Радиоэлектроника

• 101. Громкоговорители \динамики, рупоры\ и телефоны
  Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

  Наибольшая подводимая к головке электрическая мощность ограничена значением, при котором коэффициент гармоник не превышает нормы, установленной ГОСТом или техническими условиями (обычно не более 5...10% на частотах 100...200 Гц). Этот параметр называют номинальной мощностью, выражают ее в ваттах, указывают в паспорте или другом документе на головку. В настоящее время громкоговорители выпускаются мощностью 0,025...50 Вт. КПД головки громкоговорителя (отношение излучаемой акустической мощности к подводимой электрической)снижается при уменьшении ее размеров, так как одновременно уменьшаются площадь поверхности диффузора, объем провода катушки и индукция в зазоре. Поэтому у малогабаритных громкоговорителей значение КПД очень мало: в основном составляет 0,2...0,5%, не превышая даже у самых мощных 1...2%. Чтобы скомпенсировать уменьшение звуковой отдачи, сопутствующее снижению КПД, к громкоговорителям малогабаритных акустических систем приходится подводить существенно большую мощность. Среднее стандартное звуковое давление, создаваемое современными динамическими головками, составляет 0,1...0,3 Па. Нелинейные искажения в диффузорных громкоговорителях в основном создаются из-за нелинейности механической системы в центрирующей шайбе и подвесе диффузора и из-за неравномерного распределения индукции в зазоре. Коэффициент нелинейных искажений на частотах около 100 Гц доходит до:1О% и более. Для его уменьшения применяют центрирующие шайбы, имеющие сложную конфигурацию и выполненные из специальных материалов, гофрированные подвесы, а также полюсные наконечники такой формы, при которой создается: более равномерное поле в зазоре. Для маломощных громкоговорителей высоту звуковой катушки делают больше высоты зазора, вследствие чего число пересекаемых силовых линий не зависит от амплитуды колебаний. В электродинамических громкоговорителях возможно появление субгармонических искажений, в результате которых создаются составляющие с частотами, равными половине частоты колебаний диффузора. Эти субгармоники появляются в тех случаях, когда образующая диффузора прямолинейна, т.е. когда диффузор имеет коническую форму. Чтобы уменьшить возможность возникновения субгармоник, образующей диффузора придают криволинейную форму (например, экспоненциальную).

• 102. Громкоговорители динамики, рупоры и телефоны
  Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

  Наибольшая подводимая к головке электрическая мощность ограничена значением, при котором коэффициент гармоник не превышает нормы, установленной ГОСТом или техническими условиями (обычно не более 5...10% на частотах 100...200 Гц). Этот параметр называют номинальной мощностью, выражают ее в ваттах, указывают в паспорте или другом документе на головку. В настоящее время громкоговорители выпускаются мощностью 0,025...50 Вт. КПД головки громкоговорителя (отношение излучаемой акустической мощности к подводимой электрической)снижается при уменьшении ее размеров, так как одновременно уменьшаются площадь поверхности диффузора, объем провода катушки и индукция в зазоре. Поэтому у малогабаритных громкоговорителей значение КПД очень мало: в основном составляет 0,2...0,5%, не превышая даже у самых мощных 1...2%. Чтобы скомпенсировать уменьшение звуковой отдачи, сопутствующее снижению КПД, к громкоговорителям малогабаритных акустических систем приходится подводить существенно большую мощность. Среднее стандартное звуковое давление, создаваемое современными динамическими головками, составляет 0,1...0,3 Па. Нелинейные искажения в диффузорных громкоговорителях в основном создаются из-за нелинейности механической системы в центрирующей шайбе и подвесе диффузора и из-за неравномерного распределения индукции в зазоре. Коэффициент нелинейных искажений на частотах около 100 Гц доходит до:1О% и более. Для его уменьшения применяют центрирующие шайбы, имеющие сложную конфигурацию и выполненные из специальных материалов, гофрированные подвесы, а также полюсные наконечники такой формы, при которой создается: более равномерное поле в зазоре. Для маломощных громкоговорителей высоту звуковой катушки делают больше высоты зазора, вследствие чего число пересекаемых силовых линий не зависит от амплитуды колебаний. В электродинамических громкоговорителях возможно появление субгармонических искажений, в результате которых создаются составляющие с частотами, равными половине частоты колебаний диффузора. Эти субгармоники появляются в тех случаях, когда образующая диффузора прямолинейна, т.е. когда диффузор имеет коническую форму. Чтобы уменьшить возможность возникновения субгармоник, образующей диффузора придают криволинейную форму (например, экспоненциальную).

• 103. Датчик влажности
  Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

  Датчик, применяемый в распространенном в США влагомере для зерна типа TAGHeppenstall, уплотняет сыпучий материал в узком зазоре между двумя вращающимися металлическими валками с рифленой цилиндрической поверхностью. Общин вид датчика показан в Приложении … рис2. Однофазный электродвигатель мощностью 0,25 л. с. вращает через редуктор (электродвигатель и редуктор не показаны на рисунке) валик 1 со скоростью 32 об/мин; валик 1 электрически соединен со станиной датчика. Второй валик 2 изолирован от корпуса стойками 3 из электроизоляционного материала. Валик 2 снабжен пружинящим трущимся контактом и ручкой 4 для поворачивания вручную с целью облегчения попадания зерна в зазор или выхода из него. Сцепление между валиками осуществляется через слой материала; последний поступает в зазор между валиками из засыпного бункера 5, изготовленного из пластмассы. Валики 1 и 2 выполют роль электродов; сопротивление слоя сыпучего материала измеряется во время вращения валиков. Величины зазора между валиками регулируются с помощью сменных прокладок 6 в зависимости от того, какая зерновая культура исследуется. Предельные величины зазора равны 0,6мм для льняного семени и 3 мм для кукурузы. Под валиками установлены два скребка 7 из пластмассы; скребки прижимаются пружиной 8 к поверхности валиков и очищают ее при вращении электродов. Весь датчик смонтирован на станине 9 из чугунного литья, имеющей два винта 10 для закрепления на столе.

• 104. Датчик содержания СО
  Реферат пополнение в коллекции 30.04.2010

• 105. Движение электронов - отклоняющие системы ЭЛТ
  Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

  Далее на пути электронного пучка установлены две пары отклоняющих пластин ОП. Средний потенциал отклоняющихся пластин равен потенциалу второго анода и не должен воздействовать на электронный пучок. Но если между пластинами пары имеется напряжение, пучок отклоняется от оси трубки в сторону более положительной пластины. Одна пара пластин расположена вертикально, может отклонять электронный пучок в горизонтальном направлении и называется горизонтально отклоняющей. Вторая пара пластин расположена горизонтально и называется вертикально отклоняющей. Пройдя мимо системы отклоняющих пластин, электронный луч попадает на экран Э, покрытый слоем специального вещества, которое называется люминофором. Под воздействием электронной бомбардировки происходит свечение люминофора, наблюдаемое с внешней стороны экрана. В связи с тем, что бомбардировка люминофора, покрытого тонким слоем металла, сопровождается вторичной электронной эмиссией, коническая часть колбы трубки покрыта графитовым слоем (аквадагом) и соединяется со вторым анодом. Вторичные электроны удавливаются аквадагом и образуют ток второго анода.

• 106. Двухзеркальная антенна по схеме Кассергена
  Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

  Было выяснено, что:

  1. Ширина диаграммы направленности синфазного раскрыва обратно пропорциональна размеру раскрыва, выраженного в длинах волн, а также зависит от его формы и распределения поля на нём;
  2. Чем сильнее спадает поле в раскрыве к его краям, тем при тех же размерах антенны больше ширина главного лепестка и ниже уровень боковых лепестков;
  3. Затенение раскрыва зеркала облучателем, или другими элементами антенны может значительно повысить уровень боковых лепестков по сравнению с незатенённым раскрывом;
  4. Фазовый центр облучателя должен совпадать со вторым фокусом гиперболоида и незначительные сдвиги или изменение размеров облучателя сильно влияют на диаграмму направленности и распределение поля в раскрыве главного рефлектора антенны;
  5. В качестве облучателей параболической антенны по схеме Кассегрена могут использоваться простые слабонаправленные облучатели: рупорные, вибраторные, спиральные, щелевые, полосковые.
  6. Форма диаграммы направленности облучателя должна соответствовать форме раскрыва главного зеркала. Необходимый спад интенсивности облучения к краям зеркала обусловлен двумя факторами: общей интенсивностью антенны и уровнем боковых лепестков (УБЛ).

• 107. Двухосный индикаторный стабилизатор телекамер на ВОГ
  Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

  Кроме того, требования по минимизации масс, моментов инерции, требования по динамике управления платформой приводят к тому, что наружная рама оказывается существенно нежесткой. А так как при этом необходимо учитывать требования по высокой точности стабилизации при значительных возмущающих моментах, то возникает необходимость в проведении специальных исследований по вопросам обеспечения устойчивости канала стабилизации. В частности, исследований по расположению ЧЭ в конструкции ГС. Исследование устойчивости канала стабилизации приведено в разделе “Исследование влияния нежесткостей элементов гиростабилизатора на его устойчивость”.

• 108. Детектирование амплитудно-модулированных сигналов
  Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

   

  1. Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны 0=106 рад/сек, =104 рад/сек соответственно.
  2. Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов коллекторного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um=0,1 В, m=0,5.
  3. Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки диодного детектора, при которых коэффициент детектирования равен 0,9, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны 0=106 рад/сек, =104 рад/сек соответственно.
  4. Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов диодного детектора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um=0,1 В, m=1.
  5. РАСЧЁТ ЦЕПИ НАГРУЗКИ КОЛЛЕКТОРНОГО ДЕТЕКТОРА

• 109. Детектор излучения сотового телефона
  Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

  РазработалЯковенко М.В.ККЭП 2201 028 000 ПЗ ЛистПроверилДегтярева Н.Е.измлист № докумПодписьДатаЭто является источником огромных диапазонов и скоростей изменения разнообразных возмущающих воздействий, одновременно влияющих на различные составляющие части единой работающей в это время РТС. При этом зачастую аппаратура одной и той же РТС, выполняющей ответственные функции, расположена на различных типах объектов: стационарных пунктах и подвижных наземных, надводных и подводных объектах, атмосферных, космических, инопланетных и даже межгалактических летательных аппаратах; обслуживаемых и необслуживаемых объектах, носимой аппаратуре и др. Для разных типов объектов существуют различные требования на условия размещения аппаратуры, весьма различны комплексы возмущающих воздействий, их сочетания, диапазоны изменения и т. п. Всевозможные комбинации электромагнитных, тепловых, радиационных, виброакустических и других воздействий на аппаратуру должны быть обязательно приняты во внимание при проектировании и оптимизации технологических процессов (ТП) ее изготовления. При этом необходимо указать, что, поскольку возможности и ограничения различных технологических систем (ТС) изготовления аппаратуры в сильной степени определяют особенности ее функционирования в условиях различных комплексов возмущающих воздействий, перед конструктором и технологом ставится задача активно участвовать во всех этапах проектирования и создания РТК и РТС.

• 110. Детонометр разработка конструкции
  Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

  Íàéìåíóâàííÿ ïàðàìåòðàÂåëè÷èíà ïàðàìåòðà1. îì³íàëüíà ºìí³ñòü1...200ìêÔ2. Äîïóñòèìå â³äõèëåííÿ ºìíîñò³, %± 5;10;203. Íîì³íàëüíà ðîáî÷à íàïðóãà, ÂÁ 1604. ²íòåðâàëè ðîáî÷èõ òåìïåðàòóð, 0Ñ-10...+705. ²íäóêòèâí³ñòü êîíäåíñàòîð³â, íÃí5 106. Êîåô³ö³ºíò àáñîðáö³¿, %1 5,57. Òàíãåíñ êóòà ä³åëåêòðè÷íèõ âòðàò, %, íå á³ëüø308. Ñòðóì â³äïëèâó, ìêÀ, íå á³ëüø150Ó ñõåì³ çàñòîñîâóþòüñÿ ïåðåìèêà÷³ Ï2Ê òà ÏÃ3, ÿê³ ìàþòü ïàðàìåòðè, íàâåäåí³ â òàáëèö³ 1.10.

• 111. Деформируемые алюминиевые сплавы
  Информация пополнение в коллекции 24.04.2010

• 112. Дешифраторы и шифраторы
  Методическое пособие пополнение в коллекции 09.12.2008

• 113. Диагностика отказов элементов и устройств автоматического управления
  Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

  Основными механизмами отказов при изменении и нестабильности характеристик ППП являются генерация и перемещение электрических зарядов на поверхности кристалла ППП, что ведет к изменению концентрации подвижных носителей рекомбинации. Некоторые причины появления и движения поверхностных зарядов следующие:

  • появление ионов на поверхности кристалла. Зависит от способа обработки кристалла, влажности и свойств окружающей среды. Общим свойством зарядов этого типа является их предрасположенность к «расползанию» по поверхности, а скорость расползания зависит от значения поверхностного сопротивления и удельной емкости диэлектрического слоя относительно полупроводника. Само поверхностное сопротивление сильно зависит от температуры и влажности и время расползания рядов уменьшается с ростом температуры и влажности
  • появление заряда, образованного ионами внутри пленки окисла. Как правило, даже при тщательно разработанном техпроцессе, всегда имеются положительные ионы натрия, которые перемещаются при высоких температурах (100-200оС) и наличии притягивающего электрического поля к границе кремний-окисел. Для защиты от перемещения ионов натрия, в окисле создают тонкую пленку фосфорно-силикатного стекла (SiO2*P2O5), которая захватывает эти ионы. Кроме ионов натрия внутри пленки окисла могут перемещаться и ионы других элементов (так, ионы золота создают отрицательный заряд). Надо отметить, что при перемещении ионов имеет значение направление поля, поэтому при перемене направления поля ионы двигаются в противоположную сторону, поэтому этот процесс считается обратимым;
  • появления заряда, образованного избыточными атомами кремния в окисле около границы с кристаллом. Из-за того, что атомы кремния находятся в избытке при механизме образования окисла кремния, образуется положительный заряд, созданный оставшимися атомами кремния. При нормальной температуре этот заряд практически неподвижен, при очень высокой температуре и наличии сильного поля этот заряд перемещается в направлении к внешней поверхности окисла пленки (SiO2);
  • появление заряда, образованного е, находящимися на поверхностных уровнях. При обрыве кристаллической решетки на границе появляются атомы полупроводника с нарушенными электронными связями, т.е. е занимают энергетические (поверхностные) состояния, лежащие внутри запрещенной зоны энергий для данного полупроводника. Из-за этого е с такой энергией не могут проникать в глубь кристалла и остаются только вблизи поверхности. При заполнении и освобождении соответствующих энергетических состояний носители заряда - е и дырками возникают и исчезают поверхностные заряды. Чем дальше от полупроводника локализован поверхностный энергетический уровень, тем больше время его заполнения или освобождения. Этот процесс вызывает, с одной стороны, низкочастотный (НЧ) шум и является причиной нестабильности основных параметров ППП;
  • появление и образование каналов проводимости вдоль поверхности кристалла. Этот процесс, как правило, приводит к изменению коэффициента усиления в биполярных транзисторах и изменению многих характеристик полевых транзисторов (ток инжекции и «паразитного» перехода снижает эффективность эмиттера дополнительный обратный ток или ток через канал уменьшает усиление и крутизну транзисторов в режиме малых токов).

• 114. Диаграмма направленности антенны
  Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

  Исследуемая антенна работает на прием. Она имеет возможность вращаться вокруг оси, перпендикулярной к плоскости, в которой снимается характеристика направленности. К выходу антенны подключен кристаллический детектор с усилителем У3-29 и ВК7-27. Так как при слабых сигналах детектор имеет квадратичную вольтамперную характеристику, показания индикатора ВК7-27 соответствуют квадрату напряженности поля, наводимого в исследуемой антенне. В качестве источника электромагнитных волн используется антенна, работающая на передачу. Передающая антенна в данном случае неподвижна и удалена от исследуемой антенны на расстояние ( определяется по одной из формул: (2), (3) или (4) ).

• 115. Динамические элементы памяти СБИС
  Информация пополнение в коллекции 27.04.2010

• 116. Диод
  Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

  ПЛАЗМА - частично или полностью ионизированный газ, в котором плотности положительных и отрицательных зарядов практически одинаковы. В лабораторных условиях плазма образуется в электрическом разряде в газе, в процессах горения и взрыва. Когда луч лазера сфокусировали линзой, в воздухе в области фокуса вспыхнула искра, и там образовалась плазма. Это вызвало огромный интерес у физиков. Первые затравочные электроны появляются в результате вырывания их из атомов среды после одновременного поглощения нескольких фотонов световой волны. Энергия каждого фотона рубинового лазера равна 1, 78 эВ. Далее свободный электрон, поглощая фотоны, достигает энергии 10 эВ, достаточной для ионизации и рождения нового электрона в процессе столкновения с атомами среды. Разряд может гореть в течение длительного времени и светится ослепительно белым светом, на него невозможно смотреть без тёмных очков. Необычайно высокая температура- уникальное свойство оптического заряда- представляет большие возможности для использования его в качестве источника света. Возможность создания плазменного шнура световым излучением лазера открывает возможности для передачи энергии на расстояние.

• 117. Диоды
  Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

  Микрочипы, или как их ещё называют "микросхемы", представляют из себя обыкновенную пластмассовую пластинку толщиной около 0,5 см, в которой собраны вместе радиодетали. Микрочипы-это сложнейшие приборы, которые состоят из множества компонентов,таких как: транзисторы, резисторы, конденсаторы, диоды, семисторы, термисторы, динисторы, тринисторы и так далее. Во времена СССР, в стране очень хорошо было налажено производство радиодеталей. Всё началось с обычных электронных ламп, но из за того, что они были очень громоздкими, люди придумали более меньшие по размерам аналоги электронным лампам-транзисторы, а уже в дальнейшем научились изготавливать и аналоговые микросхемы, которые считались на мировом рынке одними из лучших. Выпускались три вида микросхем:МИС (малые интегральные схемы), БИС (большие интегральные схемы) и СБИС (сверхбольшие интегральные схемы).МИС умещали в себя 10-100 радиодеталей, БИС 100-1000 радиодеталей, СБИС 1000-10000 радиодеталей. Это было в 70-е года, но теперь, когда прогресс достиг невероятных размеров, плотность микрочипов увеличилась и теперь микрочипы состоят из порядка около нескольких миллионов радиодеталей (компьютерные микропроцессоры). Как возможно уместить такое количество в микрочипе размером около 25 см2? Всё очень просто. Производят их с помощью технологии напыления. Все что нужно напыляется различными веществами, имеющие различные свойства. В результате получаются микротранзисторы, микрорезисторы, микродиоды, микроконденсаторы и др, размеры которых несколько микронов (для сравнения один транзистор имеет размер примерно 0,5 х 0,5 см.

• 118. Дискретизация и квантование изображений
  Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

• 119. Дифференциальный каскад
  Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

  Дифференциальный каскад (ДК) представляет собой мостовую схему, в плечах которой включены идентичные элементы. В аналоговых интегральных микросхемах вследствие того, что все элементы создаются в едином технологическом процессе, практически обеспечивается идентичность резисторов и транзисторов. ДК питается от двухполярного источника питания с заземленной средней точкой, что позволяет подавать сигналы непосредственно на базы транзисторов. Если входы транзисторов заземлены, то токи транзисторов одинаковы, и вследствие идентичности резисторов Rk1 и Rk2 напряжение на дифференциальном выходе Uвых.д меду колекторами будет равно нулю. Если на входы схемы поданы сигналы одинаковые по величине и фазе, называемые синфазными, то токи обоих транзисторов будут изменяться на одинаковую величину, соответственно будут изменяться напряжения Uвых1 и Uвых2,а напряжение Uвых.д по-прежнему будет сохранаться равным нулю. Если на входы схемы поданы одинаковые по величине, но сдвинутые по фазе на 180* сигналы, называемые дифференциальными, то возрастание тока в одном плече будет сопровождаться уменьшением тока в противоположном, вследствие чего появится напряжение на дифференциальном выходе. Таким образом, схема в идеальном случае реагирует на дифференциальный сигнал и не реагирует на синфазный. Изменение температуры, паразитные наводки, старение элементов, флуктуация параметров транзисторов можно рассматривать как синфазные входные воздействия. Следовательно, ДК обладает очень высокой устойчивостью работы и малочувствителен к помехам.

• 120. Дифференциальный усилитель
  Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008

   

  1. Техническое задание...............................................3
  2. Анализ технического задания................................6
  3. Выбор материалов, расчет элементов..................6
  4. Выбор подложки......................................................8
  5. Технологический маршрут.....................................8
  6. Выбор корпуса ГИС................................................8
  7. Оценка надежности.................................................9
  8. Список литературы.................................................11

• Назад
• 1
• 2
• 3
• 4
• 5
• 6
• 7
• 8
• 9
• 10
• 11
• 12
• 13
• 14
• 15
• 16
• Далее
• На последнюю страницу