Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе 01. 04. 10  Физика полупроводников

Вид материала

Автореферат

Подобный материал:

• Программа Государственного экзамена по подготовке магистра по направлению «Физика полупроводников., 53.9kb.
• Программа курса лекций Введение. Физика полупроводников раздел физики конденсированного, 109.27kb.
• Ii. Свойства полупроводников. Полупроводниковые приборы. Общие свойства полупроводников, 14.35kb.
• Авторы программы: доцент Морозов В. Б., доцент Соломатин В. С., профессор Шувалов, 87.32kb.
• Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca 2 Si на Si(111), 310.02kb.
• Тематическое планирование учебного материала по физике в 10 кл Учебник: Г. Я. Мякишев,, 155.64kb.
• Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии 01., 430.6kb.
• Вольтамперометрические сенсоры на основе гетарилформазанов для определения меди, свинца,, 438.88kb.
• Физика полупроводников и твердотельная электроника введение, 56.3kb.
• Процессы и технологии синтеза алмазных поликристаллических композиционных материалов, 892.93kb.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК России:

1. Петров А. А., Дорожкин А. А. Энергетические спектры ионно-электронной эмиссии // Изв. АН СССР сер. Физ. 1976. Т. 40, № 2. С. 1687-1690.

2. Петров А. А., Дорожкин А. А. Энергетический спектр электронов выбиваемых ионами инертных газов // Изв. АН СССР сер. Физ. 1976. Т. 40, №12. С. 2566- 2570.

3. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Оже-спектры при ионном облучении как метод контроля поверхности твердого тела // ЖТФ. 1978. Т. 48, №3. С. 36-333.

4. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Структура энергетических спектров Оже-электронов при облучении твердых тел ионами средних энергий // ФТТ. 1978. Т. 20, №9. С. 2867-2869.

5 Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. О роли Оже процессов в ионно-злектронной эмиссии. ФТТ. 1978. Т. 20. С. 1270-1272.

6. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Оже-электроны при облучении твердых тел ионами средних энергий. ФТТ. 1979. Т.21, №3. С. 930-931.

7. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Ионная Оже - спектроскопия и химическая связь в соединениях // ФТТ. 1979. т. 21. №3, С. 930- 931.

8. Петров А. А., Дорожкин А. А., Петров Н. Н. Оже-электроны при облучении твердых тел ионами средних // Изв. АН СССР, сер. Физ. 1979. Т. 43, №3. С. 619-628.

9. Дорожкин А. А., Петров А. А., Петров Н. Н. Ионно-электронная эмиссия и Оже-электроны // Труды ЛПИ. 1983, №377. С. 27-29.

10. Петров А. А. Оже-спектроскопия карбида кремния // Изв. ЛЭТИ. (Ленинградский электротехнический институт) Вып. 457. 1993. С. 22-25.

11. Петров А. А., Афанасьев А. В., Ильин В. А.,. Термометрические характеристики датчика температуры на основе структуры Cr-SiC // Перспективные материалы и приборы оптоэлектроники и сенсорики // Изв. ГЭТУ (СПб государственный электротехнический университет). 1998. Вып. 517. c. 97-100.

12. Петров А. А. Демин Ю. А., Ильин В. А. Аппаратура и программные средства для создания электронно-зондовых аналитических приборов // Научное приборостроение. РАН. 1999. Т.9, №2. С. 14.-20.

13.. А. А. Петров и др. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца. В. П. Афанасьев, Г. Н. Мосина, Пронин И.П., Сорокин Л.М., Тараканов Е.А. // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, № 11. С. 56-63.

14. Polarization and self-polarization in PZT thin films.(Поляризация и самополяризация в тонких пленках ЦТС) V. P. Afanasjev, A. A. Petrov, Pronin I. P. et al. // J. of Physics: Condensed Matter. 2001. Vol. 13, № 39. P. 8755-8763.

15. А. А.Петров и др. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния А. В. Афанасьев, В. А.Ильин, А. И. Г. Казарин // ЖТФ. 2001. T. 71, вып. 5. С. 78-81.

16. A. A. Petrov et al Specific properties of the PZT-based thin-film capacitor structures with excess lead oxide (Специфические свойства тонкопленочных конденсаторных структур на основе ЦТС с избытком свинца) / V. P Afanasjev, G. N Mosina,. I.P Pronin, L. V. Sorokin, E. A. Tarakanov // Tech. Phys. Letters. 2001. Vol. 27, № 6. P. 467-469.

17. Петров А. А., Афанасьев А. В., Ильин В. А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния // ЖТФ. 2001. Т.71. Вып.5. С 121.

18. А. А. Петров Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца В. П. Афанасьев, Г. Н. Мосина, И. П. Пронин, Л. М. Сорокин, Е. А. Тараканов // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, № 11. С.56-63.

19. А. А. Петров и др. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)-PZT(PZT/PT)-Ir / В. П. Афанасьев, И. В. Грехов, Л. А. Делимова и др. // ФТТ. 2006. Т.48. Вып. 6. С. 1130-1134.

20. A. A. Petrov et al. Origin of photoresponse in heterophase ferroelectric Pt/Pb(ZrTi)O₃/Ir capacitors (Фотоотклик в гетерофазных конденсаторах Pt/Pb(ZrTi)O₃/Ir) / L. A. Delimova, V. S. Yuferev, I. V. Grekhov, Afanasjev P. V., Kramar G. P., Afanasjev V. P. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 112907-1 – 112903-3

21. Petrov A. A. et al. Ageing of thin-film capacitor structures based on PZT (Старение тонкопленочных конденсаторных структур на основе ЦТС) / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets, I. E. Titkov, V. P. Afanasjev, P. V. Afanasjev, G. P. Kramar // Ferroelectrics. 2007. Vol. 348. P.25-32.

22. А. А.Петров и др. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / А. Г. Алтынников, В. П. Афанасьев, П. В. Афанасьев и др.; Под ред. В. П. Афанасьева, А. Б. Козырева. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 248 с.

23. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристаллических

пленках и структурах на их основе СПб: ГЭТУ «ЛЭТИ», 2008. 205 c.

Другие статьи и материалы конференций:

1. Петров А.А., Ильин В.А., Писаревский М.С. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе Pb _1-х Cd _х Se // ПЖЭ. 2001, №4. С. 93-100.

2. A. A. Petrov et al. Trap Charge Density at Interfaces of MOCVD Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO₂/Si) Structure / (Плотность зарядовых центров на интерфейсах структуры Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO₂/Si), полученной методом MOCVD) L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Proc. of MRS2005 Fall Meeting, Vol. 902E, P.10-27.

3. Петров А. А., Писаревский М. А. Методика и аппаратно-програмные средства растровой электронной Оже-спектроскопии // ПЖЭ. 2006. T. 3. C. 75–85.

4. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах электроники. ПЖЭ. 2006. Вып. 4. С49-78.

5. A. A. Petrov et al. Effect of Interfaces on the Properties of Polycrystalline Thin-Film PZT Ferroelectric Capacitors (Влияние интерфейсов на свойства сегнетоэлектрических конденсаторов с поликристаллическими пленками ЦТС) / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2007. Vol. 966E. P. 035313 – 035315.

Патенты:

1. Патент РФ на изобретение № 2166221 / Петров А.А Афанасьев. А.В., Ильин В.А. Высокотемпературный полупроводниковый прибор и способ его изготовления. 27.04. 2001.

2. Патент РФ на полезную модель № 71023 / Петров А. А., Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова Л. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием. Опубл. 20.02.2008. Бюл. 5

3. Патент РФ на изобретение № 2338284 / Петров А. А., Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова Л. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации. Опубл. 10.11.2008. Бюл. 31.


Соискатель ________________Петров А.А.