Программа составлена так, что в полном объеме представлен маршрут проектирования на основе программных пакетов схемотехнического, топологического, функционально логического уровней проектирования, включая пакеты виртуального физического прототипирования.
| Вид материала | Программа |
- Конспект первых лекций по дисциплине " основы автоматизированного схемотехнического, 492.96kb.
- Рабочая программа учебной дисциплины основы компьютерного проектирования рэс направление, 193.97kb.
- 05. 13. 12 Системы автоматизации проектирования (по отраслям) Формула специальности, 21.27kb.
- А. Е. Стешков методология проектирования металлорежущих инструментов, 74.74kb.
- Программа государственного экзамена по специальности 220100 «Вычислительные машины,, 83.9kb.
- Правила топологического проектирования Мида-Конвей ( Карвер Иид, Линн Конвей, 88.06kb.
- Лекция: Организация разработки ис: Каноническое проектирование ис. Стадии и этапы процесса, 312.68kb.
- С. П. Колотовкин организация курсового проектирования, преддипломной практики и дипломного, 276.32kb.
- "Сапр web pack ise. Этапы и технология проектирования устройств на базе плис. Примеры, 449.82kb.
- Интеллектуальные системы схемотехнического проектирования, 224.17kb.
Департамент образования города Москвы
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Полное название вуза
Научно-образовательный материал
”Исследование структур и калибровка моделей в среде TCAD”
Москва 2009 г.
Характеристика программы повышения квалификации:
Каждое из направлений программы содержит законченный цикл занятий по одной из тематической областей. Общий объем обучения составляет по базовому модульному учебному плану - не менее 72 часов. Модульность плана предоставляет возможность дифференциации, вариативности по форме и содержанию образовательных программ для каждого слушателя. Каждый курс содержит контрольные материалы оценки степени усвоения материала курса.
Программа составлена так, что в полном объеме представлен маршрут проектирования на основе программных пакетов схемотехнического, топологического, функционально логического уровней проектирования, включая пакеты виртуального физического прототипирования.
Контрольно-измерительные материалы к курсам: не менее 25 тестов по каждому направлению.
Цель программы: формирование знаний в области приборно-технологического моделирования технологических процессов микроэлектроники и элементов интегральных схем, позволяющих глубже понимать сущность процессов, используемых в производстве изделий интегральной электроники, проектировать эти изделия на основе современных методов и с использованием современных компьютерных технологий, проводить расчет и оптимизацию их статических, динамических и малосигнальных параметров элементов интегральных схем.
2. ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН И СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ
| РАЗДЕЛ ПРОГРАММЫ ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ, СОДЕРЖАНИЕ | ВСЕГО | АУДИТОРНЫЕ | ||
| ЛЕКЦИИ | АУДИТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ (СЕМИНАР) | ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ | ||
| Тема 1. Введение в предмет курса. Роль приборно-технологического моделирования в проектировании интегральных микросхем. Структура пакета TCAD Synopsys | 4 | 2 | 2 | |
| Тема 2. Моделирование технологических процессов. Ионная имплантация. Диффузия примесей. Моделирование процессов, включающих химическое взаимодействие. Процессы травления, осаждения, фотолитографии. | 16 | 4 | 4 | 8 |
| Тема 3. Концепция «виртуального производства». Методики моделирования. | 4 | 2 | 2 | |
| Тема 4. Основные задачи приборного моделирования. Базовые уравнения, переменные, граничные условия | 12 | 2 | 2 | 8 |
| Тема 5. Модели подвижности, рекомбинации и генерации, используемые при моделировании полупроводниковых приборов. Малосигнальный анализ | 12 | 2 | 2 | 8 |
| Тема 6 Алгоритм решения одномерного уравнения Пуассона для обратносмещенного n+-p – перехода. Особенности расчета напряжения пробоя p-n-переходов, МДП - и биполярных транзисторов. | 10 | 4 | 2 | 4 |
| Тема 7 Особенности приборного моделирования субмикронных МДП-транзисторов и гетероструктр | 11 | 1 | 4 | 6 |
| Итого: | 69 | 17 | 18 | 34 |
3. ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ
| РАЗДЕЛ ПРОГРАММЫ ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ | № п./п. | СОДЕРЖАНИЕ | АУДИТОРНОЕ |
| Тема 2 | 1 | Лабораторная работа №1 Одномерное моделирование технологических процессов в среде TCAD Synopsys | 4 |
| Тема 2 | 2 | Лабораторная работа №2 Моделирование технологических процессов в среде TCAD Synopsys | 4 |
| Тема 4 | 3 | Лабораторная работа №3 Формирование структуры с использованием программы SDE | 4 |
Тема 4 | 4 | Лабораторная работа №4 Формирование структуры трехмерного КНИ - МОП - транзистора с использованием программы SDE | 4 |
Тема 5 | 5 | Лабораторная работа №5 Приборное моделирование биполярного транзистора с помощью программы SDEVICE | 4 |
| Тема 5 | 6 | Лабораторная работа №6 Расчет АЧХ биполярного транзистора с помощью программы SDEVICE | 4 |
| Тема 7 | 7 | Лабораторная работа №7 Расчет характеристик МОП - транзистора с использованием интегральной среды SWB пакета TCAD Synopsys | 4 |
| Тема 6 | 8 | Лабораторная работа №8 Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами | 4 |
| | | Прием лабораторных работ | 2 |
| ВСЕГО: | 34 | ||
4. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОГРАММЫ ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ
ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА
- МОП – СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Под ред. П. Антонетти и др. М. Радио и связь. 1988.
- Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Под ред. Д. Миллера. М. Радио и связь. 1989.
- М. А. Ревелева. Моделирование процессов распределения примеси в полупроводниковых структурах. Учебное пособие. Под ред. В. Д. Вернера. М., МИЭТ, 1996.
- Г. И. Глазова, С. Г. Исакина, М. А. Ревелева. Лабораторный практикум по курсу «Математическое моделирование технологических процессов». Под ред. М. А. Ревелевой. М., МИЭТ, 1995.
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА
- Технология СБИС. Под ред. С.Зи. В 2-х кн. М., Мир, 1986.
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. М., Мир, 1984.
5. МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОГРАММЫ ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ
Лабораторные работы проводятся в специализированном Учебно-научном центре приборно-технологического моделирования. Всего имеется 16 лабораторных работ, из которых при изучении данной программы повышения квалификации используются восемь. Лаборатория оснащена сервером, на котором размещено лицензионное программное обеспечение (пакет программ ISE TCAD, Sentaurus TCAD), персональными компьютерами класса Pentium 4, сетевым принтером.