Методическое пособие по предмету Радиоэлектроника

1. AVR микроконтроллер AT90S2333 фирмы Atmel
Учебники, методички Радиоэлектроника

МнемоникаОперандыОписаниеДействиеФлагиЦклАрифметические командыADDRd, RrСложить два регистраRd<Rd+RrZ,C,N,V,H1ADCRd, Rr Сложить с переносомRd<Rd+Rr+C Z,C,N,V,H1ADIWRdl,K Сложить слово с константойRdh,l<Rdh,l+K Z,C,N,V,S2SUBRd, RrВычесть два регистраRd<Rd-Rr SUBIRd, KВычесть константуRd<Rd-KSBIWRdl,KВычесть слово с константойRdh,l<Rdh,l-KSBCRd, RrВычесть с переносомRd<Rd-Rr-CSBCIRd, KВычесть с переносомRd<Rd-K-CANDRd, RrЛогическое ИRd<Rd AND RrANDIRd, KЛогическое ИRd<Rd AND KORRd, RrЛогическое ИЛИRd<Rd OR RrORIRd, K Логическое ИЛИRd<Rd OR K Z,N,V 1EORRd, RrИсключающее ИЛИRd<Rd XOR Rr Z,N,V 1COMRdДополнение до 1Rd<$FF - Rd Z,C,N,V1NEGRdДополнение до 2Rd<$00 - Rd Z,C,N,V,H1SBRRd,KУстанов. бита в регистреRd<Rd OR K Z,N,V 1CBRRd,KСброс. бита в регистреRd<RdAND(FFh-K) Z,N,V 1INCRdУвеличить на 1Rd<Rd+1Z,N,V 1DECRdУменьшить на 1Rd<Rd-1Z,N,V 1TSTRdПроверить на 0 или 1Rd<Rd AND RdZ,N,V1CLRRdОчистить регистрRd<Rd XOR RdZ,N,V1SERRdУстановить регистрRd<$FF None1КОМАНДЫ ВЕТВЛЕНИЯRJMP kОтносительный переходPC<PC+k+1 None2LJMPПереход по адресу (Z)PC<Z None2RCALL kОтносительный вызов подпрогрограммыPC<PC+k+1 None3ICALLВызов подпр по адресу (Z)PC<ZNone3RETВыход из подпрограммыPC<STACKNone4RETIВыход из прерыванияPC<STACKI4CPSERd,RrСравнить , пропуск если Rd=Rrif(Rd=Rr) PC<PC+2 или 3None1/2CPRd,RrСравнитьRd-RrZ,N,V,C,H1CPCRd,RrСравнить с переносомRd-Rr-CZ,N,V,C,H1CPIRd,KСравнить с константой Rd-KSBRCRr,bПропуск если бит в регистре сброшенif(Rr(b)=0)None1/2SBRSRr,bПропуск если бит в регистре установлен if(Rr(b)=1)None1/2SBICP, bПропуск если бит в регистре I\O сброшенif(P(b)=0)None1/2SBIS P, bПропуск если бит в регистре I\O установленif(P(b)=1)None1/2BRBS s, kПереход если установл флаг sif(SREG(s)=1)None1/2BRBC s, kПереход если сброшен флаг sif(SREG(s)=0)None1/2BREQkПереход если равно Z=1if(Z=1)None1/2BRNEkПереход если неравно if(Z=0) if(Z=0)None1/2BRCSkПереход если установл переносif(C=1)None1/2BRCCkПереход если сброшен переносif(C=0)None1/2BRSHkПереход если равно или большеif(C=0)None1/2BRLOkПереход если меньшеif(C=1) PC<PC+k+1None1/2BRMIkПереход если минусif(N=1) PC<PC+k+1None1/2BRPLkПереход если плюсif(N=0) PC<PC+k+1None1/2BRGEkПереход если больше или равно,со знакомif(N XOR V=0) PC<PC+k+1None1/2BRLTkПереход если меньше нуля, со знакомif(N XOR V=1) PC<PC+k+1None1/2BRHSkПереход если установл флаг Hif (H=1) PC<PC+k+1None1/2BRHCkПереход если сброшен флаг Hif (H=0) PC<PC+k+1None1/2BRTSkПереход если установл флаг Tif (H=1) PC<PC+k+1None1/2BRTCkПереход если сброшен флаг Tif (H=0) PC<PC+k+1None1/2BRVSkПереход если установл флаг Vif (H=1) PC<PC+k+1 None1/2BRVCkПереход если сброшен флаг Vif (H=0) PC<PC+k+1None1/2BRIEkПереход если разрешены прерыванияif(I=1) PC<PC+k+1None1/2BRIDkПереход если запрещены прерыванияif(I=1) PC<PC+k+1None1/2КОМАНДЫ ПЕРЕСЫЛКИMOVRd,RrПересылка между рег.Rd<RrNone1LDIRd,KЗагрузить константуRd<KNone1LDRd,XЗагрузить регистр непосредственноRd<(X)None2LDRd,X+Загрузить регистр непосредст. c постинкремRd<(X),X<X+1None 2LDRd,-XЗагрузить регистр непоср. с предв.декремX<X-1,Rd<(X)None2LDRd,YЗагрузить регистр непосредственноRd<(Y)None2LDRd,Y+Загрузить регистр непоср. c пост инкремRd<(Y),Y<Y+1None2LDRd,-YЗагрузить регистр непоср. с предв.декремY<Y-1,Rd<(Y)None2LDDRd,Y+qЗагрузить регистр непоср. со смещениемRd<(Y+q)None2LDRd,ZЗагрузить регистр непосредственноRd<(Z)None2LDRd,Z+Загрузить регистр непоср. c пост инкремRd<(Z),Z<Z+1None2LDRd,-ZЗагрузить регистр непоср. с предв.декремZ<Z-1,Rd<(Z)None2LDDRd,Z+qЗагрузить регистр непоср. со смещениемRd<(Z+q)None2LDSRd,kЗагрузить из ОЗУRd<(k)None3STX,RrЗаписать регистр непосредственно(X)<RrNone2ST-X,RrЗаписать регистр непоср.c пред.декрем.X<X-1,(X)<RrSTY,RrЗаписать регистр непосредственно(Y)<RrSTY+,RrЗаписать регистр непоср.c пост инкр(X)<Rr,X<X+1ST-Y,RrЗаписать регистр непоср.c пред.декремY<Y-1,(Y)<RrNone2STDY+q,RrЗапис.рег.непоср.сосмещением (Y+q)<RrNone2STZ,RrЗаписать регистр непосредственно(Y)<RrNone2STZ+,RrЗаписать регистр непоср.c пост инкр(Y)<Rr,Y<Y+1None2ST-Z,RrЗаписать регистр непоср.c пред.декремZ<Z-1,(Z)<RrNone2STDY+q,RrЗапис.рег.непоср.сосмещением(Y+q)<RrNone2STSk,RrЗаписать в ОЗУ(k)<RrNone3LPMЗагр.из памяти программR0<(Z)None3INRd, PВвод из портаRd<PNone1OUTP, RrВывод в портP<RrNone1PUSHRrЗаписать в стекSTACK<RrNone2POPRrПрочитать из стекаRr<STACKNone 2КОМАНДЫ РАБОТЫ С БИТАМИSBIP,bУстановить бит в регистре ввода/выводаI/O(P,b)<1None2CBIP,bСбросить бит в регистре ввода/выводаI/O(P,b)<0None2LSLRdЛогический сдвиг влевоRd(n+1)<Rd(n), Rd(0)<0 Z,C,N,V1LSRRdЛогичский сдвиг вправоRd(n)<Rd(n+1), Rd(7)<0Z,C,N,V1ROLRdсдвиг влево через CRd(0)<C,Rd(n+1)<Rd(n), C<Rd(7)Z,C,N,V1RORRdсдвиг вправо через C Rd(7)<C,Rd(n)<Rd(n+1), C<Rd(0)Z,C,N,V1ASRRdАрифметический сдвиг вправоRd(n)<Rd(n+1), n=0..6Z,C,N,V 1SWAPRdОбмен тетрадRd(3-0)<Rd(7-4)
2. Анализ рынка цинка 2004года
Учебники, методички Радиоэлектроника
3. Аналоговые электронные устройства
Учебники, методички Радиоэлектроника
4. Введение в микроэлектронику
Учебники, методички Радиоэлектроника

Структура МДП-транзистора с индуцированным p-каналом показана на рис. 5.3,в. В качестве исходного материала транзистора использован кремний n-типа. Чаще всего диэлектриком используется оксид кремния SiO2. В оксиде кремния всегда содержатся положительно заряженные ионы, обусловленные такими ионизирующими примесями, как положительные ионы натрия, калия, водорода, осаждаемые на поверхность кремния в процессе выполнения технологических операций. Положительный заряд в пленке оксида кремния наводит (индуцирует) в поверхностном слое n-области слой накопления электронов, в котором концентрация электронов выше, чем в объеме n-области. При подаче на затвор отрицательного напряжения UЗИ электроны поверхностного слоя отталкиваются в глубь полупроводника, а дырки движутся к поверхности. Приповерхностный слой приобретает дырочную электропроводность, т.е. появляется тонкий инверсный слой, соединяющий сток с истоком, который играет роль канала. Толщина индуцированного канала составляет всего 1-5 нм. При приложении напряжения между истоком и стоком дырки, перемещаясь по каналу, создают ток истока. Изменяя напряжение на затворе, можно расширять или сужать канал, увеличивая или уменьшая ток стока.
5. Гидросооружения водных путей, портов и континентального шельфа
Учебники, методички Радиоэлектроника
6. Дешифраторы и шифраторы
Учебники, методички Радиоэлектроника
7. Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах
Учебники, методички Радиоэлектроника

Нас интересуют формулы для кu, кi, кp, Rвх и Rвых в диапазоне средних частот. На этих частотах можно не учитывать частотную зависимость коэффициента передачи по току и емкость Скэ(она отбрасывается). Емкости конденсаторов CI, C2 и СЗ выбирают настолько большими, чтобы на средних частотах их сопротивление было пренебрежимо малым по сравнению с суммарным сопротивлением окружающих их резисторов. Поэтому в эквивалентной схеме на рис.10 они представлены коротко- замкнутыми ветвями. То же относится и к источнику питания Ек, так как схема на рис.10 справедлива только для переменных составляющих токов и напряжений. С учетом сказанного резисторы R1 и R2, так же как и резисторы Rк и RH (RH - нагрузка, подключается к выходным клеммам усилителя), оказываются соединенными параллельно. Поэтому в эквивалентной схеме фигурируют Rб = R1||R2 и RkH = Rk||RH. Аналогично можно получить эквивалентные схемы для каскадов ОБ и ОК. Применяя к эквивалентным схемам каскадов известные методы анализа электрических цепей (например, метод контурных токов), можно получить приближенные формулы для оценки основных параметров усилительных каскадов, представленные в таблице. В этих формулах
8. Исследования согласованного фильтра
Учебники, методички Радиоэлектроника
Учитывая, что М-последовательности нашли наиболее широкое применение в технике связи, укажем их основные свойства.
1. М-последовательность с периодом 2n-1 содержит все возможные комбинации n - значных двоичных чисел, за исключением нулевой.
2. Число единиц в последовательности на единицу больше числа нулей, причем появление единицы и нуля для постороннего наблюдателя, не знающего закон формирования последовательностей, случайно во времени. В частности, этому свойству М-последовательности обязаны и другим названиям - псевдослучайные последовательности.
3. Результат почленного суммирования М-последовательности с этой же последовательностью, но сдвинутой на i символов, где i=1,2,...L-2, представляет собой исходную последовательность, но сдвинутую на некоторое другое число символов,
9. История развития электроники )
Учебники, методички Радиоэлектроника

При высоком вакууме разряжение газа между электродами таково, что длина свободного пробега электронов значительно превосходит расстояние между электродами, поэтому при положительном, относительно катода напряжении на аноде Va электроны движутся к аноду, вызывая ток Ia в анодной цепи. При отрицательном напряжении анода Va эмитируемые электроны возвращаются на катод и ток в анодной цепи равен нулю. Таким образом электровакуумный диод обладает односторонней проводимостью, что используется при выпрямлении переменного тока. В 1907 г. американский инженер Ли де Форест установил, что поместив между катодом (К) и анодом (А) металлическую сетку (с) и подавая на нее напряжение Vc можно управлять анодным током Ia практически без инерционно и с малой затратой энергии. Так появилась первая электронная усилительная лампа триод(рис. 3). Ее свойства как прибора для усиления и генерирования высокочастотных колебаний обусловили быстрое развитие радиосвязи. Если плотность газа наполняющего баллон настолько высока, что длина свободного пробега электронов оказывается меньше расстояния между электродами, то электронный поток, проходя через межэлектродное расстояние взаимодействует с газовой средой в результате чего свойства среды резко изменяются. Газовая среда ионизируется и переходит в состояние плазмы, характеризующееся высокой электропроводностью. Это свойство плазмы было использовано американским ученым Хеллом в разработанном им в 1905 г. газотроне мощном выпрямительном диоде наполненном газом. Изобретение газотрона положило начало развитию газоразрядных электровакуумных приборов. В разных странах стало быстро развиваться производство электронных ламп. Особенно сильно это развитие стимулировалось военным значением радиосвязи. Поэтому 1913 1919 годы период резкого развития электронной техники. В 1913 г. немецкий инженер Мейснер разработал схему лампового регенеративного приемника и с помощью триода получил незатухающие гармонические колебания. Новые электронные генераторы позволили заменить искровые и дуговые радиостанции на ламповые, что практически решило проблему радиотелефонии. С этого времени радиотехника становится ламповой. В России первые радиолампы были изготовлены в 1914 году в СанктПетербурге консультантом русского общества беспроволочного телеграфирования Николаем Дмитриевичем Папалекси, будущим академиком АН СССР. Папалекси окончил Страсбургский университет, где работал под руководством Брауна. Первые радиолампы Папалекси изза отсутствия совершенной откачки были не вакуумными, а газонаполненными(ртутными). С 1914 1916 гг. Папалекси проводил опыты по радиотелеграфии. Работал в области радиосвязи с подводными лодками. Руководил разработкой первых образцов отечественных радиоламп. С 1923 1935 гг. совместно с Мандельштамом руководил научным отделом центральной радиолаборатории в Ленинграде. С 1935 года работал председателем научного совета по радиофизике и радиотехнике при академии наук СССР.
10. Конспект лекций по курсу "Микропроцессоры и микро-ЭВМ в Персональной электронике" для студентов специальности 2008
Учебники, методички Радиоэлектроника
11. Конспект по Общей Химической Технологии (ОХТ)
Учебники, методички Радиоэлектроника
12. Лекции по твердотельной электронике
Учебники, методички Радиоэлектроника

Направление движения дырки отложено направлению движения электрона. Каждый электрон находящийся в валентной связи характеризуется своим уровнем. Все уровни валентных электронов расположены очень близко и образуют валентную зону, поэтому перемещение дырки можно рассматривать как непрерывный процесс, аналогичный движению классической свободной частицы. Аналогично поскольку в зоне проводимости энергетические уровни расположены очень близко, зависимость энергии от импульса можно считать непрерывной и соответственно движение электрона можно в первом приближении рассматривать как движение классической свободной частицы. Таким образом разгоняемый (говорят разогреваемый) электрическим полем электрон в твердом теле на энергетической диаграмме перемещается от дна зоны проводимости к ее потолку. Аналогично дырка разогреваемая полем перемещается от потолка валентной зоны к ее дну (для нее отсчет энергии идет относительно электрона в другую сторону). Поведение электрона и дырки, как квазиклассических частиц нарушается в тот момент когда они достигают высокоэнергетической границы энергетической зоны. Для свободного классического электрона таких границ нет и теоретически его можно разгонять вплоть до скорости свет. Электрон в твердом теле достигший потолка зоны проводимости должен упруго от нее отразится и пойти в обратном направлении, достигнув дна зоны проводимости он отражается от него и идет вверх и т.д. Таким образом если бы удавалось разогреть электронный (или дырочный) газ в твердом теле до энергий порядка ширины разрешенной зоны, то должны были бы возникнуть мощные высокочастотные колебания. Однако осуществить такой разогрев не удается, поскольку горячие носители начинают взаимодействовать с решеткой, отдавая ей часть своей энергии, поэтому как для электронов, так и для дырок существует некоторое предельное значение скорости (насыщение скорости в электрическом поле) близкое к тепловой скорости электронов в твердом теле (106 107 см/c)
13. Лекции по электрорадио измерениям
Учебники, методички Радиоэлектроника
Осуществляется в зависимости от:
- Частотного спектра сигнала. Простые соединительные провода применяются при исследовании непрерывных сигналов низких и средних частот, а коаксиальные кабели при исследовании сигнала высокой частоты и импульсной. Также следует иметь ввиду, что при наблюдении постоянного или медленно меняющегося процесса вход осциллографа должен быть открытый.
- Величины входного сигнала. Сигналы малой амплитуды подаются на вход “Y” при значительном напряжении входного сигнала 150-200В (точно этот предел определяется чувствительностью ЭЛТ, которая указана в тех. характеристиках осциллографа), исследуемый сигнал особенно импульсный целесообразно подавать непосредственно на вертикально отклоняющие пластины ЭЛТ, при этом искажения формы сигнала будет минимальным по сравнению если его подавать через усилитель канала “Y”. При исследовании высоковольтных сигналов между источником сигнала или входом осциллографа или вертикально отклоняющие пластины включают делитель напряжения выносной аттюниатор. Он должен иметь большое входное сопротивление и малое выходное сопротивление. Последнее необходимо, чтобы входное сопротивление осциллографа не изменяло коэффициент передачи. Схема аттюниатора на листе. Аттюниатор должен сохранять постоянство коэффициента передачи во всей полосе частот пропускания осциллографа.
- В случае когда требуется исследовать осциллограмму тока в исследуемую цепь включают последовательно во вспомогательный резистор малой величины с минимальной внутренней индуктивностью и емкостью. Падение напряжения создаваемым. Потом на этом резисторе подается на вход “Y” или вертикально отклоняющей пластине. Если же исследуется импульс тока, нужно следить за тем, чтобы постоянная составляющая времени цепи образуемая вспомогательным резистором, и параллельно подключенной к ней емкости кабели и входной емкости осциллографа, должна быть существенно меньше длительности импульса.
14. Международные транспортные отношения (билеты)
Учебники, методички Радиоэлектроника
15. Методы статистического моделирования в радиотехнике
Учебники, методички Радиоэлектроника
16. Механизация с/х (шпаргалка)
Учебники, методички Радиоэлектроника
17. Моделирование систем и сетей связи на GPSS
Учебники, методички Радиоэлектроника
18. Моделирование систем радиосвязи и сетей радиовещания (для студентов специальности «РРТ»)
Учебники, методички Радиоэлектроника
1. Советов Б.Я., Яковлев С.А. Моделирование систем. - М.: Высшая школа,1998г.
2. Советов Б.Я., Яковлев С.А. Моделирование систем. Практикум. - М.: Высшая школа ,1999 г.
3. Шварц М. Сети связи: Протоколы, моделирование и анализ. - М.: Наука, 1992 г.
4. Ионин Г.Л., Седол Я.Я. Статистическое моделирование систем телетрафика. М.: 1982 г.
5. Полляк Ю.Г., Филимонов В.А. Статистическое машинное моделирование средств связи. М.: 1988 г.
6. Шакин В.Н., Воробейчиков Л.А., Шибанов С.Е., Семенова Т.Н. Моделирование систем и сетей связи .- М.: МС ,1988г.
7. Корнышев Ю.Н., Пшеничников А.П., Харкевич А.Д. Теория телетрафика .- М.: Радио и связь, 1996.
8. Шрайбер Т.Дж. Моделирование на GPSS.- М.: Машиностроение, 1980.
9. Кудрявцев Е.М. GPSS World. Основы имитационного моделирования различных систем. М.: ДМК Пресс, 2004.
10. Томашевский В., Жданова Е. Имитационное моделирование в среде GPSS.
19. Модуляция. Формирование модулированных сигналов
Учебники, методички Радиоэлектроника
20. Оптико-электронные системы
Учебники, методички Радиоэлектроника
Пороговому значению чувствительности естественно соответствует предельное значение отношения сигнал/шум S/N ОЭС, при котором возможна работоспособность прибора.
- Дальность действия определяется порогом чувствительности ОЭС и характеризует максимальную дистанцию (или определённый диапазон дистанций), на который при строго определенных внешних условиях реализуется основная функция прибора.
- Поле обзора телесный угол с вершиной в центре входного зрачка оптической системы, в пределах которого реализуется основная функция прибора, например для систем наблюдения - возможность различать объект. Для систем сканирующего типа поле обзора формируется как совокупность мгновенных полей зрения.
- Мгновенное поле зрения это телесный угол с вершиной в центре входного зрачка оптической системы, в пределах которого ОЭс фиксирует часть пространства с заданным пространственным разрешением в данное время t, при условии, что обзор всего пространства занимает интервал времени t0=t.
- Время обзора t0 время осмотра поля обзора. Иногда задают число кадров- величину, определяющую телевизионные системы и частоту обновления информации. Мгновенное поле ОЭС определяется размером входного зрачка и так как всегда в приборе присутствует полевая диафрагма, её размером и фокусным расстоянием объектива.

Blog

Методическое пособие по предмету Радиоэлектроника