Автоматизация работы теплового насоса
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
Вµксора ADC0 - ADC7 АЦПRST15Вход для сигнала сброса процессора. Когда срабатывает сторожевой таймер Т3, то RST генерится на этой ножке изнутриXTAL135Подключение кварца . Также вход от внешнего источника возбуждения кристаллаXTAL234Подключение кварца . Когда используется внешнее возбуждение через ввод XTAL1, оставить этот вывод висящим в воздухе.VSS36,37Две ножки общего вывода. Использовать обе./PSEN47Инверсный выход строба чтения из внешней памяти программALE48Выход строба для защелкивания младшей половины адреса/EA49Инверсный Вход для указания, что процессор должен использовать внешнюю память программ. Не оставлять висящим в воздухе.-AVref58Подвод нижнего уровня опорного напряжения, но не ниже АVSS. Соответствует результату АЦП = 0 .+Avref59Подвод верхнего уровня опорного напряжения. но не выше АVDD. Соответствует результату АЦП = 3FFНAVSS60Общий вывод аналоговых цепей кристаллаAVDD61Плюс питания аналоговых цепей кристалла
Микроконтроллер 80С552 не имеет внутренней памяти программ, поэтому для реализации микропроцессорной системы необходимо использовать внешнюю память программ.
Для хранения программы будем использовать ПЗУ типа 27C64. Это перепрограммируемое ПЗУ. Информация стирается с помощью ультрафиолетового облучения кристалла. Основные параметры 27C64 приведены в таблице 4.2.
Таблица 4.2 Основные параметры К573РФ5
Ёмкость, байт8кОрганизация10248Время выборки, нс0.45Удельная мощность потребления мВт/бит0.1Время хранения информации, час15000
Рисунок 4.2. 3Расположение и назначение выводов ПЗУ
Таблица 4.3. Назначение выводов ПЗУ
ВыводНазначениеA0-A12 Address InputsCEChip EnableOEOutput EnablePGMProgram EnableVPPProgramming VoltageO0 - O7Data OutputVCC+5V Power SupplyVSSGroundNCNo Connection; No Internal ConnectionsNUNot Used; No External Connection Is
Принимаем в качестве устройства индикации двухстрочный ЖКИ HDD44780.
В таблице 1.4 приведены команды ЖКИ.
Таблица 1.4 Команды ЖКИ
КомандаКодВремя выполненияRSR/WDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0Очистка дисплея00000000011,64мксКурсор домой000000001*1,64мксВключение изображения0000001DCB40мсСдвиг000001S/CR/L**40мсЗапись данных10WRITE DATA40мс
/D=1-инкремент адреса при вводе символа (0-декремент)
S=1-сдвиг всего изображения при вводе символа
S/C=1/0-изображение сдвигается/нетR/L=1/0-сдвиг вправо/влево
D=1-включение дисплеяC=1-включение курсора
B=1-мерцание символа, под которым курсор
Рисунок 4.2.4 двухстрочный ЖКИ HDD44780.
DB0-DB7 -входы данных;
R/W -чтение/запись;
V0 -яркость;
E -разрешение;
RS- данные/команды.
В качестве датчиков для выбираем датчики на основе эффекта Холла GT101DC фирмы Honeywell. Внешний вид GT101DC изображен на рисунке 4.2.5, а функциональная схема изображена на рисунке 4.2.6
Рисунок 4.2.5. Внешний вид GT101DC
Рисунок 4.2.6. Функциональная схема GT101DC
Назначение внешних выводов GT101DC представлено в таблице 4.5.
Таблица 4.5. Назначение внешних выводов GT101DC
ВыводОбозначениеНазначение вывода1VDDНапряжение питания (+5В)3OUTВыходной сигнал2VSSОбщий вывод101DC имеет следующие технические характеристики:
Тип выходного сигнала:пороговыйТип чувствительного элемента:элемент ХоллаНаличие встроенного магнита:естьТип чувствительности к полю:встроенный магнитИндукция включения при 25оС, Гаусс:-Индукция выключения при 25оС, Гаусс:-Максимальная чувствительность, мВ/Гаусс:-Макс рабочая частота, кГц:100Время нарастания сигнала, мкс:15Мин напряжение питания, В:4.5Макс напряжение питания, В:24Макс выходной ток, мА:20Температурный диапазон, гр. С:-40тАж150Корпус:1GT1Производитель:Honeywell Inc.
Принцип действия датчика заключается в наведении разности потенциалов на границах полупроводниковой пластины с током, во внешнем магнитном поле. Усиленная датчиком разность потенциалов прямо пропорциональна напряжённости магнитного поля в области его установки. Таким образом, при размещении датчика вблизи вращающейся детали на выходе будет генерироваться цифровой сигнал.
Для обеспечения ШИМ выбираем IGBT транзистор SKM75GB063D фирмы Semicon. Данный IGBT имеет следующие отличительные особенности:канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)
Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью
Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером
Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
Исключено защелкивание
Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
В таблице 1.6 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора
Таблица 4.6 Рабочие характеристики SKM75GB063D
ОбозначениеНаименованиеУсловия снятия характеристикимин.ном.макс.Единица измеренияIGBT-транзисторVGE(th)пороговое напряжение затвор-эмиттерVGE = VCE, IC = 1 мА4,55,56,5ВICESколлекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттеромVGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) C 0,10,3мАVCE(TO)постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттерTj = 25 (125) C 1,05 (1) ВrCEдифференциальное сопротивление открытого каналаVGE = 15 V, Tj = 25 (125) C 14 (18,7) мОмVCE(sat)напряжение коллектор-эмиттер насыщенияICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла 2,1 (2,4)2,5 (2,8)В Ciesвходная емкостьпри следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц 4,2 нФCoesвыходная емкость 0,5 нФCresобратная переходная емкость 0,3 нФLCE параз?/p>