Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов

Информация - Разное

Другие материалы по предмету Разное

Московский Государственный Открытый Университет

Факультет информатики и радиоэлектроники

Кафедра электронных приборов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пояснительная записка

 

по дисциплине Технология производства полупроводниковых приборов

на тему: Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов

специальность 200300 /С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Студента: Иванова С.М.

шифр № 696823

заочная форма обучения

 

Преподаватель: Кротов В.В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2000

Содержание.

Введение.2

Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин.7

Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями8

Эпоскидные смолы.13

Компаунды на основе эпоксидных смол.19

Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.27

Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов.29

Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния.32

Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами37

Защита поверхности p-n-переходов силанированием.42

Защита поверхности р-п-переходов окислением.44

Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией.50

Состояние и свойства поверхности полупроводников.52

Методы очистки поверхности полупроводника.54

Химическая и электролитическая отмывка полупроводников.55

Отмывка в кислотах и щелочах.59

Отмывка во фреонах.60

Отмывка водой.62

Отмывка в ультразвуковых ваннах.64

Определение чистоты поверхности.68

Контроль качества промывки.73

Сушка деталей.74

Контроль герметичности полупроводниковых приборов.76

Описание технологического процесса.78

Список используемой литературы.82

 

 

 

 

 

 

 

Введение.

 

Технология производства полупроводниковых приборов это техническая наука, занимающаяся изучением физико-химических основ технологических процессов производства электронных прибор и закономерностей, действующих в процессе изготовления этих изделий.

Использование результатов исследований фундаментальных наук и доведение их до инженерного решения применительно к производству изделий электронной техники позволяют разрабатывать новые технологические процессы для серийного и массового изготовления.

Развитие прикладных наук в области получения чистых и сверх чистых материалов, нанесения покрытий, соединения различных материалов, электрофизических и электрохимических методов обработки способствовали совершенствованию полупроводниковой и плёночной технологии, особенно при производстве микросхем.

Повышение качеств изделий требует высокой технологической точности и дисциплины производства, своевременного анализа и корректировки технологического процесса, построения оптимального технологического процесса.

Повышению качеств и стабильности технологических процессов, обеспечивающих массовое производство изделий с воспроизводимыми параметрами, способствует внедрение автоматизированных систем управления с полным исключением человека-оператора и его субъективного влияния на ход технологического процесса.

Создание высокопроизводительных машин и автоматических линий требует знания основ технологии производства, современных методов изготовления деталей и узлов, нанесения покрытий, получение электронно-дырочных переходов, сборки приборов и микросхем и т.п.

Производство изделий электроники состоит из нескольких этапов, в результате проведения которых материалы превращаются в готовые изделия.

Производственный процесс в электронном приборостроении состоит из: технологической подготовки производства; получения и хранения материалов и полуфабрикатов; технологического процесса изготовления деталей, сборки изделий; испытания готовых изделий; упаковки и хранения готовых изделий.

Технологический процесс является той частью производственного процесса, во время которого непосредственно происходит последовательное качественное изменение состояние продукта производства.

Проектирование технологического процесса ставит своей целью получение высококачественных изделий электронной техники, отвечающих техническим условиям и чертежам при высокой производительности и экономичности.

Для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, кристаллов и подложек гибридных микросхем от воздействий внешней среды, стабилизации параметров, повышения срока службы и надёжности осуществляют герметизацию в металлических, металлостеклянных, керамических, металлокерамических и пластмассовых корпусах. В отдельных случаях, особенно при защите активных и пассивных элементов гибридных микросхем, производят