Краткое пособие по электроразведке на первой учебной геофизической практике в Крыму

Вид материала

Подобный материал:

1 2 3

1.5. Аппаратура для электроразведки методом сопротивлений

Наиболее распространенной для электроразведки аппаратурой в конце 80-х годов был комплект АНЧ-3 (АНЧ - аппаратура низкой частоты) на переменном токе частотой 4.88 Гц, разработанный в ВИРГ-Рудгеофизика (Петербург), и выпускавшийся заводом Виброприбор в Кишиневе. В 90-х годах на смену АНЧ-3 пришла аппаратура ЭРА, выпускаемая фирмой "ЭРА" и заводом "Геологоразведка" в городе С.-Петербурге. Достоинства переменного тока в исключении влияния поляризации измерительных электродов, существенно больших чувствительности (пределы измеряемых напряжений милливольтметра ЭРА: от 1 мкВ до 1.999 В, входное сопротивление 5 МОм.) и помехоустойчивости измерений. Это позволило проводить работы с малыми токами (10 мА), безопасными для человека, резко уменьшить вес источников тока (генераторов). В аппаратуре ЭРА, кроме частоты 4.88 Гц, появились режимы постоянного тока и измерений на частоте 625 Гц. На частоте 625 Гц оказываются возможными бесконтактные измерения по методике, разработанной Б.Г.Сапожниковым и другими специалистами НПО "Рудгеофизика", до последнего времени не имевшие аналогов в мире. Они позволяют резко повысить производительность работ в условиях затрудненных заземлений, при работе в зимних условиях и т.д. В 1998 г. в ИКИ (Москва) был разработан генератор на 4.88 Гц, отличающийся существенно меньшими размерами и весом и управляемый одной кнопкой. С 1998 г. выпускается измеритель ЭРА с памятью, позволяющий накапливать все измерения в памяти прибора и затем перекачивать их в компьютер.

Лучшие образцы аппаратуры для метода сопротивлений других стран отличаются от аппаратуры типа ЭРЫ следующим: наличием встроенных микропроцессоров и памяти, позволяющих контролировать работоспособность всех узлов во время работы, гарантировать точность и помехоустойчивость (если отсчет недостаточно точен, он не появится на табло) и запоминать отсчеты. Результаты измерений из памяти прибора могут быть переданы в компьютер для последующей обработки. В последнее время появились приставки, обеспечивающие многоканальность измерения и возбуждения поля для работы с многоэлектродными установками.

2. Электропрофилирование

Рис.2.1 Некоторые типы установок ЭП
Электропрофилирование (ЭП) - модификация метода сопротивлений. ЭП предназначено для изучения геологических разрезов вдоль разведочных линий, профилей, или по площади при наличии в разрезе горизонтальных неоднородностей удельного электрического сопротивления: крутопадающих контактов пород, тектонических нарушений, наклонных пластов, рудных тел, интрузий и т.п.

При электропрофилировании размеры установки остаются неизменными, а вся установка перемещается по профилю от точки к точке. Так как глубинность исследования в основном определяется размерами установки, то при ЭП глубинность остается примерно постоянной. На результаты ЭП оказывают влияние все неоднородности верхней части разреза от дневной поверхности до максимальной глубины, равной 1/3 - 1/10 разноса АВ/2 (или расстояния R между диполями, при использовании дипольных установок).

Для ЭП могут быть использованы различные установки: симметричная четырехэлектродная, трехэлектродная, дипольная осевая и другие. Основные виды установок ЭП приведены на рис.2.1. Здесь показаны установки: Шлюмберже (1) MN<
Расстояние между точками на профиле (шаг наблюдений) зависит от масштаба съемки (шаг должен быть равен 2-5 мм в масштабе карты) и от поперечных размеров объектов. Рекомендуется выбирать шаг в 2-5 раз меньшим видимой мощности объектов (в горизонтальном направлении) и по возможности равным MN. Направления профилей следует выбирать вкрест простирания изучаемых объектов или структур.

Результаты ЭП вдоль отдельных профилей изображают в виде графиков кажущегося сопротивления r_к, рассчитываемого по формуле: r_к=K DU / I, где К - геометрический коэффициент установки (в метрах), DU - разность потенциалов на приемных электродах MN (в мВ), I - сила тока в линии AB (в мА). Ниже приведены общая формула для расчета геометрического коэффициента любой установки и полученная из нее формула для коэффициента симметричной четырехэлектродной установки Шлюмберже.

На графиках ЭП по оси абсцисс в линейном масштабе откладывают положения точек наблюдений, а по оси ординат в линейном или логарифмическом масштабе - значения r_к. Вертикальный масштаб выбирается из соображений наглядности. Если он арифметический, то ось ординат обязательно начинается с нулевого значения. Когда значения r_к изменяются в широких пределах, используется логарифмический масштаб. Теоретически предпочтительнее логарифмический масштаб. Графики ЭП, являются основой для интерпретации, в основе которой лежит качественной соответствие поведения графиков r_к и распределения сопротивлений в разрезе. Минимумами r_к на графиках ЭП отмечаются локальные объекты низкого сопротивления, а максимумами r_к - объекты высокого сопротивления.

При использовании ЭП с двумя разносами AB каждому разносу соответствует своя глубина исследования. Сопоставление графиков ЭП для двух разносов позволяет понять, какие объекты, приповерхностные или глубинные, проявились на графиках, оценить вертикальную мощность этих объектов. Интересно, что ЭП с двумя линиями MN тоже обладает разной глубинностью. Впрочем при профилировании с двумя MN главное - это чувствительность к локальным объектам. Если длина MN больше ширины объекта, реакция ЭП на него (аномалия) резко снижается, а если MN меньше размеров объекта, то реакция (аномалия) - максимальна.

Интерпретация ЭП в основном качественная, в редких случаях количественная. При интерпретации результатов ЭП используется несколько правил.

Первое - качественное соответствие аномалий _к и сопротивлений объекта по отношению к вмещающей среде. Аномалии повышенного сопротивления соответствует объект более высокого сопротивления, а аномалии пониженного r_к - проводящий объект.

Второе - над однородным полупространством кажущееся сопротивление совпадает с истинным.

Третье - более резкие изменения _к соответствуют меньшим глубинам их источника.

Четвертое - для более надежной интерпретации ЭП очень важно иметь не один график ЭП, а два или более и сопоставлять их. Это могут быть графики ЭП с разными установками, ЭП с двумя AB или двумя MN.

Пятое - чем лучше мы представляем себе геологическую ситуацию, тем надежнее удается объяснить все особенности ЭП.

Рис.2.2. Графики ЭП по линии Обсерватория - МГРИ и схематический геологический разрез
Первое представление о геоэлектрическом разрезе района практики может дать электропрофилирование по маршруту Обсерватория - база МГРИ (рис.2.2). При использовании установки ЭП с двумя питающими линиями AB = 30 и 100 м с MN 10 м и шагом по профилю 30 м все основные элементы геологического разреза (рис.2.2, Б) четко выявляются на графиках ЭП (рис.2.2, А). С помощью электроразведки получена новая геологическая информация о характере контакта резанских песчаников (K₁h) и биасалинских глин (K₁ap) (ПК 0.48) и о строении г. Придорожной (ПК 2.5-2.7).

3. Электрические зондирования

В ходе краткого курса лекций и лабораторного практикума по электроразведке в Москве студенты познакомились с методом вертикального электрического зондирования (ВЭЗ) в его традиционном (классическом варианте). Напомним основные положения ВЭЗ.

Метод ВЭЗ предназначен для изучения горизонтально-слоистых сред (или полого-залегающих сред с углами наклона не более 15-20°). Для ВЭЗ обычно используется симметричная четырехэлектродная установка Шлюмберже. На каждом разносе измеряются значения тока в AB и напряжения в линии MN по которым вычисляется _к. Основная идея ВЭЗ - чем больше разнос установки, тем больше глубина исследования. Идея основана на законе распределения плотности тока с глубиной. Плотность тока, точнее ее горизонтальная составляющая J_x в середине разноса AB меняется с глубиной z относительно плотности тока на поверхности J_x0 по следующему закону:

Рис.3.1. Изменение плотности тока с глубиной для трех разносов R.
На поверхности земли (z=0) плотность тока будет максимальной, а с глубиной она убывает (рис.3.1). Для увеличения плотности тока на какой-то глубине, а значит для увеличения глубины исследования, необходимо увеличить разнос R. В среднем глубину исследования метода ВЭЗ можно оценить как 1/3 R. Если интересующая нас граница находится на глубине H, то максимальный разнос для ее надежного обнаружения должен быть не менее 3H. При этом начальный разнос обычно не связывают с глубиной этой границы, а берут равным 1-1.5 м. Малые разносы нужны для определения свойств слоев выше интересующей нас границы, что необходимо для интерпретации всей кривой ВЭЗ.

Традиционная методика ВЭЗ состоит в следующем: В центре зондирования располагают линию MN, приборы, катушки для разноса питающих электродов. В процессе зондирования питающие электроды разносят по прямой линии симметрично относительно центра установки, так чтобы разносы возрастали в геометрической прогрессии с коэффициентом 1.2-1.5. Геометрическая прогрессия при построении кривой зондирования на билогарифмическом бланке дает равномерный шаг точек на кривой. Разнос приемных электродов MN не должен превышать 1/3 минимального разноса AB. Когда с ростом разносов AB измеряемый сигнал убывает и приближается к пределу чувствительности прибора, то линию MN следует увеличить. Сегменты кривой ВЭЗ для разных длин MN измеряют с некоторым перекрытием. Несовпадение этих сегментов называют "воротами". Точки ВЭЗ располагают по отдельным профилям или равномерно по площади. Чтобы избежать случайных ошибок при выполнении ВЭЗ обычно по результатам измерений сразу рассчитывают _к и наносят очередную точку на график, контролируя гладкость кривой ВЭЗ. Кривые ВЭЗ интерпретируют с помощью наборов теоретических кривых, собранных на отдельных листах - палетках, или на ЭВМ. При интерпретации важно правильно оценить по виду кривой ВЭЗ число слоев и соотношение сопротивлений в разрезе. Для этого кривую ВЭЗ сравнивают с трехслойными модельными кривыми (рис.3.2), названными буквами K, H, Q, A.

Рис.3.2. Основные типы трехслойных кривых ВЭЗ
Как правило интерпретация ВЭЗ нуждается в дополнительной информации о разрезе: числе слоев, сопротивлениях и мощностях отдельных слоев. Искусство интерпретатора состоит прежде всего в умении собрать и использовать дополнительную геологическую информацию. Количество слоев, выделяемых на кривой ВЭЗ, может не совпадать с геологически известным числом слоев в разрезе. Отдельные группы слоев могут не различаться по электрическим свойствам. Физические границы (уровень грунтовых вод, выветривание) могут увеличивать видимое на ВЭЗ число слоев. С учетом геологической ситуации на первом этапе интерпретации осуществляется идентификация геоэлектрических горизонтов и их привязка к определенным слоям. После этого уже выполняется количественная интерпретация.

Практика интерпретации ВЭЗ показала, что более качественных результатов можно добиться применяя групповую интерпретацию ВЭЗ. Ее принципы можно сформулировать в следующем виде:

1) Количественной интерпретации должен предшествовать этап качественного анализа данных ВЭЗ и их сопоставления с имеющейся дополнительной (в том числе геологической) информацией о разрезе.

2) Последовательность интерпретации - от простых кривых к более сложным, от точек с известным разрезом к менее известным, от однозначно интерпретируемых к эквивалентным, от менее искаженным к более искаженным.

3) Когда это возможно, интерпретация проводится с закрепленными параметрами слоев (обычно сопротивлением), что уменьшает пределы действия эквивалентности.

По результатам интерпретации ВЭЗ строят геоэлектрический разрез (ГЭР). По горизонтали при построении ГЭР откладывают расстояния по профилю наблюдений, по вертикали - глубину. В каждой точке ВЭЗ от поверхности земли откладывают мощность первого слоя, от нее вниз - мощность второго и т.д. При объединении результатов интерпретации каждой точки ВЭЗ в ГЭР соединяют слои с близкими значениями сопротивлений, учитывая при этом и имеющуюся дополнительную информацию о строении среды.

После 1991 г. во многих странах на смену традиционным электрическим зондированиям пришла новая методика, впервые использованная в России А.А.Либерманом и В.К.Хмелевским и получившая в МГУ название "сплошных электрических зондирований" - СЭЗ. Методика отличается от ВЭЗ высокой плотностью наблюдений и более надежными геологическими построениями. Разносы ВЭЗ возрастают в геометрической прогрессии в соответствии с принципом зондирования. Разносы СЭЗ возрастают в арифметической прогрессии с постоянным (линейным) шагом, к тому же равным шагу зондирований по профилю. (Примечание. Для регистрации начальной ветви кривой зондирования в СЭЗ иногда применяют более частый шаг роста малых разносов, логарифмический или линейный.) Точки ВЭЗ размещают по профилю с линейным шагом, но не связанным с сеткой разносов ВЭЗ. У СЭЗ шаг по профилю жестко связан с сеткой разносов. Для ВЭЗ обычно используется установка Шлюмберже, для СЭЗ двухсторонняя трехэлектродная установка AMN+MNB. Основной формой представления ВЭЗ является кривая зондирования, а СЭЗ - разрезы _к. Два основных разреза _к для установок AMN и MNB дополняются системой трансформаций (V, D, G, Z, X) позволяющих на разрезах увидеть проявление геологических помех и глубинных структур. Система наблюдений, применяемая в СЭЗ позволяет превратить искажения от приповерхностных неоднородностей из случайных (для ВЭЗ) в регулярные. С регулярной помехой легче бороться, поэтому в СЭЗ разработаны эффективные системы подавления геологических помех, использующие свойство регулярности их проявления (программы Median и MPC). При профильных работах с установкой AMN+MNB за направление профиля принимается направление от меньших к большим номерам пикетов. Установкой AMN считается установка с питающим электродом, движущимся в сторону начала профиля, а MNB - в сторону конца профиля.

3.1. Искажения кривых электрических зондирований,

вызванные приповерхностными неоднородностями.

Электрические зондирования можно выполнять с разными установками: Шлюмберже, Веннера, AMN+MNB, AM, дипольной осевой AB_MN и др. Даже с трехэлектродными установками AMN+MNB можно зондировать по разному: с неподвижной линией MN и движущимися питающими электродами и наоборот, с неподвижным питающим электродом и движущейся линией MN (методика точечных зондирований - ТЗ). При выполнении зондирования установка может расположиться вблизи приповерхностной неоднородности (ППН). Так как установка зондирования состоит из неподвижного элемента установки и движущегося, то возможны случаи, когда неподвижный элемент установки попал в пределы ППН, или движущийся элемент пересек ППН. Кроме того, искажение зависит от вида элемента установки. Следует различать дипольный элемент установки (MN) и одиночный элемент (электрод A или B). Так как количество возможных вариантов с учетом разных установок, и того, что движется (дипольный или одиночный элемент), где находится неоднородность - под неподвижным элементом или пересекается движущимся, это количество вариантов очень велико, то ограничимся установкой AMN+MNB с неподвижной MN.

Рис.3.3 показывает, как проявляется полусферическая ППН на кривых электрического зондирования для трехэлектродной установки AMN с точкой записи, относимой к неподвижному элементу установки. Кривая 0 соответствует фоновому двухслойному разрезу без ППН. Кривые 1, 2, 3, 4 отвечают различным вариантам встречи (б) элементов установки AMN с ППН. В случае 1 неподвижный диполь MN находится над ППН в 3 м правее центра, а одиночный электрод A перемещается вправо. В случае 2 одиночный электрод A находится над ППН в 3 м правее центра, а перемещается диполь MN. В случае 3 неподвижный одиночный электрод находится вне ППН, а подвижный диполь MN проходит над неоднородностью. В случае 4 неподвижный диполь MN находится вне ППН, а одиночный электрод проходит над ней.

Рис.3.3. Модель (а), варианты встречи с ППН (б) и кривые AMN зондирований (в)
В рассматриваемых случаях мы наблюдаем искажения двух типов: 1) квазиконформные (случаи 1 и 2 на рис.3.3), 2) неконформные (случаи 3 и 4 на рис.3.3). Квазиконформные искажения наблюдаются, когда неподвижный элемент установки попадает в пределы ППН. Здесь кривая r_К смещается по оси сопротивлений, почти не меняя своей формы. Неконформные искажения наблюдаются в случаях 3 и 4, когда подвижный элемент установки проходит над ППН. Здесь меняется форма участка кривой r_К, отвечающего прохождению элемента установки над ППН. Отметим, что дипольный элемент установки в этом случае дает более сильные по амплитуде эффекты, чем одиночный (поле наиболее резко меняется на границах ППН). Отметим также, что случаи 2 и 3 соответствуют методике точечных зондирований (ТЗ) - питающий электрод A неподвижен, измерительный диполь MN перемещается вдоль профиля, точка записи относится к электроду A.

Для часто используемой нами установки AMN с точкой записи в середине неподвижной линии MN, искажения, связанные с питающим и измерительным элементами, различны по амплитуде и по форме. Поэтому для их описания мы используем более локальные термины - Р и С эффект.

Рис.3.4. Проявление Р-эффекта на сегментированной кривой ВЭЗ
P- (или S-) эффект - это искажения неоднородностями вблизи приемных электродов. P-эффект - от "potential" - измерительных электродов, а S- эффект - был так впервые назван М.Н.Бердичевским и использовался в МТЗ для описания аналогичного эффекта; название произошло от термина "sigma" - проводимость. Р-эффект проявляется как вертикальный сдвиг всей кривой или ее сегментов по оси сопротивлений без изменения формы. Если кривая не сегментирована, то P-эффект обнаруживается при сопоставлении этой кривой с соседними, а для сегментированной кривой - по заметному расхождению сегментов по вертикали при сохранении общей формы кривой (рис.3.4). Устранение P-эффекта называется нормализацией кривой.

Рис.3.5. Р-эффект на полевых данных ВЭЗ (д.Красное, Куликово поле)
Для сегментированной кривой сначала осуществляется частичная нормализация (все сегменты сдвигаются до соприкосновения друг с другом). Сопоставляя кривые по профилю, можно осуществить более полную нормализацию, приводя все кривые к одному базовому уровню - к той части всех кривых, которая наиболее выдержана по профилю (рис.3.5). На рис.3.5 показаны результаты ВЭЗ на археологическом объекте у дер. Красное на Куликовом поле. Шаг между зондированиями равен 1 м, а разносы - до 20 м. Разный уровень кривых ВЭЗ на рис.3.5,а не может быть вызван глубинными объектами, хотя на разрезе

1 изолинии напоминают волнистую структуру. После нормализации кривых разрез

2 выглядит как горизонтально-слоистый (рис.3.5, г).

Рис.3.6. Проявление P (вверху) и C-эффекта (внизу) на псевдоразрезе r_К (а) и его V трансформации (б)

Рис.3.8. Эффекты искажений (тройные линии) от ППН (черные прямоугольники) для разных установок.
C - эффект - это искажения кривых ВЭЗ приповерхностными неоднородностями, вызванные движущимися над ППН питающими электродами (С эффект - от слова "current"). Хотя отражения на графиках профилирования и зондирования моментов перехода перемещаемого питающего электрода через приповерхностную неоднородность (контакт, пласт: полусферу и т.п.) были известны давно из работ И.М.Блоха, В.Р.Бурсиана, А.И.Забо-ровского и др., но как серьезная причина искажений кривых зондирования С - эффект был осознан в 1991 г., сначала на результатах математического моделирования и лишь после этого на экспериментальных данных. Причина в том, что при стандартной методике зондирования и на разрезе кажущихся сопротивлений его очень трудно распознать. Проявление С-эффекта на кривой AMN над полусферической ППН показано на рис.3.3 (кривая 4), а проявление на псевдоразрезе r_К - на рис.3.6,а. Сильная вертикальная аномалия на рис.3.6,а - это Р - эффект, а С-эффект можно заметить по искривлению изолиний в виде наклонной зоны на разрезе r_К под углом 45° (вправо вниз). Намного более четко С-эффект виден на V-трансформации (производной r_К по разносу) (рис.3.6,б). Когда питающий электрод попадает в неоднородность, кривая ВЭЗ заметно искажается на 1-2 разносах за счет резкого перераспределения плотности тока в разрезе3. С-эффект обладает рядом особенностей, делающих его еще более опасным, чем P-эффект: а) изменяется форма кривой и следовательно, тип разреза и видимое число слоев; б) на серии кривых ВЭЗ по профилю он проявляется на разрезе r_К4 как наклонный слой, причем с использованием линейного масштаба по оси разносов он выглядит прямолинейным, а с использованием логарифмического масштаба - изогнутым; в) при стандартной методике зондирований с четырехэлектродной установкой Шлюмберже и логарифмическим шагом увеличения разносов С-эффект может возникать то от электрода A, то от B, и на соседних кривых по профилю проявляться нерегулярно, лишь при точном попадании питающего электрода в неоднородность. При этом пропадает главный диагностический признак - форма искажения; г) на разрезах r_К С-эффект виден не очень заметно за счет фоновых изменений поля.

На рис.3.7 показано происхождение C эффекта, возникающего от одной ППН при измерениях с разными точками расположения неподвижного диполя MN и одним подвижным электродом A, проходящим над ППН (темный прямоугольник). Система координат: расстояние по профилю (вправо), разнос АО (вниз). Точка записи относится к MN.

Рис.3.7. Схема возникновения C-эффекта.
При выборе линейного масштаба по оси разносов AO в данной системе координат, соответствующей разрезу r_К, C эффект проявит себя как линейная зона искажений, наклоненная под углом 45°. Так как разносы AO начинаются с некоторого R_min, и разрез r_К рисуется с этого уровня, показанного на рис.3.7 горизонтальной линией, то аномалия от C эффекта подходит к этому уровню не в точке фактического размещения ППН, а на расстоянии R_min от нее, что учитывается на рис.3.8. Рис.3.8 представляет искажающие эффекты, вызванные ППН в системе координат разреза r_К для разных установок. Случаи 4 и 5 соответствуют трехэлектродной установке AMN и MNB, с точкой записи в центре MN. Попадание MN в ППН вызывает P эффект (показан вертикальными линиями), а попадание токовых электродов A или B - вызывает C эффект (показан наклонными линиями). Для установки Шлюмберже (случаи 2 и 3) от каждой ППН распространяются три луча искажений (вертикально вниз - P эффект и два луча от C эффектов, расходящихся от ППН с ростом разноса AO. Для нескольких ППН (случай 3) искажающие эффекты накладываются друг на друга и в результате возрастает общий уровень геологических помех и уменьшаются возможности корреляции кривых ВЭЗ по профилю, вплоть до полной потери возможности прослеживания границ в разрезе. Случай 1 на рис.3.8 соответствует установкам AM и ABMN (ДОЗ) с точкой записи в центре установки и расходящимися в процессе зондирования симметрично относительно центра обоими элементами установки. В этом случае токовые и приемные элементы установок эквивалентны, поэтому ППН вызывает появление двух одинаковых линии искажений, расходящихся на разрезе r_К под углом 45°. Искажения для установки Веннера имеют наиболее сложную форму. Так как одновременно растут как разносы AB, так и MN, и при этом с разной скоростью, а точка записи остается неподвижной, то углы наклона зон искажений от электродов AB и MN на разрезе r_К различаются. При наличии нескольких ППН все эти зоны накладываются друг на друга, и поле r_К оказывается очень сложным.

Рис.3.9. Схема г. Придорожной с профилями ВЭЗ и ЭП и разломами: 1 - предполагаемые разломы; 2 - профили ВЭЗ и ЭП; 3 - автодорога; 4- изолинии и отметки рельефа; 5-выходы маркирующего слоя песчаников
В ходе учебной практики мы изучали разрезы г. Придорожной между базами МГУ и МГРИ, сначала методом ЭП, а затем - СЭЗ (рис.3.9). Профиль 1 длиной 300 м, представленный на рис.3.10 и 3.11, изучен двухсторонними трехэлектродными зондированиями (AMN и MNB) с шагом ВЭЗ по профилю 10 м. Разносы АО от 2 до 100 м. Разрезы кажущихся сопротивлений (рис.3.10) очень выразительно представляют эту структуру. Хорошо заметна разница между разрезами r_К для AMN и MNB (рис.3.10), которая показывает, что результаты сильно искажены горизонтальными неоднородностями и без коррекции их нельзя удовлетворительно проинтерпретировать. Введение поправок за искажающее влияние приповерхностных неоднородностей проводится с помощью алгоритмов и программ пакета IPI-2D. После введения поправок данные можно проинтерпретировать точнее и надежнее.

На рис.3.11 показан геоэлектрический разрез по результатам интерпретации СЭЗ по профилю 1. Судя по рис.3.11 разрез г. Придорожной является грабенообразной структурой, в которой тело известняков с вертикальной мощностью 20 м ограничено двумя субвертикальными разломами. Вмещающий разрез сложен рыхлыми мергелями.

Рис.3.10. Разрезы r_К СЭЗ для установок AMN и MNB (Придорожная, ПР1)

Рис.3.11. Геоэлектрический разрез г. Придорожной: 1- мергели; 2 - известняки; 3 разрушенные известняки; цифры в рамках -сопротивления слоев
С 1992 г., когда впервые применили методику СЭЗ на г. Придорожной, этот район исследован по нескольким профилям СЭЗ (1,2,3) и обычному ЭП (пр.4). Строение этого участка в плане (по данным Л.М.Расцветаева, подтвержденным электроразведкой, рис.3.9) представляется в виде клина, ограниченного двумя тектоническими нарушениями, сходящимися в восточном направлении. В пределах центрального блока породы опущены, в результате по разломам контактируют породы с разным возрастом и свойствами. В восточной части этого блока на поверхность выходят известняки (слагающие вершину Придорожной), а западнее шоссе известняков нет, но свойства пород внутри блока заметно отличаются от свойств вмещающих грабен толщ.

Blog

Краткое пособие по электроразведке на первой учебной геофизической практике в Крыму