Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 | (37) a = (EN, NL)/FNL, (31) Интересно отметить, что когда переходы совершаются где с уровня, который лежит над дном зоны проводимости, на уровень, который лежит ниже дна зоны проводи4y4aмости слева (рисунок, b), то из (20) следует, что при FNL = 1 + (k1 + 2k0)2 2EN k1- 0 (нижний уровень приближается к дну зоны проводимости справа) малосигнальная моноэнергетиче4y4a2 - ская проводимость бесконечно возрастает, что можно + (k1 + 2k0)2 2EL рассматривать как следствие бесконечного возрастания одномерной плотности электронных состояний вблизи 8y8aдна зоны проводимости. В то же время интегральная + (k1 + 2k0)2(k1 + 2k0)проводимость 2 42k - G NLL = simsim (38). (32) L (2k0 + k1)2EN 2EL от k1- вообще не зависит. Также интересно отметить, что Аналогично (30) для случая, когда уровень, на ков этом случае при интегральная проводимость торый совершаются переходы, лежит ниже дна зоны монотонно возрастает, стремясь к конечной величине (в проводимости полупроводника слева от структуры, из 4 раза большей, чем для аналогичной симметричной), выражений (16), (18) получаем в то время как NL. При k1 = 2k0, т. е.

когда коэффициент отражения от такой структуры равен k1-a M =sim. (33) 0, ее интегральная проводимость равна проводимости M 2Mаналогичной симметричной структуры.

Видно, что, как и следовало ожидать, при одинаковой мощности барьеров ( = 1) и в отсутствие разрыва 4. Заключение зон проводимости на 2-ом барьере (U = U1) ширина уровня вдвое меньше, чем в аналогичной симметричной Таким образом, получены следующие результаты.

структуре.

1. Найдены волновые функции электронов, резонансно В 3-м случае, когда уровень, по которому электроны взаимодействующих с ВЧ электрическим полем в двухинжектируются в структуру, ниже дна зоны проводимо- барьерных структурах с тонкими высокими несиммести правого материала, имеем тричными барьерами и произвольной высотой дна зоны проводимости внутри и вне структуры.

k0a 2. Найдены условия, при которых статический коэффиM =sim. (34) M 2M циент прохождения через такие структуры максимален (равен 1).

При этом для нерезонансной проводимости для всех 3. Получены аналитические выражения для моноэнерслучаев формула (31) приводится к виду гетической малосигнальной резонансной проводимости в несимметричных ДБРТС.

(EN +, NL + ) 4. Найдены аналитические выражения для ширины ре(EN, NL) зонансных уровней несимметричной ДБРТС и моноэнер.

2 2 2 гетической проводимости электронов, туннелирующих - - 1 + 4 + 4 + N L N L через ДБРТС вблизи середины резонансных для ряда (35) структур.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1082 Е.И. Голант, А.Б. Пашковский 5. Показано, что резонансная проводимость струк- A resonant interaction between electrons туры с толстым выходным барьером (т. е. структуand high-frequency electric fields in ры типа барьер - участок с локализованным полем - asymmetric double-barrier бесконечная стенка ), пропорциональная интенсивноheterostructures сти квантовых переходов между серединами уровней, в раз превосходит проводимость аналогичной симметрич- E.I. Golant, A.B. Pashkovskii ной структуры.

State Research Institute ФIstokФ, 6. Для структуры, в которой электроны переходят 141120 Fryazino, Russia на уровень, лежащий ниже дна зоны проводимости полупроводникового материала, расположенного слева от

Abstract

Analytical expressions for electron wave functions, структуры, показано, что моноэнергетическая проводиhigh-frequency small-signal conductance and energy level (miniмость стремится к -, когда дно зоны проводимости band) widths are derived for asymmetric double-barrier structure материала справа от структуры приближается к уровню, having thin barriers when coherent electron tunneling occurs на который совершаются переходы. В то же время инthrough either the middles of mini-bands or a level slightly тегральная проводимость остается конечной величиной deviated form the strict resonance energy. Both entire electron из-за уменьшения ширины нижнего уровня. transition and the substantial increase in integral (allowing for the electron energy distribution in the incident flow) high frequency Данная работа поддерживается Российским фондом conductance can be achieved by engineering spacing of the фундаментальных исследований (проект № 94-02-04449) structureТs mini-bands and conductance band edges of the left and и Научным советом по программе ФФизика твердотельright semiconductor cladding layers.

ных наноструктурФ (проект № 1-050).

E-mail: eig@lure.gpi.ac.ru(Golant) Список литературы [1] J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994).

[2] J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.L. Hutchinson, S.-N.G. Chy, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 68, 3680 (1996).

[3] A. Kastalsky, V.J. Goldman, J.H. Abeles. Appl. Phys. Lett., 59, 2636 (1991).

[4] Е.И. Голант, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Письма ЖТФ, 20, № 21, 74 (1994).

[5] И.В. Беляева, Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. ФТП, 31, (1997).

[6] S. Bending, A. Peck, J. Lee, K.V. Klitzing. Sol. St. Electron., 32, 1161 (1989).

[7] P. England, J.R. Hayes, E. Colas, M. Helm. Sol. St. Electron., 32, 1213 (1989).

[8] А.Б. Пашковский. ФТП, 29, 1712 (1995).

[9] Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. ФТП, 28, 954 (1994).

[10] В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1981).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам