Blog

А. Ф. Андреев ифп, председатель > В. Г. Каменский ифп, зам председателя > Е. Г. Николаев ифп, ученый секретарь > А. Н. Васильев мгу > В. Ф. Гантмахер ифтт > В. В. Дмитриев ифп > В. В. Кведер ифтт > А. Я. Паршин ифп > А. И

Вид материала

Документы

Содержание

Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Панков М.А., Давыдов А.Б., Лихачев И.А., Веденеев А.С.

Подобный материал:

1 2 3

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

15.00-15.20 N19	Регистрация индивидуальных фотонов туннельной гетероструктурой со слоем квантовых точек Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Макаровский О., Патанэ А., Ивс Л.
15.20-15.40 N20	Переход «металл»-диэлектрик в подзоне антисимметричных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Арапов Ю.Г., Карсканов И.В., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Подгорных С.М.
15.40-16.00 N21	Электрон-электронное рассеяние между уровнями Ландау в квантовых ямах в сильных магнитном и электрическом полях Теленков М.П., Митягин Ю.А.., Сахбетдинов М.А., Карцев П.Ф.
16.00-16.20 N22	Резонансное туннелирование в поляронные состояния квантовой ямы, сформированной в двухбарьерной гетероструктуре типа Al_0.4Ga_0.6As/GaAs Попов В.Г., Криштоп В.Г., Henini M.
16.20-16.40 N23	Электролюминесценция и зонная диаграмма наноструктур p-Al_xGa_1-xAs/GaAs_1-yP_y/n-Al_xGa_1-xAs при одноосном сжатии Богданов Е.В., Минина Н.Я., Орел А.Б., Широков С.С., Юнович А.Э.
16.40-17.00 N24	Высокочастотная и статическая проводимости в квантовой яме p-Si/SiGe/Si в продольном магнитном поле Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А.
17.00-17.20 N25	Анализ механизмов феромагнитного упорядочения и аномальный эффект Холла в 2D структурах GaAs/InGaAs/GaAs с δ-слоем Mn Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Панков М.А., Давыдов А.Б., Лихачев И.А., Веденеев А.С.