Технология прямого

Вид материала

Документы

Содержание Список литературы к главе 4

Подобный материал:

• Реферат по дисциплине управление маркетингом на тему стратегии прямого маркетинга, 240.21kb.
• Технология прямого, 498.19kb.
• Технология прямого сращивания пластин кремния и технологические маршруты изготовления, 689.61kb.
• Н. Г. Осенний 2012 г. Расписание, 59.13kb.
• Московский Государственный Университет пищевых производств Ю. А. Косикова методические, 725.64kb.
• Прикладнаямеханика лекция, доц. Воложанинов С. С. 2/150, 47.06kb.
• Программа вступительного экзамена по специальности 05. 27. 06 «Технология и оборудование, 81.6kb.
• Отчет о результатах самообследования основной образовательной программы по специальностям:, 1627.98kb.
• Рабочая программа и методические указания к выполнению контрольной работы для заочной, 305.14kb.
• Программа преддипломной практики студентов специальности 1-36 01 01 «Технология машиностроения», 336.91kb.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛАВЕ 4

1. Stengl R, Tan T, Goesele U. A model for the silicon wafer bonding process // J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P. 1735 – 1741

2. Герасименко Н.Н. Кремний, облученный протонами. Современные проблемы ядерной физики, физики и химии конденсированных сред // Труды 1-й Московской Международной школы физики ИТЭФ. 17 – 26 февраля 1998 г., Звенигород, Московской обл. 1998. С. 173 – 179.

3. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Суворов А.Л., Шарков Б.Ю., Залужный А.Г., Графутин В.И., Козодаев М.А. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 – 00. M., 2000. 20 с.

4. Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Дьячков С.А., Залужный А.Г., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., Реутов В.Ф., Шарков Б.Ю. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ // Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

5. Sensor Technology Devices Ed. Ljubisa Rustic. Boston - London: Artech House, 1994. P. 157 – 201.

6. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Модель прямого низко­температурного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаи­вания: обзор // Материаловедение. 2001. № 1. С. 44 – 52.

7. Прокопьев Е.П., Петров С.В. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С. 103–112. – Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р–5502.

8. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния // Материаловедение. 1999. № 5. С.43 – 45.

9. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дягилев В.В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандарт­ных пластин кремния // Известия вузов. Электроника. 1998. № 5. С. 39 – 44.

10. Ежовский Ю.К., Вайнштейн П.М. Химическая активность и особенности взаимодействия ОН-групп на поверхности монокри­сталлического кремния // Журнал прикладной химии. 1998. Т. 71. № 2. С. 227 – 231.

11. Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.

12. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978. 258 с.

13. Малыгин А.А. Метод молекулярного наслаивания - основа химической нанотехнологии материалов твердотельной электро­ники // Петербургский журнал электроники. 1996. № 1. С. 22.

14. Кольцов С.И. Химическое конструирование твердых ве­ществ. Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1990. 48 с.

15. Алесковский В.Б. Химия надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Спб: Изд-во С. - Петербург. ун-та, 1996. 256 с.

16. Малыгин А.А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания // Соросовский образователь­ный журнал. 1998. № 7. С. 58 – 63.

17. Tong Q.-Y., Goesele U. A Model of Low-Temperature Wafer Bonding And Its Applications // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. № 5. P. 1773 – 1779.

18. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Определение энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания: обзор // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 1999. № 3. С. 45 – 49.

19. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого со­единения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания // Материало-ведение. 1999. № 4. С. 49 – 51.

20. Tong Q.-Y., Goesele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. V. 11. № 17. P. 1409 – 1425.

21. Tong Q.-Y., Goesele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley. New York. 1998. 326 p.

22. Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графу­тин В.И., Крамер П.В., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю. Smart-cut технология получения структур КНИ // В кн.: Водо­родная обработка материалов, Труды 3-ей Международной Конфе­ренции "ВОМ-2001". Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч. 1,2. Донецк – 2001. С. 262 – 264.

23. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания // Материаловедение. 2000. № 8. С. 25 – 28.

24. Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Залужный А.Г., Прокопьев Е.П., Шарков Б.Ю. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности // Научная сессия МИФИ-2001 года. Сборник научных трудов. Т. 9. М.: МИФИ, 2001. C. 22, 23.

25. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 1999. № 3. С. 35 – 44.

26. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Прямое соединения пла­стин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур // Тезисы докладов Всероссийской конференции с между­народным участием "Сенсор-2000". Сенсоры и микросистемы 21 – 23 июня 2000. Санкт-Петербург. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С. 208.

27. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Калугин В.В. Технология КНИ структур // Петербургский журнал электроники. 2000. № 1. С. 8 – 25.

28. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дьячков С.А., Калу­гин В.В. Очистка и активация поверхности в методе прямого со­единения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получе­ния КНИ структур // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2000. № 3. C. 75 – 84.

29. Timoshenkov S.P., Prokopiev E.P. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv, October 2 – 5, 2000. C. 23,24.

30. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и Связь. 1991. 528 с.

31. Буренков А.Ф. и др. Пространственное распределение энер­гии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. 248 с

32. Александров П.А. и др. // Труды 9-ого Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 28.06 – 03.07 1999. М.: Наука, 1999. Т. l, с.330.

33. Александров П.А. и др. // Вестник Нижегородского универ­ситета им. Н.И. Лобачевского. Сер. Физика твердого тела. Вып.2. По материалам 4-ого Всероссийского семинара "Физические и фи­зико-химические основы ионной имплантации". Н.Новгород 9 – 11.06.1998. Сборник докладов. Н.Новгород: Изд-во Нижегород­ского университета, 1998. С. 17.

34. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. С. 228 – 233.

35. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979. 517 с.

36. Хакен Г. Синергетика. М.: Мир, 1980. 404 с.

37. Прокопьев Е.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.18. С. 80 84.

38. Прокопьев Е.П. // Журнал прикладной химии. 1993. Т. 66. Вып.6. С. 1242 – 1245.

39. Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. Авторское свидетельство СССР № 1282757, 30.12.1983.

40. Bruel M. Silicon on insulator material technology // Electronics Letters. 1995. V. 31. № 14. P. 1201 – 1202.

41. Калугин В.В. Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе // Автореф. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. МИЭТ (ТУ), 2001.

42. Bogdanovich B.Yu., Nesterovich A.V., Puchkov A.V. Material properties modification by means of high-voltage injector with mixed electron-proton beam // European Conference on accelerators in applied research and technology, August 26 – 30, 1997, P. 133.

43. Bogdanovich B.Yu., A.Nesterovich A.V., Korenev S., Masunov E.S. Conception of electron linac with regulation of main parameters for radiation technologies // Proceeding of the 2001 particle accelerator Conference., June 12 – 22, 2001, Chicago, USA, Abstracts, P. 153.

44. Bogdanovich B.Yu., Gavrilov N.M., Nesterovich A.V., Ostrikov S.V., Stepanov S.S., Zubovsky V.P. Multibam RF ion source with grounded RF generator for high current accelerators and neutron generators // Proceeding of the 1999 particle accelerator Conference. New York, P. 1932 – 1933.

45. Nesterovich A.V., Puchkov A.N. A versatile injector of ion, electron and ion-electron beams // Instruments and experimental techniques. 1999. V. 42, № 5. P. 658 – 661.

46. Bogdanovich B.Yu., Nesterovich A.V., Puchkov A.N. Experimental study of system for a simultaneous bend of unidirectional electron and proton beams // Proceeded of the XX international linac Conference, Monterey, California, USA, August 21 – 25. 2000. V. 1, P. 287 – 289.

47. Богданович Б.Ю., Нестерович А.В., Пучков А.Н., Успен­ский М.Н. Электронно-ионный источник для модификации свойств материалов // Материалы 4-ой Всероссийской конференции по мо­дификации свойств конструкционных материалов пучками заря­женных частиц. 13 - 17 мая. 1996. Томск ТПУ, С. 26 – 28.

48. Bogdanovich B.Yu., Nesterovich A.V. Accelerator with electron-ion beam. New materials in Russia // The proceeded for the 5^th Workshop on advanced technology in Russia. October 15. 1997. JST. Tokyo. Japan. P. 23.

49. Bogdanovich B.Yu., Nesterovich A.V. A multifactoring charged particles accelerator for medicine and industry applications. New materials in Russia // The proceeded for the 5^th Workshop on advanced technology in Russia, October 15, 1997, JST, Tokyo, Japan, P. 23.

50. Bogdanovich B.Yu., Nesterovich A.V., Abramenko N.I. Ion microwave source for linear accelerator // Proceeded of the 5^th european particle accelerator Conference EPAC-96, Barcelona, June 10 – 14. 1996. P. 2773 – 2774

51. Богданович Б.Ю., Нестерович А.В. Пучки и плазма в высокочастотных полях ускорителей. М.: МИФИ, 2000.

52. Абраменко Н.И., Гаврилов Н.М., Нестерович А.В., Гро­мов Е.В., Шальнов А.В., Волков А.П. и др. Линейный ускоритель протонов РУЛ МИФИ. Теория, расчет и экспериментальные ра­боты по ускорителям заряженных частиц. М.: Энергоатомиздат, 1982. С. 75 – 79.

53. Абраменко Н.И., Гаврилов Н.М., Нестерович А.В., Громов Е.В., Капин В.В., Остриков С.В. и др. Семипучковый ВЧ-инжектор с изолированным вводом мощности // Тезисы докладов на 2-ом Всесоюзн. научно-техн. совещ. "Вопросы разработки и применения портативных генераторов нейтронов". М., ГККАЭ, 1987, С. 149, 150.