Пгту: Направления нир

Вид материала

Документы

Содержание I. В рамках направления Микросистемная техника (МСТ – 2003, №3) Вестник Воронежского ГТУ (2006,2008) Тезисы докладов 5-й и 6-й Всероссийской конференции по нитридам (МГУ-2007, ФТИ – 2008)

Подобный материал:

• Пгту: Направление нир, 37.64kb.
• Елесина Наталья Юрьевна, пгту, химико-технологический факультет, кафедра «Химия и биотехнология»., 26.58kb.
• Отчет нии экспериментальной медицины сзо рамн о выполнении плана нир за 2009г и план, 29.72kb.
• Направления нир по грантам ОАО «ржд» для молодых ученых, 99.52kb.
• Отчет о научной деятельности Сибирского государственного индустриального университета, 292.94kb.
• В г. Ростове-на-Дону > I. Общие положения нир является одним из основных направлений, 69.33kb.
• Постановление президиума Северо-Западного отделения рамн, 25.11kb.
• Отчет о научно-исследовательской работе за 2008 год Тема нир: Разработка новых радиоволновых, 49.86kb.
• Отчет о научно-исследовательской работе за 2007 год Тема нир: Разработка новых радиоволновых, 53.72kb.
• Отчет о научно-исследовательской работе за 2007 год Тема нир: Разработка и создание, 107.74kb.

Кафедра математики

тел. (87973) 384178

E-mail: Altyhov_43@mail.ru





ПГТУ:

Направления НИР


ТЕХНОЛОГИИ И СВОЙСТВА

НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

НАНОЭЛЕКТРОНИКИ


Проводятся работы по моделированию технологий изготовления и расчеты свойств характеристик

перспективных материалов наноэлектроники


Рабочая группа (научная школа):

Алтухов В.И. – рук. темы

чл.-корр. РАЕН, д.ф.-м.н., проф.




Санкин А.В. (ПГТУ)

чл.-корр. РАЕН, к.ф.н., доцент




Хариш Н.П. (ПГТУ)

к.т.н., доцент


Казаров Б.А. (СевКавГТУ)

к.ф.-м.н., доцент


Коваленко А.А. (ПГТУ) аспирант

Чернышов Р.Ю (ПГТУ) аспирант

Ростова А.Т (СевКавГТУ) к.ф.-м.н., доцент

Баландина Н.В. (СевКавГТУ) к.ф.-м.н., ст.преп.




I. В рамках направления:

1. Развиты новые методы описания, моделирования характеристик свойств перспективных материалов: реальных кристаллов, сегнетоэлектриков, широкозонных полупроводников с дефектами и нанокластерами.
   

2. На модельных системах, наноматериалах, гетероструктурах проведено математическое моделирование особенностей тепловых электрических свойств полупроводников А²В⁶ , карбида кремния (SiC) и его твердых растворов (SiC)_1-x(AlN)_x (кристаллы, керамики, слои пленки).
   

3. Предложено объяснение (модели) эффекта биений в сегнетоэлектриках, эффекта гигантского теплосопротивления в А²В⁶, гигантского усиления диэлектрической проницаемости SiC–AlN; предсказаны новые свойства и особенности температурного поведения тепловых, электрических свойств новых материалов наноэлектроники.
   

4. Характеристики рассматриваемых новых термо- и радиационно устойчивых материалов используются для активных элементов, датчиков, приборов и устройств твердотельной нано- и микроэлектроники.
   

II. В лаборатории наноматериалов и

микроэлектронной техники ПГТУ:

• Разрабатываются модели технологий изготовления и свойств новых материалов наноэлектроники.
  
• Проводятся расчеты электронных свойств характеристик реальных кристаллов и широкозонных полупроводников с дефектами и нанокластерами.
  
• Защищены четыре кандидатские диссертации.
  
• Издано пять монографий.
  
• Получены дипломы на Международной выставке-конгрессе «Высокие технологии. Инновации. Инвестиции» за разработку:
  

• «Сегнетоэлектрические и полупроводниковые материалы с новыми тепловыми и электрическими свойствами» (2007);
  
• «Широкозонные полупроводниковые материалы с новыми физическими свойствами для микроэлектроники» (2008).
  

• Ежегодно публикуется 12 – 15 статей и докладов на международных конференциях:
  

Микросистемная техника (МСТ – 2003, №3)

Нано- и микросистемная техника (2006, №3,4)

Обозрение прикладной и пром. математики (2006, 2008)

Известия Самарского научного центра РАН (2007)

Вестник Воронежского ГТУ (2006,2008)

Известия ВУЗов. Сев.-Кав. регион. ТН (2005)

Труды IX, X, XI Межд. симпозиума, Ростов н/Д (2006-2008)

Труды Межд. конф. «Опто-, наноэлектроника», (2006 – 2008)

Тезисы докладов 5-й и 6-й Всероссийской конференции по нитридам (МГУ-2007, ФТИ – 2008)

ХТТ и современные микро- и нанотехнологии, СевКавГТУ

Тезисы докл. Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков (2005)







III. География наших контактов и научного

сотрудничества:

• МГУ им. М.В. Ломоносова (г. Москва)
  
• ФТИ им. А.Ф. Иоффе (г. Санкт-Петербург)
  
• НИИФ ЮФУ (г. Ростов-на-Дону)
  
• МИРЭА (г. Москва)
  
• СевКавГТУ (г. Ставрополь)
  
• ДГУ, ДГТУ, НИИФ ДНЦ РАН (г. Махачкала)
  
• КБГУ (г. Нальчик)
  
• КЧГУ (г. Черкесск)
  
• ВГТУ (г. Воронеж)
  
• СНЦ РАН (г. Самара)
  
• ЕГУ (г. Екатеринбург)
  
• УГУ (г. Ульяновск)
  
• КИЭП (г. Кисловодск)
  

IV. Перспективы развития:


– Изготовление наноматериалов и гетероструктур на их основе

– Открытие специальности по направлению Технологии и свойства наноматериалов

– Расширение географии сотрудничества

– Развитие материальной и технической базы лаборатории «Наноматерилов и микропроцессорной техники»