Балапанов Нургали Серикович начальник юридического отдела Главного управления материально-технического обеспечения Вооруженных Сил Республики Казахстан тел. 47-44-56, www mto кz Общие положения конкурс
Вид материала | Конкурс |
СодержаниеРезисторы ОМЛТ-2 3кОм 514ИД1 Схема управления 7-сегментным индикатором с общим катодом . Корпус 201.14-1Микросхемы 514ИД2 |
- Балапанов Нургали Канатович Начальник юридического отдела гумто вс рк тел. 47-44-72,, 1112.75kb.
- Копбаев Кайрат Рашидович заместитель начальника Главного управления начальник организационно-аналитического, 1180.28kb.
- Копбаев Кайрат Рашидович заместитель начальника Главного управления начальник организационно-аналитического, 1044.49kb.
- Копбаев Кайрат Рашидович заместитель начальника Главного управления начальник организационно-аналитического, 956.76kb.
- Копбаев Кайрат Рашидович заместитель начальника Главного управления начальник организационно-аналитического, 834.36kb.
- Копбаев Кайрат Рашидович заместитель начальника Главного управления начальник организационно-аналитического, 927.92kb.
- Нусупбеков Ержан Серикович начальника организационно-аналитического управления Главного, 700.23kb.
- Слыш Виталий Васильевич начальник управления закупок авиационной техники и средств, 1043.37kb.
- Утверждаю начальник Главного управления материально технического обеспечения Вооруженных, 1050.59kb.
- Утверждаю начальник Главного управления материально технического обеспечения Вооруженных, 1326.09kb.
Температура окружающей среды от-60 до +85С
Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+55С
Трансформаторы ТПП 284 предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре, аппаратуре средств связи и электронно-вычислительных машинах при питании от промышленной сети переменного тока напряжением127 и 220 В и частотой 50 Гц
Номинальная мощность 90Вт
Ток первичной обмотки 0,900/0,530А
Ток вторичной обмотки 5,55 А
Температура окружающей среды от-60 до +85С
Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+55С
Трансформаторы ТА-1 предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре, аппаратуре средств связи и электронно-вычислительных машинах при питании от промышленной сети переменного тока напряжением127 и 220 В и частотой 50 Гц
Номинальная мощность 15 Вт
Ток первичной обмотки 0,16/0,09 А
Ток вторичной обмотки 0,148 А
Температура окружающей среды от-60 до +85С
Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+55С
Трансформаторы ТН-61,60 предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре, аппаратуре средств связи и электронно-вычислительных машинах при питании от промышленной сети переменного тока напряжением127 и 220 В и частотой 50 Гц.
Номинальная мощность 152 Вт
Ток первичной обмотки 1,50/0,85А
Ток вторичной обмотки 6,10/5,90 А
Температура окружающей среды от-60 до +85С
Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+50С
Трансформаторы ТПП 268-127/220-50 предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре, аппаратуре средств связи и электронно-вычислительных машинах при питании от промышленной сети переменного тока напряжением127 и 220 В и частотой 50 Гц
Номинальная мощность 57,0 Вт
Ток первичной обмотки 0,615/0,360 А
Ток вторичной обмотки 1,620 А
Температура окружающей среды от-60 до +85С
Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+50С
Унифицированные низкочастотные дроссели фильтров выпрямителей типа Д69 используются в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения, в том числе в устройствах электропитания электронно-вычислительных машин.
Частота от 50 до 5 000 Гц.
Индуктивность от 0,00015 до 40 Гн.
Ток подмагничивания от 0,02 до 50 А.
Сопротивление изоляции между секциями обмотки и корпусом:
- в нормальных условиях 10 000 МОм.
- при повышенной температуре(+85 °С) 20 Мом.
- при повышенной влажности (до 98% длительно) 2 Мом.
- при повышенной влажности (до 98% кратковременное) 20 Мом.
Высокочастотные дроссели типа ДМ0,1-100 мкГн постоянной индуктивности с ферритовым сердечником имеют широкое применение в электронной радиоаппаратуре. Дроссели изготавливаются трех типоразмеров.
Диапазон рабочих температур -60…100 ºС
Ток 0,1 А
Номинальная индуктивность 100 мкГн
Диодная сборка КД906А - Диодный мост является одним из самых распространённых радиокомпонентов, без которого не обходится ни один блок питания и который имеет основную функцию - выпрямление переменного напряжения.
Тип диода импульсный
Максимальное постоянное обратное напряжение 75 В
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток 0,2 А
Способ монтажа SMT
Максимальное время восстановления 2 мкс
Максимальное импульсное обратное напряжение 100 В
Максимально допустимый прямой импульсный ток 2 А
Максимальный обратный ток 5 мкА
Максимальное прямое напряжение 1 В
при Iпр. 0,05А
Рабочая частота 100кГц
Общая емкость,Сд. 20пФ
Рабочая температура -55-+85 ºС
Корпус kbu 62
Резисторы ОМЛТ-2 3кОм Особые металлоплёночные лакированные теплостойкие
Мощность 2 Вт
Сопротивление 3 кОм
Сопротивления переменные СП5-1В1А-100Ом
Мощность 1Вт
Сопротивление 100Ом
Ток нагрузки 1А
Резисторы подстроечные одинарные многооборотные с прямолинейным перемещением подвижной системы СП3-37А-1-100 Ом предназначены для роботы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного тока.
Резисторы в прямоугольном корпусе с гибкими выводами, для навесного монтажа. Температура окружающей среды при номинальной электрической нагрузке
от -60 до +70С
При снижении электрической нагрузки до 0.1Р от -60 до +155С
Минимальная наработка
При номинальной электрической нагрузки при температуре +70 С 20000ч
При электрической нагрузке 0.6 Рн при температуре +70С 40000ч
Предельное рабочее напряжение постоянного или переменного тока 250В
Износоустойчивость 500 циклов
Относительная влажность воздуха +35 до98
Микросхемы 564ЛА8 два логических элемента 4И-НЕ.
Тип корпуса 401.14-5, 5.08, 5Н, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,006 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ЛЕ6 два логических элемента 4ИЛИ-НЕ.
Тип корпуса 401.14-5, 5.08, 5Н, 5НБ, 5.07НБ, 5НБ3
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,006 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ЛН1 шесть логических элементов «НЕ» со стробированием (блокировкой и запретом)
Тип корпуса 402.16-32, 402.16-33, 33.03, 33.04, 33Н
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,06 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ЛА7 четыре логических элемента 2И-НЕ.
Тип корпуса 401.14-5, 5.08, 5Н, 5НБ, 5.07НБ, 5НБ3
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,006 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ЛЕ5 четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ.
Тип корпуса 401.14-5, 5.08, 5Н, 5НБ, 5.07НБ, 5НБ3
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,006 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ЛП2 четыре логических элемента исключающие ИЛИ.
Тип корпуса 402.16-33, 33.04, 33Н
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,4 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564 ЛС2 четыре логических элемента И-ИЛИ.
Тип корпуса 402.16-33, 33.04, 33Н
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,4 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы интегральные 564 ИД1 двоично-десятичный дешифратор.
Выходное напряжение низкого уровня не более 0,01 В
Выходное напряжение высокого уровня не менее 9,99 В
Входной ток низкого уровня и высокого уровня не более 0,05 мкА
Выходной ток низкого уровня, при: Uо = 0,5 В не менее 1,20 мА
Выходной ток высокого уровня, при: Uо = 9,5 В не менее 0,95 мА
Ток потребления не более 10 мкА
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении,
при: C = 50 пФ не более 230 нс
Микросхемы интегральные 564ИП2 четырехразрядная схема сравнения.
Тип корпуса 402.16-32 ,402.16-33, 33.04, 33Н
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,6 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ТР2 четыре триггера RS.
Тип корпуса 402.16-32 ,402.16-33, 33.04, 33Н
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,12 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 564ИР2 сдвоенный 4-х разрядный статический регистр сдвига.
Тип корпуса 402.16-23 ,23.01, 402.16-33.04, 402.16-39Н,НБ,НЗ
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,6 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы интегральные 564ИЕ10 два четырехразрядных счетчика.
Тип корпуса 402.16-23 ,23.01, 402.16-33.04, 402.16-39Н,НБ,НЗ
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,6 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы интегральные 564ИЕ9 – счетчик - делитель на 8.
Выходное напряжение низкого уровня не более 0,01 В
Выходное напряжение высокого уровня не менее 9,99 В
Входной ток низкого уровня и высокого уровня не более 0,05 мкА
Выходной ток низкого уровня, при: Uо = 0,5 В
на выводах 1-7,10,11 не менее 0,1 мА
на выводе 12 не менее 0,3 мА
Выходной ток высокого уровня, при: Uо = 9,5 В
на выводах 1-7,10,11 не менее 0,05 мА
на выводе 12 не менее 0,3 мА
Ток потребления не более 10 мкА
Время задержки распространения сигнала при включении и выключении,
при: C = 50 пФ
на выводах 1-7,10,11 не менее 700 нс
на выводе 12 не менее 300 нс
Микросхемы интегральные 564ИЕ11 4 – х разрядный двоичный реверсивный счетчик.
Выходное напряжение низкого уровня не более 0,01 В
Выходное напряжение высокого уровня не менее 9,99 В
Входной ток низкого уровня и высокого уровня не более 0,05 мкА
Выходной ток низкого уровня, при: Uо = 0,5 В не менее 0,90 мА
Выходной ток высокого уровня, при: Uо = 9,5 В не менее 0,50 мА
Ток потребления не более 10 мкА
Микросхемы 564ЛЕ10 три 3-х входовых элемента ИЛИ-НЕ
Тип корпуса 401.14-5, 5.08, 5Н, 5НБ, 5.07НБ, 5НБ3
Напряжение питания 4,2-13,5 В
Ток потребления не более 0,006 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология КМОП
Микросхемы 134 ЛА8а 4 (2И-НЕ) с открытым коллектором нагрузочной способностью.
Микросхемы 134 ЛР1а 2((2-2И-2ИЛИ-НЕ) –один с возможностью расширения по ИЛИ.
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 1.3 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ХЛ3 - многоцелевой элемент цифровой структуры .
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 0.8 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ТВ1 - триггер J-K.
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 1.6 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ТВ14 - сдвоенный триггер J-K.
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 8 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ИЕ5 – 4-разрядный двоичный асинхронный счетчик.
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 6.6 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ЛБ2б- два логических элемента «4И-НЕ».
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 1.9 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ЛР1б – логический элемент (2-2И-2ИЛИ-НЕ).
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 1.3 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ИР1 – 4-разрядный регистр сдвига.
Тип корпуса 401.14-3, 401.14-5, 5.08, 5НБ, 5.07НБ
Напряжение питания 5 В
Ток потребления не более 9 мА
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология ТТЛ.
Микросхемы 134 ЛР4а - 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.
Микросхемы 542НД1.
Тип корпуса 402.16-7
Рабочая температура от -60° до +125°С;
Технология биполярный диодный мост.
Микросхемы 542НД5.
Тип корпуса 402.16-7
Рабочая температура от -60° до +125°С;
Технология биполярный, четыре изолированных диода.
Микросхемы 198НТ3 матрица транзисторов n-p-n типа с максимальным напряжением насыщения К-Э 0,1 В.
Тип корпуса 401.14-5НБ
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология БИПОЛ.
Микросхема 198УТ1А представляет собой ДУ с выходными эмиттерными повторителями на транзисторах
Напряжение питания :
Положительного источника +U .В от 5.7 до 6.9
Отрицательного источника -U .В от -6.9 до-5.7
Входное напряжение -4 В
Сопротивление нагрузки 200 Ом
Микросхемы 198НТ1А матрица транзисторов n-p-n типа с максимальным напряжением насыщения К-Э 0,28 В и разбросом напряжения между Б-Э и В.
Тип корпуса 401.14-5НБ
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология БИПОЛ.
Микросхемы 198НТ5А матрица транзисторов n-p-n типа с максимальным напряжением насыщения К-Э 0,28 В и разбросом напряжения между Б-Э и В.
Тип корпуса 401.14-5НБ
Рабочая температура - 60 - +125С
Технология БИПОЛ.
Микросхемы 590КН2 4-х канальный МОП-ключ со схемой управления на коммутируемое напряжение ± 10 В.
Тип корпуса 402.16-18, 18НБ
Напряжение питания ±12-±10% В
Ток потребления не более 0,6 мА
Рабочая температура - 60 - +85С
Технология КМОП
Микросхемы 590КН3 8-ми канальный (4х2) аналоговый коммутатор с дешифратором.
Тип корпуса 402.16-18, 18НБ
Напряжение питания ±15-±10% В
Ток потребления не более 0,0,075-1,5 мА
Рабочая температура - 60 - +85С
Технология КМОП
Микросхемы 190КТ2 5-канальный коммутатор
Тип корпуса 3107.12-2.01, 2НБ
Рабочая температура - 60 - +85С
Технология МОП
Микросхемы 249ЛП1А оптоэлектронные переключатели – инверторы на основе диодных оптопар. Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Входное напряжение при Iвх= 10 мА, не более – 1,5 В
Минимальный входной ток: – 5 мА
Выходное напряжение логической единицы при Iвх=1 мА, не менее – 2,3 В
Выходное напряжение логического нуля при Iвх = 10 мА, не более – 0,3 В
Время задержки включения, не более: – 500 нс
Время задержки выключения, не более: – 500 нс
Сопротивление изоляции, не менее – 109 Ом
Проходная емкость, не более – 2 пФ
Микросхемы 514ИД1 Схема управления 7-сегментным индикатором с общим катодом .
Корпус 201.14-1
Микросхемы 514ИД2 Схема управления 7-сегментным индикатором с общим анодом.
Корпус 201.14-1
Микросхемы 572ПА1А умножающий 10-разрядный цап с токовым выходом и дифференциальной нелинейностью +/-1.5 емр
Тип корпуса 201.16-15, 15Н
Напряжение питания ±15-±10% В
Ток потребления не более 3 мА
Рабочая температура - 60 - +85С
Технология УНИПОЛ
Кремниевые интегральные микросхемы 133ЛА3 предназначены для построения дискретных устройств радиоэлектронной аппаратуры. Представляет собой четыре логических элемента 2И-НЕ.
Напряжение питания при температуре от -60 до +125


Входной ток при температуре от -60 до +125

Входной ток при температуре +20

Выходное напряжение при логическом 0 на выходе и при температуре от -60 до +125

Выходное напряжение при логической 1 на входе и при температуре от -60 до +20

Входное напряжение логического 0, не более 0,4В
Входное напряжение логической 1, не более 2,4В
Максимальное напряжение статической помехи, 0,4 В
133ЛА6 - микросхемы 2-(4И-НЕ) с повышенной нагрузочной способностью.
Тип корпуса 401.14-5, 5НБ, 5.07НБ;
Напряжение питания 5 В;
Ток потребления, не более 27 мА;
Рабочая температура от -60° до +125°С;
Технология ТТЛ.
Кремниевые интегральные микросхемы 133ЛА8 предназначены для построения дискретных устройств радиоэлектронной аппаратуры. Представляет собой четыре двухвходовые схемы И-НЕ с открытым коллекторным входом.
Напряжение питания при температуре от -60 до +125


Входной ток при температуре от -60 до +125

Входной ток при температуре +20

Выходное напряжение при логическом 0 на выходе и при температуре от -60 до +125

Выходное напряжение при логической 1 на входе и при температуре от -60 до +20

Входное напряжение логического 0, не более 0,4В
Входное напряжение логической 1, не более 2,4В
Максимальное напряжение статической помехи, 0,4 В
133ЛР1 - микросхемы 2((2-2И-2ИЛИ-НЕ),один расширяемый по ИЛИ.
Тип корпуса 401.14-5, 5НБ, 5.07НБ;
Напряжение питания 5 В;
Ток потребления, не более 14 мА;
Рабочая температура от -60° до +125°С;
Технология ТТЛ.
133ТВ1 – микросхемы, триггер JK.
Тип корпуса 401.14-5, 5НБ, 5.07НБ;
Напряжение питания 5 В;
Ток потребления, не более 20 мА;
Рабочая температура от -60° до +125°С;
Технология ТТЛ.