Радиоэлектроника

221. КПД трансформатора. Устройство и работа
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Чтобы передача электрической энергии(электроэнергии) на многие сотни и тысячи километров стали выгодной, необходимо значительно большее напряжение 500, 750 кВ и более. Для этой цели и служит трансформатор - электомагнитное устройство с двумя или более обмотками, предназначенное для преобразования с помощью элетромагнитной индукции переменного тока одного напряжения в переменный ток другого(или других) напряжений. Обмотка трансформатора, к которой подводиться энергия преобразуемого перемнного тока, называется первичной, а обмотка от которой отводится энергия преобразованного переменного тока - вторичной.Существут трансформаторы у которых помимо первичной и вторичной обмоток, существует третья обмотка с промежуточным напряжением.
222. Криоэлектроника
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008
223. Критерии устойчивости линейных систем
Курсовой проект пополнение в коллекции 09.12.2008

Условие устойчивости состояния покоя цепи заключается в том, что после прекращения действия внешних возмущений цепь возвращается в исходное состояние. Для этого необходимо, чтобы возникающие в цепи при нарушении состояния покоя свободные токи и напряжения были затухающими. А это означает, что корни уравнения (1) должны быть либо отрицательными действительными величинами, либо комплексными величинами с отрицательными действительными частями. Из этих представлений вытекает следующий фундаментальный критерий устойчивости любых линейных систем :
224. Курсовая по опеределению эмоционального состояния человека
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Современные устройства позволяют примерно в 85% случаев верно оценивать ответы. Прибор состоит из комплекта чувствительных измерительных приборов, подключённых к датчикам давления. Эластичный браслет с таким датчиком, закреплённый выше локтя, позволяет регистрировать на самописце запись изменения пульса и давления. Датчик, размещаемый на уровне груди, позволяет регистрировать ритм дыхания. Однако в радиолюбительской практике значительно проще регистрировать изменение сопротивления кожи на кистях рук или на запястье. Электроды в виде электропроводящих полосок шириной примерно 20 мм с помощью липкой ленты прикрепляют к коже (запястья, ладони, лба) на расстоянии 10-15 мм. Испытуемому задают серию вопросов, на которые он должен дать ответы «да» и «нет». Расшифровав запись на самописце или по отклонению стрелки прибора, определяют реакцию организма на правильные ответы и на заведомо ложные.
225. Курсовая: Основы стандартизации и функциональной взаимозаменяемости. Расчет размерных цепей
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
226. Курсовик по электротехнике
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Все сказанное о принципе действия асинхронного двигателя справедливо, если обмотка ротора выполнена из ферромагнитного материала с теми же магнитными свойствами, что и сердечник ротора. В действительности обмотка ротора выполняется из неферромагнитного материала (меди или алюминия), поэтому магнитная индукция в пазу с проводниками намного меньше, чем в зубцах. Основная сила, вызывающая момент вращения, возникает в результате взаимодействия магнитного поля ротора с вращающимся магнитным полем статора и приложена к зубцам ротора. На проводник действует только небольшая сила. Однако для анализа работы двигателя и получения расчетных уравнений обычно считают, что в основе принципа действия асинхронного двигателя лежит закон Ампера взаимодействие проводника с током и магнитного поля. Такая трактовка закономерна, поскольку результаты расчета при этом совпадают с полученными из принципа взаимодействия магнитных полей ротора и статора.
227. Курсовой по микроэлектронике
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
228. Лабораторные по проектированию РЭС
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Íåîáõîäèìî ðàçðàáîòàòü ïðèíöèïèàëüíûé âàðèàíò êîíñòðóêöèè ÌÝÓ, èñõîäÿ èç îïðåäåëåííûõ óñëîâèé. Â êà÷åñòâå èñõîäíûõ, èñïîëüçóþòñÿ ñëåäóþùèå äàííûå:
229. Лавинно-пролетный диод
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

Наряду с лавинно-пролетным могут, очевидно, существовать и другие полупроводниковые диоды с динамическим отрицательным сопротивлением. Так, например, этим свойством должен в принципе обладать обратно смещенный р-п переход, в котором пробой связан не с ударной ионизацией, а с эффектом Зинера (туннельным эффектом). Так как участок, где происходит рождение подвижных носителей тока, в этом случае локализован в тонком слое, где электрическое поле максимально, такой полупроводниковый диод (его можно назвать «туннельно-пролетным диодом») должен быть, очевидно, аналогичен по своим свойствам, вакуумному диоду с автоэмиссионным катодом. Если возможно пренебречь инерцией туннельного эффекта, то в отличие от лавинно-пролетного диода в диоде Зинера ток и поле у «катода» следует считать синфазными. Как отмечалось выше, и в этом случае в определенных интервалах значений угла пролета носителей заряда активное сопротивление р-п перехода может быть отрицательным. Однако отсутствие запаздывания в механизме обратной связи, создаваемой объемным зарядом подвижных носителей, ухудшает условия самовозбуждения колебаний. Поэтому генераторы на диодах Зинера осуществить труднее, чем генераторы на лавинно-пролетных диодах.
230. Лазер
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Лазер дает возможность осуществлять сильную концентрацию световой мощности в пределах весьма узких частотных интервалов: при этом возможна также плавная перестройка частоты. Поэтому лазеры широко применяются для получения и исследования оптических спектров веществ. Лазерная спектроскопия отличается исключительно высокой степенью точности (высоким разрешением). Лазеры позволяют также осуществлять избирательное возбуждение тех или иных состояний атомов и молекул, избирательный разрыв определенных химических связей. В результате оказывается возможным инициирование конкретных химических реакций, управление развитием этих реакций, исследование их кинетики.
231. Лазер на алюмо-иттриевом гранате (АИГ) с непрерывной накачкой
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

На рис. 5 представлена упрощенная схема энергетических уровней АИГ-Nd. Эти уровни обусловлены переходами трех 4f электронов внутренней оболочки иона Nd3+. Поскольку эти электроны экранируются восемью внешними электронами (5s2 и 5р6), на упомянутые энергетические уровни кристаллическое поле влияет лишь в незначительной степени. Поэтому спектральные линии, соответствующие рассматриваемым переходам, относительно узки. Уровни энергии обозначаются в соответствии с приближением LS-связи атомной физики, а символ, характеризующий каждый уровень, имеет вид 2s+lLj, где S суммарное спиновое квантовое число, j суммарное квантовое число углового момента, a L орбитальное квантовое число. Заметим, что разрешенные значения L, а именно L = = О, 1, 2, 3, 4, 5, 6, ... обозначаются прописными буквами соответственно S, P, D, F, G, Н, I Таким образом, основное состояние 4I9/2 иона Nd3+ соответствует состоянию, при котором 2S + 1 = 4 (т. е. S = 3/2), L = 6 и J = L S = 9/2. Две основные полосы накачки расположены на длинах волн 0,73 и 0,8 мкм соответственно, хотя другие более высоко лежащие полосы поглощения также играют важную роль. Эти полосы связаны быстрой (~ 10-7 с) безызлучательной релаксацией с уровнем 4F3/2, откуда идет релаксация на нижние уровни (а именно 4I9/2, 4I11/2 и 4I13/2), этот последний уровень не показан на рис.5. Однако скорость релаксации намного меньше (??0,23 мс), поскольку переход запрещен в приближении электродипольного взаимодействия (правило отбора для электродипольно разрешенных переходов имеет вид ?J=0 или ±1) и поскольку безызлучательиая релаксация идет медленно вследствие большого энергетического зазора между уровнем 4F3/2 и ближайшим к нему нижним уровнем. Это означает, что уровень 4F3/2 запасет большую долю энергии накачки и поэтому хорошо подходит на роль верхнего лазерного уровня. Оказывается, что из различных возможных переходов с уровня 4F3/2 на нижележащие уровни наиболее интенсивным является переход 4F3/2 > I11/2 Кроме того, уровень 4I11/2 связан быстрой (порядка наносекунд) безызлучательной релаксацией в основное состояние 4I9/2, а разница между энергиями уровней 4I9/2, и 4I11/2 почти на порядок величины больше, чем kT. Отсюда следует, что тепловое равновесие между этими двумя уровнями устанавливается очень быстро и согласно статистике Больцмана уровень 4I11/2 в хорошем приближении можно считать практически пустым. Таким образом, этот уровень может быть прекрасным кандидатом на роль нижнего лазерного уровня.
232. Лазерные оптико-электронные приборы
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

СтруктураИзмеряемая физическая величинаИспользуемое физическое явление, свойствоДетектируемая величинаОптическое волокноПараметры и особенности измеренийДатчики с оптическим волокном в качестве линии передачиПроходящего типаЭлектрическое напряжение, напряженность электрического поляЭффект ПоккельсаСоставляющая поляризацияМногомодовое1... 1000B; 0,1...1000 В/смПроходящего типаСила электрического тока, напряженность магнитного поляЭффект ФарадеяУгол поляризацииМногомодовоеТочность 1% при 20...85 СПроходящего типаТемператураИзменение поглощения полупроводниковИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовое-10...+300 С (точность 1 С)Проходящего типаТемператураИзменение постоянной люминесценцииИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовое0...70 С (точность 0,04 С)Проходящего типаТемператураПрерывание оптического путиИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеРежим "вкл/выкл"Проходящего типаГидроакустическое давлениеПолное отражениеИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеЧувствительность ... 10 мПаПроходящего типаУскорениеФотоупругостьИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеЧувствительность около 1 мgПроходящего типаКонцентрация газаПоглощениеИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеДистанционное наблюдение на расстоянии до 20 кмОтражательного типаЗвуковое давление в атмосфереМногокомпонентная интерференцияИнтенсивность отраженного светаМногомодовоеЧувствительность, характерная для конденсаторного микрофонаОтражательного типаКонцентрация кислорода в кровиИзменение спектральной характеристикиИнтенсивность отраженного светаПучковоеДоступ через катетерОтражательного типаИнтенсивность СВЧ-излученияИзменение коэффициента отражения жидкого кристаллаИнтенсивность отраженного светаПучковоеНеразрушающий контрольАнтенного типаПараметры высоковольтных импульсовИзлучение световодаИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеДлительность фронта до 10 нсАнтенного типаТемператураИнфракрасное излучениеИнтенсивность пропускаемого светаИнфракрасное250...1200 С (точность 1%)Датчики с оптическим волокном в качестве чувствительного элементаКольцевой интерферометрСкорость вращенияЭффект СаньякаФаза световой волныОдномодовое>0,02 /чКольцевой интерферометрСила электрического токаЭффект ФарадеяФаза световой волныОдномодовоеВолокно с сохранением поляризацииИнтерферометр Маха-ЦендераГидроакустическое давлениеФотоупругостьФаза световой волныОдномодовое1...100 радатм/мИнтерферометр Маха-ЦендераСила электрического тока, напряженность магнитного поляМагнитострикцияФаза световой волныОдномодовоеЧувствительность 10-9 А/мИнтерферометр Маха-ЦендераСила электрического токаЭффект ДжоуляФаза световой волныОдномодовоеЧувствительность 10 мкАИнтерферометр Маха-ЦендераУскорениеМеханическое сжатие и растяжениеФаза световой волныОдномодовое1000 рад/gИнтерферометр Фабри-ПероГидроакустическое давлениеФотоупругостьФаза световой волны (полиинтерференция)ОдномодовоеИнтерферометр Фабри-ПероТемператураТепловое сжатие и расширениеФаза световой волны (полиинтерференция)ОдномодовоеВысокая чувствительностьИнтерферометр Фабри-ПероСпектр излученияВолновая фильтрацияИнтенсивность пропускаемого светаОдномодовоеВысокая разрешающая способностьИнтерферометр МайкельсонаПульс, скорость потока кровиЭффект ДоплераЧастота биенийОдномодовое, многомодовое10-4...108 м/сИнтерферометр на основе мод с ортогональной поляризациейГидроакустическое давлениеФотоупругостьФаза световой волныС сохранением поляризацииБез опорного оптического волокнаИнтерферометр на основе мод с ортогональной поляризациейНапряженность магнитного поляМагнитострикцияФаза световой волныС сохранением поляризацииБез опорного оптического волокнаНеинтерферометрическаяГидроакустическое давлениеПотери на микроизгибах волокнаИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовоеЧувствительность 100 мПаНеинтерферометрическаяСила электрического тока, напряженность магнитного поляЭффект ФарадеяУгол поляризацииОдномодовоеНеобходимо учитывать ортогональные модыНеинтерферометрическаяСкорость потокаКолебания волокнаСоотношение интенсивности между двумя модамиОдномодовое, многомодовое>0,3 м/сНеинтерферометрическаяДоза радиоактивного излученияФормирование центра окрашиванияИнтенсивность пропускаемого светаМногомодовое0,01...1,00 МрадПоследовательного и параллельного типаРаспределение температуры и деформацииОбратное рассеяние РелеяИнтенсивность обратного рассеяния РелеяМногомодовоеРазрешающая способность 1 м
233. Лазерные телевизоры
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

С помощью лазерного проектора вполне реально проецировать изображение на поверхность площадью несколько сотен квадратных метров, причем это не обязательно должен быть привычный экран, это могут быть стены зданий или какие-то другие кривые поверхности. Лазерный луч в любой точке создает резкое, насыщенное и при этом яркое и контрастное изображение.
Единственное, так как технология еще относительно "сырая", очевидцы наблюдают определенные проблемы с правильностью цветопередачи. Хотя для окраски каждого из лучей применяются специальные кристаллы, меняющие длину волны и, соответственно, цвет, добиться исключительно правильного воплощения цветов непросто. Похоже, в этом направлении ведется определенная работа, и через некоторое время проблема если не исчезнет, то, по крайней мере, будет не так заметна. Длительность службы таких проекторов можно увязать с длительностью "жизни" лазера, а она в 3-5 раз превосходит показатели ламп в других видах проекторов из-за лучшего по сравнению с ними КПД. По части размеров такие проекторы создают двоякое впечатление. С одной стороны, сам лазер - устройство далеко не маленькое и абсолютно не легкое, с другой стороны, проекционная часть соединяется с лазером оптоволоконным кабелем длиной до 30 метров и может разместиться на четверти квадратного метра. С учетом возможности создания огромных изображений такие особенности вполне приемлемы.
Пока стоимость таких проекторов составляет не менее $200000, а производятся они в весьма ограниченных количествах. В ближайшее время Laser Technologies AG планирует построить специальный новый завод, после чего можно ожидать и более доступной стоимости на LDT-проекторы. Сейчас применение проекторов, основанных на лазерной технологии, может быть оправдано при организации крупных световых шоу, проецирования компьютерной графики, космического моделирования, в центрах управления, тренажерах, системах виртуальной реальности, крупных конференциях. В будущем же, вероятно, с их помощью будут организовывать кинотеатры, проводить презентации и использовать в других более распространенных сферах.
234. Лазеры на гетеропереходах \полупроводниковые лазеры\
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Известно, что в сильнолегированных (вырожденных) полупроводниках, когда одному и тому же значению энергии соответствуют различные электронные или дырочные состояния, в p- и n-облбластях уровни Ферми находятся в пределах разрешенных зон и при тепловом равновесии эти уровни для электронов и дырок совпадают (рис. 3, а). В области pn-перехода образуется потенциальный барьер, не позволяющий переходить основным носителям из зоны в зону. Если же к переходу приложить напряжении U в прямом направлении, то потенциальный барьер в области pn-перехода уменьшается на значение энергии, соответствующей этому напряжению. Как правило, это напряжении оказывается приложенным к переходу, вследствие чего равновесие носителей тока нарушается. Если при тепловом равновесии распределение электронов и дырок можно было описать с помощью квазиуровня Ферми, то при наличии приложенного электрического поля заполнение состояний нужно рассматривать отдельно для зоны проводимости и отдельно для валентной зоны. При включении прямого смещения возникает диффузионный поток электронов через pn-переход, который стремится поднять квазиуровень Ферми Fn для электронов в pn-области до его уровня в n-области. Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое расстояние, определяемое диффузионной длинной, рекомбинируют с дырками; в результате возникает стационарное состояние, при котором скорость рекомбинации электронов в точности сбалансирована скоростью их инжекции. Совершенно аналогичны рассуждения и для дырок в валентной зоне. При наличии стационарного состояния положение квазиуровней Ферми для двух типов носителей в области перехода меняется (рис. 3, б). Основные носители вытягиваются из контакта, чтобы обеспечить условие нейтральности. В настоящее время лазерные диоды в основном изготовляют из GaAs или Ga1-xAlxAs. Структура лазерного диода на pn-переходе представлена на рис. 4. Обычно pn-переход
235. Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

Åñòü åù¸ îäíà ïðîáëåìà. Ïðè êàæäîé äèôôóçèè íóæíî ïåðåäèôôóíäèðîâàòü òîò ñëîé, êîòîðûé áûë òî-åñòü êîíöåíòðàöèÿ íîñèòåëåé îêàçûâàåòñÿ áîëüøå, ÷åì â ïðåäûäóùåì ñëîå. Çíà÷èò, ñàìàÿ ìàëàÿ êîíöåíòðàöèÿ äîëæíà áûòü â ïëàñòèíå, â êàðìàíàõ îíà áîëüøå, êàðìàíû ìîãóò èñïîëíÿòü ðîëü êîëëåêòîðîâ, äàëåå ñîçäà¸òñÿ áàçîâàÿ îáëàñòü, â íåé êîíöåíòðàöèÿ íîñèòåëåé åù¸ áîëüøå, ÷åì â êîëëåêòîðíîé îáëàñòè, ïîòîì ìû äåëàåì ýìèòòåðíóþ îáëàñòü, è â íåé ñàìàÿ áîëüøàÿ êîíöåíòðàöèÿ íîñèòåëåé çàðÿäà. Íî ýòî çíà÷èò, ÷òî ñîïðîòèâëåíèå êîëëåêòîðíîé îáëàñòè ñàìîå áîëüøîå, è ïîýòîìó î÷åíü âåëèêî RC âåëèêà ïîñòîÿííàÿ âðåìåíè, òðàíçèñòîðû ðàáîòàþò ñëèøêîì ìåäëåííî. Äëÿ ïîâûøåíèÿ áûñòðîäåéñòâèÿ òðàíçèñòîðîâ íàäî ñäåëàòü íà äíå êàðìàíà òîíêèé ñëîé ñ âûñîêîé êîíöåíòðàöèåé íîñèòåëåé çàðÿäà. Ýòà ïðîáëåìà òîæå áûëà ðåøåíà ñ ïîìîùüþ ýïèòàêñèàëüíîãî íàðàùèâàíèÿ ñëî¸â íàðàùèâàíèÿ ñëî¸â ñ òîé æå êðèñòàëëè÷åñêîé îðèåíòàöèåé, ÷òî è ó ïîäëîæêè. Ýòî ýïèòàêñèÿ. Ìîæåì íàðàñòèòü òîíêèé ñëîé ìîíîêðèñòàëëà, íî ñ äðóãîé êîíöåíòðàöèåé íîñèòåëåé çàðÿäà.
236. Лекции по твердотельной электронике
Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008

Направление движения дырки отложено направлению движения электрона. Каждый электрон находящийся в валентной связи характеризуется своим уровнем. Все уровни валентных электронов расположены очень близко и образуют валентную зону, поэтому перемещение дырки можно рассматривать как непрерывный процесс, аналогичный движению классической свободной частицы. Аналогично поскольку в зоне проводимости энергетические уровни расположены очень близко, зависимость энергии от импульса можно считать непрерывной и соответственно движение электрона можно в первом приближении рассматривать как движение классической свободной частицы. Таким образом разгоняемый (говорят разогреваемый) электрическим полем электрон в твердом теле на энергетической диаграмме перемещается от дна зоны проводимости к ее потолку. Аналогично дырка разогреваемая полем перемещается от потолка валентной зоны к ее дну (для нее отсчет энергии идет относительно электрона в другую сторону). Поведение электрона и дырки, как квазиклассических частиц нарушается в тот момент когда они достигают высокоэнергетической границы энергетической зоны. Для свободного классического электрона таких границ нет и теоретически его можно разгонять вплоть до скорости свет. Электрон в твердом теле достигший потолка зоны проводимости должен упруго от нее отразится и пойти в обратном направлении, достигнув дна зоны проводимости он отражается от него и идет вверх и т.д. Таким образом если бы удавалось разогреть электронный (или дырочный) газ в твердом теле до энергий порядка ширины разрешенной зоны, то должны были бы возникнуть мощные высокочастотные колебания. Однако осуществить такой разогрев не удается, поскольку горячие носители начинают взаимодействовать с решеткой, отдавая ей часть своей энергии, поэтому как для электронов, так и для дырок существует некоторое предельное значение скорости (насыщение скорости в электрическом поле) близкое к тепловой скорости электронов в твердом теле (106 107 см/c)
237. Лекции по электрорадио измерениям
Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008
Осуществляется в зависимости от:
- Частотного спектра сигнала. Простые соединительные провода применяются при исследовании непрерывных сигналов низких и средних частот, а коаксиальные кабели при исследовании сигнала высокой частоты и импульсной. Также следует иметь ввиду, что при наблюдении постоянного или медленно меняющегося процесса вход осциллографа должен быть открытый.
- Величины входного сигнала. Сигналы малой амплитуды подаются на вход “Y” при значительном напряжении входного сигнала 150-200В (точно этот предел определяется чувствительностью ЭЛТ, которая указана в тех. характеристиках осциллографа), исследуемый сигнал особенно импульсный целесообразно подавать непосредственно на вертикально отклоняющие пластины ЭЛТ, при этом искажения формы сигнала будет минимальным по сравнению если его подавать через усилитель канала “Y”. При исследовании высоковольтных сигналов между источником сигнала или входом осциллографа или вертикально отклоняющие пластины включают делитель напряжения выносной аттюниатор. Он должен иметь большое входное сопротивление и малое выходное сопротивление. Последнее необходимо, чтобы входное сопротивление осциллографа не изменяло коэффициент передачи. Схема аттюниатора на листе. Аттюниатор должен сохранять постоянство коэффициента передачи во всей полосе частот пропускания осциллографа.
- В случае когда требуется исследовать осциллограмму тока в исследуемую цепь включают последовательно во вспомогательный резистор малой величины с минимальной внутренней индуктивностью и емкостью. Падение напряжения создаваемым. Потом на этом резисторе подается на вход “Y” или вертикально отклоняющей пластине. Если же исследуется импульс тока, нужно следить за тем, чтобы постоянная составляющая времени цепи образуемая вспомогательным резистором, и параллельно подключенной к ней емкости кабели и входной емкости осциллографа, должна быть существенно меньше длительности импульса.
238. Линии телефонной связи
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
239. Логические системы в различных функциональных наборах и их реализация
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008
1.Исходные данные1.1.Строка из шестнадцати символов А = { a0,a1, ..., a15 }
1. Матричный индикатор 5 7 = 35 ячеек.
  Множество признаков H = { h0,h1, ..., h35 }
2. Условие формирования строки символов и отображения T:H A F.
3. Правило выделения ФАЛ из данных пункта 1.3.
4. Интегральный набор К155 (по справочнику)
5. Условие формирования подпространства Ф <= T.
6. Перечень подлежащих разработке вопросов.2.1.а) отображение Т. б) ФАЛ F1, F2, F3.в) подмножество Ф <= T.
7. Комбинационная схема совместной реализации ФАЛ F1, F2, F3.
8. Анализ подмножества Ф <= T на толерантность и эквивалентность.
9. Схема автомата, отвечающая состояниям пункта 2.3.
10. Выводы и заключения.
11. Тема исследования.
12. Структура формальной системы отношения по дополнительно заданной предметной области знаний.
13. Перечень графических материалов.
14. Отображение T: H A F.
15. Комплекс моделей, методов и средств минимизации ФАЛ F1 и F2.
16. Комбинационная схема совместной реализации.
17. Матрица толерантности, карта толерантности для подмножества Ф<=T
18. Схема автомата А.СОДЕРЖАНИЕ
2.3. Нахождение номеров ФАЛ по карте Карно
240. Логические элементы
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

2.4. Схемы, реализующие логические функции, называются логическими элементами. Основные логические элементы имеют, как правило, один выход (Y) и несколько входов, число которых равно числу аргументов (X1;X2;X3 ... XN ). На электрических схемах логические элементы обозначаются в виде прямоугольников с выводами для входных (слева) и выходных (справа) переменных. Внутри прямоугольника изображается символ, указывающий функциональное назначение элемента.

Blog

Радиоэлектроника