Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
достигают малой длительности сварки.
Заливка - это процесс заполнения лаками или компаундами свободного пространства между изделием и специальной съемной формой, которую отделяют от изделия.
Капсулирование применяется для герметизации бескорпусных компонентов РЭА [4].
Методы испытаний микросхем
Испытание - неотъемлемая часть ТП изготовления РПУ. По их результатам судят об эксплуатационной надежности изделия.
Изделия, изготавливаемые серийно, подвергаются следующим видам испытаний:
1.Приемосдаточные испытания. Им подвергаются при приеме готовых изделий на соответствие требованиям ТУ, установленному образцу и КД.
.Периодические испытания. Их проводят периодически в квартал, полугодие, год. Они выполняются для изделий, которые находятся на хранении и подтверждают качество изделий.
.Типовые испытания - это испытания, проводимые после внесения изменения в конструкцию или технологию изготовления.
.Специальные испытания - это испытания на надежность, воздействие солнечной радиации и радиоактивных излучений.
Методы контроля микросхем:
1.Визуальный контроль заключается в наружном осмотре;
2.Геометрический контроль сводится к определению геометрических размеров изделий;
.Специальный контроль - контроль в соответствии с разработанной программой;
.Электрический контроль состоит из замеров токов, напряжений и параметров в соответствии с ТУ;
.Механический контроль осуществляют путем приложения статических и динамических нагрузок с целью проверки прочности соединений, креплений, а так же для контроля качества материала [4].
Виды подложек микросхем
Конструктивной основой ИМС является подложка из диэлектрического материала, на поверхности которой формируются пленочные элементы и межэлементные соединения. В качестве подложек применяют электровакуумные стекла, ситаллы, керамику, и ряд других. Стекло, обладая очень гладкой поверхностью и хорошей адгезией с материалами, наносимыми на его поверхность, вместе с тем имеет плохую теплопроводность и невысокую механическую прочность. Керамика, обладая повышенной механической прочностью и теплопроводностью, имеет сравнительно высокую шероховатость поверхности. Поэтому она применяется в основном для толстопленочных ИМС. Наиболее широкое применение для подложек находят ситалл и фотоситалл [3].
Заключение
В первой части ПЗ курсовой работы мною были рассмотрены физические процессы в таких полупроводниковых структурах, как: металл - диэлектрик - полупроводник, р-n-переход, контакт металл-полупроводник.
Во второй части ПЗ курсовой работы выполнен расчет электрофизических характеристик полупроводниковых структур. Для р-n-перехода рассчитаны: величина контактной разности потенциалов ?0=0,62В; теоретическая вольт-амперная характеристика; величина дифференциального сопротивления r=40?1026Ом; барьерная емкость Сб=6,9 пф и толщину обедненного слоя W=1,4 мкм; определены концентрации основных и неосновных носителей. Так же были рассчитаны и построены энергетические зонные диаграммы р-п - переходов. Для структуры металл-полупроводник рассчитаны: величина контактной разности потенциалов ?0=0,7В, высота барьера Шоттки ?б=0,61, диффузионные и дрейфовые составляющие скорости электронов, толщина обедненного слоя и барьерная емкость. Для структур МДП и МП рассчитаны и построены энергетические зонные диаграммы.
В третьей части ПЗ курсовой работы мною были рассмотрены следующие вопросы: локальная эпитаксия, основные методы сборки интегральных микросхем, методы герметизации ИМС в корпусах различного типа, методы контроля и испытаний микросхем и виды подложек.
В целом полупроводниковые ИМС являются одним из основных направлений развития микроэлектроники, так как они позволяют создавать надежные, сравнительно дешевые и достаточно сложные в функциональном отношении микроэлектронные устройства малых размеров [1].
Список используемых источников
1. Макарчук, М.В. Физика полупроводников и диэлектриков: методические указания на выполнение курсовой работы/ М.В. Макарчук. Тамбов: ТГТУ, 2009.
. Бобровский, С.А. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: учеб. пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратилов; под ред. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, 1998.
. Петров, К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учеб. пособие/ К.С. Петров. СПб.: Питер, 2006.
. Березин, А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем: учеб. пособие/ А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. М.: Радио и связь, 1983.