Geum.ru

Информация

  • 43041. Положительное влияние раннего изучения иностранного языка на развитие личности ребенка
    Педагогика

    В институте в Филадельфии (США) под руководством известного в Штатах врача Гленна Домана доказали, что самое эффективное обучение происходит в период роста мозга. Так научить чему-либо двух- и трехлетнего ребенка гораздо легче. А что касается языка, способность заговорить, овладеть речью наследуется ребенком от рождения. Эта способность проявляется уже на первом году жизни, а двухлетний ребенок начинает общаться с окружающими посредством речи. Он мог бы заговорить сразу на двух-трех языках, если бы люди, заботящиеся о нем и воспитывающие его, образовали для него (искусственно или естественно) разные языковые среды. И при обучении он так же легко и естественно овладеет любым иностранным языком. Потом детям старше 8-11 лет становится труднее овладеть вторым языком (иностранным). Дело в том, что к 68 годам ребёнок свободно владеет речью на родном языке, беспрепятственно общается с окружающими его людьми, а уникальные свойства, присущие механизму способности заговорить, застывают, так как они уже обеспечили жизнеспособность организма в среде и их назначение для организма исчерпано. И усвоение второго языка происходит в процессе целеустремлённого обучения больше на основе действия таких функций как память, мышление, воля.

  • 43042. Положительное и отрицательное воздействие ТНК на экономику зарубежных стран
    Экономика

    Глобальная экспансия ТНК с их ярко выраженной склонностью к «интернационализации» привела к угрозе подрыва экономического суверенитета национальных государств. В наиболее крайней форме он проявился в развивающихся странах, где резко увеличилось число экспроприации иностранных активов. Как свидетельствуют отчеты экспертов Международной Конференции ООН по торговле и развитию (ЮНКТАД), международные гиганты глубоко внедрились в хозяйственную структуру развивающихся стран. Во многих из них, учитывая обострение сырьевого и энергетического кризиса, ТНК идут на сотрудничество с правительствами или предпринимателями этих стран в развитии предприятий в добывающих отраслях экономики. Оценивая стремление развивающихся стран покончить с экономической отсталостью, ТНК создают в этих странах филиалы и дочерние компании в обрабатывающей промышленности. При этом, исходя из своих интересов, ТНК переносят в развивающиеся страны трудоемкие, энергоемкие и материалоемкие производства, а также экологически опасные производства.

  • 43043. Положительные и отрицательные стороны рыночной экономики
    Экономика

    Óêàçàííûå ýêîíîìèñòû ñ÷èòàþò, ÷òî ïî ìåðå ñóæåíèÿ êîíêóðåíöèè îñëàáåâàåò è ðûíî÷íàÿ ñèñòåìà â êà÷åñòâå ìåõàíèçìà ýôôåêòèâíîãî ðàñïðåäåëåíèÿ ðåñóðñîâ. Ïîñòàâùèêè è ïîòðåáèòåëè ðåñóðñîâ ñòàíîâÿòñÿ ìåíåå ïîä÷èíåííûìè âîëå ïîòðåáèòåëåé, ñóâåðåíèòåò ïðîèçâîäèòåëåé è âëàäåëüöåâ ðåñóðñîâ ñòàâèò ïîä ñîìíåíèå è ïîäðûâàåò ñóâåðåíèòåò ïîòðåáèòåëåé. Ïðîöåññ îòîæäåñòâëåíèÿ «íåâèäèìîé ðóêîé» ëè÷íûõ è îáùåñòâåííûõ èíòåðåñîâ íà÷èíàåò òåðÿòü ñâîþ ñèëó. Ê òîìó æå îáåñïå÷èâàåìàÿ ðûíî÷íîé ñèñòåìîé çàùèòà îò ïðèíóæäåíèÿ ïðè ðàçâèòîé êîíêóðåíöèè îñíîâûâàåòñÿ íà øèðîêîì ðàññåÿíèè ýêîíîìè÷åñêîé âëàñòè. À êîíöåíòðàöèÿ ýêîíîìè÷åñêîé âëàñòè, êîòîðîé ñîïðîâîæäàåòñÿ óïàäîê êîíêóðåíöèè, ïîçâîëÿåò îáëàäàòåëÿì ýòîé âëàñòè îñóùåñòâëÿòü ìåðû ïðèíóæäåíèÿ.

    1. Íåðàâíîå ðàñïðåäåëåíèå äîõîäà.  äàííîì ñëó÷àå îòìå÷àåòñÿ, ÷òî ðûíîê îðèåíòèðîâàí íå íà ïðîèçâîäñòâî ñîöèàëüíî-íåîáõîäèìûõ òîâàðîâ, à íà óäîâëåòâîðåíèå çàïðîñîâ òåõ, êòî èìååò äåíüãè. Ðûíî÷íàÿ ñèñòåìà ïîçâîëÿåò íàèáîëåå ñïîñîáíûì, èëè ëîâêèì, ïðåäïðèíèìàòåëÿì íàêàïëèâàòü îãðîìíîå êîëè÷åñòâî ìàòåðèàëüíûõ ðåñóðñîâ, ïðè÷åì ïðàâî íàñëåäîâàíèÿ ñ òå÷åíèåì âðåìåíè óñèëèâàåò ýòîò ïðîöåññ íàêîïëåíèÿ. Óêàçàííûé ïðîöåññ, ïîìèìî êîëè÷åñòâåííûõ è êà÷åñòâåííûõ ðàçëè÷èé â ëþäñêèõ ðåñóðñàõ, ïîñòàâëÿåìûõ äîìîõîçÿéñòâàìè, ïîðîæäàåò â ðûíî÷íîé ýêîíîìèêå ÷ðåçâû÷àéíî íåðàâíîå ðàñïðåäåëåíèå äåíåæíûõ äîõîäîâ.  ðåçóëüòàòå ñåìüè ðåçêî ðàçëè÷àþòñÿ ìåæäó ñîáîé ïî ñïîñîáíîñòè ðåàëèçîâàòü ñâîè ïîòðåáíîñòè íà ðûíêå. Áîãàòûå îáëàäàþò íàìíîãî áîëüøèì êîëè÷åñòâîì «äîëëàðîâûõ ãîëîñîâ», ÷åì áåäíûå. Îòñþäà ìîæíî ñäåëàòü âûâîä, ÷òî ðûíî÷íàÿ ñèñòåìà âûäåëÿåò ðåñóðñû íà ïðîèçâîäñòâî ïðåäìåòîâ ðîñêîøè äëÿ áîãàòûõ çà ñ÷åò ðåñóðñîâ íà ïðîèçâîäñòâî ïðåäìåòîâ ïåðâîé íåîáõîäèìîñòè äëÿ áåäíûõ. Ñòðàíà, êîòîðàÿ «òðàòèò äåíüãè íà øàìïàíñêîå, êîãäà îíà åùå íå îáåñïå÷èëà ìîëîêîì ñâîèõ äåòåé, - ýòî ïëîõî óïðàâëÿåìàÿ, íåðàçóìíàÿ ñòðàíà. Åäèíñòâåííûé ñïîñîá, êàêèì òàêàÿ ñòðàíà ìîæåò ñäåëàòü ñåáÿ áîãàòîé è ïðîöâåòàþùåé, ñîñòîèò â òîì, ÷òîáû õîðîøî âåñòè ñâîå äîìàøíåå õîçÿéñòâî, òî åñòü îáåñïå÷èâàòü ñâîè ïîòðåáíîñòè â ïîðÿäêå èõ âàæíîñòè è íå äîïóñêàòü òðàòû äåíåã íà ïðèõîòè è ïðåäìåòû ðîñêîøè, ïîêà ëþäè íå áóäóò îáåñïå÷åíû íàäëåæàùèì îáðàçîì ïðåäìåòàìè ïåðâîé íåîáõîäèìîñòè.» Çäåñü èìååòñÿ ââèäó, ÷òî ïðåòåíçèÿ íà «ýôôåêòèâíîñòü» ðàñïðåäåëåíèÿ ðåñóðñîâ - ýòî ïóñòîé çâóê, åñëè ðàñïðåäåëåíèå äîõîäà, à ñëåäîâàòåëüíî, è îáùåñòâåííîãî ïðîäóêòà íå îòâå÷àåò ñêîëüêî-íèáóäü ðàçóìíûì êðèòåðèÿì ÷åñòíîñòè è ñïðàâåäëèâîñòè.
    2. Ðàñòî÷èòåëüíîå è íåýôôåêòèâíîå ïðîèçâîäñòâî, íåñòàáèëüíîñòü ðàçâèòèÿ. Êðèòèêè ññûëàþòñÿ íà äâà âàæíûõ ïðèìåðà íàðóøåíèÿ ðûíî÷íîãî ìåõàíèçìà. Âî-ïåðâûõ, ðûíî÷íàÿ ñèñòåìà ìîæåò íå ñóìåòü ó÷åñòü âñå âûãîäû è èçäåðæêè, ñâÿçàííûå ñ ïîòðåáëåíèåì îïðåäåëåííûõ òîâàðîâ è óñëóã. Äåëî â òîì, ÷òî íåêîòîðûå âûãîäû è èçäåðæêè ïðåäñòàâëÿþòñÿ ïî îòíîøåíèþ ê ðûíêó âíåøíèìè â òîì ñìûñëå, ÷òî îíè ïðèõîäÿòñÿ íà äîëþ äðóãèõ ýêîíîìè÷åñêèõ àãåíòîâ, íå ÿâëÿþùèìèñÿ íåïîñðåäñòâåííî ïîêóïàòåëÿìè è ïðîäàâöàìè. Òàêèå âûãîäû è èçäåðæêè íàçûâàþòñÿ âíåøíèìè, èëè âûãîäàìè è èçäåðæêàìè ïåðåëèâà. Íàïðèìåð, ïîòðåáèòåëüñêèé ñïðîñ, ó÷èòûâàåìûé ðûíêîì. Âûðàæàåò ëèøü óäîâëåòâîðåíèå, ïîëó÷àåìîå èíäèâèäóàëüíûìè ïîòðåáèòåëÿìè, êîòîðûå ïîêóïàþò òîâàðû è óñëóãè; îí íå îòðàæàåò òîãî ôàêòà, ÷òî ïîêóïêà òàêèõ óñëóã, êàê âàêöèíàöèÿ è îáðàçîâàíèå, ïðèíîñÿò âûãîäó èëè óäîâëåòâîðåíèå âñåìó îáùåñòâó â öåëîì. Ðàâíûì îáðàçîì è ïðîèçâîäèòåëè ïðèíèìàþò ðåøåíèÿ î ïðîèçâîäñòâå ïðîäóêöèè, îñíîâàííûå ëèøü íà ó÷åòå òåõ èçäåðæåê, êîòîðûå èì äèêòóåò ðûíîê, è íå îòðàæàþùèå âíåøíèå èçäåðæêè, òî åñòü èçäåðæêè, êîòîðûå ïðèõîäÿòñÿ íà äîëþ îáùåñòâà â öåëîì, êàê, ñêàæåì, ðàçëè÷íûå ôîðìû çàãðÿçíåíèÿ îêðóæàþùåé ñðåäû. Ïðîáëåìà çäåñü ñâîäèòñÿ ê ñëåäóþùåìó: òàì, ãäå ñïðîñ è ïðåäëîæåíèå íå îòðàæàþò òî÷íî âñå âûãîäû è âñå èçäåðæêè ïðîèçâîäñòâà, òî åñòü ãäå ñóùåñòâóþò âíåøíèå âûãîäû è èçäåðæêè, ðûíî÷íàÿ ñèñòåìà íå ñïîñîáíà îáåñïå÷èòü òàêîå ðàñïðåäåëåíèå ðåñóðñîâ, êàêîå íàèëó÷øèì îáðàçîì óäîâëåòâîðÿåò ïîòðåáíîñòè îáùåñòâà.
  • 43044. Полоролевая социолизация детей дошкольного возраста
    Педагогика

    От 4х до 6-тиПроисходит формирование отношений между мальчиком и девочкой. Дети способны распределять роли в играх по половому принципу (исключения допускаются в том случае, когда не хватает мальчиков для «мужских» или девочек для «женских», это случается и тогда, когда девочки или мальчики, играя в одиночку вынуждены сами выполнять обе роли. Имитируют в игровой деятельности женские и профессиональные мужские качества и умения. Игры девочек происходят в ограниченном пространстве, мальчики осваивают всю близь лежащую территорию и горизонтальную, и вертикальную. Начинают интересоваться вопросами об устройстве и работе организма. К 5-ти годам выраженный интерес к анатомическим различиям полов исчезает. Начинают понимать, что когда-то они были другими-маленькими и скоро снова изменятся, вырастут и станут большими, а затем и взрослыми, т.е. начинается процесс личностного времени. Появляются вопросы о детстве родителей. К 5-ти 6-ти годам дети твердо знают свою половую принадлежность и осознают ее необратимость и неизменность. Начинается этап ролевых или сексуальных игр. Дети играют в то, что они увидели, при этом подражают отношениям родителей. Могут появиться увлечения, пылкая влюбленность, причем предметом любви может любой взрослый человек из окружения ребенка. Начинается разделение детей в общении: мальчики дружат только с мальчиками, девочки дружат только с девочками. Мальчики активно (подсознательно) ищут пример для подражания. Вырабатывать у мальчиков и девочек уважительное и доброжелательное отношение друг к другу, формировать правильное отношение между мальчиками и девочками на личном примере. Создавать игровые ситуации, необходимые для закрепления полоролевого поведения. Показывать характерные отличия профессиональных качеств и умений людей разных профессий. Беседуя с детьми бот отличиях мальчиков идевочек, подводить их к мысли о том, что главной отличительной характеристикой является поведение. Поощрять в девочках женственные черты, в мальчиках мужественные. Беседовать с детьми об устройстве и работе организма (как человек дышит, слышит, видит, чем он отличается от кукол и других игрушек). Показывать фотографии, на которых дети запечатлены маленькими. Беседовать о том, чем взрослые отличаются от детей, какими будут дети, когда вырастут. Помнить о том, что особое значение имеет контакт ребенка с матерью, ее материнская любовь. Она закладывает основы доброжелательных отношений ребенка с окружающим миром, дает ему ощущение безопасности уверенности. Отвечать на детские вопросы, связанные с различием полов, Рождением ребенка (доступно в соответствии с возрастом ребенка). Понимать, что сексуальные игры детей являются закономерными: они служат для удовлетворения представлений о половых различиях и для правильного становления половой роли. Реакция родителей должна быть обязательной, но правильной, спокойной и недопустимы возмущения и наказания, строгий запрет. Увлечения и любовь детей не имеют эротического значения. Обмениваясь с ребенком взаимными уверениями в любви, не следует чрезмерно ласкать его, т.к. это его эротизирует.

  • 43045. Полоцкий историко-культурный музей-заповедник
    История
  • 43046. Полузабытая страница в истории германо-российских отношений. Г.Шлиманн и Россия
    История
  • 43047. Полуостров Юкатан
    География

    А у границы Белиза и Гватемалы, в горах Майя, недавно открыта одна из самых больших пещерных систем Западного полушария пещеры Чикибуль. Карстовые полости уходят здесь на двести метров в глубь известнякового массива и тянутся в длину на десятки километров. Исследование этого подземного царства еще не закончено, но уже сейчас спелеологи обнаружили в недрах гор несколько гигантских пещерных залов. Крупнейший из них зал Белиз достигает в длину полукилометра, а в ширину двухсот метров.

  • 43048. Полупредикативные единицы в сербском переводе романа М.Е. Салтыкова-Щедрина
    Разное

     

    1. Акимова Г.Н. Новое в синтаксисе современного русского языка. М.: Высшая школа, 1990. 166с.
    2. Арбузова И.В. Сербохорватский язык: Учебник для ун-тов. Л.: Изд-во Лен. Ун-та, 1965. 291с.
    3. Бабайцева В.В., Максимов Л.Ю. Современный русский язык: Пунктуация. М.: Просвещение, 1986. 255с.
    4. Бархударов Л.С., Колшанский Г.В. К проблеме структуры сложного предложения: Сб. ст. по языкознанию. М.: ,1956.
    5. Бархударов Л.С., Штелинг Д.А. Грамматика английского языка. М.: Высшая школа, 1973.- 423с.
    6. Белошапкова В.А. Сложное предложение в современном русском языке.(Некоторые вопросы теории). М.: Просвещение, 1967. 160с.
    7. Белошапкова В.А. Современный русский язык: Учебник для филолог. Спец. Ун-тов. / [В.А.Белошапкова, Е.А. Брызгунова и др.]; Под ред. В.А.Белошапковой. 2-е изд., испр. И доп. М.: Высшая школа, 1989. 799с.
    8. Блох М.Я. Вопросы изучения грамматического строя языка. М.: МГПИ, 1976. 108 с.
    9. Блох М.Я. Теоретические основы грамматики.: [Учебное пособие для пед. Ин-ов]. М.: Высшая школа, 1986. 159с.
    10. Богородицкий В.А. Общий курс русской грамматики. 5-е изд. М.-Л.: Наука, 1935. 360с.
    11. Буслаев Ф.И. Историческая грамматика русского языка. М.: Учдепгиз, 1959. 626с.
    12. Валгина Н. Синтаксис современного русского языка. М.: высшая школа, 1973. 423с.
    13. Виноградов В.В. Исследования по русской грамматике: Избр. Тр. М.: Наука, 1975. 559с.
    14. Виноградов В.В. Некоторые задачи изучения синтаксиса простого предложения. // ВЯ. - №1. 1954. с.3 29.
    15. Виноградов В.В. Основные вопросы синтаксиса предложения. // Вопросы грамматического строя. М.: Изд-во АН СССР, 1955.-482с.
    16. Горбунова М.П. Модальные слова в сложном предложении с придаточными причины. // РЯШ. 1991. - №2.- с.87-90.
    17. Дмитриев П.А., Сафронов Г.Ш. Сербохорватский язык.: Учебн. Пособие. / Под ред. Н.И. Сокаль. Л.: ЛГУ, 1975. 151с.
    18. Егорова Е.Г. Сложноподчиненное предложение с придаточным времени в современном сербохорватском языке.-Автореферат…-СпбГУ, 1995.-20с.
    19. Иванова И.П. и др. Теоретическая грамматика современного английского языка: Учебник для ин-тов.- М.: Высшая школа, 1981.- 285с.
    20. Ильиш Б.А. Структура сложноподчиненного предложения в современном английском языке. Л.: ЛГПИ, 1962. 356с.
    21. Инвариантные синтаксические значения и структура предложения. // Доклады на конференции по теоретической проблематике синтаксиса. / Отв. Ред. Н.Д. Арутюнова.-М.: Наука, 1969.-180с.
    22. Калашникова Г.Д. Переходные конструкции в сложном предложении усложненного типа. // РЯШ. 1978. - №3. с.96-104
    23. Классическое наследие и современность. Л.: Наука, 1981. 276с.
    24. Козырева Т.Г., Астафьева Н.И. Современный русский язык: Понятие о сложном предложении. Минск: Вышейшая школа, 1987. 156с.
    25. Конюшкевич М.И. Синтаксис близкородственных языков. Минск: Университетское, 1989. 156с.
    26. Кручинина И.Н. Некоторые тенденции развития современной теории сложного предложения. // ВЯ. - №2. 1973. с.111 120
    27. Кузнецов С.Н. Скандинавские языки: Актуальные проблемы грамматической теории. М.: , 1984.
    28. Кузнецов С.Н. Теоретическая грамматика датского языка: Синтаксис.- М.: Наука, 1984. 224с.
    29. Лаврентьева Н.М. Синтаксические отношения и связи уровня простого предложения. Саранск: Изд-во Сарат. Ун та, 1987. 162с.
    30. Левицкий Ю.Н. Синтаксическая система языка.- Пермь: ПГУ, 1983. - с.
    31. Ломтев Т.П. Структура предложения в славянских языках как выражение структуры предложения. // Славянское языкознание. М.: Наука, 1968.
    32. Ломтев Т.П. Структура предложения в современном русском языке. / Под ред. Н.Д. Арутюновой. М.: Наука, 1979. 198с.
    33. Методы сопоставительного изучения языка. М.: , 1988.
    34. Мурзин Л.Н. Синтаксическая деривация.-Автореферат…- Л., 1976.
    35. Мухин А.М. Структуры предложения и их модели. Л.: Наука, 1968. 230с.
    36. Пешковский А.М. Русский синтаксис в научном освещении. 7-е изд., неперераб. М.: Учпедгиз, 1956.-511с.
    37. Покусаев Е.И. “Господа Головлевы”. Л.: Просвещение, 1977. с.
    38. Попова Т.Г. Сербохорватский язык: Учебник для студентов. М.: Высшая школа, 1986.- 272с.
    39. Поспелов Н.С. Сложноподчиненное предложение и его структурные типы. // ВЯ. - №2. 1959. с.19 27.
    40. Потебня А.А. Из записок по русской грамматике. т. 1-2. М.: Просвещение, 1958. 536с.
    41. Предложение и его структура в языке: Рус. Яз.: Межвуз. Сб. научн. Трудов./ Редкол.: В.В. Бабайцева и др. М.: МГПИ,1986.- 97с.
    42. Предложение и текст: семантика, прагматика и синтаксис.: Межвуз. Сб. / ЛГУ им. А.А. Жданова; отв. Ред. В.В. Богданов. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. 166с.
    43. Предложение как многоаспектная единица языка / Под ред. В.В. Бабайцевой.- М.: МГПИ, 1984.- 101с.
    44. Проблемы современной филологии. М.: Наука, 1965. 178с.
    45. Русская грамматика: Синтаксис. М.:
    46. Салтыков Щедрин и русская литература: [Сб.ст.] / Отв. Ред. В.Н. Баскаков. Л.: Наука, 1991. 315с.
    47. Салтыков Щедрин, 1826 1976: материалы и библиография. / [Редкол.: А.С.Бушмин (отв. Ред.) и др.]. Л.: Наука, 1976. 340с.
    48. Синтаксис и норма: [Сб.ст.] / Отв. Ред. Д р филолог.н. Г.А.Золотова.- М.:Наука, 1974. 283с.
    49. Синтаксис предложения и сверхфразового единства: Сб. ст. / Рост н/Д. Гос.пед. ин т; [Отв. Ред. Ю.Н.Власова]. Ростов н/Дону: Рост. Н/Д. ГПИ, 1977. 163с.
    50. Синтаксис предложения и текста: Сб. науч. Тр. Воронеж: Воронеж гос. Пед. Ин т, 1985. 150с.
    51. Синтаксис предложения: Сб. науч. Трудов. / Калинин. Гос. Ун т; [Редкол.: Г.П.Уханов (отв. Ред.) и др.]. Калинин: КГУ, 1983. 110с.
    52. Синтаксис сложного предложения: Учеб. Пособие. / [Науч. Ред. Н.А.Андроманова]. Казань: Изд во Казан. Ун-та, 1985. 135с.
    53. Синтаксические отношения в сложном предложении.: Сб. науч. Тр. / Калинин. Гос. Ун-т; [Редкол.: Р.Д. Кузнецова (отв. Ред.) и др.]. Калинин: КГУ, 1989. 156с.
    54. Сложное предложение в конструктивно семантическом аспекте: Сб.науч. тр. / Калинин. Гос. Ун т; [Редкол.: Г.П.Уханов (отв. Ред.) и др.]. Калинин: КГУ,1984. 107с.
    55. Сложное предложение в системе других синтаксических категорий: Межвуз. Сб. науч. Трю / Ленингр. Гос. Пед. Ин т им. А.И.Герцена; [Редкол.: С.Г.Именко (отв. Ред.) и др.]. Л.: ЛГПИ, 1984. 130с.
    56. Сложное предложение в тексте: Межвуз. Сб. науч. Тр. / Калинин. Гос. Ун т; [Редкол.: Р.Д.Кузнецова (отв. Ред.) и др.]. Калинин: КГУ, 1988. 146с.
    57. Сложное предложение и диалогическая речь: Сб. науч. Тр. / .Твер. гос.ун т; [Редкол.: Р.Д.Кузнецова (отв. Ред.) и др.]. Тверь: ТГУ, 1990. 113с.
    58. Сложное предложение. / [Л.Л.Бабалова, А.В.Величко и др.]; Под ред. С.А.Шуваловой. М.: Изд во МГУ, 1983. 200с
    59. Смоленская А.К. О синтаксическом аспекте маскулинизации в сербохорватском языке. // Славянская филология. 1986. вып. 5. с.129 138.
    60. Современный русский язык. / [Редкол.: Р.Н.Попов,Д.П.Валькова и др.]. М.: Просвещение, 1978. 464с.
    61. Современный русский язык: Синтаксис. [Учебник для вузов по спец. “Журналистика”] / Под ред. Д.Э.Розенталя. М.: Высшая школа, 1979. 256с.
    62. Средства выражения синтаксических связей в сложном предложении.: Межвуз. Сб. науч. Тр. / Калинин. Гос. Ун-т. Калинин: КГУ, 1987. 162с.
    63. Текстовый аспект в изучении синтаксических единиц: Межвуз. Сб. науч. Тр. / [Редкол.: С.Г.Именко и др.]. Л.: Изд во ЛГУ, 1990. 166с.
    64. Учебник сербохорватского языка. / [Редкол.: В.Н.Зенчук и др.]. М.: Изд-во МГУ, 1986. 415с.
    65. Фигуровский И.А. Синтаксис целого текста и ученические письменные работы. М.: ,1961. 171с.
    66. Фортунатов Ф.Ф. Сравнительное языковедение: Избр. Тр., т.I. М.: Наука, 1956. 340с.
    67. Холодов Н.Н., Джамалов Ф.Р. Сложное предложение с союзом “не только…но и” в современном русском языке. // РЯШ. 1992. - №1. с.87 92.
    68. Хомский Н. Синтаксические структуры. // Новое в зарубежной лингвистике, вып. 2. М., ИЛ, 1962.
    69. Черемисина М.И. Некоторые вопросы теории сложного предложения в языках разных систем. Новосибирск: , 1979. с.
    70. Широкова Н.П. Синтаксические конструкции результативности и их роль в тексте. М.: ,1993. с.
    71. Шувалова С.А. Смысловые отношения в сложном предложении и способы их выражения. / Под ред. В.А.Белошапковой. М.: Изд- во МГУ, 1990. 159с.
    72. Юрченко В.С. Структура предложения и система частей речи. // Филологические науки. 1992. - №2. с.49 58.
    73. Ясковец Е.Г. Выражение последовательности событий в сложноподчиненном предложении с союзом кад/када в сербохорватском языке. // Вестник СпбГУ. 1993. - №9. вып. 2. с.60 65.
    74. Ясковец Е.Г. Придаточные предложения, вводимые словом кад/када, с дополнительным значением времени в сербохорватском языке. Волгоград: ,1992. 12с.
  • 43049. Полупроводники
    Физика

    Плавление многих кристалических полупроводников сопроводается резким увеличением их электропроводности Q до значений типичныхдля металлов (см рис. 5а). Однако для ряда полупроводников (например HgSe, HgTe и. т. д.) характерно сохранение или уменьшение Q при плавлении и сохранение полупроводниками характера температурной зависимости Q (см рис. 5б). Некоторые Жидкие полупроводники при дальнейшем повышении температуры теряют полупроводниковые свойства и приобретают металлические (например сплавы Te - Se, ботатые Te). Сплавы же Te - Se, богатые Se ведут себя иначе, их электропроводность имеет чисто полупроводниковый характер.

  • 43050. Полупроводники, р-n переход
    Физика

    Этот ток компенсируется обусловленным неосновными носителями встречным током Iнеосн. Неосновных носителей очень мало, но они легко проникают через границу областей, «скатываясь» с потенциального барьера. Величина Iнeocн определяется числом рождающихся ежесекундно неосновных носителей и от высоты потенциального барьера почти не зависит. Величина Iосн, напротив, сильно зависит от высоты барьера. Равновесие устанавливается как раз при такой высоте потенциального барьера, при которой оба тока Iосн и Iнеосн компенсируют друг друга. Подадим .на кристалл внешнее напряжение такого направления, чтобы «+» был подключен к р-области, а «» был подключен к n-области) (такое напряжение называется прямым). Это приведет к возрастанию потенциала (т.е. увеличению Wрд и уменьшению Wpэ) р-области и понижению потенциала (т.е. уменьшению Wpд и увеличению Wpэ) n-области. В результате высота потенциального барьера уменьшится и ток Iосн возрастет. Ток же Iнеосн останется практически без изменений (он, как отмечалось, от высоты барьера почти не зависит). Следовательно, результирующий ток станет отличен от нуля. Понижение потенциального барьера пропорционально приложенному напряжению (оно равно eU). При уменьшении высоты барьера ток основных носителей, а следовательно и результирующий ток, быстро нарастает. Таким образом, в направлении от p-области к n-области р n-переход пропускает ток, сила которого быстро нарастает при увеличении приложенного напряжения. Это направление называется прямым (или пропускным, или проходным).

  • 43051. Полупроводниковые датчики температуры
    Радиоэлектроника

    6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

    1. Трофимов Н.А., Лаппо В.В. Измерение параметров теплофизических процессов в ядерной энергетике.- М.: Атомиздат, 1979.
    2. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.
    3. Виглеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989.
    4. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1969.
    5. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Сов.радио, 1972.
    6. Гордов А.Н., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М.: Энергоатомиздат, 1992.
    7. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973.
    8. Орлова М.П. Низкотемпературная термометрия. М.: Изд.стандартов, 1975.
    9. Зарубин Л.И., Немиш Ю.И. Полупроводниковая криогенная термометрия. Обзор в кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1974, вып.16.
    10. Вайнберг В.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Полупроводниковый материал для термометров сопротивления на диапазон (14…300) К. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, 1979, вып.30.
    11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1, М.: Мир, 1984.
    12. Велшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М.: Энергия, 1980.
    13. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.
    14. Соколова А.А., Смирнов Н.И., Ларионов И.Б. Высокочувствительные датчики температуры из кремния, легированного золотом. В кн. Совершенствование средств и методики измерения температуры при стендовых испытаниях изделий. Тезисы отраслевого семинара. Загорск, 1978.
    15. Silicon temperature sensors.- Electron.Appl.News, 1982, v.19, №2.
    16. Raabe G. Silizium temperatur sensoren von 50 C his 350 C NTG Faahber, 1982, №79.
    17. Entre 55 C et 300 C penser au copteur de temperature silizium composauts.- Techniques d`applications mesures 15, №4, 1985.
    18. Mallon I., Germantion D. Advances in high temperature solid pressure transducers Adv. In Instrum., 1970, v.25, part 2.
    19. Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.
    20. Суханова Н.Н., Суханов В.И., Юровский А.Я. Полупроводниковые термопреобразователи с расширенным диапазоном рабочих температур. Датчики и системы, №7, 8, 1999.
  • 43052. Полупроводниковые диоды
    Радиоэлектроника
  • 43053. Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
    Разное

    рехода эмиттер база. Батарея Б2 включена так, что правый р-n-переход в схеме (см. рис. 3) является обратным. Он отделяет базу от правой области с проводимостью р-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого pn-перехода, сила тока и цепи коллектора была бы близка к нулю. Так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом р n переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р-типа дырки проникают в базу, гдр они являютс уже леосновными носителями. По-скольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают н коллектор за счет диффузии. Правый рn-переход закрыт для основных носителей заряда базы электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см.рис. 3) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости. Сила тока в коллекторе, практи чески равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током в эмиттере. Сопротивление резистора R мало влияет на ток в коллекторе , и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе. При большом сопротивление резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение сигнала в цепи эмиттера.Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке R можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.Они заменяют электронные лампы, широко используются в технике.

  • 43054. Полупроводниковые материалы в металлургии
    Разное

    Примеси, обусловливающие возникновение электронной проводимости в кристаллах, называются донорами. В кремнии и германии ими являются элементы V группы таблицы Менделеева сурьма, фосфор, мышьяк и висмут. Трёхвалентный атом примеси бора в решётке кремния ведёт себя по-иному. На внешней оболочке атома бора имеются только три валентных электрона. Значит, не хватает одного электрона, чтобы заполнить четыре валентные связи с четырьмя ближайшими соседями. Свободная связь может быть заполнена электроном, перешедшим из какой-либо другой связи, эта связь заполнится электронами следующей связи и т.д. Положительная дырка (незаполненная связь) может перемещаться по кристаллу от одного атома к другому (при движении электрона в противоположном направлении). Когда электрон заполнит недостающую валентную связь, примесный атом бора станет отрицательно заряженным ионом, заменяющим атом кремния в кристаллической решётке. Дырка будет слабо связана с атомом бора силами электростатического притяжения и будет двигаться около него по орбите, подобной орбите электрона в атоме водорода. Энергия ионизации, т.е. энергия, необходимая для отрыва дырки от отрицательного иона бора, будет примерно равна 0,05 эв. Поэтому при комнатной температуре все трёхвалентные примесные атомы ионизированы, а дырки принимают участие в процессе электропроводности. Если в кристалле кремния имеется примесь трёхвалентных атомов (III группа периодической системы), то проводимость осуществляется в основном дырками. Такая проводимость носит название дырочной или проводимости р (р - первая буква слова positive). Примеси, вызывающие дырочную проводимость, называются акцепторами. К акцепторам в германии и кремнии относятся элементы третьей группы периодической системы: галлий, таллий, бор, алюминий.

  • 43055. Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды
    Разное

    Отличительной особенностью туннельного диода являются очень малые удельные сопротивления p- и n-слоев и, соответственно, очень малая ширина перехода - 0,01 ... 0,02 мкм. Концентрация примесей в слоях достигает 1019 см -3 и больше. В этом случае полупроводник вырождается, превращаясь в полуметалл. Уровни примесных атомов сливаются в зоны, а те в свою очередь сливаются с соответствующими основными зонами слоев. В результате уровни Ферми, как и в металле располагаются не в запрещенных зонах p- и n-слоев, а в разрешенных зонах: в валентной зоне p-слоя и в зоне проводимости n-слоя. При этом энергетическая диаграмма симметричного перехода в равновесном состоянии будет примерно такой, как показано на рис. 11а. Как видим, нижняя часть зоны проводимости в n-слое и верхняя часть валентной зоны в p-слое оказались разделенными весьма узким запорным слоем, что позволяет переходить носителям в смежный слой сквозь переход, т.е. не преодолевая потенциальный барьер. Это явление обусловлено туннельным эффектом, откуда и происходит название диодов.

  • 43056. Полупроводниковые приборы (тиристоры,транзисторы, диоды)
    Радиоэлектроника

    Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэтому прямой ток через pn-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво. Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепловое движение, диффундируют по направлению к np-переходу, но частично успевают претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-область узка и свободных электронов в ней не слишком много (не ярко выраженный проводник n-типа), то большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область. У хороших триодов поток дырок, проникающих в правую p-область, составляет 99% и более от потока, проникающего слева в n-область.

  • 43057. Полупроводниковые приборы и электронные лампы
    Радиоэлектроника

    Работа триода, как и всякой электронной лампы, основана на существовании потока электронов между катодом и анодом. Сетка - третий электрод - имеет вид проволочной спирали. Она находится ближе к катоду, чем к аноду. Если на сетку подать небольшое отрицательное напряжение, она будет отталкивать часть электронов, летящих от катода к аноду, и сила анодного тока уменьшится. При большом анодном напряжении сетка становится барьером для электронов. Они задерживаются в пространстве между катодом и сеткой, несмотря на то что к катоду приложен минус, а к аноду - плюс источника питания. При положительном напряжении на сетке она будет усиливать анодный ток. Таким образом, подавая различное напряжение на сетку, можно управлять силой анодного тока лампы. Даже незначительные изменения напряжения между сеткой и катодом приведут к значительному изменению силы анодного тока, а следовательно, и к изменению напряжения на нагрузке (например резисторе), включенной в цепь анода. Если на сетку подать переменное напряжение, то за счет энергии источника питания лампа усилит это напряжение. Происходит это потому, что при переменном напряжении между сеткой и катодом постоянный ток в нагрузке лампы изменяется в такт с этим напряжением, причем в значительно большей степени, чем изменяется напряжение на сетке. Если этот ток пропустить через фильтр верхних частот, то на его выходе потечет переменный ток с большей амплитудой колебаний, а на нагрузке появится большее переменное напряжение.

  • 43058. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды
    История

    Таким образом, неоднородное распределение донорной примеси Nд вдоль оси X кристалла полупроводника по экспоненциальному закону приводит к образованию в объеме кристалла полупроводника постоянного по величине электрического поля, величина напряженности которого Ex не зависит от координаты X, а определяется только величиной абсолютной температуры T кристалла и показателем K экспоненты распределения донорной примеси. При этом один конец полупроводника (X0) окажется заряженным положительно по отношению к другому концу полупроводника (Xk).

  • 43059. Полуточка: модель скорости
    Математика и статистика

    К будущим исследованиям могут быть отнесены: величины и , а также отдельное исследование главной части точки . В данной работе рассматривалась лишь её дуальная составляющая. Но общая модель преобразования Пуанкаре потребовала объединения в одну величину дуальной и главной частей вектора , существенно увеличив его размерность. Автор полагает, что будущие исследования покажут оправданность такого объединения. Кроме того, остаётся совершенно нерассмотренной возможность замены скалярно-векторного сопряжения на скалярно-алгебраическое в преобразовании Пуанкаре и следствия такой замены.

  • 43060. Полуфабрикаты из рыбы и блюда из нее
    Производство и Промышленность

    Ùóêà, ôàðøèðîâàííàÿ öåëèêîì

    • Ïðè ôàðøèðîâàíèè öåëèêîì ó ùóêè ïîñëå î÷èñòêè îò ÷åøóè è ïðîìûâêè â õîëîäíîé âîäå ïðîðåçàòü êîæó âîêðóã ãîëîâû, çàòåì, îòäåëèâ åå ïàëüöàìè îò ìÿñà, àêêóðàòíî ñîäðàòü. Ó õâîñòà õðåáòîâóþ êîñòü îòðóáèòü òàê, ÷òîáû õâîñò îñòàëñÿ ïðè êîæå.
    • Óäàëèâ êîæó, ðûáó âûïîòðîøèòü, âûìûòü, îòäåëèòü ìÿñî îò êîñòåé, ïðèãîòîâèòü èç íåãî ôàðø è íàïîëíèòü èì êîæó ùóêè. Íàôàðøèðîâàííóþ òàêèì îáðàçîì ðûáó ïîëîæèòü íà ñìàçàííûé ìàñëîì ïðîòèâåíü, äîëèòü íåìíîãî áóëüîíà, ïîêðûòü ïðîìàñëåííîé áóìàãîé è ïðèïóñòèòü â æàðî÷íîì øêàôó.
    • Ãîòîâóþ ðûáó íàðåçàòü íà ïîðöèè è ïîäàòü ñ ãàðíèðîì (îòâàðíîé êàðòîôåëü èëè êàðòîôåëüíîå ïþðå). Ïîëèòü ïàðîâûì èëè òîìàòíûì ñîóñîì.