Курсовой проект по предмету Компьютеры, программирование

2061. Расчет ждущего блокинг-генератора
Курсовые работы Компьютеры, программирование

В данном курсовом проекте производится расчет ждущего блокинг-генератора. Блокинг-генератор представляет собой релаксационную схему, содержащую усилительный элемент (транзистор), работающий в ключевом режиме, и трансформатор, осуществляющий положительную обратную связь. Достоинствами блокинг-генераторов являются сравнительная простота, возможность подключения нагрузки через трансформатор, присущая этим схемам способность формировать мощные импульсы, близкие по форме к прямоугольным. При использовании в качестве формирователей импульсов блокинг-генераторы работают в ждущем режиме. Важнейшими их характеристиками являются: чувствительность к запуску, длительность формируемых импульсов и их стабильность, предельно достигаемая частота срабатываний. Ждущий режим работы блокинг-генератора с общим эмиттером создается с помощью дополнительной базовой батареи. Основной отличительной особенностью блокинг-генераторов по сравнению с другими генераторами прямоугольных импульсов (мультивибраторами) является возможность получения большой скважности выходных импульсов. Ждущий режим блокинг-генератора получается, если закрыть транзистор включением в цепь базы или эмиттера запирающего напряжения. Для формирования импульса с помощью ждущего блокинг-генератора необходимо на его вход подавать запускающие импульсы, амплитуда которых достаточна для открывания транзистора. Ждущие блокинг-генераторы отличаются друг от друга способами подачи запирающих напряжений и схемами запуска.
2062. Расчет жесткого стержня
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Построить математическую модель расчета опорных реакций жесткого стержня с тремя опорными узлами и определение внутренних усилий, поперечной силы Q и изгибающего момента М, возникающих во внутренних сечениях стержня под действием нагрузки. Разработать алгоритм и составить программу вычисления опорных реакций и распределения вдоль оси стержня внутренних усилий.
2063. Расчет зеркальной параболической антенны с облучателем в виде конического рупора
Курсовые работы Компьютеры, программирование

В зависимости от размещения облучателя относительно зеркала можно получить то или иное значение КНД. При определенном оптимальном отношении Ro/fo КНД наибольший. Это объясняется тем, что количество теряемой энергии зависит от формы диаграммы направленности облучателя и от отношения Ro/fo. При уменьшении отношения Ro/fo от оптимального КНД уменьшается, так как увеличивается часть энергии, проходящей мимо зеркала. С другой стороны, увеличение этого отношения также приводит к уменьшению КНД в связи с более сильным отклонением закона распределения возбуждения от равномерного. Оптимальное значение Ro/fo определяется по аппроксимированной нормированной ДН облучателя (аппроксимация функцией вида F()=cosn2(), где n определяет степень вытянутости ДН облучателя).
2064. Расчет и анализ активного RC-фильтра ФВЧ Баттерворта
Курсовые работы Компьютеры, программирование
2065. Расчёт и анализ нерекурсивного цифрового фильтра
Курсовые работы Компьютеры, программирование
При проектировании часто полагают, что ФЧХ фильтра является линейной. В [1] показывается, что в этом случае импульсная характеристика фильтра является либо симметричной (), либо антисимметричной (). Учитывая, что порядок фильтра может быть чётным и нечётным, существует четыре вида ИХ с линейной ФЧХ:
1. N нечётное, ИХ симметричная
2. N чётное, ИХ симметричная
3. N нечётное, ИХ антисимметричная
4. N чётное, ИХ антисимметричная
2066. Расчет и анализ системы обслуживания робототехнического комплекса производства деталей ЭВА
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Имя процедуры в программеВыполняемая функцияПримечаниеMainMenu1: TMainMenu;описание компонентовN1: TMenuItemописание компонентовN2: TMenuItemописание компонентовN3: TMenuItemописание компонентовN4: TMenuItemописание компонентовN5: TMenuItemописание компонентовN6: TMenuItemописание компонентовN7: TMenuItemописание компонентовN8 TMenuItemописание компонентовN9 TMenuItemописание компонентовN10TMenuItemописание компонентовN11TMenuItemописание компонентовN12TMenuItemописание компонентовN13TMenuItemописание компонентовN14TMenuItemописание компонентовN15MenuItemописание компонентовN16MenuItemописание компонентовN17MenuItemописание компонентовN18MenuItemописание компонентовN19enuItemописание компонентовGroupBox1: TGroupBox;описание компонентовGroupBox2: TGroupBox;описание компонентовButton1: TButton;описание компонентовButton2: TButton;описание компонентовButton3: TButton;описание компонентовButton4: TButton;описание компонентовButton5: TButton;описание компонентовButton6: TButton;описание компонентовprocedure Button1Click(Sender: TObject);кнопка для вызова формы ввода исходных данныхprocedure Button2Click(Sender: TObject);кнопка для вызова формы расчетабез приоритетовprocedure Button3Click(Sender: TObject);кнопка для вызова формы расчетас относительными приоритетамиprocedure Button4Click(Sender: TObject);кнопка для вызова формы расчетас абсолютными приоритетамиprocedure Button5Click(Sender: TObject);кнопка для вызова формы расчетасо смешанными приоритетамиprocedure Button6Click(Sender: TObject);выходвыход из программыprocedure N1Click(Sender: TObject);Меню «Файл»procedure N2Click(Sender: TObject);Меню «Расчет»procedure N3Click(Sender: TObject);выходвыход из программыprocedure N4Click(Sender: TObject);вызова формы ввода исходных данныхprocedure N5Click(Sender: TObject);Меню «Справка»procedure N6Click(Sender: TObject);вызова формы «О программе»procedure N7Click(Sender: TObject);вызова формы «Помощь»procedure N8Click(Sender: TOject);Меню «при бесприоритетном обслуживании»procedure N9Click(Sender: TObject);Меню «при оптимальных относительных приоритетах»procedure N10Click(Sender: TObject);Меню «при оптимальных абсолютных приоритетах»procedure N11Click(Sender: TObject);Меню «при смешанных приоритетах»procedure N12Click(Sender: TObject);сохранить результатыбез приоритетовprocedure N13Click(Sender: TObject);сохранить результатыс относительными приоритетамиprocedure N14Click(Sender: TObject);сохранить результатыс абсолютными приоритетамиprocedure N15Click(Sender: TObject);сохранить результатысо смешанными приоритетамиprocedure N16Click(Sender: TObject);результаты расчетабез приоритетовprocedure N17Click(Sender: TObject);результаты расчетас относительными приоритетамиprocedure N18Click(Sender: TObject);результаты расчетас абсолютными приоритетамиprocedure N19Click(Sender: TObject);результаты расчетасо смешанными приоритетамиprocedure TForm3.FormActivate(Sender: TObject);перевод результатов в строку и вывод на экранбез приоритетовprocedure TForm6.FormActivate(Sender: TObject);перевод результатов в строку и вывод на экранс относительными приоритетамиprocedure Tform7.FormActivate(Sender: TObject);перевод результатов в строку и вывод на экранс абсолютными приоритетамиprocedure Tform8.FormActivate(Sender: TObject);перевод результатов в строку и вывод на экрансо смешанными приоритетамиprocedure TForm2.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формыисходные данныеprocedure Tform3.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формырасчета без приоритетовprocedure Tform4.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формыо программеprocedure Tform5.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формыпомощьprocedure Tform6.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формырасчета с относительными приоритетамиprocedure Tform7.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формырасчета с абсолютными приоритетамиprocedure Tform8.Button1Click(Sender: TObject);закрытие формырасчета со смешанными приоритетами
2067. Расчет и конструирование АМ передатчика
Курсовые работы Компьютеры, программирование
В соответствии с вышеперечисленными требованиями выбираем в качестве активного элемента (АЭ) ОК транзистор КТ940Б с параметрами:
1. выходная мощность Pвых=5 > 4.95 Вт;
2. fт=400 МГц;
3. сопротивление насыщения rнас=20 Ом;
4. максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэимп=36 В;
5. максимальный постоянный ток коллектора Iкодоп=1 А;
6. напряжение источника коллекторного питания Е`к=12 В;
7. средний статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ o=40;
8. ёмкость коллекторного перехода Ск=75 пФ;
9. ёмкость эмиттерного перехода Сэ=410 пФ;
10. индуктивности выводов Lб=2.4 нГн, Lэ=1.2 нГн;
11. сопротивление материала базы rб=1 Ом.
2068. Расчет и конструирование газоразрядной индикаторной панели переменного тока
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Совершенствование люминесцентных ламп и плазменных цветных дисплеев в значительной мере зависит от выбора фотолюминофоров. Как правило, люминофорные экраны возбуждаются электронными или фотонными пучками соответствующих энергий. Отсюда следуют достаточно стандартные требования к подобным системам накачки, которые определяют эффективность светоизлучающих приборов в целом. Энергия бомбардирующих люминофор электронов или квантов света должна обладать определенной селективностью и соответствовать спектрам фотовозбуждения люминофоров, излучающих в заданных участках спектра для генерации света с определенными цветовыми характеристиками. Интенсивность высвечивания цветных люминофоров будет зависеть от эффективности выбранной системы накачки, квантового выхода люминофоров и геометрических характеристик нанесения люминофорных и технологических тонкопленочных покрытий, формирующих люминофорный экран для вывода излучения с заданными спектральными параметрами. При использовании R, G, B люминофоров в цветных плазменных дисплеях используется схема широтно-импульсной модуляции для кодирования уровня яркости при формировании полутоновых изображений. В этом случае требуется, чтобы люминофор успевал высветить всю вложенную в него энергию за период следования импульсов ультрафиолетовой накачки. Следовательно, важной характеристикой становится время высвечивания люминофоров.
2069. Расчет и моделирование цифрового фильтра
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Для того, чтобы проверить правильность работы модели цифрового фильтра, проводят моделирование работы фильтра с подачей на него сигналов. В нашем случае на цифровой фильтр будет подана сумма 3х сигналов, 2а из которых будут находиться вне полосы пропускания цифрового фильтра. Схема моделирования работы цифрового фильтра показана на рис. 9.
2070. Расчет и моделирование частотно-избирательного усилителя
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Схема представляет собой многокаскадный усилитель нижних частот, собранный на трех транзисторах. Транзистор VT1 Р-канальный полевой транзистор по схеме с общим истоком c емкостной связью между, VT2 p-n-p с непосредственной связью между VT3 p-n-p оба являются биполярными транзисторами по схеме с общим эмитором. Чтобы усилитель обладал более лучшими усиливающими свойствами используется биполярный транзистор VT3, включенный по схеме общий эммитер, что дает хорошее усиление по току и напряжению, а следовательно и по мощности.
2071. Расчёт и моделирование энергетических характеристик углеродных нанотрубок
Курсовые работы Компьютеры, программирование

В настоящее время наиболее распространённым является метод термического распыления графитовых электродов в плазме дугового разряда. Процесс синтеза осуществляется в камере, заполненной гелием под давлением около 500 торр (Торр - внесистемная единица давления, равная EQ \f (1;760) части физической (нормальной) атмосферы, то есть 101325:760 = 133,322 (н/м2, или паскаля)Названа в честь Э. Торричелли. Обозначения: русское - торр, международное - Torr. В научной литературе на русском языке чаще применяется равная ей единица - миллиметр ртутного столба (мм рт. ст.). При горении плазмы происходит интенсивное термическое испарение анода, при этом на торцевой поверхности катода образуется осадок, в котором формируются нанотрубки углерода. Максимальное количество нанотрубок образуется тогда, когда ток плазмы минимален и его плотность около 100 А/см2. В экспериментальных установках напряжение между электродами составляет около 15-25 В, ток разряда несколько десятков ампер, расстояние между концами графитовых электродов 1-2 мм. В процессе синтеза около 90% массы анода осаждается на катоде. Образующиеся многочисленные нанотрубки имеют длину около 40 мкм. Они нарастают на катоде перпендикулярно плоской поверхности его торца и собраны в цилиндрические пучки диаметром около 50 мкм. Пучки нанотрубок регулярно покрывают поверхность катода, образую сотовую структуру.
2072. Расчет и оптимизация характеристик системы связи
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Источник сообщений - физический объект, который формирует конкретное сообщение. Источником сообщений может быть как человек, так и какое либо техническое устройство - датчик, снимающий показания физических параметров с какого-либо удаленного объекта. Преобразователь сообщения в электрический сигнал преобразует с помощью электрических или электромеханических устройств неэлектрические сообщения в изменяющиеся во времени напряжение или ток. В результате передаваемое сообщение преобразуется в непрерывный (аналоговый) сигнал.
2073. Расчёт и проектирование вторичного источника питания
Курсовые работы Компьютеры, программирование

9. Выбираем тип управляющего (усилительного) транзистора Т3. На транзисторе Т3 собран усилитель, который должен реагировать на самые незначительные колебания выходного напряжения и усиливать их до величины, достаточной для управления регулирующим транзистором. Поэтому управляющий транзистор должен обеспечивать достаточное усиление сигнала по напряжению. При выборе транзистора необходимо обратить внимание на величину коллекторного тока I кз. Этот ток должен быть по возможности небольшим, но всегда превышать ток базы согласующего транзистора Т2. Обычно величина тока I кз выбирается в пределах 0,5 ? 2 ма. Требуемое значение коэффициента усиления по напряжению для управляющего транзистора можно найти по формуле
2074. Расчет и проектирование динистора
Курсовые работы Компьютеры, программирование
1. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. 99с.
2. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. 40с.
3. Батушев В. А. Электронные приборы. М. , “Высшая школа” 1980. 383 с.
4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.
5. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1981. 431 с.
6. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. 379 c.
7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1991г. 288 с.
8. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высшая школа, 1986. 464 с.
9. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.
10. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1983. 384 с.
11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980. 424 с.
12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова М.: Энергоатомиздат, 1985г. 904 с.
13. Ю П. Основы физики полупроводников /П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.
14. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970. 392 с.
15. Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.
16. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . 384 с.
2075. Расчет и проектирование диода на основе кремния
Курсовые работы Компьютеры, программирование
1. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967. 356 с.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
3. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981. - 298 с.
4. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. // Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.
5. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов/В. П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 315 с.
6. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980. - 242 с.
7. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981. - 315 с.
8. Бениш Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. - 196 с.
9. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 298 с.
10. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. 99с.
11. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. 40с.
12. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1981. 431 с.
13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1983г. 384 с.
14. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990г. 376 с.
15. Жеребцов И.П. Основы электроники. Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. 352 с.
16. Батушев В. А. Электронные приборы. М. , “Высшая школа” 1980. 383 с.
2076. Расчет и проектирование МДП-транзистора
Курсовые работы Компьютеры, программирование
1. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. - 99с.
2. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. - 40с.
3. Батушев В. А. Электронные приборы. М. , “Высшая школа” 1980..
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника М.: Высшая школа, 1991г. - 617с.
5. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие // В. А. Гуртов; ПетрГУ. Петрозаводск, 2004. - 312 с.
6. Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы // Л. Ф. Городецкий,А. Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, - 348 с.
7. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники М.: Сов. радио, 1971 г. - 376 с.
8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г. - 326 с.
9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.
10. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.
11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 204 с.
13. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. - 479 c.
14. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980г. - 424 с.
15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.
16. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970г. - 392 с.
17. Электроника: Энциклопедический словарь.//Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.
2077. Расчет и проектирование светодиода
Курсовые работы Компьютеры, программирование
1. В. И. Иванов, А. И. Аксенов, А. М. Юшин “Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. / Справочник.”- М.: Энергоатомиздат, 1984 г..
2. Коган Л.М. Дохман С.А. Технико-экономические вопросы применения светодиодов в качестве индикации и подсветки в системе отображения информации. Светотехника, 1990 289с.
3. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды, М.1989г. 415 с.
4. Воробьев В.Л., Гришин В.Н. Двухпереходные GaP-светодиоды с управляемым цветом свечения. Электронная техника. 1977 г. 368 с.
5. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов.М.: Советское радио 1969г. 294 с.
6. Амосов В.И. Изергин А.П. Диодные источники красного излучения на GaP, полученном методом Чахральского. 1972г. 183 с.
7. Нососв Ю.Р. Оптоэлектроника. Физические основы, приборы и устройства. М. 1978г. 265 с.
8. Мадьяри Б. Элементы оптоэлектроники и фотоэлектрической автоматики. М. 1979г. 315 с.
9. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.
10. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1983. 384 с.
11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980. 424 с.
12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова М.: Энергоатомиздат, 1985г. 904 с.
13. Ю П. Основы физики полупроводников /П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.
14. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970. 392 с.
15. Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.
16. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . 384 с.
2078. Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Курсовые работы Компьютеры, программирование

1-й элементИсходный материал2-й элементПодкласс прибора3-й элементГруппа внутри подклассаГ или 1ГерманийДВыпрямительные диоды101-399Диоды выпрямительные малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)К или 2Кремний201-299Диоды выпрямительные средней мощности (0,3А или 3Арсенид галлия или другие соединения галлия301-399Импульсные401-499Диоды импульсные с временем восстановления (tвос.обр.>150 нс)501-599Диоды импульсные с временем восстановления 30 нс601-699Диоды импульсные с временем восстановления 5 нс701-799Диоды импульсные с временем восстановления 1 нс801-899Диоды импульсные с временем восстановления <1 нсЦВыпрямительные столбы и блоки101-199Выпрямительные столбы малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)201-299Выпрямительные столбы средней мощности (0,3301-399Выпрямительные блоки малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)401-499Выпрямительные блоки средней мощности (0,3АСверхвысокочастотные диоды101-199Смесительные201-299Детекторные301-399Модуляторные401-499Параметрические501-599Регулирующие601-699Умножительные701-799ГенераторныеBВарикапы101-199Подстроечные201-299УмножительныеИДиоды туннельные и обращенные101-199Усилительные201-299Генераторные301-399Переключающие401-499ОбращенныеССтабилитроны и стабисторы201-299Стабилитроны малой мощности (до 0,3 Вт) от 10 до 99 В301-399Стабилитроны малой мощности (до 0,3 Вт) от 100 до 199 В401-499Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) от 0,1 до 9,9 В501-599Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) 10 от до 99 В601-699Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) от 100 до 199 В701-799Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 0,1 до 9,9 В801-899Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 10 до 99В901-999Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 100 до 199ВЛИзлучатели101-199Инфракрасного излучения201-299Видимого излучения с яркостью менее 500 кд/м2301-399Видимого излучения с яркостью более 500 кд/м2НДинисторы101-199Динисторы малой мощности со средним током в открытом состоянии менее 0,3 А201-299Динисторы средней мощности со средним током в открытом состоянии от 0,3 до 10 АУТиристоры101-199Тиристоры малой мощности со средним током в открытом состоянии менее 0,3 А201-299Тиристоры средней мощности со средним током в открытом состоянии от 0,3 до 10 А301-399Запираемые тиристоры малой мощности с запираемым током менее 0,З А401-499Запираемые тиристоры средней мощности с запираемым током от 0,3 до 10 А501-599Симисторы малой .мощности с действующим током до 0,3 А601-699Симисторы средней мощности с действующим током от 0,3 до 10 А
2079. Расчёт импульсного усилителя
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Данный метод заключается в построении на графике выходной характеристики транзистора рабочей прямой. Рабочая прямая проходит через точки Uкэ=Eк и Iк=Eк÷Rн и пересекает графики выходных характеристик (токи базы). Для достижения наибольшей амплитуды при расчёте импульсного усилителя рабочая точка была выбрана ближе к наименьшему напряжению т.к у оконечного каскада импульс будет отрицательный. По графику выходных характеристик (рис.1) были найдены значения IКпост=4,5 мА, UКЭпост=0,5 В, а также IБпост. =0,1мА.
2080. Расчет информационных характеристик источников сообщений, сигналов и каналов
Курсовые работы Компьютеры, программирование

Информация наряду с материей и энергией является первичным понятием нашего мира и поэтому в строгом смысле не может быть определена, при этом в узком практическом смысле под информацией обычно понимают совокупность сведений об окружающем мире, являющуюся объектом хранения, передачи и преобразования. Информация передаётся и хранится в виде сообщений, а изменяющийся во времени физический процесс, отражающий передаваемое сообщение называется сигналом. А система связи, являющаяся совокупностью технических средств, используемых для передачи сообщений от источника к потребителю информации.

Blog

Курсовой проект по предмету Компьютеры, программирование