Информация это совокупность сведений об окружающем нас мире
| Вид материала | Документы |
СодержаниеРезонасные усилители ↑ Телефоны ВУ на микросхеме Схема «Отбой» Схема питания ИС номеронабирателя |
- «Информация это сведения и знания об окружающем мире [1].», 10.54kb.
- Рассказать о истории, 49.39kb.
- «Информатика», 59.7kb.
- Информация и ее роль в современном мире, 753.06kb.
- Информатизация общества. Информация, 139.05kb.
- 1 Информация и ее основные характеристики Информация, 50.32kb.
- Всистеме чрезвычайно разнообразных знаний об окружающем нас мире важное место занимает, 241.71kb.
- Информационные ресурсы Internet, 254.83kb.
- Благая весть титульный лист, 23022.99kb.
- Закрытое акционерное общество «Санаторий «Кубань» предлагает, 17.29kb.
Резонасные усилители ↑
Телефоны
Вызывное устройство
Схема ВУ, прим-го в больш-ве ТА, имеет вид:
В
ыкл-ль SA1 предназначен для выключ-я звонка. Конд-р C1 явля-ся раздел-ным для пост. тока линии. Его сопр-е перем. сигналу вызова сост-ет 12 кОм. Схема предс-ет собой мультивибратор, кот. работает на частоте резонанса пьезоэлектрич. изл-ля BQ1 (≈3500 Гц).
Пьезоэлектрич. изл-ль предс-ет собой металлич. пластину В, на кот. размещен кристалл искусств. пьезоэлектрика. Внеш. пов-ть кристалла металлизирована двумя контактными плос-тями R и G. Если приложить напряжение между пластиной В и плос-тью металлизации R, то кристалл будет деформироваться и тем самым созд-ть звуковые колебания. Упругие колебания в свою очередь генерируют напряжение на гранях кристалла, т.е. на плос-ти металлизации G. ВУ раб-ет след. образом: напряжение положит. полупериода вызывного сигнала через С1 и R1, являющ. коллекторной нагрузкой транз-ра VT1, прикл-ся к обкладкам B и R пьезоэл-ка, что приводит к его деформации и излуч-ю зв. сигнала, усиливаемого металлич. мембраной (обкладкой В). Деформация пьезоэл-ка, вызванная приложенным к обкладкам В и R напряжением, выз-ет появл-е напряж-я на положит. полярности между В и G. Через рез-р R3, ограничивающий ток базы, это напряжение прикладывается к эмиттерному переходу VT1 и открывает его. Открытый транз-р шунтирует обкладки В и R, что приводит к ум-ю на нем напряж-я и, как следствие, к обратной деформации BQ1. Обр. деф-ция выз-ет появл-е напряж-я отриц. полярности между B и G, кот через рез-р R3 запирает транз-р. Закрытый транз-р обл-ет большим сопр-ем, вследствие чего практич-ки все напряжение вызывного сигнала вновь прикладывается к обкладкам B и R пьезоэл-ка и все повторяется. Т.о. на протяжении положит. полупериода вызывного сигнала АТС с f=25 Гц возн-ют колебания с резонансной частотой пьезоэл-ка. Отриц. полупериод вызывного сигнала запирает транз-р и автоколебания прекращаются. Рез-р R2 уст-ет нач. смещ-е на базе VT1. Емкость С1 и сопр-я рез-ров R1-R3. могут меняться, т.к. не оказ-ют сущ-го влияния на работу схемы. При замене транз-ра VT1 на структуру p-n-p, схема будет работать аналогично, но только в отриц. полупериоды вызывного сигнала. Если между цепочкой C1R1 и мультивибратором уст-ть диодный мост, то генератор будет работать в обоих полупериодах вызывного сигнала, что приведет к ув-ю громкости.
ВУ на микросхеме
В отеч. ТА в кач-ве ВУ наиб. часто исп-ся специализ. ИС КР1008ВЖ4, позв. воспроизводить 3 разл. мелодии вызывного сигнала с соотнош-ями частот 5:6, 4:5 и 4:6:5. Напряжение питания сост-ет от 6 до 15 В, а ток потребл-я при этом от 50 до 100 мкА. Доп. значение статич. потенциала сост-ет не более 30 В. Структ. схема данной ИМС имеет вид:
| Вывод | Обозначение | Назначение |
| 1 | 0V | общий вывод |
| 2 | RC2 | вход подключ-я элементов ТнГ |
| 3 | R2 | вход подключ-я рез-ра, задающего частоту ТнГ |
| 4 | C2 | вывод подключ-я конд-ра, задающего частоту ТнГ |
| 5 | S | вход управл-я ур-нем громк-ти посылок вызова |
| 6 | L2 | выход ЗвЧ |
| 7 | L1 | выход ЗвЧ |
| 8 | U | напряжение питания |
| 9 | N1 | вход програм-я мелодии вызывного сигнала |
| 10 | N2 | –– “ –– |
| 11 | BC | вход разреш-я запуска |
| 12 | С1 | вход подключ-я конд-ра, задающего частоту ТкГ |
| 13 | R1 | вход подключ-я рез-ра, задающего частоту ТкГ |
| 14 | RC1 | вход подключ-я элементов ТкГ |
| Лог. уровень на входах | Порядок чередов-я коэф-тов | |
| N1 | N2 | |
| 0 | 0 | нач. уст-ка |
| 0 | 1 | 20/24 |
| 1 | 0 | 24/30 |
| 1 | 1 | 20/24/30 |
Программируемый делитель частоты имеет 3 фикс. коэф-та деления: 20, 24 и 30. Порядок чередования этих коэф-тов двухразрядного двоичного кода на выводы N1 и N2, а ск-ть чередования уст-ся тактовым генератором ТкГ. Высота звука вызывного сигнала опр-ся опорной частотой тонального генератора ТнГ. Вых. сигнал, форм-мый на выв. L1 и L2 при соотв. схеме вкл-я нагрузки обеспечивает ступенчатое нарастание ур-ня громкости. 1-я посылка – малый уровень, 2-я – средний, 3-я и последующие посылки – максимальный. Такой режим обеспеч-ся благодаря тому, что во время 1-й посылки на выв. L1 и L2 форм-ся синфазные сигналы, во время 2-й сигнал присутствует только на выв. L2 (а на L1 – лог.1) и во время 3-й – противофазные сигналы. Вход S при этом необходимо подкл-ть к нулевой шине питания ИМС. При соед-нии его с положит. шиной, макс. громкость вызывного сигнала будет присутствовать при всех посылках. Данная ИМС обеспеч-ет подавление помех при их длительности не более 250 мс. Сигнал вызова абонента через ограничивающий рез-р R1 и разделяющий конд-р С1 поступает на мост VD1-VD4. Выпрямленный сигнал огр-ся стабилитроном VD6 до 10 В и через диод VD7 поступает на вход питания ИМС. Светодиод VD5 не явл. обяз. элементом схемы и предназначен для оптич. дублирования вызывного сигнала. Наличие напряж-я высокого ур-ня на выводе 11 ИС разрешает запуск ТкГ и ТнГ. Интегрирующая цепь R5C6 в момент прихода 1-го вызывного сигнала форм-ет низкой уровень на выв. 10 ИС, осущ-ляя этим нач. уст-ку микросхемы. По окончании заряда С6 на выв. 9 и 10 ИС уст-ся код, соотв. выбору коэф-тов деления 20 и 24 прогр-го дел-ля частоты, кот. будут изм-ть их с частотой ТкГ (10 Гц), формируя на выв. 6 и 7 два чередующихся сигнала с соотнош-ем частот 5:6. При номиналах, указанных в схеме, опорная частота ТнГ равна 51 кГц. Подключ. к выв. 6 и 7 ИС пьезоэлектрич. изл-ль BQ1 сформ-ет 2-тональный сигнал вызова. По окончании 1-й посылки вызывного сигнала диод VD7 запирается, что предотвращает разряд конд-ра С5, поддерживающего питание ИС до след. посылки. Время между 2-мя послед. посылками вызова сост-ет 4 сек. По окончании вызывного сигнала конд-р С5 разряжается через рез-р R6. Конд-р С2 защ-ет ВУ от имп-ных помех.
Схема «Отбой»
«Отбой» – ф-ция, осущ-щая нач. уст-ку микросхемы номеронабирателя в режим гот-ти к набору, повтору номера или к работе с внутр. памятью ИС. У всех отеч. и зарубеж. схем ИС ЭНН ф-ция «отбой» осуществляется подачей высокого ур-ня напряж-я на вход HS. В соотв-вии с логикой работы ИС схема «отбой» обеспеч-ет поддержание высокого ур-ня на входе HS в дежурном режиме (трубка уложена) и низкого ур-ня в разговорном режиме или при наборе номера. Низкий уровень на входе HS разрешает работу ИС ЭНН, при высоком ур-не на этом входе набор номера невозможен. Сущ-ет 2 осн. разнов-ти схемы «отбой»:
(РИСУНОК)
При двухпозиционном перекл-ле (схема а) схема «отбой» предс-ет собой дел-ль напряж-я, состоящий из 2-х рез-ров. Если перекл-ль SB1 нах-ся в положении «отбой» (нижнее по схеме), к делителю приложено напряжение линии 60 В. При указ. на схеме номиналах рез-ров с делителя на вход HS ИС подается напряжение 2,7 В. Если перекл-ль нах-ся в положении «разговор», то через рез-р R2, соединенный с общей шиной, на вход HS подается низкий уровень. Напряжение на входе HS не должно превышать напряж-я питания ИМС более, чем на 0,6 В, т.к. этот вход соединен с входом питания ИС через встроенный диод, выполняющий ф-цию защиты ИМС от перенапряжения на входе HS. На рис.б приведена схема «отбой» с исп-ем однопозиц. перекл-ля. Когда перекл-ль SB1 разомкнут, т.е. нах-ся в положении «отбой», база транз-ра через рез-р R2 подключена к общей шине, что обеспеч-ет надежное запирание транз-ра. Высокий уровень на входе HS поддерж-ся напряжением питания ИС (≈3 В) через рез-р R3. Когда перекл-ль SB1 замкнут (полож-е «разговор»), ток, задаваемый рез-ром R1, открывает транз-р VT1. Открытый транз-р подключает вход HS ИС к общей шине, обеспечивая на нем низкий уровень, разрешающий работу ИМС. Некорректная схема «отбой», кот. иногда встреч-ся в ТА низкого класса и может стать причиной неправильной работы ТА, имеет вид:
(РИСУНОК)
Схема питания ИС номеронабирателя
Питание ИМС ЭНН осуществляется от линии АТС и обеспеч-ет работу ИС при наборе номера, а также в разговорном режиме. В режиме «отбой» схема питания ИС обеспеч-ет питание ОЗУ микросхемы. Схема питания состоит из двух узлов: внутр. и внеш. Внутр. узел опр-ся структурой постр-я ИС. Он м.б. выполнен как с источником опорного напряж-я (в простейшем случае – внутр. стабилитроном), так и без него. Внеш. узел обеспеч-ет подачу номинального напряж-я на вывод питания ИМС U. Построение схемы внеш. узла как правило опред-ся наличием в ИМС встроенного ист-ка опорного напряж-я. Если в ИС имеется внутр. стабилитрон, то ее питание осуществляется по одной из схем, приведенных на рис. На рис.а питание подается со входа импульсного ключа, на рис.б – с его выхода. Рез-р R1 в обоих случаях задает ток стабилизации встроенного стабилитрона, величина кот. сост-ет от 0,1 до 1 мА в зав-ти от типа ИМС. Конд-р С1 поддерживает питание ИС во время следования импульсов набора номера. Емкость конд-ра д.б. не менее 10 мкФ. Диод VD1 предотвращает разряд конд-ра по другим цепям схемы. Рез-р R1 в схеме а в нек. случаях если его сопротивление менее 68 кОм может служить причиной сбоев при наборе номера из-за его шунтирующего действия при разомкнутой линии (разомк. ИК).
На рис.в приведена схема питания ИС НН совместно со схемой «отбой». Питание на схему подается как со входа, так и с выхода ИК. Это обеспеч-ет более устойчивую работу ИМС за счет того, что снижение тока внутр. стабилитрона ИС через рез-р R3 при замкнутом ИК компенсируется током через меньшее сопротивление ограничивающего рез-ра R4.
Если в ИМС отсут-ет встроенный источник опорного напряж-я, то параллельно конд-ру С1 вкл-ся стабилитрон как показано на рис.г.
(РИСУНОК)
Способ питания ОЗУ ИС зависит от типа исп-мой схемы «отбой». Если она выполнена по рис.а (пред. вопрос), то питание ОЗУ осуществляется через перекл-ль SB1, рез-р R1, и внутр. диод ИС, соединяющий вход HS со входом питания U. При использовании схемы «отбой» по рис.б питание ОЗУ при уложенной на рычаг трубке обеспечивает рез-р сопротивлением порядка 10 МОм, включенный между плюсовым выводом диодного моста и выводом питания ИС, как показано на рис.г.
В схемах питания отеч. ТА часто исп-ся микромощный кремниевый p-канальный МОП стабилитрон КС106А. Рабочий ток стабилитрона задает источник тока на стабилизаторе тока VT1. Он предс-ет собой n-канальный МОП транз-р с изолированным затвором и рез-рами, задающими нач. ток стабилизации. Его структура приведена на рис.е. Режим источника тока уст-ся подстроечным рез-ром R1.
(РИСУНОК)