1984. - С. 14. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
279. Долгов Д.А., Зельдович Я.Б., Сажин М.В. Космология ранней Вселенной. - М., 1988. - 199 с.
280. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного
материаловедения. - М., 1984. - С. 14. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3870.
281. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции позитронов. - М., 1983. -
С. 12 - 14. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
282. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. - М., 1984. -
С. 4, 5. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
283. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. - М., 1984. - С. 10. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
284. Вайнберг С. Гравитация и космология. - М.: Мир, 1975.
285. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. -
М., 1984. - С. 2 - 4. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
286. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F– во фторидах щелочных металлов. - М., 1984. - С. 6 - 8. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
287. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. - М., 1984. - С. 1, 2. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
288. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. - М., 1992. - 29 с. - Деп. в ВИНИТИ 06.04.92 № 1162-В92.
289. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом аннигиляции позитронов // Тез. докл. на 14-х Гагаринских чтениях. - М., 1984. - С. 77.
290. Prokopiev E.P. "Gas" of Universes and Eternity. - М., 1994. -
С. 96 - 101. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5500.
291. Прокопьев Е.П. "Газ" вселенных и вечный Мир. - М., 1995. - С. 142 - 149. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
292. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. - Ч. 1. - М., 1994. - С. 130 - 138. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5500.
293. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник - металл. - М., 1985. - 5 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4290.
294. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. - М., 1985. -
С. 17, 18. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-4164.
295. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. - М., 1995. - С. 63 - 72. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-5501.
296. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. - М., 1985. - С. 19, 20. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-4164.
297. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. - М., 1984. - С. 5, 6. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-3870.
298. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. - М., 1984. - С. 10, 11. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-3870.
299.