Радиоэлектроника
-
- 21.
Авторизация и манипуляция в процессах управления
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008 Джей Хейли указывает на четыре самых распространенных способа ухода от контакта, которые манипуляторы используют чрезвычайно часто.
- Прикинуться "случайным" человеком в разговоре: "Не моё дело говорить это вам", или "Я в этом, конечно, ничего не мыслю, но...", или "Я не имею права лезть в ваши личные дела, но мне кажется..."
- Поставить под сомнение то, что он только что сказал: "О, забудьте это", или "Вы не уловили главного", или "Не придавайте этим словам значения..."
- Сделать вид, что его слова относятся к другой личности: 'Ах, это я не о вас, а так, вообще..." или "Я просто подумал вслух, извините..."
- Сделать вид, что он не разобрался в ситуации или в контексте сказанного: "Вы всегда надо мной смеётесь..." или "Вы меня переоцениваете..."
- 21.
Авторизация и манипуляция в процессах управления
-
- 22.
Административное здание с художественными мастерскими
Дипломная работа пополнение в коллекции 29.06.2010
- 22.
Административное здание с художественными мастерскими
-
- 23.
Активный фильтр низких частот
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 140УД6Коэффициент усиления K, В/мВ70Напряжение смещения нуля Uсм, мВ 4Входные токи Iвх, нА30Разность входных токов Iвх, нА10Частота единичного усиления f1 ,МГц1Коэффициент ослабления синфазного сигнала, дБ80Максимальный выходной ток Iвых max, мА25Входное сопротивление Rвх, Мом2Потребляемый ток Iпот, мА2.8Максимальное выходное напряжение Uвых max, В12
- 23.
Активный фильтр низких частот
-
- 24.
Акустоэлектроника
Доклад пополнение в коллекции 09.12.2008 Одним из основных приборов акустоэлектроники является электроакустический усилитель (ЭАУ). На рис. 2 показана схема такого усилителя на объемных волнах. На торцах полупроводникового звукопровода (З) расположены пьезоэлектрические преобразователи (П), которые с помощью омических контактов (К) присоединены с одной стороны к звукопроводу, а с другой к входным и выходным клеммам. При подаче на вход переменного напряжения во входном пьезопреобразователе возбуждается акустическая волна, которая распространяется по звукопроводу. Взаимодействие волны с движущимися в том же направлении по полупроводниковому звукопроводу электронами обеспечивает ее усиление. Рассмотрим это явление. Предположим, что в звукопровод вводится гармоническая продольная акустическая волна, движущаяся со скоростью Vв. Давление в кристалле при этом от точки к точке меняется. В тех местах, где кристалл сжимается, пьезо-э. д. с. замедляет движение электронов, а в тех местах, где растягивается, ускоряет. В результате этого в начале каждого периода волны образуются сгустки электронов. При Vэ > Vв сгустки движутся в тормозящих участках волны и передают ей свою энергию, чем и обеспечивается усиление. Подобные акустоэлектронные усилители могут давать выходную мощность сигнала порядка нескольких ватт, имея полосу пропускания до 300 МГц. Их объем (в микроэлектронном исполнении) не превышает 1 см3.
- 24.
Акустоэлектроника
-
- 25.
Акустоэлектроника (Доклад)
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 Одним из основных приборов акустоэлектроники является электроакустический усилитель (ЭАУ). На рис. 2 показана схема такого усилителя на объемных волнах. На торцах полупроводникового звукопровода (З) расположены пьезоэлектрические преобразователи (П), которые с помощью омических контактов (К) присоединены с одной стороны к звукопроводу, а с другой к входным и выходным клеммам. При подаче на вход переменного напряжения во входном пьезопреобразователе возбуждается акустическая волна, которая распространяется по звукопроводу. Взаимодействие волны с движущимися в том же направлении по полупроводниковому звукопроводу электронами обеспечивает ее усиление. Рассмотрим это явление. Предположим, что в звукопровод вводится гармоническая продольная акустическая волна, движущаяся со скоростью Vв. Давление в кристалле при этом от точки к точке меняется. В тех местах, где кристалл сжимается, пьезо-э. д. с. замедляет движение электронов, а в тех местах, где растягивается, ускоряет. В результате этого в начале каждого периода волны образуются сгустки электронов. При Vэ > Vв сгустки движутся в тормозящих участках волны и передают ей свою энергию, чем и обеспечивается усиление. Подобные акустоэлектронные усилители могут давать выходную мощность сигнала порядка нескольких ватт, имея полосу пропускания до 300 МГц. Их объем (в микроэлектронном исполнении) не превышает 1 см3.
- 25.
Акустоэлектроника (Доклад)
-
- 26.
Алгоритмы и методы компоновки, размещения и трассировки радиоэлектронной аппаратуры
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008 Известные алгоритмы трассировки печатных плат можно условно разбить на три большие группы:
- Волновые алгоритмы, основанные на идеях Ли и разработанные Ю.Л. Зиманом и Г.Г. Рябовым. Данные алгоритмы получили широкое распространение в существующих САПР, поскольку они позволяют легко учитывать технологическую специфику печатного монтажа со своей совокупностью конструктивных ограничений. Эти алгоритмы всегда гарантируют построение трассы, если путь для нее существует;
- Ортогональные алгоритмы, обладающие большим быстродействием, чем алгоритмы первой группы. Реализация их на ЭВМ требует в 75-100 раз меньше вычислений по сравнению с волновыми алгоритмами. Такие алгоритмы применяют при проектировании печатных плат со сквозными металлизированными отверстиями. Недостатки этой группы алгоритмов связаны с получением большого числа переходов со слоя на слой, отсутствием 100%-ой гарантии проведения трасс, большим числом параллельно идущих проводников;
- Алгоритмы эвристического типа. Эти алгоритмы частично основаны на эвристическом приеме поиска пути в лабиринте. При этом каждое соединение проводится по кратчайшему пути, обходя встречающиеся на пути препятствия.
- 26.
Алгоритмы и методы компоновки, размещения и трассировки радиоэлектронной аппаратуры
-
- 27.
Алгоритмы трассировки
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 Важным моментом является определение элемента, в котором заканчивается обход препятствий и начинается построение пути в оптимальном направлении (по прямой к элементу db). Если в нужный момент не прекратить обход препятствий, то неизбежно зацикливание пути вокруг препятствий. Элемент пути, в котором прекращается обход препятствий, назовем элементом спуска. На рисунке 2 элементом спуска является элемент 19. Здесь приведен путь в лабиринте, построенный согласно этой методике от элемента da к элементу db. От элемента da до элемента 1, который является элементом встречи, выполняется построение пути согласно этапу 1. Обход препятствий начинается от элемента встречи 1 в отрицательном направлении (этап 2) и заканчивается элементом спуска 19. От элемента спуска 19 до конечного элемента пути выполняется
этап 1.
- 27.
Алгоритмы трассировки
-
- 28.
Алмазные пленки
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 Существует большое количество веществ имеющих ряд устойчивых кристаллических модификаций. В каждом состоянии решетка будет обладать своим минимумом свободной энергии. Так для углерода существует несколько устойчивых модификаций соответствующих графиту, алмазу, металлическому углероду и другим плотным алмазоподобным структурам. В таком случае обеспечить ионам энергию, необходимого для преодоления потенциального барьера, отделяющего одну кристаллическую фазу от другой, можно простым регулированием потенциала подложки. Причем разброс ионов по энергии не должен превышать разность в высоте потенциальных барьеров, разделяющих две близких кристаллических модификации. Максимальная энергия падающих ионов определяется энергетическим порогом дефектообразования (для алмаза 60-80 эВ). С учетом возможной потери энергии падающих ионов и диапазон их энергетического распределения является важнейшим, но не единственным условием, т.к. механизм взаимодействия при синтезе материалов из энергетических ионных пучков сложен. Осаждение иона на поверхность сопровождается релаксационными колебаниями, разогревом поверхности за счет выделения энергии. Перечисленные эффекты, безусловно, не охватывают весь комплекс явлений сопровождающих процесс конденсации. Действие некоторых из них будет отрицательным для синтеза. Воздействовать на степень того или иного эффекта можно различными путями, например, изменять температуру подложки или условия подлета ионов к поверхности или одновременно с осаждением ионов облучать поверхность электронными или ионными пучками. В исследовании источником ионов является прототип космического электрореактивного двигателя (ЭРД), который в литературе называют ускорителем с анодным слоем и азимутальным дрейфом (УАД). В УАД разгон ионов происходит в квазинейтральной плазме, а потому могут быть получены более высокие, чем обычно, значения плотностей ионного тока. УАД обладает также рядом других достоинств: универсальностью к рабочему веществу, возможностью управления потока и т.д. Принципиальная схема источника показана на рис.1.
- 28.
Алмазные пленки
-
- 29.
Алмазоподобные полупроводники
Реферат пополнение в коллекции 09.06.2010
- 29.
Алмазоподобные полупроводники
-
- 30.
Альтернативная энергетика
Информация пополнение в коллекции 12.08.2010
- 30.
Альтернативная энергетика
-
- 31.
Алюминий, его сплавы, особенности получения отливок
Информация пополнение в коллекции 07.05.2010
- 31.
Алюминий, его сплавы, особенности получения отливок
-
- 32.
Анализ и моделирование биполярных транзисторов
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008 - Задание.
- Введение.
- Технология изготовления биполярного транзистора КТ 380.
- Анализ процессов в биполярном транзисторе.
- Статические характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором.
- Анализ эквивалентнах схем биполярного транзистора.
- Н параметры биполярного транзистора.
- Работа биполярного транзистора на высоких частотах.
- Работа биполярного транзистора в импульсном режиме.
- Математическая модель биполярного транзистора.
- Измерение параметров биполярного транзистора.
- Основные параметры биполярного транзистора.
- Применение биполярных транзисторов в электронных схемах(на примере радиомикрофона ).
- Литература.
- 32.
Анализ и моделирование биполярных транзисторов
-
- 33.
Анализ инвестиционной привлекательности предприятий металлургического комплекса
Дипломная работа пополнение в коллекции 23.05.2010
- 33.
Анализ инвестиционной привлекательности предприятий металлургического комплекса
-
- 34.
Анализ линейной стационарной цепи
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 - Определить импульсную h(t) и переходную g(t) характеристики цепи.
- Рассчитать и построить графики этих характеристик для двух значений изменяемого параметра 1 и 2,. В каждом случае оценить постоянную времени 1 и 2 исследуемой цепи. Постоянная времени цепи равна модулю обратной величины полюса передаточной функции
- Используя найденные выше временные характеристики цепи и интеграл наложения, найти реакцию цепи на импульс, изображенный на рис. 2. Параметры входного импульсного сигнала:
- Рассчитать и построить импульс на выходе цепи для двух значений коэффициента усиления операционного усилителя. Графики входного и выходных сигналов совместить на одном рисунке.
- Найти спектральную плотность выходного сигнала S(j), используя спектральный метод анализа. Рассчитать и построить графики модуля и аргумента спектральной плотности для двух значений .
- Рассчитать и построить энергетический спектр сигнала на входе и выходе цепи. Графики спектров построить на одном рисунке.
- Сравнить спектральные характеристики импульсного сигнала на входе и выходе цепи. Установить характер влияния коэффициента усиления операционного усилителя на свойства выходного сигнала.
- Оценить влияние параметров цепи на спектральные и временные характеристики выходного сигнала.
- 34.
Анализ линейной стационарной цепи
-
- 35.
Анализ операций умножения и деления в конкретной модели АЛУ
Реферат пополнение в коллекции 09.12.2008 - Введение ( структурная схема ЭВМ , место АЛУ и его взаимодействие с другими устройствами )
- Основные параметры и классификация АЛУ
- Алгоритм выполнения операций умножения и деления в АЛУ конкретной модели ЭВМ
- Заключение ( сравнительный анализ выполнения арифметических команд )
- 35.
Анализ операций умножения и деления в конкретной модели АЛУ
-
- 36.
Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа
Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008 1.1. Основные характеристики ВОГ..................................
- Принцип взаимности и регистрация фазы в ВОГ.....
- Модель шумов и нестабильностей в ВОГ.................
- Влияние элементов ВОГ на точностные характеристики системы.................................................................................
- Характеристики источников излучения......................
- Шумовые характеристики волоконно-оптического контура.............................................................................
- Шумовые характеристики фотодетекторов...............
- Анализ прямых динамических эффектов (температурных градиентов и механических напряжений)..............................................................................
- Влияние внешнего магнитного поля на точностные характеристики ВОГ........................................................
- Методы компенсации погрешностей.................................
- Компенсация паразитной модуляции в волоконно-оптическом гироскопе.....................................................
- Компенсация избыточного шума в волоконно-оптическом гироскопе с ответвителем типа 3x3..........
- Компенсация обратного рэлеевского рассеяния......
- Компенсация влияния эффекта Керра на точность ВОГ...................................................................................
- Расчет сметной калькуляции НИР.....................................
- Исходные положения..................................................
- Определение трудоемкости и календарных сроков работы.............................................................................
- Расчет расходов по статьям затрат и составление сметной калькуляции......................................................
- Выводы по расчету......................................................
- 36.
Анализ погрешностей волоконно-оптического гироскопа
-
- 37.
Анализ ремонтно-оперативной радиосвязи на участке железной дороги Киев-Пассажирский – Киев-Московский
Реферат пополнение в коллекции 26.05.2010
- 37.
Анализ ремонтно-оперативной радиосвязи на участке железной дороги Киев-Пассажирский – Киев-Московский
-
- 38.
Анализ рынка цинка 2004года
Методическое пособие пополнение в коллекции 09.08.2010
- 38.
Анализ рынка цинка 2004года
-
- 39.
Анализ сигналов и их прохождения через электрические цепи
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009 - Для теоретического исследования сигналов необходимо построить их математические модели;
- спектральное представление импульсных сигналов осуществляется путём разложения их в интеграл Фурье;
- при переходе от видеоимпульса к радиоимпульсу при спектральном подходе означает перенос спектра видеоимпульса в область высоких частот вместо единственного максимума спектральной плотности при =0 наблюдается два максимума при =; абсолютные значения максимумов сокращаются вдвое;
- чем меньше длительность импульса, тем шире его спектр. Под шириной спектра понимают частотный интервал, в пределах которого модуль спектральной плотности не меньше некоторого наперёд заданного уровня, например уровня от |S|max до 0.1|S|max.
- 39.
Анализ сигналов и их прохождения через электрические цепи
-
- 40.
Анализ систем безопасности, использующих GSM каналы связи
Дипломная работа пополнение в коллекции 17.05.2010
- 40.
Анализ систем безопасности, использующих GSM каналы связи