Книги по разным темам Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 | 5 |

35. Алехин В.П., Шоршоров М.Х. О механизме релаксационных процессов в полупроводниковых кристаллах в области низких напряжений и температур // Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах. - М.: Наука, 1982. - С. 152 - 156.

Складн системи процеси № 1- 2, 36. Влияние рентгеновского облучения на внутреннее трение в кремнии / Кулиш Н.П., Максимюк П.А., Мельникова Н.А. и др. // Физика твердого тела. - 1998. - Т. 40, № 7. - С. 1257 - 1258.

37. Голосовский М.А., Сойфер Я.М. Влияние света на дислокационное внутреннее трение и дислокационный заряд в кристаллах NaCl с F-центрами // Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах. - М.: Наука, 1982. - С. 180 - 184.

38. Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.

39. Технология полупроводникового кремния / Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червонный И.Ф. и др. - М.: Металлургия,1992. - 408 с.

40. Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. - М.: Мир, 1975. - 686 с.

41. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. - М.: Высшая школа, 1984. - 352 с.

42. Шикина Ю.В., Шикин В.Б. Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках // Физика и техника полупроводников - 1994. - Т. 28, N 4. - С. 675 - 680.

43. Новиков Н.Н. Структура и структурно-чувствительные свойства реальных кристаллов. - К.: Вища школа, 1983. - 264 с.

44. Г.П.Пека, В.Ф.Коваленко, В.Н.Куценко Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. - Киев: Технiка, 1986. - 152 с.

45. Штейнман Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода // ФТТ. - 2005. - Т. 47, № 1. - С. 9 - 12.

46. Павлов П.В., Доброхотов Э.В. Диффузия элементов V группы в кремний, подвергнутый пластической деформации // Легирование полупроводников, М.: Наука, 1982. - С. 93 - 97.

47. Пантелеев В.А., Гугина Т.С., Окулич В.И. Закономерности диффузии фосфора и бора в деформируемый кремний // Легирование полупроводников. - М.: Наука, 1982. - С. 102 - 106.

48. Дефектообразование при росте эпитаксиальных слоев кремния с переменным уровнем легирования / Токарев В.П., Бахрушин В.Е., Головко О.П., Базылева И.В. // Тез. докл.

областной научной конференции "Компоненты и материалы электронной техники". - Запорожье: ЗИИ, 1990. - С. 24 - 25.

49. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. - М.: Наука, 1990. - 216 с.

50. Максимов С. К. Электронная микроскопия высокого разрешения в исследованиях процессов дефектообразования в полупроводниковых кристаллах // Рост кристаллов. - М.:

Наука, 1988. - Т. XVI. - С. 206 - 216.

51. Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Электрические свойства пластически деформированных кристаллов кремния / ФТТ. - 1998. - Т. 40, № 10. - С. 1816 - 1817.

52. Взаимодействие примесей и сложных дефектов в нейтронно легированном кремнии / Батюта С.П., Дубовой В.К., Литовченко П.Г., Шматко Г.Г. // Свойства легированных полупроводниковых материалов. - М.: Наука, 1990. - С. 202 - 206.

53. Бригинец А.В., Хрупа В.И. Рентгеновский дифрактометрический анализ интегральных характеристик микродефектов в толстом слабоискаженном кристалле // Металофзика та новтн технолог. - 1994. - Т. 16, № 12. - С. 28 - 32.

54. Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Диффузионные свойства пластически деформированных кристаллов кремния// ФТТ. - 1999. - Т. 41, № 6. - С. 1028 - 1029.

55. Веселовская Н.В. Влияние условий выращивания бездислокационных кристаллов кремния на образование микродефектов: Автореф. дисс. Е канд. физ.-мат. наук. - М.: Инт кристаллографии АН СССР, 1984. - 19 с.

56. Физика кристаллов с дефектами / Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Зиненко Складн системи процеси № 1- 2, ва Г.М., Бушуева Г.В. - М.: МГУ, 1986. - 240 с.

57. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. - М.: Металлургия, 1983. - 232 с.

58. Смирнов А.А. Теория сплавов внедрения. - М.: Наука, 1979. - 368 с.

59. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. - Л.: Наука, 1972.

- 384 с.

60. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. - М.: Металлургия, 1968. - 371 с.

61. Lattice Relaxation due to Hydrogen Passivation in Boron-Doped Silicon / Stutzmann M., Harsanyi J., Breitschwerdt A., Herrero C.P. // Applied Physics Letters. - 1988. - V. 52, N 20. - P. 1667 - 1669.

62. Koji Sumino. Interaction of Impurities with Dislocations in Semiconductors // In "Point and Extended Defects in Semiconductors / Ed. by G.Benedek, A.Gavallini, W.Schroter. - NATO ASI Series: Physics. - V. 202. - New York & London: Plenum Press, 1989. - P. 77 - 94.

63. Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И. Электронное взаимодействие доноров с дислокацией // Физика и техника полупроводников. - 1990. - Т. 24, вып.7. - С. 1330 - 1332.

64. Внутреннее трение в кремнии, обусловленное квази-ян-теллеровскими центрами / В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов // Внутреннее трение в исследовании металлов, сплавов и неорганических материалов. - М.: Наука, 1989. - С. 219 - 222.

65. Штремель М.А. Прочность сплавов. - Ч. 1. - М.: Металлургия, 1982. - 280 с.

66. Клявин О.В., Лиходеев Н.П., Орлов А.Н. Моделирование на ЭВМ атомного механизма миграции и взаимодействия примесей внедрения с ядром винтовой дислокации в ОЦК решетке // Физика твердого тела. - 1986. - Т. 28, № 1. - С. 156 - 162.

67. Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И. ЭПР, DLTS и оптические спектры доноров на дислокации в полупроводниках // Тез. докл. 14 Всес. (Пекаровского) совещания по теории полупроводников. - Донецк: ДОНФТИ, 1989. - С. 53.

68. Криштал М.А., Троицкий И.В. Равновесная концентрация примесных атомов вокруг дислокаций // Физика и химия обработки материалов. - 1971. - № 1. - С. 55 - 60.

69. Могутнов Б.М., Томилин И.А. Термодинамические свойства твердых растворов внедрения, содержащих дефекты кристаллической решетки // Журнал физической химии.

- 1971. - Т. 45, № 8. - С. 1935 - 1938.

70. Beshers D.N. On the Distribution of Impurity Atoms in the Stress Field of a Dislocation // Acta Metallurgica. - 1958. - V. 6, № 8. - P. 521 - 523.

71. Бахрушин В.Е. Влияние плотности дефектов на температуру конденсации примесной атмосферы // Приднпровський науковий всник. Природничн та технчн науки. - 1997. - № 21(32). - С. 14 - 19.

72. Sumino K. Interactions of Dislocations with impurities in Silicon // In "Defects and Properties of Semiconductors: Defect Engineering; Ed. by J.Chikawa, K.Sumino and K.Wada. - Tokyo: KTK Scientific Publishers, 1987. - P. 227 - 259.

73. Leroy B. Silicon Wafers for Integrated Circuit Process // Revue Phys. Appl. - 1986. - V.

21, N 8. - P. 467 - 488.

нформаця Вержбицкий В.М. Основы численных методов: Учебник для вузов. - М.: Высшая школа, 2002. - 840 с.

Приведено систематическое изложение численных методов решения основных задач алгебры, математического анализа и дифференциальных уравнений. Книга предназначена для студентов математических и инженерных специальностей вузов, а также специалистов, использующих численные методы в практической деятельности.

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 | 5 |    Книги по разным темам