Постанова від 29 вересня 2010 р. N 887 Київ

• Постанова від 2 вересня 2010 р. N 805 Київ, 195kb.
• Постанова від 26 вересня 2001 р. №1266 Київ, 732.12kb.
• Постанова від 18 липня 2007 р. N 949 Київ, 366.34kb.
• Постанова від 22 вересня 1997 р. N 1050 Київ, 268.47kb.
• Постанова від 27 серпня 2010 р. N 787 Київ, 1351.5kb.
• Постанова від 12 липня 2006 р. N 960 Київ, 126.33kb.
• Постанова від 27 грудня 2010 р. N 1251 Київ, 178.15kb.
• Отчёт о работе гоу сош №887 зао за 2009/2010 учебный год, 672.02kb.
• Постанова від 30 червня 2010 р. N 521 Київ, 18.65kb.
• Постанова правління Пенсійного фонду України від 27 вересня 2010 року №21-5, 912.8kb.

Технічна примітка.	3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу робочу частоту (fГГц) у формулі, наведеній у позиції 3.A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з розрахованим робочим діапазоном, що розширюється до 3,2 ГГц і нижче [d  15 см * ГГц/3,2 ГГц].
Особлива примітка.	Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC слід оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції 3.A.1.b.2.
Примітки.	1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає обладнання радіомовних супутників, призначене або нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц. 2. Контрольний статус виробу, номінальна робоча частота якого включає частоти, перелічені в більш ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях 3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e, визначається нижчим середнім значенням вихідної потужності.
	5) смугові або загороджувальні фільтри з електронним або магнітним налагодженням, які мають понад 5 налагоджувальних резонаторів, що забезпечують налагодження в смузі частот, з відношенням максимальної та мінімальної частот 1,5:1 менше ніж за 10 мкс і мають будь-яку з наведених нижче характеристик:	8529
a) смугу частот пропускання, що становить понад 0,5 % резонансної частоти; або
b) смугу загородження, що становить менш як 0,5 % резонансної частоти;
6) не використовується з 2003 року;	8529
7) перетворювачі та змішувачі на гармоніках, призначені для розширення частотного діапазону обладнання, зазначеного в позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.d, 3.A.2.e або 3.A.2.f, за межі порогових значень, зазначених у цих позиціях;
8) мікрохвильові підсилювачі потужності, які містять електронно-вакуумні прилади, що підлягають контролю згідно з позицією 3.A.1.b.1, і мають:	з 8540 71
a) робочу частоту понад 3 ГГц;
b) відношення середньої густини вихідної потужності до маси понад 80 Вт/кг; та
c) об'єм, менший ніж 400 см3;
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає обладнання, призначене або нормоване для роботи у будь-якій смузі, що є "виділеною Міжнародним союзом електрозв'язку (ITU)" для надання послуг радіозв'язку, але не для радіовизначення.
	9) мікрохвильові силові модулі (МСМ), що складаються, принаймні, з лампи біжучої хвилі, мікрохвильової монолітної інтегральної схеми та вбудованого електронного стабілізатора потужності та мають такі характеристики:
a) час вмикання від вимкненого до повністю робочого стану - менше ніж 10 секунд;
b) об'єм менший ніж максимальна номінальна потужність (Вт), помножена на 10 см3/Вт; та
c) "миттєва ширина смуги частот" більше ніж 1 октава (fmax > 2fmin,) та будь-що з наведеного нижче: 1) для частот 18 ГГц і менше - вихідна потужність ВЧ-сигналу понад 100 Вт; або 2) частота понад 18 ГГц.
Технічні примітки.	1. Нижче наведено приклад для обчислення об'єму у позиції 3.A.1.b.9.b. У разі максимальної номінальної потужності 20 Вт об'єм дорівнюватиме 20 Вт х 10 см3/Вт = 200 см3. 2. Час вмикання у позиції 3.A.1.b.9.a. означає час від вимкненого до повністю робочого стану, тобто включає час входження МСМ у режим.
	10) осцилятори або зборки осциляторів, призначені для роботи з усіма наведеними нижче характеристиками:
a) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще ніж - (126 + 20log10F - 20log10f) для 10 Гц < F < 10 кГц; та
b) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще ніж - (114 + 20log10F - 20log10f) для 10 кГц < F < 500 кГц.
Технічна примітка.	У позиції 3.A.1.b.10. F - зміщення від робочої частоти у Гц, а f - робоча частота у МГц.
	c) прилади на акустичних хвилях та "спеціально призначені компоненти" для них:
1) прилади на поверхневих акустичних хвилях і акустичних хвилях у тонкій підкладці, які мають одну з таких характеристик:	8541 60 00 00
a) несуча частота понад 6 ГГц;
b) несуча частота понад 1 ГГц, але не більше 6 ГГц, і мають будь-яку з характеристик:
1) "частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" понад 65 дБ;
2) добуток максимального часу затримки (у мкс) і "миттєвої ширини смуги частот" (у МГц) понад 100;
3) "миттєва ширина смуги частот" понад 250 МГц;
4) затримка розсіювання понад 10 мкс;
c) несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або менше і має одну з характеристик:
1) добуток максимального часу затримки (у мкс) і "миттєвої ширини смуги частот" (у МГц) понад 100;
2) затримка розсіювання понад 10 мкс;
3) "частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" понад 65 дБ та ширина смуги частот понад 100 МГц;
Технічна примітка.	"Частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" - максимальне значення затухання, визначене у довіднику.
	2) прилади на об'ємних акустичних хвилях, що забезпечують безпосереднє "оброблення сигналів" на частотах понад 6 ГГц;	8541 60 00 00
3) акустооптичні прилади "оброблення сигналів", які використовують взаємодію між акустичними хвилями (об'ємними чи поверхневими) і світловими хвилями, що забезпечує безпосереднє "оброблення сигналів" або зображення, включаючи аналіз спектра, кореляцію або згортку;	8541 60 00 00
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.1.c. контролю не підлягають прилади на акустичних хвилях, використання яких обмежене фільтруванням простої смуги, низькочастотним фільтруванням, високочастотним фільтруванням, вузькосмуговим режекторним фільтруванням або резонансною функцією.
	d) електронні прилади або схеми, які містять елементи, виготовлені з "надпровідних" матеріалів, спеціально спроектовані для роботи при температурах, нижчих від "критичної температури" хоча б для однієї з "надпровідних" складових, і мають одну з таких ознак:	8542 50 00 00
1) наявність струмових перемикачів для цифрових схем, які використовують "надпровідні" вентилі, в яких добуток часу затримки на вентиль (у секундах) і розсіювання потужності на вентиль (у ватах) нижче ніж 10-14 Дж;
2) забезпечення селекції частоти на всіх діапазонах частот з використанням резонансних контурів з добротністю більш як 10000;
e) прилади високої енергії:
1) елементи:
a) первинні елементи з густиною енергії понад 550 Вт год/кг при 20° C;	з 8506 60, 8506 80, 8540 10 10 00
b) вторинні елементи з густиною енергії понад 250 Вт год/кг при 20° C;	з 8506 60, 8506 80, 8540 10 10 00
Технічна примітка.	1. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 густина енергії (Вт год/кг) обчислюється шляхом множення номінальної напруги на номінальну ємність в ампер-годинах і ділення добутку на масу у кілограмах. Якщо номінальну ємність не зазначено, густина енергії обчислюється шляхом множення квадрату номінальної напруги на тривалість розряду в годинах і ділення добутку на навантаження розряду в омах та на масу у кілограмах. 2. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 елемент визначається як електрохімічний пристрій, що має позитивний та негативний електроди і електроліт, та є джерелом електричної енергії. Елемент є основним функціональним блоком батареї. 3. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 первинний елемент є елементом, який не призначений для зарядження будь-яким іншим джерелом. 4. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 вторинний елемент є елементом, який призначений для зарядження зовнішнім електричним джерелом.
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.1.e. контролю не підлягають батареї, зокрема одноелементні.
	2) накопичувачі великої енергії:
a) накопичувачі енергії з частотою повторення менше ніж 10 Гц (одноразові накопичувачі), що мають такі характеристики:	з 8506 60, 8506 80, 8540 10 10 00
1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ;
2) густину енергії не менше ніж 250 Дж/кг; та
3) загальну енергію не менше ніж 25 кДж;
b) накопичувачі енергії з частотою повторення 10 Гц і більше (багаторазові накопичувачі), які мають:	з 8506 60, 8506 80, 8540 10 10 00
1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ;	з 8507 80
2) густину енергії не менше ніж 50 Дж/кг;
3) загальну енергію не менше ніж 100 Дж; та
4) кількість циклів заряду-розряду не менше ніж 10 000;
3) "надпровідні" електромагніти та соленоїди, спеціально спроектовані на повне заряджання або розряджання менше ніж за 1 секунду, які мають:	8505 19 90 00
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають "надпровідні" електромагніти або соленоїди, спеціально призначені для медичної апаратури магніторезонансної томографії (MRI).
	a) максимальну енергію під час розряду понад 10 кДж за першу секунду;
b) внутрішній діаметр струмопровідних обмоток понад 250 мм; та
c) номінальну магнітну індукцію понад 8 Т або "сумарну густину струму" в обмотці понад 300 А/мм2;
4) сонячні елементи, збірки корпусів міжз'єднань елементів (КМЕ), панелі сонячних батарей та сонячні батареї, "придатні для використання в космосі" та мають мінімальний середній коефіцієнт корисної дії понад 20 % при робочій температурі 301 K (28° C) в умовах імітованого освітлення AM0 з опроміненням 1367 Вт/м2.
Технічна примітка.	AM0, або нульова повітряна маса, означає спектральну щільність потоку сонячного випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де відстань між Землею та Сонцем становить одну астрономічну одиницю (АО).
	f) обертові перетворювачі абсолютного кутового положення вала в кут, які мають точність, рівну або меншу (кращу) ніж ± 1 кутова секунда;	9031 80 31 10, 9031 80 31 90, 8502 40
g) твердотільні імпульсні силові тиристорні перемикачі та тиристорні модулі, в яких застосовуються методи перемикання з електричним, оптичним або електронно-емісійним керуванням, що мають будь-яку з наведених нижче характеристик:
1) максимальну швидкість наростання відмикаючого струму (di/dt) понад 30000 А/мкс, а напругу у замкненому стані понад 1100 В; або
2) максимальну швидкість наростання відмикаючого струму (di/dt) понад 2000 А/мкс та всі наведені нижче характеристики:
a) пікова напруга у замкненому стані дорівнює або більше 3000 В; та b) піковий (ударний) струм дорівнює або більше 3000 А;
Примітка 1.	Позиція 3.A.1.g включає: кремнієві керовані діоди (ККД); електричні пускові тиристори (ЕПТ); пускові фототиристори (ОПТ); інтегральні вентильні комутовані тиристори (ІВКТ); тиристори з вентилями, що запираються (ТВЗ); МОП-керовані тиристори; солідтрони.
Технічна примітка.	Для цілей позиції 3.A.1.g тиристорний модуль містить один тиристорний пристрій або більше.
	h) твердотільні напівпровідникові перемикачі потужності, діоди або модулі, які мають такі характеристки:
1) максимальну номінальну робочу температуру переходу більше ніж 478 K (215° C);
2) максимальну періодичну напругу в закритому стані (блокуючу напругу) понад 300 В; та
3) тривало допустимий струм більше ніж 1 А.
Примітка 1.	Максимальна періодична напруга в закритому стані, зазначена в позиції 3.A.1.h, включає напругу стік-виток, напругу коллектор-емитер, максимальну періодичну зворотну напругу та максимальну періодичну напругу в закритому стані.
Примітка 2.	Пункт 3.A.1.h включає: польові транзистори з управляючим p-n-переходом (JFET); польові транзистори з вертикальним управляючим p-n-переходом (VJFET); польові транзистори із структурою метал-оксид-напівпровідник (MOSFET); польові транзистори із структурою метал-оксид-напівпровідник, виготовлені методом подвійної дифузії (DMOSFET); біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT); транзистори з високою рухомістю електронів (HMET); біполярні площинні транзистори (BJT); тиристори та кремнієві керовані діоди (SCR); тиристори з комутованим затвором (GTO); тиристори з вимкненням емітера (ETO); регульовані резистивні діоди; діоди Шотткі.
Примітка 3.	Згідно з позицією 3A001.h. контролю не підлягають перемикачі, діоди або модулі, що входять до складу в обладнання, призначеного для застосування у цивільних автомобілях, на цивільній залізниці або у "цивільних літальних апаратах".
Технічна примітка.	Відповідно до позиції 3.A.1.h модуль містить один або більше твердотільних силових напівпровідникових вимикачів або діодів.
3.A.2. [3A002]	Електронна апаратура загального призначення:
а) записувальна апаратура і спеціально призначена для неї вимірювальна стрічка:	8520 32 99 00
1) накопичувачі на магнітній плівці для аналогової апаратури, включаючи накопичувачі з можливістю запису цифрових сигналів (тобто, що використовують модуль цифрового запису високої щільності (HDDR), які мають одну з наведених нижче характеристик:
a) смугу частот понад 4 МГц на електронний канал або доріжку;
b) смугу частот понад 2 МГц на електронний канал або доріжку при кількості доріжок понад 42; або
c) помилку непогодження змінної шкали, виміряну із застосуванням документів Асоціації електронної промисловості (EIA) або IRIG, менше ніж ± 0,1 мкс;
Примітка.	Аналогові магнітофони, спеціально створені для цілей цивільного відео, не вважаються накопичувачами на плівці.
	2) цифрові відеомагнітофони, які мають максимальну роздільну здатність цифрового інтерфейсу понад 360 Мбіт/с;	з 8521 10, 8521 90 00 00
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають цифрові стрічкові відеомагнітофони, спеціально спроектовані для телевізійного запису з використанням форми сигналу, що може включати форму стисненого сигналу за стандартами або рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU), Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно- та телевізійних інженерів (SMPTE), Європейського союзу радіомовлення (EBU), Європейського інституту стандартів зв'язку (ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів у галузі електротехніки та електроніки (ІЕЕЕ), для цивільного телебачення.
	3) накопичувачі на магнітній плівці для цифрової апаратури, що використовує методи спірального сканування або фіксованих магнітних головок, які мають одну з таких характеристик:	з 8521 10
а) максимальна пропускна здатність цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с; або
b) за технічними умовами "придатні для використання в космосі";
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають аналогові накопичувачі на магнітній плівці, оснащені електронікою для перетворення в цифровий запис високої щільності (HDDR) та призначені для запису лише цифрових даних.
	4) апаратура з максимальною пропускною здатністю цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с, призначена для перетворення цифрових відеомагнітофонів у пристрої запису даних цифрової апаратури;	8521 90 00 00
5) цифрові перетворювачі форми хвилі та перехідні реєстратори, які мають:	з 8543
a) швидкість цифрового перетворення, що дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій за секунду з роздільною здатністю 10 біт або більше; та
b) безперервну пропускну здатність 2 Гбіт/с і більше;
Технічна примітка.	1. Для зазначених приладів з паралельною шиною швидкість безперервної пропускної здатності є добутком найбільшого обсягу слів на кількість біт у слові. 2. Безперервна пропускна здатність - це найвища швидкість, з якою прилад може виводити дані в накопичувач без втрати інформації та водночас підтримувати швидкість вимірювання та функцію аналого-цифрового перетворення.
	6) накопичувачі для цифрової апаратури, що використовують методи накопичення на магнітних дисках, які мають:
a) швидкість цифрового перетворення, що дорівнює або більше ніж 100 млн. операцій за секунду та роздільну здатність 8 біт або більше; та
b) безперервну пропускну здатність 1 Гбіт/с або більше;
b) "електронні збірки" "синтезаторів частоти", які мають "час перемикання частоти" з однієї на іншу менше ніж 1 мс;	з 8543, 8570 10 90 00
Примітка.	Статус контролю за аналізаторами сигналів, генераторами сигналів, мережевими аналізаторами і приймачів-тестерів мікрохвильового діапазону як автономних приладів визначається відповідно позиціями 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. та 3.A.2.f.
	c) "Аналізатори сигналів" радіочастоти, наведені нижче:	з 8543, 8570 10 90 00
1) "аналізатори сигналів", які здатні аналізувати частоти понад 31,8 ГГц, але не більше ніж 37,5 ГГц, та мають ширину смуги частот з роздільною здатністю 3 дБ (RBW), що перевищує 10 МГц;
2) "аналізатори сигналів", здатні аналізувати частоти понад 43,5 ГГц;
3) "динамічні аналізатори сигналів" із "шириною смуги частот у реальному масштабі часу" понад 500 кГц.
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають "динамічні аналізатори сигналів", які використовують тільки фільтри із смугою пропускання фіксованих частот (відомі також під назвою октавних або фракційних октавних фільтрів);
	d) генератори сигналів синтезаторів частот, які формують вихідні частоти з керуванням за параметрами точності, короткочасної та довгочасної стабільності, на основі або за допомогою внутрішнього задавального генератора еталонної частоти і мають одну з наведених нижче характеристик:	8543 20 00 00
1) максимальна синтезована частота понад 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц, та нормована для генерації імпульсів тривалістю менше ніж 100 нс;
2) максимальна синтезована частота понад 43,5 ГГц;
3) "час перемикання частоти" з однієї заданої частоти на іншу відповідно до одного з наведених нижче варіантів:
a) менше ніж 312 пікосекунд; b) менше ніж 100 мкс для будь-якого частотного вікна більше 1,6 ГГц в діапазоні синтезованих частот вище 3,2 ГГц, але не вище 10,6 ГГц; c) менше ніж 250 мкс для будь-якого частотного вікна більше 550 МГц в діапазоні синтезованих частот вище 10,6 ГГц, але не вище 31,8 ГГц; d) менше ніж 500 мкс для будь-якого частотного вікна більше 550 МГц в діапазоні синтезованих частот вище 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц; або c) менше 1 мс в діапазоні синтезованих частот вище 43,5 ГГц, або
4) максимальна синтезована частота понад 3,2 ГГц і мають все із зазначеного;
a) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, краще ніж - (126 + 20log10F - 20log10f) для 10 Гц < F < 10 кГц; та
b) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, краще ніж - (114 + 20log10F - 20log10f) для 10 кГц < F < 500 кГц.
Технічна примітка.	В позиції 3.A.2.d.4 F є компенсацією робочої частоти у Гц і f є робоча частота у МГц.
Примітки.	1. Для цілей позиції 3.A.2.d термін "генератори сигналів синтезаторів" означає генератори довільної форми сигналу та функції. 2. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає обладнання, у якому вихідна частота створюється шляхом додавання або віднімання частот з двох або більше кварцових генераторів чи шляхом додавання або віднімання з наступним множенням результуючої частоти.
Технічні примітки.	1. Генератори довільної форми сигналу та функції зазвичай характеризуються частотою вибірки (наприклад, гігавиборок за секунду), яка перетворюється у радіочастотну область за допомогою коефіцієнта Найквіста, що дорівнює 2. Тобто довільна форма сигналу з частотою 1 гігавибірка за секунду має здатність безпосередньо забезпечити вихідну частоту 500 МГц. Або, якщо застосовується передискредитація, максимальна вихідна частота буде пропорційно нижче. 2. "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 визначається як проміжок часу між переднім фронтом імпульсу, який досягає 90 % максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який досягає 10 % максимуму;
	e) мережеві аналізатори з максимальною робочою частотою понад 43,5 ГГц;	з 8543, 8470 10 90 00
f) приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, які мають усі наведені нижче характеристики:	8527 90 98 00
1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц;
2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та фазу;
g) атомні еталони частоти:	8543 20 00 00
1) "придатні для використання в космосі";
2) що не є рубідієвими та мають довготривалу стабільність (старіння) менше (краще) 1 х 10-11/місяць; або
3) не "придатні для використання в космосі" та мають усі наведені нижче характеристики:
a) є рубідієвими еталонами;
b) довготривала стабільність (старіння) менше (краще) 1 х 10-11/місяць; та
c) сумарна потужність, що споживається, менше 1 Вт.
Примітка.	Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають рубідієві еталони, не "придатні для використання в космосі".
3.A.3	Системи терморегулювання з охолодженням шляхом розбризкування, що використовують обладнання із замкнутим контуром для маніпулювання рідиною та її регенерації в герметичній оболонці, в якій діелектрична рідина розбризкується на електронні "компоненти" з використанням спеціально призначених розпилювачів, спроектовані таким чином, щоб підтримувати температуру електронних "компонентів" у межах їх робочого температурного діапазону, а також "спеціально призначені компоненти" для них.	з 8424
3.B	ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА
3.B.1 [3B001]	Обладнання для виробництва напівпровідникових приладів або матеріалів, наведене нижче, і спеціально створені "компоненти" та оснащення для них:
a) обладнання для епітаксійного вирощування:
1) обладнання, здатне виробляти шар будь-якого матеріалу, крім кремнію, з відхиленням товщини не більше ніж ± 2,5 % на довжині 75 мм або більше.	з 8419 89
Примітка.	До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для епітаксії атомних шарів (ALE);
	2) обладнання хімічного осадження з металоорганічної парової фази (MOCVD), спеціально розроблене для вирощування кристалів складних напівпровідників за допомогою хімічних реакцій між матеріалами, зазначене у позиціях 3.C.3 або 3.C.4;	з 8419 89
3) молекулярно-променеве обладнання епітаксійного вирощування, у якому застосовані газові або твердотільні джерела;	з 8419 89
b) обладнання для іонної імплантації, яке має одну з наведених нижче характеристик:	8456 10 10 00, 8456 10 90 00
1) енергія пучка (прискорювальна напруга) понад 1 МеВ;
2) спеціально спроектоване та оптимізоване для функціонування при енергії пучка (прискорювальній напрузі) менше ніж 2 кеВ;
3) здатне до безпосереднього запису; або
4) призначене для високоенергетичної імплантації кисню в нагріту "підкладку" напівпровідникового матеріалу з енергією пучка 65 кеВ або більше і струмом пучка 45 мА або більше;
c) обладнання для сухого травлення анізотропною плазмою:	з 8456 99, 8456 91 00 00
1) з покасетним обробленням пластин та подачею їх через завантажувальні шлюзи, яке має одну з наведених нижче характеристик:
a) призначене або оптимізоване для створення критичних розмірів 180 нм або менше з точністю ± 5 % (3 сигма); або
b) призначене для генерації менше ніж 0,04 частки/см2 з вимірюваним розміром частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;
2) обладнання, спеціально спроектоване для обладнання, яке підлягає контролю за позицією 3.B.1.e та має одну з наведених нижче характеристик:
a) призначене або оптимізоване для створення критичних розмірів 180 нм або менше з точністю ± 5 % (3 сигма);
b) призначене для генерації менше ніж 0,04 частки/см2 з вимірюваним розміром частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;
d) обладнання для хімічного осадження з парової фази (CVD) та плазмової стимуляції:	з 8456 99, 8456 91 00 00
1) обладнання з покасетним обробленням пластин і подачею їх через завантажувальні шлюзи, спроектоване відповідно до технічних умов виробника або оптимізоване для використання у виробництві напівпровідникових приладів з критичними розмірами 180 нм або менше;
2) обладнання, спеціально спроектоване для апаратури, яка підлягає контролю згідно з позицією 3.B.1.e, і спроектоване відповідно то технічних умов виробника або оптимізоване для використання у виробництві напівпровідникових приладів з критичними розмірами 180 нм або менше;
e) багатокамерні системи з центральним автоматичним завантаженням напівпровідникових пластин, що мають усі наведені нижче характеристики:	8456 10 10 00, 8456 10 90 00, з 8456 99, 8456 91 00 00
1) інтерфейси для завантаження та вивантаження пластин, до яких повинні приєднуватися більше ніж дві одиниці обладнання для оброблення напівпровідників;
2) призначені для комплексної системи послідовного багатопозиційного оброблення пластин у вакуумі;
Примітка.	Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають автоматичні робототехнічні системи завантаження пластин, не призначених для роботи у вакуумі;
	f) обладнання літографії:	9009 22 90 00
1) обладнання багаторазового суміщення та експонування (безпосередньо на "підкладці") або обладнання крокового сканування для оброблення пластин методами фотооптичної або рентгенівської літографії, яке має будь-яку з наведених нижче характеристик:
a) наявність джерела освітлення з довжиною хвилі коротшою ніж 245 нм; або
b) спроможність виробляти зразки з мінімальним визначеним типовим розміром 180 нм або менше;
Технічна примітка.	Мінімальний визначений типовий розмір можна розрахувати за формулою:  , де K фактор = 0,45, а MRF - мінімальний визначений типовий розмір.
	2) обладнання друкованої літографії, здатне виробляти малюнок з типовим розміром 180 нм або менше.
Примітка.	Позиція 3.B.1.f.2 включає: мікроконтактні друкарські верстати; верстати гарячого тиснення; верстати друкованої літографії з нанометровою роздільною здатністю; верстати друкованої літографії з мультиплікацією (S-FIL).
	3) обладнання, спеціально призначене для виробництва шаблонів або виготовлення напівпровідникових приладів з використанням методів безпосереднього формування малюнка, що має всі наведені нижче характеристики:	8456 10 10 00, 8456 10 90 00
a) використовує такий, що відхиляється, сфокусований електронний, іонний або "лазерний" пучок; та
b) має будь-яку з наведених нижче характеристик:
1) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;
2) здатність виробляти малюнок з мінімальним розміром розділення менше ніж 1 мкм; або
3) точність суміщення шарів краще ± 0,2 мкм (3 сигма);
g) шаблони (маски) або фотошаблони для інтегральних схем, що підлягають контролю згідно з позицією 3.A.1;	9010 90 10 00, 9010 90 90 00
h) багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним шаром;	9010 90 10 00, 9010 90 90 00
Примітка.	Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені для виробництва запам'ятовувальних пристроїв, які не контролюються згідно з позицією 3.A.1.
	i) шаблони для друкованої літографії, призначені для інтегральних схем, які контролюються згідно з позицією 3.A.1.
3.B.2. [3B002]	Обладнання для випробувань, спеціально призначене для випробувань готових або напівфабрикатних напівпровідникових приладів і спеціально створені "компоненти" та аксесуари до нього:	9031 80 39 10, 9031 80 39 90
a) для вимірювання S-параметрів транзисторних приладів на частотах понад 31,8 ГГц;
b) не використовується з 2004 року;
c) для випробувань мікрохвильових інтегральних схем, що контролюються згідно з позицією 3.A.1.b.2.
3.C.	МАТЕРІАЛИ
3.C.1. [3C001]	Гетероепітаксійні матеріали, що складаються з підкладки та кількох послідовно нанесених епітаксійних шарів, які мають будь-яку з наведених нижче складових:	3818 00 90 00
a) кремній;
b) германій;
c) карбід кремнію; або
d) сполуки III/V галію або індію.
3.C.2. [3C002]	Матеріали резистів і підкладки, наведені нижче, покриті резистами, що підлягають контролю:
a) позитивні резисти, призначені для напівпровідникової літографії, спеціально пристосовані для використання довжиною хвилі менше ніж 245 нм;	8541 40 99 00
b) усі резисти, призначені для використання під час експонування електронними та іонними пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/мм2 або краще;	8541 40 99 00
c) усі резисти, призначені для використання рентгенівського випромінювання, з чутливістю 2,5 мДж/ мм2 або краще;	8541 40 99 00
d) усі резисти, оптимізовані для технології формування малюнка, включаючи силіційовані резисти;	8541 40 99 00
e) усі резисти, призначені або оптимізовані для використання з обладнанням для літографічного друку, зазначеним у позиції 3.B.1.f.2, що використовує термічний технологічний процес або процес твердіння під дією світла.
Технічна примітка.	Методи силіціювання - це процеси, які включають оксидування поверхні резисту для підвищення якості мокрого та сухого проявлення.
3.C.3. [3C003]	Органо-неорганічні сполуки:
a) металоорганічні сполуки на основі алюмінію, галію або індію, які мають чистоту металевої основи понад 99,999 %;	з 2931 00 95, 2931 00 95 00
b) органо-арсенові, органо-сурм'янисті та органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту основи неорганічного елемента понад 99,999 %.	з 2931 00 95
Примітка.	Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві елементи яких безпосередньо пов'язані з вуглецем органічної частки молекули.
3.C.4. [3C004]	Гідриди фосфору, арсену або сурми, які мають чистоту понад 99,999 % навіть після розведення інертними газами або воднем.	2848 00 00 00, 2850 00 10 00
Примітка.	Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають гідриди, що містять 20 % або більше молей інертних газів чи водню.
3.C.5.	"Підкладки" з карбіду кремнію (SiC), нітриду галію (GaN), нітриду галію-алюмінію (AlGaN) або злитки, булі, або інші преформи цих матеріалів, що мають питомий опір понад 10000 Ом-см при 20° C.
3.C.6.	"Підкладки", зазначені в позиції 3.C.5, які мають щонайменше один епітаксиальний шар з карбіду кремнію, нітриду галію, нітриду алюмінію або нітриду галію-алюмінію.
3.D.	ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ
3.D.1. [3D001]	"Програмне забезпечення", спеціально створене для "розроблення" або "виробництва" обладнання, що підлягає контролю згідно з позиціями 3.A.1.b - 3.A.2.g або 3.B.	з 8524
3.D.2. [3D002]	"Програмне забезпечення", спеціально призначене для "використання" обладнання, що підлягає контролю згідно з позицями 3.B.1.a - 3.B.2.	з 8524
3.D.3. [3D003]	"Програмне забезпечення" для заснованого на фізичних процесах моделювання, спеціально призначене для "розроблення" процесів літографії, травлення або осадження з метою втілення маскувальних шаблонів у конкретні топологічні малюнки провідників, діелектриків або напівпровідникових матеріалів.	з 8524
Технічна примітка.	Термін "заснований на фізичних процесах" у позиції 3.D.3 означає використання розрахунків з метою визначення послідовності причин та наслідків фізичного характеру, які визначаються фізичними властивостями (наприклад, температурою, тиском, коефіцієнтами дифузії і властивостями напівпровідникових матеріалів).
Примітка.	Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для проектування напівпровідникових приладів чи інтегральних схем розглядаються як "технологія".
3.D.4. [3D004]	Програмне забезпечення, спеціально призначене для "розроблення" обладнання, що підлягає контролю згідно з позицією 3.A.3.	з 8524 з 8471 70
3.E.	ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ
3.E.1. [3E001]	"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення" або "виробництва" обладнання чи матеріалів, що підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 3.B або 3.C.	з 3705, 3706, 8524, 4901 99 00 00, 4906 00 00 00
Примітки.	1. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія" для "виробництва" обладнання або "компонентів", які контролюються згідно з позицією 3.A.3. 2. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія" для "розроблення" або "виробництва" інтегральних схем, що контролюються згідно з позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі наведені нижче характеристики: a) використовують "технології" 0,5 мкм або вище; та b) не містять багатошарові структури.
Технічна примітка.	Термін багатошарові структури не включає прилади, які містять максимум три шари металу та три шари полікремнію.
3.E.2. [3E002]	"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток інша, ніж та, що контролюється згідно з позицією 3.E.1 для "розроблення" або "виробництва" "мікросхем мікропроцесорів", "мікросхем мікрокомп'ютерів" та ядер мікросхем мікроконтролерів, що мають арифметично-логічний пристрій з шириною доступу 32 біта або більше та будь-яку з наведених нижче ознак або характеристик:	з 3705, 3706, 8524, з 8471 70 4901 99 00 00, 4906 00 00 00
a) блок векторного процесора, призначений виконувати два або більше обчислень з векторами з плаваючою крапкою (одномірна матриця 32 біт або більшим числом біт) одночасно;
Технічна примітка.	"Блок векторного процесора" - це елемент процесора з вбудованими командами, який одночасно виконує множину обчислень з векторами з плаваючою крапкою (одномірні матриці з 32 біт або більшим числом біт), який має щонайменше один векторний арифметично-логічний пристрій;
	b) здатний давати більше двох 64 біт або з більшим числом біт результатів операцій з плаваючою крапкою за цикл; або
c) здатний давати більше чотирьох 16 біт результатів множення з накопиченням з фіксованою крапкою (наприклад, цифрові маніпуляції з аналоговою інформацією, яку було попередньо перетворено у цифрову форму - процес, відомий також як цифрове оброблення сигналів).
Примітки.	1. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягають технології для розширення мультимедійних засобів. 2. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягає "технологія" для "розроблення" або "виробництва" ядер мікропроцесорів, які мають усі наведені нижче характеристики: 1) використовують "технології" на рівні 0,13 мкм або вище; та 2) містять багатошарові структури з п'ятьма або більше шарами металу. 3. Згідно з позицією 3.E.2 контролю також підлягають "технології" для процесорів цифрових сигналів та матричних процесорів.
3.E.3. [3E003]	Інші "технології" для "розроблення" або "виробництва":	з 3705, 3706,8524, 4901 99 00 00, 4906 00 00 00
a) вакуумних мікроелектронних приладів;
b) напівпровідникових приладів на гетероструктурах таких, як транзистори з високою рухливістю електронів (HEMT), біполярні транзистори на гетероструктурі (HBT), приладів з квантовими ямами та приладів на надрешітках.
Примітка.	Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає технологія для транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), які працюють на частотах нижчих ніж 31,8 ГГц, та біполярних транзисторів на гетероструктурі (HBT), які працюють на частотах нижчих ніж 31,8 ГГц.
	c) "надпровідних" електронних приладів;
d) підкладок з плівок алмазу для електронних "компонентів";
e) підкладок, що мають структуру типу "кремній-на-діелектрику" (SOI) для інтегральних схем, у яких ізолятором є двоокис кремію;
f) кремній-вуглецевих підкладок для "компонентів" електронних схем;
g) електронних вакуумних ламп, які працюють на частоті 31,8 ГГц або вище.
3.E.4.	"Послуги та роботи" (відповідно до особливої примітки щодо послуг та робіт) стосовно товарів подвійного використання, зазначених у позиціях 3.A, 3.B, 3.C, 3.D або 3.E.