Инженерно- физический факультет высоких технологий Инженерно-физический факультет высоких технологий

Вид материалаДокументы

Содержание


Набережная р. Свияги, корпус 4, ауд. 317
Уввту, 1989, 1996).
Подобный материал:
  1   2   3


Инженерно-

физический

факультет

высоких

технологий











Инженерно-физический факультет высоких технологий

Инженерно физический факультет высоких технологий (ИФФВТ) – один из старейших факультетов университета. Он был образован в 1989 г. как физико-технический факультет филиала МГУ в г. Ульяновске. В 2000 г. факультет вошел в состав Института математики, физики и информационных технологий УлГУ, а в 2007 г. был преобразован в ИФФВТ на правах самостоятельного факультета. Деканами факультета были профессора: Козулин А.Т., Шипатов Э.Т., Учайкин В.В., Червон С.В., Журавлев В.М.; с 2006 г. – д.ф.-м.н., проф. Скворцов А.А.

На ИФФВТ в составе 6 кафедр работают 70 преподавателей, в т.ч. 20 док­торов и 35 кандидатов наук. Средний возраст профессорско-преподава­тельского состава – 46 лет, уровень остепененности – 87%.

На факультете обучаются свыше 850 студентов. Большая часть инженерных специальностей («Автомобиле- и тракторостроение», «Защита в чрезвычайных ситуациях», «Пожарная безопасность», «Сервис (на предприятиях нефтегазового комплекса)») была лицензирована в последние 3 года. Численность контингента обучающихся постоянно увеличивается и к 2010 году превысит 1200 человек. На факультете лицензировано 10 специальностей: физика (бакалавриат и магистратура), радиофизика и электроника, физика металлов, автомобиле- и тракторостроение, защита в чрезвычайных ситуациях, пожарная безопасность, сервис (на предприятиях нефтегазового комплекса), стандартизация и сертификация, метрология и метрологическое обеспечение, управление качеством. В настоящее время обучение проводится по 9 специальностям и 3 направлениям магистратуры.

Научная работа является одной из приоритетных задач ИФФВТ и ведется в таких областях современной физики, как физика твердого тела, теория элементарных частиц, теория гравитации, математическая физика и микроэлектроника, квантовая оптика. Изучаемые проблемы связаны с процессами, происходящими в физических системах от микроуровня до масштабов структуры Вселенной в целом.

Только в 2007 г. состоялось 8 защит кандидатских диссертаций. За последние 3 года учеными ИФФВТ было выиграно 20 грантов; организовано 6 конференций; опубликовано свыше 120 статей в центральной печати, свыше 200 тезисов; 50 человек участвовали в конференциях различного уровня; действуют 2 студенческих кружка; функционирует методический семинар.

На факультете действуют научные школы, руководителями которых являются ведущие профессора: Булярский С.В., Гадомский О.Н., Гурин Н.Т., Журавлев В.М., Семенцов Д.И., Орлов А.М., Учайкин В.В.

Факультет активно сотрудничает со школами города (№ 1, 2, 3, 6, 11, 30, 33, 40, 51, 52, 53, 65, 68, 72); преподаватели факультета работают в Лицее математики, физики и информатики № 40, а также в школах № 68, 90, 20, 33, 52, 28 и др.

Кафедра физического материаловедения


Скворцов

Аркадий

Алексеевич

доктор физико-математических наук,

профессор, декан, зав. кафедрой

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.10 – физика полупроводников.

  • Основные биографические данные:

1968 – год рождения;

1993 – окончание Саратовского государственного университета;

1996 – защита кандидатской диссертации в УлГУ;

с 1997 – работа в УлГУ;

с 2002 – зав. кафедрой физического материаловедения;

2004 – защита докторской диссертации;

с 2006 – декан ИФФВТ.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Научная работа связана с высокотемпературными электротранспортными процессами в полупроводниковых структурах, исследованием термоупругих процессов в полупроводниках при импульсных токовых воздействиях. Исследует динамику линейных дефектов в электрических и магнитных полях.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 50 публикаций, в т.ч.:

Известия РАН. Неорганические материалы. 1996. Т. 32. № 3;

Поверхность. Физика, химия, механика. 1997. № 1;

Микроэлектроника. 1997. № 1;

Письма в ЖТФ. 1999. № 3, № 5;

ФТТ. 2003. № 4; 2002. № 7; 2001. № 4; 2000. № 10;

ЖЭТФ. 2003. № 3; 2001. №4.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80

E-mail: scvor@sv.uven.ru

Кафедра физического материаловедения


Красильников

Николай

Александрович

доктор технических наук,

профессор

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.07 – физика твердого тела.

  • Основные биографические данные:

1960 – год рождения;

1982 – окончание вуза;

1990 – окончание очной аспирантуры ИПСМ (г. Уфа);

1991 – защита кандидатской диссертации;

с 1992 – работа в филиале МГУ и УлГУ;

2002 – окончание очной докторантуры УГАТУ (г. Уфа);

2005 – защита докторской диссертации.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Получение и исследование структуры и свойств ультрамелкозернистых и нанокристаллических материалов, подвергнутых интенсивной пластической деформации, разработка гидроимпульсной обработки материалов.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 80 работ.

Аnn. сhim. Sсi. Маt. (2002); Физика металлов и металловедение (1998, 2001); Асtа mеtаll. маtеr. (1994); Маt. Sсi. & Еng. (1991, 2005); J. Mat. Sсi. Let. (1990); Металлы (2004); Физика высоких давлений (2000); Изв. вузов (2002); Sol. Stat. Phen. (2005).

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80

    E-mail: nick@sv.uven.ru



Кафедра физического материаловедения


Орлов

Анатолий

Михайлович

доктор технических наук, профессор,
действительный член РАЕН

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

05.17.16 – технология полупроводников и материалов электронной техники.

  • Основные биографические данные:

1941 – год рождения;

1965 – окончание института;

1969 – защита кандидатской диссертации;

1980 – защита докторской диссертации;

1983 – присвоение звания профессора;

с 1989 – работа в филиале МГУ (УлГУ).

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Научная деятельность связана с материаловедением полупроводников и высокотемпературными процессами на межфазных границах МОП-структур в возмущающих электрических полях. Научные интересы последних лет локализованы на дефектной структуре кремния, включающей дислокации, вторые фазы, примесные комплексы и т.д. Повышенное внимание уделяется динамике дефектов в возмущающих электрических, магнитных и тепловых полях.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 170 научных работ в центральной печати, в т.ч. 3 авт.св.

ФТТ. 2001. №7; ФТТ. 2002. №7; ЖЭТФ. 2003. №3; ФТТ. 2005. Т. 47, № 11; ФТТ. 2007. Т. 49, № 6.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80

E-mail: OrlovAM@ulsu.ru

Кафедра физического материаловедения

Шипатов

Эдуард

Трифонович

доктор физико-математических наук,

действительный член РАЕН,

экстраординарный профессор

  • Почетные звания, награды, дипломы лауреата:

Заслуженный работник высшей школы РФ. Кавалер Ордена «Рыцарь науки и искусств» РАЕН. Медаль РАЕН.
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.07 – физика твердого тела.
  • Основные биографические данные:

1942 – год рождения;

1964 – окончание физ.-тех. фак-та Томского политехнического ин-та;

1968 – окончание очной аспирантуры ТПИ, защита кандидатской диссертации;

1984 – защита докторской диссертации; работа в Томском политехническом институте, Донецком ун-те, Ростовском ун-те;

с 1989 – работа в филиале МГУ (УлГУ);

1996 – академик РАЕН.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Занимался исследованиями взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, разработкой и применением ядерных методов исследования твердого тела. В настоящее время занимается исследованиями фундаментальных проблем физики взаимодействия заряженных частиц и излучений с твердым телом, анализом элементного состава и структуры материалов электронной техники.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор 280 публикаций, в т.ч.:

Каналирование ионов. Ростов н/Д.: Изд-во РГУ, 1984; Вынужденное излучение каналированных электронов и позитронов в кристаллах // ЖЭТФ. 1984. Т. 87; Меаsurment of damage profiles in crystals by channeling technique // Radiat. Eff. 1984. V. 81, № 3; Ядерная физика твердого тела. Ульяновск: УлГУ, 2000; Реnеtration of fast electrons in layered targets // Nucl. Instr. & Meth. 1999.
  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • pаб. 32-06-80

Кафедра физического материаловедения


Антонов

Иван

Степанович

доктор технических наук, профессор

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

05.02.02 – машиностроение, детали машин и системы приводов.

  • Основные биографические данные:

1941 – год рождения;

1965 – окончание Волгоградского политехнического института;

1965-1968 – работа на УАЗ;

1977 – защита кандидатской диссертации в Челябинском политехническом институте;

1968-2006 – работа в УлГТУ;

1999 – защита докторской диссертации в Курганском государственном университете;

с 2006 – работа в УлГУ.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Исследования по механике твердого деформируемого тела с выходом на конкретные прикладные работы, в частности, разработка методов расчета резьбовых соединений при статическом и динамическом нагружениях.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 80 публикаций, в т.ч. 4 монографий. 3 монографии изданы по эгидой ГОССТАНДАРТа – ВНИИНМАШа (МР 45-82, МР 207-86, Р 50-54-90-88); одна из монографий – в Саратовском университете (1992). Основные статьи опубликованы в различные годы в журналах «Известия вузов» и «Вестник машиностроения».

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 4, ауд. 205
  • раб. 67-50-53

    E-mail: BZD@ulsu.ru

Кафедра физического материаловедения


Балашов

Александр

Павлович

кандидат физико-математических наук,

доцент

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.16 – физика атомного ядра и элементарных частиц.

  • Основные биографические данные:

1946 – год рождения;

1970 – окончание физико-механического факультета Ленинградского политехнического института;

1970-1975 – работа в Государственном институте прикладной оптики (г. Казань);

1975-1978 – аспирантура в Ленинградском политехническом институте;

1978 – защита кандидатской диссертации;

1979-1993 – работа в УлПИ;

с 1993 – работа в фМГУ (УлГУ).

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Радиационная физика твердого тела, взаимодействие излучения с веществом; в научно-методическом плане – компьютеризация учебного процесса по физике. Организатор ряда всероссийских конференций по вопросу компьютеризации учебного процесса по физике.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор около 100 печатных работ, в т.ч. серии статей по радиационной физике в журнале «Атомная энергия» (1972-1982 гг.).

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80


Кафедра физического материаловедения


Калашников

Евгений

Гаврилович

кандидат физико-математических наук,

доцент

  • Почетные звания, награды, дипломы лауреата:

Отличник народного просвещения РСФСР.

Почетный работник высшего профессионального образования РФ (2004).

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.07 – физика атомного ядра.

  • Основные биографические данные:

1937 – год рождения;

1961 – окончание педагогического института (г. Ростов-на-Дону);

1967 – защита кандидатской диссертации;

1968 – зав. кафедрой теоретической физики УГПИ;

1988 – зав. лабораторией УЦМ;

с 1991 – работа в филиале МГУ.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Изучает кинетику нуклеации, термодинамику фазовых переходов и физикохимию высокодисперсных сред. Разрабатывает вопросы получения высокодисперсных материалов плазменными методами. Разрабатывает полевые модели частиц вещества.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор 73 публикаций, 3 а. с.

Термодинамические размерные эффекты // ЖФХ. 1985. Т. 59. № 5;
Успехи физикохимии энергонасыщенных сред // Успехи химии. 1987. Т. 56. Вып. 2; Ядерная физика твердого тела. 2000. 505 с.; Extended symmetrical classical electrodynamics // Phys. Rev. E. Vol. 77. 036610(1-8). 2008.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80

Кафедра физического материаловедения


Соловьев

Александр

Александрович

кандидат физико-математических наук,

доцент

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.10 – физика полупроводников.

  • Основные биографические данные:

1977 – год рождения;

2000 – окончание УлГУ;

2002 – защита кандидатской диссертации в УлГУ;

с 2003 – работа в УлГУ.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Исследование акустических эффектов и поведения дислокационной структуры полупроводниковых материалов в возмущающих полях различной природы.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 30 публикаций;

ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 11. С. 1998-2003.

ФТТ. 2000. Т. 43. Вып. 4. С. 616-618.

ЖЭТФ. 2003. № 3. Т. 123. Вып. 3. С. 590-598.

ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 4. С. 613-617.

ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 11.С. 1967-1972.

ФТТ. 2007. Т. 49. Вып. 6. С. 1039-1043.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80, 32-06-19

    Е-mail: alexsol@fromru.com

Кафедра физического материаловедения


Рыбин

Владислав

Витальевич

кандидат физико-математических наук,

старший преподаватель

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.07 – физика конденсированного состояния.

  • Основные биографические данные:

1980 – год рождения;

2003 – окончание физико-технического факультета УлГУ;

2006 – защита кандидатской диссертации в УлГУ;

с 2004 – работа в УлГУ.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Исследование тепловых режимов работы и деградационных процессов в слоях металлизации и контактных системах металл-полупроводник при импульсных электрических воздействиях.

  • Наиболее значимые публикации:

Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32, вып. 6. C. 18-23.

Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32, вып. 17. C. 60-65.

Неорганические материалы. 2006. Т. 41, № 6. C. 1-5.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 119
  • раб. 32-06-80

    Е-mail: RybinVV@sv.ulsu.ru

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Костишко

Борис

Михайлович

доктор физико-математических наук,

профессор, зав. кафедрой, ректор УлГУ
  • Почетные звания, награды, дипломы лауреата:

Грамоты Минобразования РФ. Благодарственное письмо Губернатора Ульяновской области (2008).
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.04 – физическая электроника.
  • Основные биографические данные:

1989 – окончание МГУ;

1992 – защита кандидатской диссертации в МГУ;

с 1992 – работа в филиале МГУ;

1995 – действительный член Нью-Йоркской академии наук;

2003 – защита докторской диссертации;

2003-2006 – директор ИМФИТ;

с 2006 – ректор УлГУ.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Научная деятельность связана с перезарядкой ионов на поверхности ионно-ковалентных кристаллов и молекулярных объектах, а также с сопровождающими этот процесс дефектообразованием на поверхности и деструкцией молекул. В настоящее время занимается Оже-спектроско­пией полупроводниковых материалов, изучением взаимодействия молекулярных пленок с полупроводниковыми подложками и светоизлучающими свойствами пористых полупроводников.

Руководитель исследований в области нанотехнологий (грант РФФИ, 2008). Под его руководством защищены 3 кандидатские диссертации.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 200 публикаций, в т.ч. монографий, учеб. пособий с грифом УМО. ДАН СССР. 298 (1988); Известия РАН. Серия физическая. 56 (1992); Surface Science Letters. 276 (1992); Вестник МГУ. 34 (1993); Неорганические материалы. 31 (1995), 32 (1996), 33 (1997); ЖТФ. 68 (1998), 71 (2001); Поверхность. 1 (1997), 4 (2000), 11 (2001); Dim. Struct. 7/8 (1999), 11/12 (1999), 7/8 (2000), 9/10 (2001); Applied Surface Science. 189 (2002); Vacuum. 68/3 (2002).
  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 333
  • раб. 32-06-19 E-mail: kost@sv.uven.ru

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Светухин

Вячеслав

Викторович

д. ф.-м. н., профессор, проректор
по инновациям и трансферу технологий
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
  • Основные биографические данные:

1995 – окончание физико-технического факультета фМГУ в г. Ульяновске;

1996-1999 – обучение в аспирантуре УлГУ;

1996-1998 – три стипендии Международного фонда Сороса;

1998 – стипендия Правительства РФ;

1999 – защита канд. дис. в Московском институте электронной техники;

2001, 2004 – стипендия Президента РФ;

2001 – старший научный сотрудник ФГУП «ГНЦ РФ НИИАР»;

2002 – отмечен фондом RSCI среди 14 лучших молодых ученых России;

2003 – защита докт. дис. в Физико-технологическом институте РАН;

2005 – нач. лаб. моделирования поведения под облучением материалов и элементов активных зон ядерных реакторов ФГУП «ГНЦ РФ НИИАР»;

2007-2008 – участие в работах по созданию НОЦ радиационных технологий, Центра коллективного пользования научным оборудованием и Центра нанотехнологий и материалов.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Дефекты в твердых телах, радиационное материаловедение, нанотехнологии модификации свойств твердых тел. Руководитель 7 грантов РФФИ, 2-х грантов Минобразования, гранта Министерства атомной промышленности, гранта ФЦП «Интеграция», 2-х грантов ФЦП «Приоритетные направления науки и техники» и т.д.

Руководитель 4 защищенных кандидатских диссертаций.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 200 статей и тезисов, 4 учебно-методических пособий, 2 монографий, в т.ч.: Кинетика распада пресыщенного твердого раствора: моногр. Ульяновск: УлГУ, 2005. 210 с.; Физические основы управления взаимодействием дефектов в полупроводниках: моногр. Ульяновск:
УлГУ, 2003. 380 с. (в соавт.); Моделирование поведения реакторных материалов под облучением. Ульяновск: УлГУ, 2007. 205 с.
  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 4, ауд. 317
  • pаб. 67-50-54 E-mail: slava@sv.uven.ru

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Стучебников

Владимир

Михайлович

доктор технических наук, профессор
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

05.27.01 – твердотельная электроника и микроэлектроника.
  • Основные биографические данные:

1964 – окончание физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова;

1967 – окончание аспирантуры физического факультета МГУ;

1969 – защита кандидатской диссертации;

1971-1976 – работа в НИИ измерительной техники (г. Королев): с.н.с, нач. отдела;

1976-1988 – работа нач. лаб. в НИИТеплоприборе (г. Москва);

1987 – защита докторской диссертации;

1988 – НПК УЦМ (г. Ульяновск): зам. директора, и.о. генерального директора;

с 1989 – профессор физико-технического факультета УлГУ.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

В МГУ им. М.В. Ломоносова – полупроводниковые лазеры на арсениде и антимониде галлия, туннельная излучательная рекомбинация, влияние сильных магнитных полей на туннельные переходы в GaSb-светоди­одax;

в НИИИТ – физические принципы работы микроэлектронных датчиков физических величин, свойства гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире» (КНС) для тензочувствительных элементов датчиков механических величин;

в НИИТеплоприборе – оптимизация тензопреобразователей (ТП) на основе КНС для измерения давления, в т.ч. криогенных (до 2 К) и высокотемпературных (до 400°С) сред, влияние реакторного облучения на свойства ТП на основе КНС, разработка ТП системы датчиков теплоэнергетических величин «Сапфир-22»;

в НПК УЦМ – исследование и разработка систем микроэлектронных датчиков давления на основе КНС с повышенными метрологическими и эксплуатационными характеристиками.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор 140 статей в отечественных и зарубежных журналах, изобретений и патентов СССР, РФ, США, Германии, Франции.
  • Контактный адрес и телефоны:

ул. Гагарина, 34, ГП УЦМ
  • раб. 34-95-18

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Вяльдин

Михаил

Васильевич

кандидат педагогических наук,

доцент
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

13.00.02 – методика преподавания физики.
  • Основные биографические данные:

1978 – окончание Ульяновского педагогического института;

1987 – защита кандидатской диссертации;

1999 – доцент кафедры методики преподавания физики.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Область научных интересов: методика преподавания физики в школе – колледже (лицее) – вузе; организация учебно-воспитательного процесса в школе и вузе; отбор содержания обучения в различных профильных классах – колледжах – лицеях и вузах.

1985-1987 – планирование учебного процесса по физике на основе современных психолого-педагогических теорий и информационного подхода; 1987-1992 – технические средства обучения и активизация познавательной деятельности обучаемых; 1992-2000 – методика преподавания физики в школе и педагогическом вузе; 2000-2008 – методика преподавания физики в основной и дифференцированной школе, особенности преподавания дисциплин методического блока в классическом университете, концепции современного естествознания (КСЕ), курс физики в высшей школе.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор более 60 публикаций, в т.ч.: Информационный подход к планированию содержания обучения физике в средней школе // Совершенствование содержания и методики преподавания физики в пединституте и в школе. МГПТ, 1989; Особенности преподавания дисциплин методического блока в классическом университете // Международный сб. «Новые технологии преподавания физики». М., 2002; Активизация познавательной деятельности учащихся и студентов при изучении физики // Тр. Всероссийского научно-методического семинара «Современные аспекты преподавания физики: школа – колледж – университет». Ульяновск: УлГУ, 2008.
  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 333
  • раб. 32-06-19

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях


Гадомская

Ирина

Вениаминовна

кандидат физико-математических наук,
доцент

  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.05 – оптика.

  • Основные биографические данные:

1976 – окончание физического факультета Казанского университета;

1986 – окончание аспирантуры Казанского физико-технического института;

1992 – защита кандидатской диссертации.

  • Краткая аннотация научной деятельности:

Решает ряд граничных задач когерентной нелинейной оптики при взаимодействии сверхкоротких лазерных импульсов высокой интенсивности с поверхностью резонансной оптической среды.

  • Наиболее значимые публикации:

Автор около 30 публикаций.

Оптика и спектроскопия. 1984. Т. 57. Вып. 2.

Phys. Lett. 1984. V. 106А.

ЖЭТФ. 1986. Т. 90. Вып. 6.

Известия АН СССР. Сер. физ. 1989. Т. 53. Вып. 12.

  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 333
  • раб. 32-06-19


Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Гурина

Роза

Викторовна

кандидат педагогических наук,

доцент

  • Почетные звания, награды, дипломы лауреата:

Почетный работник общего образования Российской Федерации (2001); Соросовский учитель (1998, 2000).
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

13.00.08 – теория и методика профессионального образования.
  • Основные биографические данные:

1970 – окончание физико-математического факультета УГПИ;

1974 – окончание аспирантуры в УГПИ на каф. теоретической физики;

1974-1977 – работа в УГПИ;

1977-1992 – работа в высших военных училищах: УВВКУС и УВВТУ;

с 1992 – работа в филиале МГУ (УлГУ);

2002 – защита кандидатской диссертации;

2008 – защита докторской диссертации.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Повышение эффективности начальной профессиональной подготовки учащихся профильных физических классов; профессионально-ориен­тированное воспитание; поиск, оценка, отбор одаренных школьников в области физики; интенсивные методы обучения физике; фреймовое представление знаний; астрономическое образование; творческое развитие школьников; диагностика качества образовательного процесса.
  • Наиболее значимые публикации:

Автор 135 научных и научно-методических трудов, в т.ч.: 17 учебных и учебно-методических пособий, 3 монографии, 50 статей в центральных журналах, из них 24 статьи в журналах перечня ВАК, таких как «Образование и наука» (2005, 2006), «Физика в школе» (2003, 2005, 2006, 2008), «Психологическая наука и образование» (2007), «Наука и школа (2005), «Интеграция образования» (2006), «Школьные технологии» (2003, 2004), «Народное образование» (2006, 2007), «Дополнительное образование и воспитание (2006), «Ползуновский вестник» (2004), «Вестник» Челябинского гос. пед. университета.
  • Контактный адрес и телефоны:

Набережная р. Свияги, корпус 1, ауд. 333
  • раб. 32-06-19

Кафедра физических методов в прикладных исследованиях

Нагорнов

Юрий

Сергеевич

кандидат физико-математических наук,

доцент, зам. проректора по инновациям и трансферу технологий
  • Научная специальность по диплому кандидата или доктора наук:

01.04.10 – физика полупроводников.
  • Основные биографические данные:

1998 – окончание УлГУ;

2001 – защита кандидатской диссертации;

2001-2002 – начальник отдела технического обслуживания;

2002 – доцент каф. телекоммуникационных технологий и сетей;

2003-2006 – зам. директора Института математики, физики и информационных технологий по науке;

с 2005 – доцент каф. физических методов в прикладных исследованиях;

с 2007 – зам. проректора по инновациям и трансферу технологий.
  • Краткая аннотация научной деятельности:

Проведение фундаментальных исследований влияния электронного облучения средних и высоких энергий на свойства микро- и нанокристаллов кремния. Проводится расчет методом молекулярной динамики температуры плавления, энергии образования дефектов и других свойств нанокристаллов. Прикладные исследования включают поиски методов получения эффективных батарей питания на основе радиоактивного
β-источника с использованием p-i-n-структур и макропористого кремния.
  • Наиболее значимые публикации:

Механизм водного дотравливания пористого кремния n-типа проводимости во внешнем электрическом поле // Журн. технической физики. 2001. Т. 71, № 7. С. 60-66 (в соавт.);

The modification of the properties of n-type conductivity porous silicon by argon ion irradiation // Vacuum. 2004. V. 73. P. 105-108 (в соавт.);

The interface model of photoluminescence of carbonized porous silicon // Phys. Low–Dim. Struct. 2004, № 3/4. P. 51-58 (в соавт.);

Механизм образования нанокристаллов карбида кремния при высокотемпературной карбонизации пористого кремния // Журн. технической физики. 2007. Т. 77, № 8. С. 135-139. (в соавт.).
  • Контактный адрес и телефоны: