Программа, контрольное задание
| Вид материала | Программа |
- Контрольное задание Тематика и методические указания к его выполнению для студентов, 75.93kb.
- Контрольное задание представляет собой реферативное исследование возможностей автоматизации, 82.16kb.
- Методические указания по выполнению контрольного задания контрольное задание по темам, 515.04kb.
- Методические указания к выполнению контрольного задания в форме реферата Контрольное, 272.86kb.
- Контрольное задание по цсп. Задание №27, 38.81kb.
- Контрольное задание №5 По социологии, 430.47kb.
- Кочкина Валентина Фроловна, адрес эл почты: KochkinaVF@mail ru Объем реферат, 40.1kb.
- Предварительное планирование презентации 17 Время доклада 18 Упражнение для самопроверки, 2417.56kb.
- Контрольное задание 2 по теме «создание мультимедиа проекта», 121.72kb.
- Контрольное задание 3 Задача 1 Дешифратор на элементах и-не, или-не. Схема электронной, 117.56kb.
МИНИСТЕРСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАТИЗАЦИИ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
им. проф. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА
ФАКУЛЬТЕТ ВЕЧЕРНЕГО И ЗАОЧНОГО ОБУЧЕНИЯ
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
ПРОГРАММА, КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ
И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
200900, 201000, 201100
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ
2004
4. Бочаров Е.И., Гогоберидзе Г.Б., Першин Ю.М., Петров К.С. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника: Конспект лекций / СПбГУТ. СПб, 2003. Ч.2 *.
5. Бочаров Е.И., Гогоберидзе Г.Б., Першин Ю.М., Петров К.С. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника: Конспект лекций / СПбГУТ. СПб, 2004. Ч.3 *.
Дополнительная
6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 2001.
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. М.: Советское радио, 1980.
8. Электронные приборы: Учебник для вузов / Под ред.Г.Г. Шиш-кина. М.: Энергоатомиздат, 1989.
9. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микро-электроники: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1991.
СОДЕРЖАНИЕ
Цели и задачи дисциплины 3
Программа 4
Обзорные лекции 7
Лабораторные работы 7
Контрольное задание 8
Задание 1 9
Задание 2 15
Задание 3 24
Литература 31
_______________________________
* В издании конспекта (2001) материал, представленный в
двух последних частях (Ч.2 и 3), был издан в виде единой книги, обозначенной как Ч.2.
Рис. 9. Топология гибридной интегральной схемы,
реализующей инвертирующий интегратор
32
МИНИСТЕРСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАТИЗАЦИИ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
им. проф. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА
ФАКУЛЬТЕТ ВЕЧЕРНЕГО И ЗАОЧНОГО ОБУЧЕНИЯ
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
ПРОГРАММА, КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ
И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
200900, 201000, 201100
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ
2004
УДК 621. 384
Бочаров Е.И. Электроника: программа, контрольное задание и методические указания (спец. 200900, 201000, 201100) / СПбГУТ. СПб, 2004.
Приводятся программа дисциплины, обзорные лекции, лабораторные работы, контрольное задание, посвященное основам применения биполярных и полевых транзисторов в усилительных каскадах и электронных ключах и разработке топологии гибридных интегральных схем, а также методические указания к решению контрольного задания и необходимая литература.
Внимание! В текст методических указаний к задаче 1.1 на стр.13 после первой строки п. 5 следует вставить следующий фрагмент текста: «нагрузочную линию по переменному току. Она проходит через рабочую точку по постоянному току, но ее наклон (в отличие от построенной в п. 4 нагрузочной линии по постоянному току) определяется сопротивлением R’К = RК //RН. На этой линии построить».
© Санкт-Петербургский
государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, 2004
Редактор Л.А. Медведева
___________________________________________________________________
Подписано к печати 15.01.04.
Объем 2,0 печ. л. Тираж 600 экз. Зак.
___________________________________________________________________
РИО СПбГУТ. 191186 СПб, наб. р. Мойки, 61
СТ «Факультет ДВО». 191186 СПб, наб. р. Мойки, 61
6. При выборе расположения элементов на подложке и реализации соединений между элементами следует иметь в виду, что контактные площадки под внешние выводы схемы должны рас-полагаться вдоль длинных сторон подложки не ближе 1 мм от ее края. Также не ближе 1 мм от края подложки должны располагаться все элементы схемы и пленочные соединительные проводники. Толщина пленочных проводников должна быть не менее 50 мкм, пересечение между ними не допускаются. Расстояние между пленочными эле-ментами (включая проводники) должно быть не менее 200 мкм. Контактные площадки должны иметь размер не менее 400х400 мкм.
Навесные элементы (операционный усилитель) располагаются в специальных местах не ближе 500 мкм от пленочных элементов и 600 мкм от контактных площадок. Проволочные выводы навесных элементов присоединяются к специальным контактным площадкам, длина выводов должна быть не менее 600 мкм и не более 5 мм. При этом допускается прохождение проволочных выводов над пленочными элементами и соединительными проводниками, а изгибы и пере-сечения проволочных выводов между собой не допускаются. К одной контактной площадке может быть присоединен только один вывод навесного элемента. Все электрические соединения пленочных и навесных элементов должны соответствовать заданной схеме аналогового устройства.
7. Изобразить на миллиметровке топологию разработанной гибридной интегральной схемы в масштабе 10:1 и обозначить элемен-ты схемы, контактные площадки под внешние выводы и выводы операционного усилителя.
8. Для примера на рис. 9 представлена топология гибридной интегральной схемы, реализующей на основе бескорпусного операционного усилителя инвертирующий интегратор (схема 16 на рис. 7).