Электронный документооборот страхового общества
Информация - Компьютеры, программирование
Другие материалы по предмету Компьютеры, программирование
? ожидаемая шина 100 МГц не дает видимых преимуществ ввиду того, что работа кеша второго уровня не зависит от внешней частоты. Поэтому гораздо резоннее наращивать частоты системной шины на Socket-7 материнских платах.
EDO RAM SDRAM
Многие пользователи PC в настоящее время решают вопрос о необходимости смены EDO RAM, установленной в системе, на SDRAM, которая в настоящее время является более популярной. Рассмотрим плюсы и минусы такого перехода.
SDRAM в настоящий момент, безусловно, является более перспективной хотя бы за iет того, что ее поддерживают все новые чипсеты. А так как чипы SDRAM устанавливаются обычно на модулях DIMM, разъемы под которые устанавливаются на материнских платах чаще, чем разъемы под SIMM, применение EDO, выпускаемой в модулях SIMM, становится все более затруднительным.
Однако не все так просто. Во-первых, применяемые в настоящее время модули SDRAM, не будут работать iипсетом 440BX и будут иметь проблемы с 440LX, в силу того, что ими не поддерживается спецификация Intel SPD. Во-вторых, память типа SDRAM не применяется в системах с процессором Pentium Pro, являющимся лучшим в серверных применениях.
Cтарая память типа EDO может быть применена в настоящее время практически во всех системах, имеющих разъемы под SIMM. Скорость работы EDO RAM не намного ниже, чем у SDRAM. Теоретически она отличается лишь временем передачи второго и последующих двойных слов, идущих подряд, что встречается не так уж и часто. Единственный крупный плюс в пользу SDRAM, это то, что она расiитана на работу на более высоких внешних частотах - до 100 MHz.
Нами была протестирована скорость работы системы с памятью типа EDO и SDRAM на базе материнской платы Asus TX97-E, процессора Intel Pentium 200 MMX, разогнанного до 225 MHz, винчестера Quantum Fireball ST 2.1 Gb и видеокарты Virge/DX 4 Mb EDO. В системе просто заменялись модули памяти. При этом были получены следующие результаты:
EDO RAMSDRAMCPUMark16438439CPUMark32428429Business Disk Winmark11201150HighEnd Disk Winmark40704180Business Graphics Winmark41,041,0HighEnd Graphics Winmark26,226,2Xing MPEG Player, FPS65,165,1Quake, FPS43,843,9Как можно заметить, производительность системы с различными типами памятьи практически не отличается. Учитывая тот факт, что стоимость различных типов памяти одинакова в силу технологии ее производства, можно сделать вывод о том, что менять в настоящее время EDO RAM на SDRAM не целесообразно. Лучше это сделать впоследствии, когда появится память с поддержкой Intel SPD. А приобретая новую систему, естественно лучше взять SDRAM, как более новую технологию.
,
Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированные характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону.
Временные параметры системыТребования системы к временным параметрам памяти (ns)Временные параметры памяти по спецификации (ns)Циклы временных задержекВнешняя частота (MHz)Период таймера (ns)tAAtPCtRACТип RAMtAAtPCtRAC6-3-3-350206060100-70FPM 35 40706016.7505083.5-70FPM 35 40706615454575-70FPM 35 40707513.3404066.5-60FPM 30 35608312363660-60FPM 30 35606-2-2-250204040100-70EDO 35 30706016.733.433.483.5-60EDO 30 25606615303075-60EDO 30 25607513.326.626.666.5-50EDO 25 20508312242460-50EDO 25 20505-2-2-25020404080-70EDO 35 30706016.733.433.466.8-60EDO 30 25606615303060-60EDO 30 25607513.326.626.653.2-50EDO 25 20508312242448-50EDO 25 2050
Эквивалентные тайминги для SDRAMSDRAMВнешняя частота (MHz)Период таймера (ns)tAA (ns)Маркировка времени доступаtRAC (ns)SDRAMАналогичное время доступа для асинхронной памяти7-1-1-1
CL3
(tAC = 8 ns)661541"-15"83CL3-707513.337.6 74.5<-70831235"-12"68601001031"-10"58<-605-1-1-1
CL2
(tAC = 9 ns)661527"-10"54CL2 -507513.325.3 48.9 831224 45 1001022 39 -40Для SDRAM: tAA = (CL-1)*(Период таймера) + tAC + tSU
tSetUp = 3 ns
tRAC = (2*CL-1)*(Период таймера) + tAC
Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7111 SDRAM. A "10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "60" асинхронная память.
Заметьте, что у SDRAM "10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3100MHz, а 54ns при CL266MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!
SDRAM "10" работающая с CL3 (7111) может не работать при CL2 (5111)!
Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.
Характеристики DRAMВнешняя частота и период [MHz (ns)]Тип RAMtRACtPC or
tCK50 MHz
(20 ns)60 MHz
(16.7 ns)66.6 MHz
(15 ns)75 MHz
(13.3 ns)83 MHz
(12 ns)70ns FPM70ns405-2-2-2
6-3-3-36-3-3-36-3-3-36-3-3-3
7-4-4-46-3-3-3
7-4-4-460ns FPM60ns354-2-2-2
6-3-3-35-3-3-3
6-3-3-35-3-3-3
6-3-3-36-3-3-36-3-3-370ns EDO70ns305-2-2-2
6-2-2-25-2-2-2
6-2-2-26-2-2-2*
6-2-2-26-2-2-2
7-3-3-36-2-2-2
6-3-3-360ns EDO60ns254-2-2-2
6-2-2-25-2-2-2
6-2-2-25-2-2-2*
6-2-2-2 6-2-2-26-2-2-2
7-3-3-350ns EDO50ns204-1-1-1
5-2-2-24-2-2-2
5-2-2-25-2-2-25-2-2-25-2-2-2CL3 SDRAM5 cycles
+ tAC107-1-1-17-1-1-17-1-1-17-1-1-17-1-1-1CL2 SDRAM3 cycles
+ tAC125-1-1-15-1-1-15-1-1-15-1-1-15-1-1-1X-Y-Y-Y Циклы нормальных временных задержек.
X-Y-Y-Y Минимальные задержки.
X-Y-Y-Y Неправильные, но возможно рабочие задержки. Работа памяти в этих режимах не гарантируется.
* Использование этих временных задержек возможно при грамотном дизайне модуля памяти.
При составлении этой таблицы мы руководствовались следующими принцип