Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью

Вид материала

Автореферат

Содержание Основные результаты и выводы Публикации по теме диссертации

Подобный материал:

• Рабочая программа дисциплины "Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники, 119.56kb.
• Министерство образования и науки РФ московский энергетический институт (технический, 83.36kb.
• Реферат по дисциплине " Технологические процессы микроэлектроники " на тему: Технологические, 1398.5kb.
• Программа курса лекций, 30.09kb.
• Физика полупроводниковых приборов, 1091.64kb.
• Неделя I: Лекция. Введение в дифференциальную и гендерную психологию, 74.36kb.
• Полупроводниковые приборы, 355.8kb.
• Методика анализа, прогнозирования и повышения надежности изделий микроэлектроники,, 21.62kb.
• Материалы микроэлектроники, 673.1kb.
• Научная конференция с международным участием 27 28 октября 2011, 89.47kb.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

• Разработан интегральный позиционно-чувствительный полупроводниковый фотоприемник на основе пятислойной полупроводниковой структуры с N-образной вольт-амперной характеристикой. В результате физико-топологического и математического моделирования и экспериментального исследования такого фотоприемника показано, что в зависимости от пространственного положения светового зонда на фотоприемнике происходит увеличение тока пика N-образной вольт-амперной характеристики, либо его уменьшение вплоть до полного исчезновения N-участка на вольт-амперной характеристике, то есть такой фотоприемник является позиционно-чувствительным.
  
• Разработан фоточувствительный полупроводниковый прибор с передаточной N-образной ВАХ на основе комбинации двух элементов с N-образной вольт-амперной характеристикой, один из которых включен в управляющую цепь второго. Проведенные математическое, физико-топологическое моделирование и экспериментальное исследование показывают, что такой прибор имеет N-образные статические передаточную и выходную характеристики, что обеспечивает ограничение максимальных рабочих токов во входной и выходной цепях, то есть защиту от перегрузок.
  
• Разработан комбинированный полупроводниковый позиционно-чувствительный прибор с N-образной вольт-амперной характеристикой на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотоприемника и полупроводникового прибора с N-образной вольт-амперной характеристикой, проведено его моделирование и экспериментальное исследование, в результате чего показано, что ток пика N-образной вольт-амперной характеристики комбинированного позиционно-чувствительного фотоприемника линейно зависит от координаты светового зонда на поверхности фоточувствительной области линейного или дугового фотоприемника, что позволяет использовать такой фотоприемник в качестве координатного или углового управляемого фотопереключателя.
  

Публикации по теме диссертации


Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК:

1. Корнеев И.В. Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Известия вузов. Электроника. - 2006. - №4 - C. 88-89.
   
2. Корнеев И.В. Устройство позиционирования на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотодатчика с отрицательной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, М.А. Терентьев // Нано- и микросиcтемная техника. – 2007. - №12. - C. 58-60.
   
3. Корнеев И.В. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Известия вузов. Электроника. – 2010. - № 4(84). – C. 14-19.
   
4. Корнеев И.В. Моделирование и исследование негатрона с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Нано- и микросиcтемная техника. – 2010. - №4 - C.17-24.
   
5. Корнеев И.В. Двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, В.А. Родионов // Нано- и микросиcтемная техника. – 2010. - №12 - C. 35-37.
   
6. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота / Н.Т. Гурин, С.Г. Новиков, И.В. Корнеев, А.А. Штанько, В.А.Родионов // Письма в Журнал технической физики. – 2011. – Т. 37, вып. 6. - С.57-62.
   

Патенты:

7. Патент № 2309487 Российская Федерация. Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.А. Каштанкин, И.В. Корнеев; заявитель и патентообладатель Ульяновский государственный университет. - опубл. 27.10.2007.
   
8. Патент № 2428765 Российская Федерация. Полупроводниковый прибор со встроенной защитой в цепях управления и нагрузки / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев; заявитель и патентообладатель Ульяновский государственный университет. – опубл. 10.09.2011.
   
9. Патент, заявка № 2010141198 Российская Федерация. Двухполюсный полупроводниковый позиционно-чувствительный фотоприемник с отрицательной дифференциальной проводимостью / Н.Т. Гурин, С.Г. Новиков, Е.В. Лычагин, В.А. Родионов, А.А. Штанько, И.В. Корнеев, В.А. Куприянов; заявитель и патентообладатель Ульяновский государственный университет. – заявка от 07.10.2010, решение о выдаче патента от 04.08.2011.
   

Статьи и материалы конференций:

10. Корнеев И.В. Моделирование и исследование фоточувствительного полупроводникового прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // «Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание -2005»: материалы 7-ой Междунар. научн.-техн. конф. – Курск: - Изд-во КГТУ, – 2005 - С. 91-92.
    
11. Корнеев И.В. Моделирование N – фотоприемника. / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды Десятой Междунар. научн.-техн. конф. - Таганрог: Изд-во ТГРУ ,– 2006 - С. 261-263.
    
12. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды IX Междунар. конф. - Ульяновск, УлГУ ,– 2007 - С.62.
    
13. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью и устройство позиционирования на его основе / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, М.А. Терентьев // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т.11: Сборник трудов Четвертой Междунар. научн.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» - СПб.: Изд-во политехн. ун-та, -2007– С. 355-357.
    
14. Корнеев И.В. Позиционный фотодатчик с отрицательной проводимостью. / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Девятая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике - СПб.: Изд-во политехн. ун-та, – 2007 - С. 102.
    
15. Корнеев И.В. Полупроводниковый позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью и устройства позиционирования на его основе / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Актуальные проблемы современной науки: Междунар. форум-конкурс– Самара – 2007 - С. 20-23.
    
16. Корнеев И.В. Полупроводниковый прибор с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Г. Новикова // «Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание 2008» : материалы 8-й Междунар. научн.-техн. конф.– Курск: Изд-во КГТУ ,– 2008 – С. 123.
    
17. Корнеев И.В. Полупроводниковый прибор с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Г. Новикова // Микроэлектроника и информатика   2008: материалы 15-ой Всерос. межвуз. научн.-технич. конф. студентов и аспирантов. - М: Изд-во МИЭТ, – 2008 – С.90.
    
18. Корнеев И.В. Полупроводниковые приборы с передаточной вольт-амперной характеристикой N-типа и защитой от перенапряжения / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Высокие технологии, фундаментальные исследования, образование.: сб. трудов Седьмой Междунар. научн.-практич. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» – СПб. : Изд-во политехн. ун-та, 2009 – С. 109-110.
    
19. Корнеев И.В. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Радиоэлектронная техника: межвуз. сб. науч. трудов– Ульяновск, , 2009 - С. 14-20.
    
20. Корнеев И.В. Многослойные фотоприемники с отрицательной проводимостью // Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: материалы 12-й регион. научн. школы-семинара - Ульяновск Изд.-во: УлГТУ – 2009 - С. 46-48.
    
21. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительные фотоприемники для фотоэлектрических преобразователей координат и углов / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Радиоэлектронная техника: межвуз. сб. науч. трудов– Ульяновск, Изд.-во: УлГТУ, – 2010 – С. 20-26.
    
22. Корнеев И.В. Позиционный фотодатчик / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, В.А. Родионов // труды Междунар. конф. "Современные проблемы наноэлектроники, нанотехнологий, микро- и наносистем":– Ульяновск УлГУ,-2010 – С.199-201.
    
23. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный комбинированный прибор с N-образной вольт-амперной характеристикой / Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.Н. Максин, С.Г. Новиков // Материалы IV Рос. семинара по волоконным лазерам – Ульяновск, УлГУ, 2010 - С. 125.
    
24. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный N-фотоприемник / Н.Т. Гурин, С.Г. Новиков, И.В. Корнеев, А.Н. Максин // Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации - Распознавание-2010– Курск, Изд-во КГТУ - 2010 - С. 91-93.
    
25. Корнеев И.В. Позиционно-чувствительный фотоприемник / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии, микросистемы: труды XII Междун. конф. – Ульяновск, УлГУ, - 2010 - С. 18.
    
26. Корнеев И.В. Моделирование позиционно-чувствительного фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев // труды V Междунар. научн.-практ. конф. Информационные и коммуникационные технологии в образовании, науке и производстве: - Протвино,2011 – С. 48-49.
    
27. Корнеев И.В. Угловой фотопреобразователь с отрицательной дифференциальной проводимостью / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, А.В. Евстигнеев // Опто- наноэлектроника, нанотехнологии, микросистемы: труды XIII Междун. конф. – Ульяновск, УлГУ, - 2011- С. 416.
    
28. Корнеев И.В. Фотопреобразователь углов атаки / С.Г. Новиков, Н.Т. Гурин, И.В. Корнеев, и др. // материалы 1-й Всерос. научн.-практ. конф. Устройства измерения, сбора и обработки сигналов в информационно-управляющих комплексах: – Ульяновск, УлГТУ, - 2011 - С.108-115.