Введение в микроэлектронику
Методическое пособие - Радиоэлектроника
Другие методички по предмету Радиоэлектроника
оводимости. Нижний энергетический уровень зоны проводимости обозначается ?c. В зоне проводимости находятся электроны, осуществляющие электропроводность кристалла.
Зона проводимости отделена от валентной запрещенной зоной, ширина которой обозначается ??.
Валентная зона зона, в которой все энергетические уровни заняты при температуре абсолютного нуля, поэтому электроны этой зоны не могут участвовать в проводимости. Однако с повышением температуры электроны переходят из валентной в зону проводимости, в валентной зоне образуются свободные уровни и появляется возможность перехода на них электронов.
Рис. 2.6.
Верхний энергетический уровень валентной зоны обозначается ?v.
Электропроводность твердых тел зависит от взаимного расположения зоны проводимости и валентной зоны. Именно по характеру энергетических диаграмм твердые тела более четко разделяются на проводники (металлы), полупроводники и диэлектрики (изоляторы) (рис. 2.6).
В металлах зона проводимости и валентная зона перекрываются, и электроны валентной зоны могут легко переходить в зону проводимости независимо от температуры тела. В зоне проводимости электроны принадлежат всему твердому телу и свободно внутри него перемещаются. Проводящее состояние является обычным. В отличие от металлов при нулевой температуре у изоляторов и полупроводников зона проводимости пуста и электропроводность отсутствует.
Ширина запрещенной зоны ?? один из важнейших параметров полупроводникового материала, определяющий его электрические и химических свойства. На рис. 2.1 числами справа внизу указаны значения ширины запрещенной зоны ?? в электронвольтах. Из рисунка видно, что чем больше число оболочек в атоме, тем меньше ширина запрещенной зоны и тем слабее связаны валентные электроны с ядром.
В отличие от металлов электропроводность полупроводника обусловлена электронами и дырками, т.е., кроме электронной, в полупроводнике существует и другой вид проводимости дырочная. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости приводит к образованию дырок вакантных уровней в валентной зоне. При температуре, отличной от нуля, в зоне проводимости полупроводника всегда имеется n электронов, а в валентной зоне р дырок.
Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости и образование дырки на освободившемся энергетическом уровне процесс генерации носителей. Но наряду с генерацией происходит и рекомбинация носителей переход электронов из зоны проводимости обратно в валентную зону на свободный уровень. При динамическом равновесии оба процесса идут непрерывно, их скорости равны.
Если в кристалле имеются дефекты, то создаваемое ими электрическое поле может захватить электрон, подобно тому как электрон захватывается свободными ионами. Локализованный вблизи дефекта электрон имеет энергию, соответствующую энергии запрещенной зоны.
При исследовании механизма электропроводности в полупроводниках обычно считается, что такие уровни возникают в результате присутствия примесных атомов. Поэтому сами уровни называются примесными. Если такой уровень расположен вблизи зоны проводимости, то даже при небольшом повышении температуры электроны будут переходить в эту зону, в результате чего они получат возможность свободно перемещаться по кристаллу. Полупроводник, у которого подвижные электроны возникают вследствие их перехода с примесных уровней в зону проводимости, называют полупроводником с электропроводностью n-типа или электронным
полупроводником. Уровни, поставляющие электрон в зону проводимости, называют донорными.
Если примесные уровни расположены вблизи потолка валентной зоны, то при повышении температуры электроны валентной зоны могут захватываться ими, это приводит к образованию подвижных дырок в валентной зоне. Полупроводник с таким механизмом возникновения подвижных носителей заряда называют полупроводником с электропроводностью p-типа и дырочным полупроводником. Уровни, захватывающие электроны или генерирующие дырки в валентной зоне, называют акцепторными. Зонные диаграммы собственного (а), примесного
n-типа (б) и примесного p-типа (в) полупроводников показаны на рис.2.7.
Рис. 2.7. - Зонные диаграммы полупроводников
Контрольные вопросы:
1. Как разделяются по удельному сопротивлению материалы?
2. Сколько элементов периодической системы относится к полупроводникам?
3. Охарактеризуйте элемент кремний.
4. Дайте определение собственного полупроводника.
5. Что называется примесным полупроводником?
6. Дайте определение компенсированного и вырожденного полупроводника.
7. Назовите три верхние энергетические зоны.
8. Нарисуйте зонную диаграмму полупроводника.
Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния
Методов получения монокристаллов кремния в настоящее время очень много. Остановимся на двух наиболее распространенных и длительно применяемых способах: метод Чохральского и метод зонной плавки.
3.1. Метод Чохральского
В расплавленное нагревателем 1 вещество 3 (в нашем случае поликристаллический кремний), которое находится в тигле 2 и имеет температуру, близкую к температуре плавления (для кремния температура плавления 1685о2о), опускают монокристаллическую затравку 4 того же состава, что и расплав.
Рис.3.1
Далее приводят в действие подъ?/p>