Введение в микроэлектронику
Методическое пособие - Радиоэлектроника
Другие методички по предмету Радиоэлектроника
показатель качества существует в настоящее время в мировой практике для полупроводниковых изделий?
?Р
Содержание
Глава 1. Исторический обзор развития микроэлектроники.2
1.1. Основные направления развития электроники.2
1.2. История развития микроэлектроники.3
Глава 2. Общие сведения о полупроводниках.5
2.1. Полупроводники и их электрофизические свойства.5
2.2. Структура полупроводниковых кристаллов.7
2.3. Свободные носители зарядов в полупроводниках.10
2.4. Элементы зонной теории твердого тела.12
Глава 3. Методы получения монокристаллов кремния.16
3.1. Метод Чохральского.16
3.2. Метод зонной плавки.16
Глава 4. Электронно-дырочный переход.18
4.1. Образование p-n-перехода.19
4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.21
Глава 5. Биполярные и полевые транзисторы.23
5.1. Структура биполярных транзисторов и принцип действия.23
5.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.25
5.3. МДП-транзисторы.26
5.4. Методы получения транзисторов.28
Глава 6. Интегральные схемы.30
6.1. Общие понятия.30
6.2. Элементы биполярных полупроводниковых ИС.31
6.3. Элементы ИС на МДП-структуре.31
Глава 7. Большие интегральные схемы.35
7.1. Общие положения.35
7.2. Микропроцессоры и микропроцессорные комплекты.36
Глава 8. Технологический процесс изготовления ИС.39
Глава 9. Гибридные интегральные схемы.41
Глава 10. Методы обеспечения качества и надежности в процессе серийного производства ППИ.43
10.1. Общие понятия.43
10.2. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности ППИ.45
10.3. Требования по обеспечению и контролю качества ИС в процессе производства.46
10.4. Технологические методы повышения надежности ИС в процессе серийного производства.47
Вопросы контрольной работы по курсу Введение в микроэлектронику.50
Литература53
Вопросы контрольной работы по курсу Введение в микроэлектронику.
1.
а) б) в)
На каком рисунке представлена зонная диаграмма собственного полупроводника?
2.
На каком рисунке представлена зонная диаграмма кремния, на каком германия?
3.
Какая вольтамперная характеристика принадлежит Ge, какая Si?
4.
Какая вольтамперная характеристика снята при повышенной температуре?
5.
На каком рисунке показана структура сплавного, диффузионного и точечного диода?
6.
Расставьте на условном обозначении электроды транзистора (эмиттер, коллектор, база). На каком рисунке условно показан p-n-p-транзистор, а на каком
n-p-n-транзистор?
7.
а) б)
На каком разрезе структуры МДП-транзисторов показан транзистор с индуцированным каналом, на каком со встроенным каналом?
8.
По электрической схеме нарисуйте структуру ИС с изоляцией p-n-переходом (в разрезе).
9. ИС типа КР1005ВЕ1 содержит 3000 элементов, ИС типа 106ЛБ1 содержит 18 элементов. Какая из этих схем относится к схемам средней степени, какая к БИС?
10. На каком жизненном цикле ИС реализуется требование Р = Ро ?Р?
Литература
1.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие М.: Высшая школа, 1986.-464с.
2.Готра З.Ю. Технология микропроцессорных устройств: Справочник М.: Радио и связь, 1991.-528с.
3.Балашов Ю.С., Горлов М.И. Физические основы функционирования интегральных устройств микроэлектроники. Учебное пособие. - Воронеж: ВГТУ, 2002.-160с.
4.Горлов М.И., Ануфриев Л.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий в процессе серийного производства. - М.: Бесптринт, 2003.-202с.