Geum.ru

Балапанов Нургали Серикович начальник юридического отдела Главного управления материально-технического обеспечения Вооруженных Сил Республики Казахстан тел. 47-44-56, www mto кz Общие положения конкурс

Вид материалаКонкурс

Содержание


6. Гарантийные обязательства (гарантия)
Начальник Главного управления связи
1. Наименование товара, работ и услуг
4. Тактико-технические характеристики и эксплуатационные показатели.
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6   7

КТ(2Т)809А кремниевые меза-планарные транзисторы. структуры n-p-n Предназначены для использования в переключателях, импульсных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.

Структура
n-p-n

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
400

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В
400

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)
3

Статический коэффициент передачи тока h21э мин
15

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц
5.10

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт)
40


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)841А меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для использования в переключательных, импульсных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах напряжения.

Кремниевые транзисторы меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для использования в переключательных, импульсных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)828А меза-планарные импульсные высоковольтные, структуры n-p-n, предназначены для работы в источниках питания , высоковольтных ключевых и других устройствах радиоэлектронной аппататуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)904А эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в усилителях мощьности, умножителях частоты в диапозоне 100...400 МгГц в режимах с отсечкой коллекторного тока, автогенераторах, импульсных и других устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.

Планарные МДП транзисторы КП(2П)902А с индуцированным каналом n- типом, предназначены для работы в приемно-передающей аппаратуре в диапазоне частот до 400 МГц.

Выпускаются в метало-керамическом корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -45ºС до +85ºС.


Кремниевые высоковольтные транзисторы КТ(2Т)845А n-p-n . предназначены для применения в телевизионной технике, автомобильной электронике, в источниках вторичного питания, импульсных, ключевых и усилительных схемах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе.


Планарные МДП- транзисторы КП(2П)350Б с двумя изолированными затворами и встроенным каналом n-типа. Предназначены для работы в высокочастотных каскадах радиоэлектронной аппаратуры. Управление током стока осуществляется напряжением, подаваемым на первый затвор. На второй затвор подается постоянное напряжение. При необходимости второй затвор может использоваться в качестве второго управляющего электрода.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с мягкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -45ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)830А меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для использования в переключательных, импульсных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)316Б эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в быстродействующих переключающих устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)208К эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Эпитаксиально - планарные транзисторы КП(2П)305Г с индуцированным каналом n- типом, предназначены для работы в приемно-передающей аппаратуре в диапазоне частот до 400 МгГц.

Выпускаются в металлокерамичесском корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -45ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)603А эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в усилителях, высокочастотных генераторах и переключающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Кремниевые СВЧ транзисторы КТ(2Т)368А эпитаксиально-планарные усилительные, структуры n-p-n, предназначены для использования в входных и последующих каскадов усилителей высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые меза-эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ(2Т)816Б. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +150ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)817Б меза-эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, усилительные, предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +150ºС.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы КТ(2Т)313 структуры p-n-p. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)630А планарные, структуры n-p-n, предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)505А меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для использования в переключательных, импульсных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)208М эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)208Г эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)208Д эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)208Л эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)608А эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)808А меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в усилителях низкой частоты, преобразователях напряжения, стабилизаторах, импульсных переключательных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)326Б эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, предназначены для применения в усилителях высоких и сверхвысоких частот и переключающих устройств.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)603Б эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в усилителях, высокочастотных генераторах и переключающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)908А меза-планарные, структуры n-p-n, предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Эксплуатируются при температуре от -60ºС до +125ºС.


Кремниевые транзисторы КТ(2Т)608Б эпитаксиально-планарные переключательные, структуры n-p-n, предназначены для работы в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при температуре от -40ºС до +85ºС.


Стабилитроны полупроводниковые КС 133А стеклянные общего назначения, высоконадежные предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего тока и в импульсном режиме.

Мощность рассеяния, Вт
0.3

Минимальное напряжение стабилизации, В
3

Номинальное напряжение стабилизации, В
3.3

Максимальное напряжение стабилизации, В
3.6

Статическое сопротивление Rст., Ом
65

при токе I ст, мА
10

Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С
0.11

Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст., В
1

Минимальный ток стабилизации Iст.мин., мА
3

Максимальный ток стабилизации Iст.макс., мА
81

Рабочая температура, С
-60...125

Способ монтажа
в отверстие

Выпускаются в стеклянных цилиндрических корпусах с разнонаправленными выводами.


Стабилитроны полупроводниковые КС 147А стеклянные общего назначения, высоконадежные предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего тока и в импульсном режиме.

Мощность рассеяния, Вт
0.3

Минимальное напряжение стабилизации, В
3

Номинальное напряжение стабилизации, В
3.3

Максимальное напряжение стабилизации, В
3.6

Статическое сопротивление Rст., Ом
65

при токе I ст, мА
10

Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С
0.11

Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст., В
1

Минимальный ток стабилизации Iст.мин., мА
3

Максимальный ток стабилизации Iст.макс., мА
81

Рабочая температура, С
-60...125

Способ монтажа
в отверстие

Выпускаются в стеклянных цилиндрических корпусах с разнонаправленными выводами.


Стабилитроны полупроводниковые КС 156А стеклянные общего назначения, высоконадежные предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего тока и в импульсном режиме.

Мощность рассеяния, Вт
0.3

Минимальное напряжение стабилизации, В
3

Номинальное напряжение стабилизации, В
3.3

Максимальное напряжение стабилизации, В
3.6

Статическое сопротивление Rст., Ом
65

при токе I ст, мА
10

Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С
0.11

Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст., В
1

Минимальный ток стабилизации Iст.мин., мА
3

Максимальный ток стабилизации Iст.макс., мА
81

Рабочая температура, С
-60...125

Способ монтажа
в отверстие

Выпускаются в стеклянных цилиндрических корпусах с разнонаправленными выводами.


5. Требования, предъявляемые к товару

Первая категория, сертификат соответствия, сертификат качества, сертификат происхождения.

Товар в упаковке производителя.


6. Гарантийные обязательства (гарантия)

Срок гарантийного хранения не менее 3-х лет.


7. Сопутствующие услуги (по необходимости) должны включать:

Рекомендации по эксплуатации.


8. Базис и условия поставки

Групповой ЗИП поставляется Приёмщику - в войсковую часть 03825 (пгт. Боралдай, Алматинской области).Реквизиты: 040707, пгт. Боралдай, Алматинской области.

Для контейнеров – станция Алматы-2, код 700100.

Для вагонных поставок – станция Жетысу, код 700308.

Срок поставки – по 30 ноября 2011 года.


Начальник Главного управления связи

Вооруженных Сил Республики Казахстан


полковник Т. Кемербаев


Приложение №2,1

к конкурсной документации 


Техническая спецификация

группового ЗИП для ремонта аппаратуры вторичного уплотнения


1. Наименование товара, работ и услуг

Настоящая спецификация разработана на поставку группового ЗИП для поддержания работоспособности и ремонта аппаратуры вторичного уплотнения.

2. Назначение

Радиодетали, трансформаторы и переключатели ремонтного комплекта предназначены для ремонта аппаратуры вторичного уплотнения.

3. Комплектность:

а) трансформаторы:

ТрСОФ 503 -10 шт.;

ТрСОФ 532 -10 шт.;

ТПП 261 -10 шт.;

ТПП 284 -10 шт.;

ТА-1 -10 шт.;

ТН-61,60 -10 шт.;

ТПП 268-127/220-50 -10 шт.;

б) дроссель:

ДМ0,1-100 мкГН -100 шт.

в) диодная сборка:

КД906А -100 шт.


г) резисторы:

ОМЛТ-2 3кОм -500 шт.;

СП5-1В1А-100 Ом -20 шт.;

СП3-37А-1-100 Ом -20 шт.


д) микросхемы:

564 ЛА8 -50 шт.;

564 ЛЕ6 -50 шт.;

564 ЛН1 -50 шт.;

564 ЛА7 -50 шт.;

564 ЛЕ5 -50 шт.;

564 ЛП2 -50 шт.;

564 ЛС2 -50 шт.;

564 ИД1 -50 шт.;

564 ИП2 -50 шт.;

564 ТР2 -45 шт.;

564 ИР2 -45 шт.;

564 ИЕ10 -45 шт.;

564 ИЕ9 -45 шт.;

564 ИЕ11 -45 шт.;

564 ЛЕ10 -45 шт.;

134 ЛА8а -45 шт.;

134 ЛР1а -45 шт.;

134 ХЛ3 -45 шт.;

134 ТВ1 -45 шт.;

134 ТВ14 -45 шт.;

134 ИЕ5 -45 шт.;

134 ЛБ2б -45 шт.;

134 ЛР1б -45 шт.;

134 ИР1 -45 шт.;

134 ЛР4а -45 шт.;

К542 НД1 -45 шт.;

К542 НД5 -45 шт.;

198 НТ3 -45 шт.;

198 УТ1а -45 шт.;

198 НТ1а -45 шт.;

198 НТ5а -45 шт.;

590 КН2 -45 шт.;

590 КН3 -45 шт.;

190 КТ2 -45 шт.;

521 СА3 -60 шт.;

249 ЛП1а -45 шт.;

514 ИД1 -45 шт.;

514 ИД2 -45 шт.;

572 ПА1а -45 шт.;

133 ЛА3 -45 шт.;

133 ЛА8 -45 шт.;

133 ТВ1 -45 шт.;

133 ТМ2 -45 шт.;

133 ИЕ2 -45 шт.;

132 ЛА1 -45 шт.;

133 ЛА2 -45 шт.;

133 ЛА4 -45 шт.;

133 ЛА7 -45 шт.;

133 ЛР3 -45 шт.;

133 ИЕ5 -45 шт.;

133 ИЕ7 -45 шт.;

140 УД5а -45 шт.;

140 УД9 -45 шт.;

140 УД1а -45 шт.;

140 УД12 -45 шт.;

140 УД14 -45 шт.;

140 УД6 -45 шт.;

140 УД608 -45 шт.;

140 УД20а -45 шт.;

140 УД20б -45 шт.;

142 ЕН3 -45 шт.;

142 ЕН4 -45 шт.;

149 КТ1в -45 шт.;

149 КТ2в -45 шт.;

153 УД1 -45 шт.;

164 ЛА7 -45 шт.;

164 ЛИ1 -45 шт.;

164 КТ1 -45 шт.;

164 ИР3 -45 шт.;

164 ИР10 -45 шт.;

164 ЛС1 -45 шт.;

164 ЛЕ5 -45 шт.;

164 ЛЕ6 -45 шт.;

164 ИР2 -45 шт.;

164 ЛА8 -45 шт.;

164 ЛА9 -45 шт.;

164 ЛЕ10 -45 шт.;

164 ЛП11 -45 шт.;

164 ЛП12 -45 шт.;

164 ЛП1 -45 шт.;

164 ЛП2 -45 шт.;

164 ТМ2 -45 шт.;

164 ЛП4 -45 шт.;

159 НТ1б -45 шт.;

1 НТ251 -45 шт.;


е) переключатели:

ПГ2-5-12П1Н.ВК -5 шт.;

ПГ2-17-3П4Н.ВК -5 шт.;

ПГ2-6-12П2Н.ВК -5 шт.;

ПГ2-13-4П3Н.ВК -5 шт.;

ПГ2-9-6П2Н.ВК -5 шт.


4. Тактико-технические характеристики и эксплуатационные показатели.

Трансформаторы ТрСОФ 503 используются в источниках электропитания радиоэлектронной аппаратуры общего и специального назначения и в аппаратуре средств связи при питании от промышленной сети переменного тока напряжением 115 и 220 В и частотой 400 Гц.

Номинальная мощность 170Вт

Ток первичной обмотки 1,9/0,9А

Ток вторичной обмотки 0,13 А

Температура окружающей среды от-60 до +85С

Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+70С

Трансформаторы ТрСОФ 532 используются в источниках электропитания радиоэлектронной аппаратуры общего и специального назначения и в аппаратуре средств связи при питании от промышленной сети переменного тока напряжением115 и 220 В и частотой 400 Гц

Номинальная мощность 250Вт

Ток первичной обмотки 2,7/1,35А

Ток вторичной обмотки 0,50 А

Температура окружающей среды от-60 до +85С

Температура перегрева обмоток в нормальных условиях ≤+70С


Трансформаторы ТПП 261 предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре, аппаратуре средств связи и электронно-вычислительных машинах при питании от промышленной сети переменного тока напряжением127 и 220 В и частотой 50 Гц.

Номинальная мощность 31,0 Вт

Ток первичной обмотки 0,340/0,190 А

Ток вторичной обмотки 0,475 А