Geum.ru

Дипломная работа по предмету Физика

  • 501. Трансформатор с расщепленной обмоткой низшего напряжения
    Дипломы Физика

    По особенностям конструкции и применению трансформаторы можно разделить на силовые, сварочные, измерительные и специальные. Наибольшее применение в народном хозяйстве получили силовые трансформаторы, которые являются необходимым элементом промышленной электрической сети. Передача электрической энергии на большие расстояния при относительно низких напряжениях, которые вырабатывают электростанции, экономически невыгодна из - за больших потерь в линии. Действительно, при низких напряжениях U та же мощность (P=UIcosф) получается при большем токе I, следовательно, увеличивается мощность потерь в проводах RI2, т. е. необходимо увеличивать сечения проводов. Поэтому на электрических станциях устанавливаются силовые трансформаторы, повышающие напряжения до 110, 220, 750 и 1150 кВ. У потребителей напряжения при помощи трансформаторов понижается несколькими ступенями до 380/220 В.

  • 502. Турбина ТВаД мощностью 10000 кВт
    Дипломы Физика

    №Элементарная пов-ть детали. Технологический маршрут ее обработкиЭлементы припуска, мкм.Расчетный припуск, мкмДопуск размера Т, ммРасчетный припуск 2Zном.р мм.Расчетный размер D, мм.Принятые размеры, мм.Принятые припуски, мм.Операционные размеры, мм.RzhDe2Zmin.pT2Zном.рDp.Dmax.Dmin.2Zmax2ZminПоверхность 2 [Æ 110 h12 ]5Штамповка160200538.5--+1 -0.5-113.908115113.5--15Точение черновое8015032.32001868-0.872.368111.54111.6110.733.271.9111.6-0.8735Точение получистовое203027100670-0.351.54110110109.651.950.73110-0.35Поверхность 16 [Æ 69 H7 ]5Штамповка160200509--+1 -0.5-65,0416664.5--20Растачивание черновое80150302001814+0,462,31467,35567,7667,32,762,2667,3+0.4640Растачивание получистовое203016100669+0,121,12968,48468,5268,41,281,2868,4+0.1265Растачивание чистовое203010,750205+0,0460,32568,80968,84668,80,4460,2268,8+0,04675Шлифование5154,320145+0,030,1916969,03690, 230,15469+0,03№Элементарная пов-ть детали. Технологический маршрут ее обработкиРасчетный припуск, мкмДопуск размера Т, ммРасчетный припуск 2Zном.р мм.Расчетный размер D, мм.Принятые размеры, мм.Принятые припуски, мм.Операционные размеры, мм.2Zmin.pT2Zном.р.Dp.Dmax.Dmin.2Zmax2ZminПоверхность 3 [Æ 99h12]5Штамповка-+1 -0.5-11411513.5--15Растачиваниечерновое2000-0,5413.7102.17102.2101.663.672.1102.2-0.5435Растачиваниечистовое300-0, 351.17999998.651.550.3399-0.35Поверхность 22 [Æ231 h8 ]5Штамповка-+1,1 -0.7-236,125238.1236,3--10Точение черновое2300-0.723233,125233,2232,383,622,4233,1-0.7240Точение получистовое500-0.291.22231,905231,9231,611,490,5231,9-0.2965Точение чистовое300-0.1150.59 231,315231230,9850,7150,31231,-0.115№Элементарная пов-ть детали. Технологический маршрут ее обработкиРасчетный припуск, мкмДопуск размера Т, ммРасчетный припуск 2Zном.р мм.Расчетный размер D, мм.Принятые размеры, мм.Принятые припуски, мм.Операционные размеры, мм.2Zmin.pT2Zном.р.Dp.Dmax.Dmin.2Zmax2ZminПоверхность 9 [Æ75H12]5Штамповка-+0.7 -1.4-70.370.768.6--20Точение черновое2200+0,743,372,9673,6472,94,643,372,9+0,7445Растачиваниечистовое1300+0,32,047575,3752,41,3675+0,3Поверхность 24 [Æ184 H12 ]5Штамповка-+0.9 -1.8-176,55176,9174.2--20Рассверливание2500+1,154,3180,85181,95180,85,953,9180,8+1,1540Растачиваниечистовое2000+0,463,15184184,461843,662,05184+0,46Поверхность 4 [Æ84 H7 ]5Штамповка-+0.7 -1.4-69.86670.768.6--25Точение черновое2500+0.5410.980.76681.2480.75.24480.7+0.5445Точение получистовое1800+0.142.3483.10683.2483.12.541.8683.1+0,1470Точение чистовое400+0.0540.5483.64683.65483.60.5540.4283.6+0.05490Шлифование300+0.0350.3548484.035840.4540.34684+0.035№Элементарная пов-ть детали. Технологический маршрут ее обработкиРасчетный припуск, мкмДопуск размера Т, ммРасчетный припуск 2Zном.р мм.Расчетный размер D, мм.Принятые размеры, мм.Принятые припуски, мм.Операционные размеры, мм.2Zmin.pT2Zном.р.Dp.Dmax.Dmin.2Zmax2ZminПоверхность 15 [Æ84H12]20Точение черновое2200+0,030.1916969.03690.23015445Растачиваниечистовое1300+0,32,048484,3842,41,3684+0,3Поверхность 21 [Æ30.5 H12 ]55Сверление2200+0.6 -18,118,618--55Рассверлить1300+0,312.330.530,830.52,41,3630.5+0,3Поверхность 26 [Æ185 h12 ]40Точить2300-0.7246190,125190189,283,622,4190-0.72Поверхность13 [Æ196 h12 ]40Точить2300-0.7240196,125196195.283,622,4196 -0.723.5 РАСЧЕТ ПРИПУСКОВ И ОПЕРАЦИОННЫХ РАЗМЕРОВ НА ОБРАБОТКУ ТОРЦЕВЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

  • 503. Уличное освещение на солнечных батареях
    Дипломы Физика

    При контакте двух областей n- и p- типа из-за градиента концентрации носителей заряда возникает диффузия в области с противоположным типом электропроводности. Диффузия (лат. diffusio - распространение, растекание, рассеивание) - процесс переноса материи или энергии из области с высокой концентрацией в область с низкой концентрацией[2]. В p-области вблизи контакта после диффузии остаются нескомпенсированные ионизированные акцепторы (отрицательные неподвижные заряды), а в n-области - нескомпенсированные ионизированные доноры (положительные неподвижные заряды). Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноимённо заряженных слоёв. Между нескомпенсированными разноимёнными зарядами ионизированных примесей возникает электрическое поле, направленное от n-области к p-области и называемое диффузионным электрическим полем. Данное поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через контакт - устанавливается равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и ток неосновных носителей под действием контактного поля, эти токи компенсируют друг друга). Между n- и p-областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов. Потенциал n-области положителен по отношению к потенциалу p-области. Обычно контактная разность потенциалов в данном случае составляет десятые доли вольта. Внешнее электрическое поле изменяет высоту барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через барьер. Если положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается (прямое смещение), а область пространственного заряда сужается. В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть барьер. Как только эти носители миновали p - n-переход, они становятся неосновными. Поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей). Одновременно в p- и n-областях через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих компенсацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через переход, который с ростом напряжения экспоненциально возрастает. Приложение отрицательного потенциала к p-области (обратное смещение) приводит к повышению потенциального барьера. Диффузия основных носителей через переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьера не существует). Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p - n-переход и проходят через него в соседнюю область (экстракция неосновных носителей). Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p - n-переход течёт ток Is (ток насыщения), который обычно мал и почти не зависит от напряжения. Таким образом, вольт-амперная характеристика p - n-перехода обладает резко выраженной нелинейностью. При изменении знака U значение тока через переход может изменяться в 105 - 106 раз. Благодаря этому p - n-переход может использоваться для выпрямления переменных токов.

  • 504. Усиление надёжности схемы электроснабжения ПС "Северная"
    Дипломы Физика

     

    1. Справочник по проектированию электрических систем. / Под редакцией С.С. Рокотяна и И.М. Шапиро. - М.: Энергия, 1971. - 248 с.;
    2. Рожкова Л.Д., Козулин B.C. Электрооборудование станций и подстанций. - М.: Энергия, 1980. - 599 с.;
    3. Справочник по проектированию электроснабжения/ Под редакцией Ю.Г. Барыбина, JI.E. Фёдорова, М.Г. Зименкова, А.Г. Смирнова. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с.;
    4. Heклeпaeв Б.Н. Электрическая часть электростанций и подстанций. - М.: Энергоатомиздат, 1986. - 640 с.;
    5. Фоков К.И. Электрическая часть станций и подстанций. Методические указания на выполнение курсового проекта. Хабаровск: ДВГАПС 1996. - 37 с.;
    6. Коновалова Л.Л., Рожкова Л.Д. Электроснабжение промышленных предприятий, и установок. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - 528 с.;
    7. Правила технической эксплуатации электрических станций и сетей Российской Федерации: РД 34.20.501-95/ Минтопэнерго РФ, РАО "ЕЭС России". - М.: СПО ОРГРЭС, 1996. - 160 с.;
    8. Рекламно-информационные материалы заводов-изготовителей, 1999.;
    9. Каменев В.Н. Чтение схем и чертежей электроустановок. - М.: Высшая школа, 1990. - 144 с.;
    10. Неклепаев Б.Н., Крючков И.П. Электрическая часть станций и подстанций. Справочные материалы для курсового и дипломного проектирования: Учебное пособие для вузов- 4-ое изд. перераб. и доп. - М.: Энергоатомиздат, 1989.;
    11. ГОСТ 12.1 004-76;
    12. ГОСТ 13109-99.
  • 505. Устройство и принцип работы растрового электронного микроскопа
    Дипломы Физика

    В связи с этим Зворыкин и др. решили создать более совершенный прибор путём уменьшения размера пятна и улучшения отношения сигнала к шуму. Они учли все возможные вклады в соотношении между аберрациями линз, яркостью пушки и размером пятна и получили правильное выражение для минимального размера пятна как функции тока пучка. Далее они пытались повысить яркость пушки за счёт использования источника с автоэмиссией. Однако нестабильность работы таких источников с холодным катодом заставила их вернуться к термоэлектронному источнику. Тем не менее уже в 1942г. остриё с автоэмиссией использовалось для создания изображений с большим увеличением и высоким разрешением. Следующим шагом явилось использование электронного умножителя в качестве предусилителя тока вторичных электронов с образца. В варианте Зворыкина и др. вторичные электроны бомбардировали флуоресцирующий экран спереди электронного умножителя. Результирующий фототок соответствующим образом усиливался и использовался для формирования изображения, которое наблюдалось на экране электронно-лучевой трубки. Путём специального подбора получали совпадение областей максимальной чувствительности фосфорного сцинтиллятора и фотокатода умножителя. В результате были получены микрофотографии вполне хорошего качества, но с большим уровнем шума (по современным стандартам). Окончательный вариант прибора включал три электростатические линзы и отклоняющие катушки, размещённые между второй и третьей линзами. Электронная пушка размещалась внизу, таким образом, камера образцов находилась на достаточно удобной для оператора высоте. С этим первым модернизированным растровым электронным микроскопе было продемонстрировано разрешение по крайней мере 500?. Вторая мировая война приостановила эти исследования. Зворыкин и др. не смогли окончательно доработать свой прибор. Фактически группа распалась и работа над этой проблемой в США была прекращена до 1960г. В 1948г. в Кембриджском университете К. Оутли заинтересовался конструированием электронных микроскопов. Вместе с Мак-Маллэном он создал в Кембридже первый РЭМ. Разрешение этого прибора к 1952г. достигло 500?. За Мак-Маллэном последовал Смит, который обнаружил, что качество микрофотографии может быть улучшено за счёт обработки сигналов. С этой целью он ввёл нелинейное усиление сигнала (?-обработка). Электростатические линзы он заменил на электромагнитные и улучшил систему сканирования за счёт введения двойного отклонения. Смит первым ввёл стигматор в РЭМ.

  • 506. Физика от Аристотеля до Ньютона
    Дипломы Физика
  • 507. Физические принципы спектрофотометрии. Устройство спектрофотометра
    Дипломы Физика

    Для того чтобы собрать как можно больше квантов света, конструкция спектрометра должна предусмотреть как можно больший телесный угол сбора света от образца (до 2?). Площадь катода отдельного фотоумножителя, как правило, бывает неоднородной с точки зрения эффективности. Поэтому, если два луча двулучевого спектрофотометра падают на слегка различающиеся площадки одного и того же фотокатода, то, даже в случае оптимальной юстировки, коррекция нулевой линии оказывается недостаточной, и это выражается в существенном отклонении от идеальной горизонтальной линии. В практически всех спектрометрах такого типа применяется оптическая последовательная корректировка, которая занимает много времени. В соответствии с правилом Гаусса, касающимся ошибки распространения луча, ошибки лучей образца и сравнения аддитивно влияют на конечный результат. На рис.3 представлена конструкция типичного двулучевого спектрофотометра ("Kontron Instruments GmbH"). Если вновь ввести второй детектор согласно рис.2, д и компенсировать различие усиления обоими детекторами вторым световым источником переменного тока частотой fH, мы снимем ограничения в скорости сканирования. Образец, сравнение и детекторы размещаются очень близко друг к другу, что позволяет проводить измерения рассеивающих мутных образцов. Если требования к оптическим свойствам и разрешению по длине волны (порядка ?? = ±0,5 нм) не очень высоки, что обычно бывает в химической и биологической молекулярной спектроскопии, то идеальным представляется использование конструкции Сейя - Намиока на основе голографической вогнутой решетки рис.4. Доступно быстрое спектральное сканирование мутных и сильно рассеивающих (in vivo) образцов, компактный дизайн, низкий уровень рассеянного света, большой динамический диапазон измерения и, что наиболее важно, встроенный компьютер, производящий все типы спектральных измерений. Такие спектрометры отличаются небольшими размерами, низкой стоимостью и высокой надежностью. Для каждого исследуемого образца не требуется последующее сканирование сравнительного образца. Сравнительный спектр, снятый раз и навсегда, сохраняется в виде коррекционной кривой в памяти компьютера, и спектр исследуемого образца автоматически корректируется в процессе сканирования без вмешательства человека.

  • 508. Физические принципы, заложенные в основу измерения концентрации вещества кондуктометрическим методом
    Дипломы Физика

    Кондуктометрия объединяет методы, в которых измеряют электропроводность <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%82%D1%8C> электролитов <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BB%D0%B8%D1%82>. Кондуктометрический анализ <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%B8%D0%B7> основан на изменении концентрации вещества или химического состава <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%B2> среды в межэлектродном пространстве; он не связан с потенциалом электрода, который обычно близок к равновесному значению. Кондуктометрия включает прямые методы анализа (используемые, например, в солемерах) и косвенные (например, в газовом анализе) с применением постоянного или переменного тока (низкой и высокой частоты), а также хронокондуктометрию, низкочастотное и высокочастотное титрование.

  • 509. Физические процессы в радиоэлектронных средствах
    Дипломы Физика

    Определены параметры конструкции пакета РЭС и геометрические размеры однородного анизотропного тела. После чего была выделена элементарная тепловая ячейка и разбита на простейшие однородные тела, для которых были составлены тепловые схемы, отражающие процесс теплообмена в элементарной ячейке по направлениям осей координат. Рассчитаны тепловые проводимости для каждого направления пространства x,y,z и по полученным значениям найдены тепловые проводимости для элементарной ячейки с помощью эквивалентного преобразования тепловых схем: , , . Затем были рассчитаны тепловые проводимости нагретой зоны для направлений x,y,z: и найдены эквивалентные коэффициенты теплопроводности однородного анизотропного тела:

  • 510. Фононы
    Дипломы Физика

    Волновая функция колебательного состояния решетки имеет вид произведения независимых волновых функций отдельных осцилляторов. Если бы частицы были «различимыми», этого было бы достаточно для описания системы. Однако в квантовой статистике мы имеем дело с системами, состоящими из «неразличимых» элементарных объектов. Поэтому при любой перестановке объектов из той же самой системы модуль волновой функции не должен изменяться; сама же волновая функция может изменяться. Все частицы в квантовой статистике делятся на две группы. Частицы, относящиеся к первой группе, называются бозонами (сюда же относятся и фононы), частицы, относящиеся ко второй группе, называются фермионами. Состояние ансамбля одинаковых бозонов, таким образом, правильно описывается нормированной линейной комбинацией всех возможных перестановок их равновесных состояний, соответствующих данным условиям. Такое рассмотрение не создает каких-либо проблем. Оно означает всего лишь, что мы не можем указать точно, какие именно бозоны связаны с данным состоянием; существует только некоторое распределение вероятности, согласно которому, скажем, n любых бозонов могут находиться в указанном частном состоянии. С принципиальной точки зрения это говорит о том, что при проведении расчетов в квантовой статистике необходимо принимать во внимание, можем ли мы или не можем различать объекты системы.

  • 511. Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия
    Дипломы Физика

    Детектирование света в ультрафиолете (длина волны меньше 400 нм) имеет широкий диапазон применений, как коммерческих, так и военных, особенно в тех областях, где требуется анализ УФ излучения при наличии мощного видимого или инфракрасного фона. В коммерческом секторе эти применения включают в себя: датчики пламени и нагрева, стерилизация в медицине, приборы для измерения биодоз УФ (мониторы загара), диагностика плазмы, мониторинг двигателей. Среди военных применений можно назвать: детектирование следов от двигателей ракет, наведение ракет, детектирование биологических и химических веществ (основные линии поглощения лежат в ультрафиолете), закрытая связь между искусственными спутниками (УФ лучи не проникают сквозь озоновый слой земной атмосферы) и системы связи с подводными лодками. Большинство из этих применений требуют использования детекторов, не чувствительных к солнечному свету; нужно детектировать только ультрафиолет и в идеале иметь нулевую чувствительность для более длинных волн. Например, в полете ракета может иметь выхлопной хвост длиной в милю. Если детектор, используемый для поиска и наведения антиракеты-перехватчика, будет чувствителен в широкой области спектра, включая видимую и ИК, тогда ракета представляется целью длиной в милю, что сделает невозможным наведение антиракеты. Однако, если детектор будет чувствителен только в ультрафиолете, он зафиксирует только самые горячие газы, вырывающиеся у хвоста ракеты, и наведение будет идеальным. Точно так же УФ детекторы могут быть использованы в качестве датчиков противопожарных систем для обнаружения наличия именно пламени (которое имеет УФ компоненту), а не просто нагретого объекта, который может быть связан, а может и не быть связан с пламенем.

  • 512. Фотоэлектрические свойства тонких пленок сульфида свинца
    Дипломы Физика

    Существенное влияние на физические и фотоэлектрические свойства сульфида свинца оказывает содержание в них кислорода либо какого-либо другого окислителя. В модели Неустроева - Осипова изменение концентрации образованных кислородом ПС должно приводить к строго определенному видоизменению соотношений между энергиями активации различных параметров. Известно, что содержание кислорода в фоточувствительных поликристаллических пленках PbS можно легко уменьшить посредством относительно непродолжительного их прогрева в вакууме при температурах, незначительно отличающихся от комнатных. Уменьшение концентрации акцепторов в окисных фазах должно приводить к уменьшению их энергии ионизации относительно потолка валентной зоны на поверхности кристаллитов, что и наблюдалось экспериментально в [10]. Кислород, входящий в состав окисных фаз на поверхности кристаллитов принято называть "сильносвязанным" (Т-кислород). Кроме того, в пленках PbS содержится слабосвязанный "избыточный" кислород (W-кислород), существующий в виде примесных атомов в межкристаллитных прослойках, либо адсорбированный на поверхности кристаллитов. Концентрацию W-кислорода в пленках можно легко изменять путем их низкотемпературного отжига (tom -100° С) в вакууме или не содержащей кислород атмосфере. Принято считать, что акцепторные состояния на поверхности кристаллитов обусловлены именно W-кислородом.

  • 513. Фундаментальні досліди з квантової оптики та їх висвітлення в шкільному курсі фізики
    Дипломы Физика

    Око фіксується на слабке червоне світло джерела S. У цьому разі головний світловий потік від лампи L, виділений діафрагмою D падає на периферійну частину сітківки ока. На шляху від дзеркала Z до ока розміщено диск В з отвором. Диск приводиться в рух синхронним електродвигуном М і робить один оберт за секунду. Розмір отвору такий, що світло проходить крізь нього протягом 0,1 с і спостерігач реєструє короткочасний спалах. Зелений світлофільтр F і нейтральний фотометричний клин К дають змогу виділити досліджувану ділянку спектра та ослабити потік, що попадає в око. Для абсолютних вимірювань енергії, яка і відповідає порогові зору, дзеркало Z приймають і діафрагму D освітлюють практичним повним випромінювачем Т. Спостерігач у момент спалаху на рухомій стрічці робив позначки. На ній же відмічався кожний оберт диска в момент, коли світло проходило крізь його отвір. Виявилось, що у випадку, коли світловий потік перевищує поріг зорового відчуття, спостерігач фіксує кожний спалах, а із зменшенням потоку до величини, що відповідає порогу зорового відчуття, не всі спалахи. Спостерігач реєстрував також спалахи і при середньому потоці, меншому, ніж поріг зорового відчуття. Це зумовлено флуктуаціями кількості фотонів в окремих потоках: в одних випадках їх проходила достатня кількість, щоб викликати зорове відчуття, а в інших недостатня.

  • 514. Характеристика энергетической отрасли России
    Дипломы Физика

    При этом в структуре генерирующих мощностей увеличится доля высокотехнологичных парогазовых электростанций и маневренных мощностей (ГТУ, ПГУ и ГАЭС), что позволит более гибко и эффективно разрешить проблему регулирования суточных графиков нагрузки энергосистем. Ввод мощностей в таком объеме позволит полностью удовлетворить потребности растущей экономики и бытового сектора в электрической и тепловой энергии и предотвратить возможность возникновения дефицита мощности. Технологическое разнообразие источников производства электроэнергии, использующих различные виды энергоресурсов (вода, ядерное топливо, газ, уголь, мазут, нетрадиционные и возобновляемые энергоресурсы) и технологии их преобразования в электрическую и тепловую энергию (газотурбинный, парогазовый и паросиловой циклы, сжигание топлива в пылевидном виде, сжигание топлива в кипящем слое, предварительная газификация топлива и т.д.) приводят к существенному разбросу технико-экономических показателей разных технологий и разных типов электростанций, в том числе удельных капитальных вложений, сроков строительства объектов, КПД электростанций, удельных расходов топлива на произведенный киловатт-час и гигакалорию тепла, и как итог, себестоимости производимой энергии. Устойчивый рост экономики страны, сопровождающийся увеличением объемов электропотребления, задает масштабные требования к развертыванию инвестиционных процессов в электроэнергетике. Реализация масштабных инвестиционных программ энергетических компаний в условиях перехода к конкурентному рынку энергии и мощности, предъявляет особые требования к обеспечению эффективного и устойчивого развития электроэнергетики, поскольку в данной ситуации остро встает вопрос согласования интересов государства, бизнес-сообщества и населения.

  • 515. Характеристики микромеханических реле на основе тонких слоистых исполнительных элементов
    Дипломы Физика

    Механические свойства. Изготовление балочного подвижного элемента сопровождается практическими трудностями, обусловленными механическими свойствами используемых материалов, например, напряжением в материале. Механическое напряжение в мостовых микрореле определяется, в основном, растяжением, которое составляет порядка 107 Па. Это напряжение меняет константу упругости материала, за счет чего увеличивается пороговое напряжение. Структурные материалы, применяемые для построения микроструктур, должны удовлетворять механическим требованиям: выдерживать высокое разрушающее напряжение, быть устойчивыми к пластическим деформациям, обладать низким уровнем ползучести и усталости, быть износостойкими. К механическим свойствам защитных материалов предъявляются не менее жесткие требования. Это необходимо для того, чтобы в процессе изготовления микросистемы не произошла поломка ее внутренних структур. К наиболее распространенным защитным материалам относятся: диоксид кремния, полимеры (полиимид), металлы (в основном алюминий) и диэлектрики для изоляции структурных слоев микроустройства друг от друга [2]. Исполнительные подвижные элементы с требуемыми механическими свойствами можно получить, регулируя параметры гальванического осаждения. В работе исследовались режимы гальванического осаждения никеля по плотности тока, температуре и времени осаждения, обеспечивающих воспроизводимое формирование балочных подвижных элементов на основе гальванически осажденного никеля.

  • 516. Химическая обработка воды для подпитки теплосети
    Дипломы Физика

    Грязевик инерционно-гравитационный представляет собой напорный вертикальный цилиндрический аппарат (см. рис. 18.1 приложение 18), состоящий из цилиндрического корпуса с эллиптическим или конусообразным верхним и нижним днищами. В корпус вварен люк-лаз для осмотра и ремонта грязевика. В верхнее днище вмонтирован трубопровод для подвода воды на очистку и воздушник для удаления воздушной подушки. В нижнее днище равномерно по периметру вварены патрубки с кранами для периодического удаления задержанных примесей. Внутри корпуса грязевика жестко смонтирован трубопровод для отвода очищенной воды. На трубопроводе имеются несколько перфорированных участков, которые закрыты коническими козырьками. Суммарная площадь прорезей каждого участка рассчитывается таким образом, чтобы получить максимальный эффект улавливания загрязнений. Аналогично рассчитывается величина зазора между коническими козырьками и цилиндрическим корпусом. Под нижним козырьком внутри цилиндрического корпуса смонтирована коническая тарелка для создания застойной зоны в нижней части корпуса, чтобы исключить взмучивание осадка потоком воды при переменной гидравлической нагрузке. Для удаления всплывающих загрязнений, таких как нефтепродукты, щепу, листву микробиологический шлам в конструкции аппарата может быть предусмотрена верхняя застойная камера и дополнительные верхние дренажи. Также, ГИГ может быть оборудован системой автоматики, которая включает в себя электромеханические задвижки на дренажные патрубки и электронное реле времени.

  • 517. Цифровая защита фидеров контактной сети постоянного тока ЦЗАФ-3,3 кВ, эффективность использования, выбор уставок в границах Тайгинской дистанции электроснабжения
    Дипломы Физика

     

    1. Руководящее указание по релейной защите системы тягового электроснабжения
    2. Фигурнов Е.П. Релейная защита. Учебник для вузов ж.-д. трансп. М.: Желдориздат, 2002. 720 с.
    3. Инструкция по организации обращения грузовых поездов повышенного веса и длины на железных дорогах Российской Федерации. М.: Трансинфо, 2001.32 с.
    4. Марквардт К.Г. Электроснабжение электрифицированных железных дорог. М.: Транспорт, 1982. 528 с.
    5. Справочник по электроснабжению железных дорог / Под ред. К.Г. Марквардта. М.: Транспорт, 1980. Т-1.
    6. Почаевец В.С. Электрические подстанции: Учеб. для техникумов и колледжей ж.-д. трансп. М.:Желдориздат, 2001. 512 с.
    7. Неклепаев Б.Н., Крючков И.П. Электрическая часть электростанций: Справочные материалы для курсового и дипломного проектирования: Учеб. пособие для вузов. М., 1989. 608 с.
    8. Правила устройства системы тягового электроснабжения железных дорог Российской Федерации. М.: Министерство путей сообщения , 1997. 78 с.
    9. Тимофеев Д.В. Режимы в электрических системах с тяговыми нагрузками. Изд. 2-е, перераб. и доп., М: Энергий, 1972 г., 296 с.
    10. Совершенствование методов расчета и конструкций устройств системы энергоснабжения железных дорог. Тр. ВНИИ транспортного строительства. Вып. 105. Под. ред. д.т.н. В.П. Шурыгина, Москва, 1977 г.
    11. Инструкция по технике безопасности при эксплуатации тяговых подстанций, пунктов электропитания и секционирования электрифицированных железных дорог, утвержденная МПС РФ 17.10.96 г. ЦЭ-402
    12. СТП ОмГУПС1.202. Работы студенческие учебные и выпускные квалификационные. Общие требования и правила оформления текстовых документов. Омск, 2002. 29 с.
    13. СТП ОмГУПС1.102. Работы студенческие учебные и выпускные квалификационные. Основные положения. Омск, 2002. 13 с.
  • 518. Численное моделирование движения планет Солнечной системы
    Дипломы Физика

    Движение Солнца и Земли является примером задачи двух тел. Эту задачу можно свести к задаче одного тела двумя методами. В основе самого простого метода лежит тот факт, что масса Солнца во много раз больше массы Земли. Следовательно, с хорошей точностью можно считать Солнце неподвижным и связать с ним начало системы координат. Если вы знакомы с понятием приведенной массы, то знаете, что существует и более общий метод. А именно, движение двух тел с массами т и М, полная потенциальная энергия которых зависит только от расстояния между ними, можно свести к эквивалентной задаче о движении одного тела приведенной массы µ, определяемой формулой

  • 519. Численное решение уравнения Шредингера средствами Java
    Дипломы Физика

    Âñå êîìïüþòåðíûå ïðîãðàììû ñîñòîÿò èç äâóõ ýëåìåíòîâ: êîäà è äàííûõ. Ëþáàÿ ïðîãðàììà ìîæåò áûòü êîíöåïòóàëüíî îðãàíèçîâàíà ëèáî âîêðóã åå êîäà, ëèáî âîêðóã åå äàííûõ. Èíà÷å ãîâîðÿ, íåêîòîðûå ïðîãðàììû êîíöåíòðèðóþò ñâîþ çàïèñü âîêðóã òîãî, "÷òî äåëàåòñÿ ñ äàííûìè"1, à äðóãèå âîêðóã òîãî, "íà ÷òî ýòîò ïðîöåññ âëèÿåò"2. Ñóùåñòâóþò äâå ïàðàäèãìû (îñíîâîïîëàãàþùèõ ïîäõîäà), êîòîðûå óïðàâëÿþò êîíñòðóèðîâàíèåì ïðîãðàìì. Ïåðâûé ïîäõîä íàçûâàåò ïðîãðàììó ìîäåëüþ, êîòîðàÿ îðèåíòèðîâàíà íà ïðîöåññ (process-oriented model). Ïðè ýòîì ïîäõîäå ïðîãðàììó îïðåäåëÿþò ïîñëåäîâàòåëüíîñòè îïåðàòîðîâ åå êîäà. Ìîäåëü, îðèåíòèðîâàííóþ íà ïðîöåññ, ìîæíî ïðåäñòàâëÿòü êàê êîäîâîå âîçäåéñòâèå íà äàííûå (code acting on data). Ïðîöåäóðíûå ÿçûêè, òàêèå êàê Ñ, óñïåøíî ýêñïëóàòèðóþò òàêóþ ìîäåëü. Îäíàêî, ïðè ýòîì ïîäõîäå âîçíèêàþò ïðîáëåìû, êîãäà âîçðàñòàåò ðàçìåð è ñëîæíîñòü ïðîãðàìì. Âòîðîé ïîäõîä, íàçâàííûé îáúåêòíî-îðèåíòèðîâàííûì ïðîãðàììèðîâàíèåì, áûë çàäóìàí äëÿ óïðàâëåíèÿ âîçðàñòàþùåé ñëîæíîñòüþ ïðîãðàìì. Îáúåêòíî-îðèåíòèðîâàííîå ïðîãðàììèðîâàíèå îðãàíèçóåò ïðîãðàììó âîêðóã ñâîèõ äàííûõ (ò. å. âîêðóã îáúåêòîâ) è íàáîðà õîðîøî îïðåäåëåííûõ èíòåðôåéñîâ (âçàèìîäåéñòâèé) ñ ýòèìè äàííûìè. Îáúåêòíî-îðèåíòèðîâàííóþ ïðîãðàììó ìîæíî õàðàêòåðèçîâàòü êàê óïðàâëÿåìûé äàííûìè äîñòóï ê êîäó (data controlling access to code). Êàê âû óâèäèòå äàëåå, ïåðåêëþ÷àÿ óïðàâëåíèå íà äàííûå, ìîæíî ïîëó÷èòü íåêîòîðûå îðãàíèçàöèîííûå ïðåèìóùåñòâà. Îïûò ïîêàçûâàåò, ÷òî îòñóòñòâèå ñòàíäàðòíûõ áàçîâûõ áèáëèîòåê äëÿ ÿçûêà Ñ++ ÷ðåçâû÷àéíî çàòðóäíÿåò ðàáîòó ñ íèì.  ñèëó òîãî, ÷òî ëþáîå íåòðèâèàëüíîå ïðèëîæåíèå òðåáóåò íàëè÷èÿ íåêîòîðîãî íàáîðà áàçîâûõ êëàññîâ, ðàçðàáîò÷èêàì ïðèõîäèòñÿ ïîëüçîâàòüñÿ ðàçëè÷íûìè íåñîâìåñòèìûìè ìåæäó ñîáîé áèáëèîòåêàìè èëè ïèñàòü ñâîé ñîáñòâåííûé âàðèàíò òàêîãî íàáîðà. Âñå ýòî çàòðóäíÿåò êàê ðàçðàáîòêó, òàê è äàëüíåéøóþ ïîääåðæêó ïðèëîæåíèé, çàòðóäíÿåò ñòûêîâêó ïðèëîæåíèé, íàïèñàííûõ ðàçíûìè ëþäüìè. Ïîëíàÿ ñèñòåìà Java âêëþ÷àåò â ñåáÿ ãîòîâûé íàáîð áèáëèîòåê, êîòîðûé ìîæíî ðàçáèòü íà ñëåäóþùèå ïàêåòû:

    • java.lang -- áàçîâûé íàáîð òèïîâ, îòðàæåííûõ â ñàìîì ÿçûêå. Ýòîò ïàêåò îáÿçàòåëüíî âõîäèò â ñîñòàâ ëþáîãî ïðèëîæåíèÿ. Ñîäåðæèò îïèñàíèÿ êëàññîâ Object è Class, à òàêæå ïîääåðæêó ìíîãîïîòîêîâîñòè, èñêëþ÷èòåëüíûõ ñèòóàöèé, îáîëî÷êó äëÿ áàçîâûõ òèïîâ, à òàêæå íåêîòîðûå ôóíäàìåíòàëüíûå êëàññû.
    • java.io -- ïîòîêè è ôàéëû ïðîèçâîëüíîãî äîñòóïà. Àíàëîã áèáëèîòåêè ñòàíäàðòíîãî ââîäà-âûâîäà ñèñòåìû UNIX. Ïîääåðæêà ñåòåâîãî äîñòóïà (sockets, telnet, URL) ñîäåðæèòñÿ â ïàêåòå java.net.
    • java.util -- êëàññû-êîíòåéíåðû (Dictionary, HashTable, Stack) è íåêîòîðûå äðóãèå óòèëèòû. Êîäèðîâàíèå è äåêîäèðîâàíèå. Êëàññû Date è Time.
    • java.awt -- Abstract Windowing Toolkit, àðõèòåêòóðíî-íåçàâèñèìûé îêîííûé èíòåðôåéñ, ïîçâîëÿþùèé çàïóñêàòü èíòåðàêòèâíûå îêîííûå Java-ïðèëîæåíèÿ íà ëþáîé ïëàòôîðìå. Ñîäåðæèò áàçîâûå êîìïîíåíòû èíòåðôåéñà, òàêèå êàê ñîáûòèÿ, öâåòà, ôîíòû, à òàêæå îñíîâíûå îêîííûå ýëåìåíòû -- êíîïêè, scrollbars è ò.ä.. [6]
  • 520. Шаруваті кристали рідкоземельних матеріалів
    Дипломы Физика

    В технології вирощування шаруватих монокристалів необхідно враховувати широке коло факторів, що визначають кінцевий стан кристалу: чистоту вихідних компонентів; режими синтезу; степінь очистки в процесі росту; температурний градієнт на границі кристал-розплав; стабілізацію температури; швидкість опускання ампули, та ін. В якості вихідних компонент для синтезу шаруватих кристалів GaSе використовувались селен ОСЧ - 22 - 4 і галій ГЛ-000. Контейнерами для синтезу та вирощування монокристалів служили кварцові ампули. Перед завантаженням вихідних компонентів ампули оброблялися слідуючим чином: травлення кислотою на протязі однієї години, 6-7 кратне промивання бідистильованою водою з подальшим пропарюванням і сушкою у вакуумі. Після висушування ампули графітувалися. В подальшому вони завантажувались вихідними речовинами. Кількість компонентів, використовуваних для синтезу, відповідала стехіометричному складу. Вага завантажуваних речовин не перевищувала 50 грамів, а величина вільного об'єму ампул після підпанки підбиралась мінімальною. Ампули вакуумувались до залишкового тиску порядку 10-6 мм рт. ст. і відпаювались. Синтез GаSе проводили в печі типу СУОЛ з використанням вібраційного перемішування розплаву як під час нагрівання, так і під час охолодження. При нагріванні перемішування в значній мірі прискорює процес утворення нових речовин, а при охолодженні сприяє видаленню із розплаву газових включень і утворенню щільних зливків. Це необхідно для того, щоб леткі компоненти селену при температурі, коли тиск його пари не перевищував атмосферного, встигли прореагувати з більшою кількістю або повністю з речовиною, яка залишилась.