Системы, оборудование и компоненты

Вид материала

Документы

Содержание Технические примечания Техническое примечание.

Подобный материал:

• Программа дисциплины «Системы управления эффективностью бизнеса», 164.3kb.
• Выставки в Пекине, 66.27kb.
• Т. Парсонс понятие общества: компоненты и их взаимоотношения', 505.5kb.
• Задание 1 Цель: оценить значение сердечника для получения магнитного поля катушки, 33.68kb.
• Вопросы к экзамену по курсу "Компьютерные системы и сети", 25.77kb.
• Вопросы к экзамену по дисциплине «Инструментальные системы», 39.24kb.
• Как автоматизировать производство: современное оборудование для асутп, 77.01kb.
• Управления, 411.72kb.
• Машиностроение, 219.74kb.
• 9 анализ модели с мультипликативной компонентой:, 108.81kb.

Техническое примечание.

Для целей пункта 6.1.5.4.1.4 под удельной мощностью понимается общая выходная мощность лазера, отнесенная к площади поверхности излучения многоярусной решетки;





6.1.5.4.1.5.

Многоярусные решетки полупроводниковых лазеров, отличные от определенных в пункте 6.1.5.4.1.4 и имеющие все следующее:

8541 40 100 0




а) специально разработанные или модифицированные для объединения с другими многоярусными решетками для формирования большей многоярусной решетки; и







б) интегрированные соединения, обычно используемые как для электронной части системы, так и для охлаждения








Примечания:

1. Многоярусные решетки, сформированные путем объединения многоярусных решеток полупроводниковых лазеров, определенных в пункте 6.1.5.4.1.5, которые не разработаны для дальнейшего объединения или модифицирования, определяются по пункту 6.1.5.4.1.4.







2. Многоярусные решетки, сформированные путем объединения многоярусных решеток полупроводниковых лазеров, определенных в пункте 6.1.5.4.1.5, которые разработаны для дальнейшего объединения или модифицирования, определяются по пункту 6.1.5.4.1.5.







3. Пункт 6.1.5.4.1.5 не применяется к модульным конструкциям из отдельных линеек, разработанным для сборки в непрерывную цепь многоярусных линейных решеток








Технические примечания:

1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами.







2. Линейка (также называется линейкой полупроводникового лазера, линейкой диодного лазера или диодной линейкой) состоит из множества полупроводниковых лазеров в одномерной решетке.







3. Многоярусная решетка состоит из множества линеек, формирующих двухмерные решетки полупроводниковых лазеров;





6.1.5.4.2.

Лазеры на оксиде углерода (СО), имеющие любую из следующих характеристик:

9013 20 000 0




а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или







б) среднюю выходную мощность или мощность непрерывного излучения более 5 кВт;





6.1.5.4.3.

Лазеры на диоксиде углерода (СО₂), имеющие любую из следующих характеристик:

9013 20 000 0




а) мощность непрерывного излучения более 15 кВт;







б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любое из следующего:







среднюю выходную мощность более 10 кВт; или







пиковую мощность более 100 кВт; или







в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или меньше 10 мкс, и имеющие любое из следующего:







энергию в импульсе более 5 Дж; или

среднюю выходную мощность более 2,5 кВт;





6.1.5.4.4.

Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:

9013 20 000 0




а) длину волны излучения, не превышающую 150 нм, и имеющие любое из следующего:







выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или







среднюю выходную мощность более 1 Вт;







б) длину волны излучения более 150 нм, но не превышающую 190 нм, и имеющие любое из следующего:







выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или







среднюю выходную мощность более 120 Вт;







в) длину волны излучения более 190 нм, но не превышающую 360 нм, и имеющие любое из следующего:







выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или







среднюю выходную мощность более 500 Вт; или







г) длину волны излучения более 360 нм и имеющие любое из следующего:







выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или







среднюю выходную мощность более 30 Вт







Особое примечание.

Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1;





6.1.5.4.5.

Химические лазеры:





6.1.5.4.5.1.

Лазеры на фториде водорода (HF);


9013 20 000 0

6.1.5.4.5.2.

Лазеры на фториде дейтерия (DF);


9013 20 000 0

6.1.5.4.5.3.

Переходные лазеры:





6.1.5.4.5.3.1.

Кислородно-йодные (О₂-I) лазеры;


9013 20 000 0

6.1.5.4.5.3.2.

Фторид дейтерия-диоксид-углеродные (DF-CO₂) лазеры;


9013 20 000 0

6.1.5.4.6.

Одноимпульсные лазеры на неодимовом стекле, имеющие любую из следующих характеристик:

9013 20 000 0




а) длительность импульса, не превышающую 1 мкс, и выходную энергию в импульсе более 50 Дж; или







б) длительность импульса более 1 мкс и выходную энергию в импульсе более 100 Дж








Примечание.

Термин "одноимпульсные" относится к лазерам, которые или испускают одиночный импульс, или имеют временной интервал между импульсами более одной минуты;





6.1.5.5.

Следующие компоненты:





6.1.5.5.1.

Зеркала, охлаждаемые либо активным методом, либо методом тепловой трубы


9001 90 000 0;

9002 90 000 0




Техническое примечание.

Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонентов, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм под оптической поверхностью) оптического компонента для отвода тепла от оптики;





6.1.5.5.2.

Оптические зеркала либо прозрачные или частично прозрачные оптические или электрооптические компоненты, специально разработанные для использования с определенными в настоящем разделе лазерами;


9001 90 000 0;

9002 90 000 0

6.1.5.6.

Оптическое оборудование следующих видов:





6.1.5.6.1.

Оборудование, измеряющее динамический волновой фронт (фазу), использующее по крайней мере 50 позиций на волновом фронте луча и имеющее любую из следующих характеристик:

9031 49 900 0




а) частоту кадров, равную или выше 100 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 5 % от длины волны луча; или







б) частоту кадров, равную или выше 1000 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 20 % от длины волны луча;





6.1.5.6.2.

Оборудование лазерной диагностики, способное измерять погрешности углового управления положением луча лазера сверхвысокой мощности, равные или меньше 10 мкрад;


9031 49 900 0

6.1.5.6.3.

Оптическое оборудование и компоненты, специально разработанные для использования в системе лазера сверхвысокой мощности с фазированными решетками для суммирования когерентных лучей с точностью λ/10 длины волны или 0,1 мкм, в зависимости от того, какая из величин меньше;


9013 90 900 0

6.1.5.6.4.

Проекционные телескопические оптические системы, специально разработанные для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности;


9002 19 000 0

6.1.5.7.

Лазерная акустическая аппаратура обнаружения, имеющая все следующие характеристики:

9013 20 000 0;

9014 80 000 0;

9015 80 110 0




а) выходную мощность непрерывного лазерного излучения, равную или больше 20 мВт;







б) стабильность частоты лазерного излучения 10 МГц или лучше (меньше);







в) длину волны лазера 1000 нм или более, но не превышающую 2000 нм;







г) разрешение оптической системы лучше (меньше) 1 нм;







д) отношение оптического сигнала к шуму 10³ или более








Техническое примечание.

Лазерная акустическая аппаратура обнаружения называется иногда лазерными микрофонами или микрофонами обнаружения потока частиц








Датчики магнитного и электрического полей





6.1.6.

Магнитометры, магнитные градиентометры, внутренние магнитные градиентометры, подводные датчики электрического поля и компенсационные системы, указанные ниже, и специально разработанные для них компоненты:





6.1.6.1.

Следующие магнитометры и их подсистемы:





6.1.6.1.1.

Магнитометры, использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик:

9015 80 110 0;

9015 80 930 0




а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичное значение чувствительности, равное или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или







б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичное значение чувствительности магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;





6.1.6.1.2.

Магнитометры, использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичное значение чувствительности меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц


9015 80 110 0;

9015 80 930 0




Особое примечание.

В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пунктах 6.1.6.1.1 и 6.1.6.1.2, см. также пункты 6.1.5.1.1 и 6.1.5.1.2 раздела 2;





6.1.6.1.3.

Магнитометры, использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичное значение чувствительности, равное или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;


9015 80 110 0;

9015 80 930 0

6.1.6.1.4.

Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратичное значение чувствительности меньше (лучше), чем любой из следующих показателей:

9015 80 110 0;

9015 80 930 0




а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте ниже 1 Гц;







б) 1 × 10^–3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц или выше, но не выше 10 Гц; или







в) 1 × 10^–4 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах выше 10 Гц;





6.1.6.1.5.

Волоконно-оптические магнитометры, имеющие среднеквадратичное значение чувствительности меньше (лучше) 1 нТ, деленной на корень квадратный из частоты в герцах;


9015 80 110 0;

9015 80 930 0

6.1.6.2.

Подводные датчики электрического поля, имеющие чувствительность, измеренную на частоте 1 Гц, меньше (лучше) 8 нВ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах;


9015 80 110 0;

9015 80 930 0; 9030

6.1.6.3.

Следующие магнитные градиентометры:





6.1.6.3.1.

Магнитные градиентометры, использующие наборы магнитометров, определенных в пункте 6.1.6.1


9015 80 110 0;

9015 80 930 0




Особое примечание.

В отношении магнитных градиентометров, указанных в пункте 6.1.6.3.1, см. также пункт 6.1.5.2 раздела 2;





6.1.6.3.2.

Волоконно-оптические внутренние магнитные градиентометры, имеющие среднеквадратичное значение чувствительности градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,3 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах;


9015 80 110 0;

9015 80 930 0

6.1.6.3.3.

Внутренние магнитные градиентометры, использующие технологию, отличную от волоконно-оптической, имеющие среднеквадратичное значение чувствительности градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,015 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах;

9015 80 110 0;

9015 80 930 0

6.1.6.4.

Компенсационные системы для магнитных датчиков или подводных датчиков электрического поля, которые позволяют этим датчикам получать рабочие характеристики, равные или лучше, чем контрольные параметры, указанные в пункте 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3


9015 80 110 0;

9015 80 930 0;

9030




Особое примечание.

В отношении компенсационных систем, указанных в пункте 6.1.6.4,
см. также пункт 6.1.5.3 раздела 2





6.1.6.5.

Подводные электромагнитные приемники, включающие датчики магнитного поля, определенные в пункте 6.1.6.1, или подводные датчики электрического поля, определенные в пункте 6.1.6.2


9015 80 110 0;

9015 80 930 0;

9030