Программа форума 22 24 октября 2008 г. Харьков 2008 Организаторы Форума

Вид материала

Программа

Содержание Руководители: проф. Гордиенко Ю.Е., проф. Филипенко А.И., проф. Мачехин Ю.П. Витушкин Л.Ф. Гринев Б.В. Дзюбенко М.И. Замирец Н.В. Сякерский В.С. Лепих Я.И. Мачехин Ю.П. Морозов Д.А. Оксанич А.П. Перец А.Ф. Потапов А.А. Филипенко А.И. Пленарное заседание Данелян А.Г. Гордиенко Ю.Е., Бородин Б.Г. Дудар Н.Л. Воронько А.А. Гусев В.А. Пономарев Л.И., Скородумов А.И., Терёхин О.В. ... Полное содержание

Подобный материал:

• Программа VI международного инвестиционного форума «Югра-2011» Первый день форума, 113.1kb.
• Программа 10-го Юбилейного международного Славяно-Балтийского научного форума "Санкт-Петербург, 714.65kb.
• Программа минск 2008 торжественное открытие форума тибо-2008, 331.4kb.
• Программа минск 2008 торжественное открытие форума тибо-2008, 342.58kb.
• Программа VI международного форума " газ россии 2008, 29.57kb.
• Программа форума 6 октября (четверг) с 17: 00 Заезд участников Форума. Размещение, 24.74kb.
• Программа I международного форума сельской молодежи «Устойчивое развитие сельских территорий, 104.51kb.
• Программа I международного форума сельской молодежи «Устойчивое развитие сельских территорий, 145.83kb.
• Научная программа очередного Форума отражает новые стратегии, направления и достижения, 449.53kb.
• Мужское здоровье и долголетие, 132.32kb.

^

Руководители: проф. Гордиенко Ю.Е., проф. Филипенко А.И.,

проф. Мачехин Ю.П.

Программный комитет конференции

Ажажа В. М.	академик НАН Украины, ННЦ «ХФТИ», г. Харьков, Украина.
Бондаренко М. Ф.	проф., ректор ХНУРЭ, г. Харьков, Украина.
^ Витушкин Л.Ф.	Principial Senior Physicist, Dr., Bureau International des Poids et Mesures Pavillon de Breteuil, Cedex, France.
Гомидзе Н.Х.	проф., руководитель департамента физики Государственного университета, г. Батуми, Грузия.
Гордиенко Ю. Е.	проф., зав. каф. ХНУРЭ, г. Харьков, Украина.
^ Гринев Б.В.	директор Института сцинтилляционных материалов НАНУ, г.Харьков, Украина.
Гусев В.А.	проф., зав. каф. Севастопольского национального технического университета, Украина.
^ Дзюбенко М.И.	проф. ИРЭ им. А.Я. Усикова НАН Украины, г. Харьков, Украина.
Журавлев В.И.	проф. Московского технического университета связи и информатики, Россия.
^ Замирец Н.В.	проф., генеральный директор НИИТИПа, г. Харьков, Украина.
Зиньковский Ю.Ф.	проф. НТУ «Киевская политехника», г. Киев, Украина.
^ Сякерский В.С.	директор НТЦ «Белмикросистемы» НПО «Интеграл»,г. Минск, Беларусь.
Ларкин С.Ю.	ген. директор ЗАО НПК «Наука», г. Киев, Украина.
^ Лепих Я.И.	проф. Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, Украина.
Мамедов Г.А.	проф., ректор Технического университета, г.Баку, Азербайджан.
^ Мачехин Ю.П.	проф., зав. каф. ХНУРЭ, г. Харьков, Украина.
Мачулин В.Ф.	член-корр. НАН Украины, директор Института физики полупроводников НАНУ им. В.Е.Лошкарева, г. Киев, Украина.
^ Морозов Д.А.	доц. государственного университета им. С.А. Есенина, г. Рязань, Россия.
Негрийко А.М.	зам. директора Института физики НАНУ, г. Киев, Украина.
^ Оксанич А.П.	проф., ректор Института экономики и новых технологий, г. Кременчуг, Украина.
Павлиш В.А.	проф., Первый проректор НТУ «Львовская политехника», г. Львов, Украина.
^ Перец А.Ф.	начальник отдела НТЦ «Белмикросистемы» НПО «Интеграл», г. Минск, Беларусь.
Пономарев Л.И.	проф. Авиационного института (Технический университет), г. Москва, Россия.
^ Потапов А.А.	проф., гл.н.с. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, г. Москва, Россия.
Стриха М. В.	заместитель Министра образования и науки Украины, г. Киев, Украина.
Слипченко Н. И.	проф., проректор по научной работе ХНУРЭ, г. Харьков, Украина.
^ Филипенко А.И.	проф., декан ХНУРЭ, г. Харьков, Украина.
Чуляева Е.Г.	зам. директора НПО «Плазма», г. Рязань, Россия.

^ Пленарное заседание

30 сентября 2008 г. 10.00

1. О ВОЗМОЖНОЙ ПРОЦЕДУРЕ И СТРУКТУРЕ УСТРОЙСТВА ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ ОБЪЕКТА. Свищ В.М.², Омаров М.А¹., Второв Е.П.¹, ¹Харьковский национальный университет радио-электроники, г. Харьков, ²ГНПО «Объединение Коммунар», г.Харьков, Украина.
   
2. ЧАСТОТНЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ НАНО-РАЗМЕРОВ. ^ Данелян А.Г.¹, Гарибашвили Д.И.¹, Мачехин Ю.П.^{2 (1)}Национальный институт метрологии Грузии, г.Тбилиси, Грузия. ⁽²⁾Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
   

Секция 1

Микроэлектроника, электронные приборы и устройства

Председатель – доц. Бородин Б.Г.

Заседание 1.1

30 сентября 2008 г. 14.00

1. інтелектуалізований датчик кута повороту на поверхневих акустичних хвилях. Лепіх¹ Я.І., Оліх² Я.М., Снігур¹ П.О. ¹Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, ²Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАНУ, м. Одеса, Україна.
   
2. Полупроводниковые радиационные детекторы с СВЧ смещением. ^ Гордиенко Ю.Е., Бородин Б.Г. Харьковский нацио-нальный университет радиоэлектроники, Ажажа В.М., Кутний В.Е., Рыбка А.В., Захарченко А.А. Национальный Научный Центр «Харьковский физико-технический институт» г. Харьков, Украина.
   
3. NEW TYPE OF RESONANT – TUNNELING DIODE. Goncharuk N.M. Research Institute "Orion". Ukraine, Kiev.
   
4. Resonant-tunneling diode with transit in vacuum. Goncharuk N.M. Research Institute "Orion". Ukraine, Kiev.
   
5. РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУРЫ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО СТАБИЛИТ-РОНА. ^ Дудар Н.Л.¹, Корытко Н.Н.¹, Борздов В.М.², Сякерский В.С.¹, ¹Научно-технический центр «Белмикросистемы» унитарного предприятия «Завод полупроводниковых приборов» научно-производственного объединения “Интеграл”, Республика Беларусь, г.Минск, ²Белорусский государственный университет, Республика Беларусь, г.Минск.
   
6. РАЗРАБОТКА ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ МЕТОДОВ РЕШЕНИЯ СИСТЕМ ЛИНЕЙНЫХ АЛГЕБРАИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ ПРИ ПРОЕКТИ-РОВАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ИСПОЛЬЗОВА-НИЕМ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ Дежурко А.М., Верхотуров А.Е. Перец А.Ф., Сякерский В.С. Научно-производственное объединение «Интеграл». Республика Беларусь, г.Минск.
   
7. ДВУХЭЛЕКТРОДНЫЙ ПРИБОР С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕН-ЦИАЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ–ИЗЛЯТОР–МЕТАЛЛ. Ларкин С.Ю.¹, Белоголовский М.А.², Хачатурова Т.А.³, Хачатуров А.И.³, ¹⁾Научно-производственный концерн «Наука», г.Киев, ²⁾Государственный научно–исследовательский центр «Фонон», г.Киев, ³⁾Донецкий физико–технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, г.Донецк, Украина.
   

8. ОТРАЖАТЕЛЬНИЙ ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЙ ЭЛЕКТРОМЕХАНИ-ЧЕСКИЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ ДЛЯ ФАР МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА. Сидорук Ю.К*., Ларкин С.Ю**. *Государственный научно–исследовательский центр «Фонон», г.Киев, **ЗАО «Научно–производственный концерн «Наука», г.Киев, Украина.

9. ПОЗИЦИОННО–ЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЦА СО СПЕЦИАЛЬ-НОЙ ТОПОЛО­ГИЕЙ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ. ^ Воронько А.А.^1, Москаленко М.А.¹, Потапова Г.К.², Туровский А.А.². 1)Государст-венный научно – исследовательский центр «Фонон», г.Киев. 2)ЗАО «Научно – производственный концерн «Наука», г.Киев, Украина.
   
10. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ СЕНСОРЫ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРО-СХЕМ. ^ Гусев В.А. Севастопольский Национальный технический университет, г.Севастополь, Украина; Борисов О.В., Яганов П.О., Павлов Л.Н. Национальный технический университет Украины „Киевский политехнический институт”, г.Киев, Украина.
    
11. ОПТИМИЗАЦИЯ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ И АНТЕННЫХ УСТРОЙСТВ В МНОГОКАНАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ СОТОВОЙ СВЯЗИ. ^ Пономарев Л.И., Скородумов А.И., Терёхин О.В. Московский авиационный институт (государственный технический университет) – МАИ, г. Москва, Россия.
    
12. ФРАКТАЛЬНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ, ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ И СИСТЕМ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ.^ Потапов А.А. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Россия, Москва.
    
13. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОТОННЫХ ПУЧКОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КНИ-ПЛАСТИН И ВНУТРЕННЕГО ГЕТТЕРА. ^ Комаров Ф.Ф., Мильчанин О.В., Урбанович А.И. НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, г.Минск, Республика Беларусь.
    
14. КОДЕК БЛОКОВОГО ТУРБО-КОДА НА БАЗЕ МИКРОСХЕМЫ “AHA 4524”. ^ Журавлев В.И., Коновалов Ю.Ф., Трусевич Н.П. Московский технический университет связи и информатики, г.Москва, Россия.
    
15. Кольцевой генератор ВЧ и СВЧ диапазонов. ^ Крыжановский В.Г., Григоров К.А., Принцовский В.А., Рассохина Ю.В. Донецкий национальный университет, г.Донецк, Украина.
    
16. ОСОБЕННОСТИ АНАЛИЗА АКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ НА НЕИДЕ-АЛЬНЫХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЯХ. ^ Костромицкий А.И. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
    
17. УСЛОВИЯ ДОСТИЖЕНИЯ НАНОСХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО УРОВНЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ УСТРОЙСТВАМИ НА ОУ. ^ Слипченко Н.И., Федотов П.Д. Харьковский национальный университет радио-электроники.
    
18. ВИЗНАЧЕННЯ УМОВ СТІЙКОСТІ ТА ПЕРІОДИЧНИХ РУХІВ У СИСТЕМАХ ЗІ СХРЕЩЕНИМИ ПОЛЯМИ. ^ Воловенко М.В., Зіньківський В.М., Нікітенко О.М Харківський національний університет радіоелектроніки.
    
19. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЧАСТИЦ В НАНОСТРУКТУРЕ С ЭНЕРГЕТИЧЕСКИМ ПРОФИЛЕМ СЛОЖНОЙ ФОРМЫ. ^ Пащенко А.Г., Ванцан В.М. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
    
20. К ТЕОРИИ ПОЛОСКОВОЙ АНТЕННЫ ДЛЯ ВЧ ГИПЕРТЕРМИИ. Поспелов Л.А. Харьковский национальный университет радио-электроники.
    
21. УНИВЕРСАЛЬНЫЙ АППАРАТНО–ПРОГРАММНЫЙ АВТОМА-ТИЗИРОВАННЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И ИСПЫТАНИЙ МИКРОВОЛНОВОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ. Чурюмов Г.И., Иванцов В.П., Одаренко Е.Н., Сивоконь К.В., Старчевский Ю.Л., Фролова Т.И.., Экезли А.И. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
    
22. АППАРАТНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ НЕЙРОННОЙ СЕТИ СМАС ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ИДЕНТИФИКАЦИИ И УПРАВЛЕНИЯ. ^ Руденко О.Г., Бессонов А.А. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
    
23. ТЕХНИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ РОБОТОТИЗИРОВАННОГО ПОЗИЦИОННОГО ЭСТИМАТОРА. Руденко О.Г., Сныткин М.С., Бессонов А.А. Харьковский национальный университет радио-электроники.
    

Заседание 1.2

1 октября 2008 г. 10.00

24. ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РЕЗОНАТОРНЫХ ИЗМЕРИ-ТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СВЧ ДИАПАЗОНА ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕННОК. Панченко А.Ю. Харьковский национальный университет радиоэлектроники
    
25. СИСТЕМА МОДЕЛИРОВАНИЯ СХЕМЫ РАЗВАРКИ ДЛЯ АВТОМА-ТИЗИРОВАННОГО ПРОЦЕССА МИКРОМОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ. ^ Кутас М.А., Сякерский В.С. НТЦ «Белмикросистемы» УП «Завод полупроводниковых приборов». г.Минск, Республика Беларусь.
    
26. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ яВЛЕНИЙ В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaAs МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО. ^ Оксанич А.П., Хозя П.А., Шевченко И.В. Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления, г. Кременчуг, Украина.
    
27. ЗАСТОСУВАННЯ МОДЕЛЕЙ НЕСТАЦІОНАРНИХ ВИПАДКОВИХ ПРОЦЕСІВ ДО ОПЕРАЦІЇ ХІМІЧНОГО РІДИННОГО ТРАВЛЕННЯ В ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСАХ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ. Антонова В.А.¹, Петрова А.Ю.², Черемська Н.В.³, Янцевич А.А.², ¹ГП «Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування», ²Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, м. Харків, ³Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», м. Харків, Україна.
    
28. Водно-органический раствор для очистки поверх-ности пластин в блоке металлизации. ^ Вечер Д.В., Плебанович В.И., Медведева А.Б., Кисель А.М., Иванчиков А.Э. Научно-производственное объединение «Интеграл», Республика Беларусь, г. Минск,
    
29. МЕХАНИЗМ БИСТАБИЛЬНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕКЛЮ-ЧЕНИЯ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ. Белоголовский М.А.¹, Ларкин С.Ю.². ¹⁾Научно–производственный концерн «Наука», г.Киев, ²⁾Государственный научно–исследовательский центр «Фонон», г.Киев, Украина.
    
30. Исследование туннелирования электронов через нестационарный потенциальный барьер. ^ Абдулкадыров Д.В., Белецкий Н.Н. Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, г. Харьков, Украина.
    
31. АСМ-ИЗОБРАЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ СЛОИСТОГО TlGаSe₂ и МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЗАРЯДА Годжаев Э.М, Оруджев,Г.С., Джафарова С.Р. Азербайджанский Технический Университет, Азербайджан, г.Баку.
    
32. АДАПТАЦИЯ МЕТОДИКИ УЛУЧШЕНИЯ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПО-СОБНОСТИ К КОНКРЕТНЫМ КОНСТРУКЦИЯМ МИКРОЗОНДОВ В МИКРОВОЛНОВОЙ МИКРОСКОПИИ. Гордиенко Ю.Е., Петров В.В., Мельник С.И, Ищенко А.Л., Слипченко Н.И. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
    
33. ПОЛУЧЕНИЕ И МИКРОСТРУКТУРА ПЛЕНОК Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ ПРИЕМНИКОВ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ. Перец А.Ф., Сякерский В.С., Белоус А.И., Чигирь Г.Г. Научно-Технический Центр "Белмикросистемы" Унитарное предприятие "Завод Полупроводниковых приборов". Республика Беларусь, г. Минск; Романюк В.Л., Гременок В.Ф. Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению», Республика Беларусь, г.Минск; Залесский В.Б., Ермаков О.В. Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б.И Степанова Национальной академии наук Беларуси", Республика Беларусь, г.Минск.
    
34. ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ НА ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВКОВИХ СИСТЕМ. ^ Матвійків М.Д., Петрушка А.І. Національний університет «Львівська політехніка», м.Львів, Україна.
    
35. формирование локальных анодных пленок оксида кремния с использованием атомно-силового микро-скопа. В.А.Пилипенко¹, В.С. Сякерский¹, С.А. Ковалева², П.А. Витязь², Д.А. Русакевич¹, Т.В. Петлицкая¹, Буйко Л.Д¹. ¹НТЦ "Белмикросистемы" УП "Завод полупроводниковых приборов", Республика Беларусь, г.Минск, ²ГНУ «Объединенный институт машиностроения НАН Беларуси», Республика Беларусь, г. Минск.
    
36. Диагностика полупроводниковых структур при разработке и производстве интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами на НПО «интеграл». Пилипенко В.А., Сякерский В.С., Русакевич Д.А., Петлицкая Т.В, Буйко Л.Д. ¹НТЦ "Белмикросистемы" УП "Завод полупроводниковых приборов", Республика Беларусь, г. Минск.
    
37. КОМПЕНСАЦИЯ ВЛИЯНИЯ ЗАЗОРА МЕЖДУ МАТЕРИАЛОМ И КОАКСИАЛЬНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ НА ПАРАМЕТРЫ ИЗМЕРИТЕЛЯ ВЛАЖНОСТИ. ^ Гордиенко Ю.Е., Полетаев Д.А., Шадрин А.А., Таран Е.П. Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, г.Симферополь, Украина.
    

Секция 2


Микросистемная техника, электронные аппараты

и робототехника

Председатель проф. Невлюдов И.Ш.


Заседание 2.1

1 октября 2008 г. 14.00

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ. Компанеец И.В., Борисов В.В., Шкилько А.М. Украинская инженерно-педагогическая академия, г.Харьков, Украина.
   
2. АРХИТЕКТУРА ПОСТРОЕНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ И ОБРА-БОТКИ ИНФОРМАЦИИИ ДАТЧИКА ОРИЕНТАЦИИ НА СОЛНЦЕ ПО ТЕХНОЛОГИИ «СИСТЕМА НА КРИСТАЛЕ». Замирец О.Н., Лебедь В.А., Еварницкий И.А. Государственное предприятие Научно-исследовательский технологический институт приборостроения, г.Харьков, Украина.
   
3. Some Solutions for Manufacturing Micro Devices. ^ Filipenko A.I., Nevlyudov I.Sh., Palagin V.A. Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
   

4. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИМАЛЬНОГО ПО ВРЕМЕНИ ПРО-ЦЕССА ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ЦЕПЕЙ. Земляк А.М., Маркина Т.М. Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», г.Киев, Украина.

5. ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ НА ОСНОВЕ МЕМС, PSoC и PRoC. ^ Заворотный В.Ф., Борисов А.В. Национальный Технический университет Украины "Kиевский политехнический институт", г. Киев, Украина..
   
6. НАКАЧКА ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ ЭНЕРГИЕЙ ПРОДОЛЬНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ ОСНОВНЫХ АТОМОВ РЕШЕТКИ. ^ Кутубидзе Б.В., Джанелидзе О.М., Гомидзе Н.Х. Батумский государственный университет им. Шота Руставели, г.Батуми, Грузия.
   
7. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНЕТООПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИСКРЕТ-НЫХ ПЛЕНОК ЖЕЛЕЗА. ^ Накашидзе О.М., Кахаберидзе К.Т. Батумский государственный университет, г.Батуми, Грузия.
   
8. ВЛИЯНИЕ ПОСТОЯННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА СВОЙСТВА НЕМАТИЧЕСКИХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ: ИЗМЕРЕНИЯ ПРОВОДИМОСТИ И ЕМКОСТИ. Кочержин А.И.², Кухтин М.П.¹, Лисецкий Л.Н.² Нерух А.Г.¹, Черняков Э.И.¹. ¹Харьковский национальный университет радиоэлектроники, г.Харьков, ²Институт сцинтилляционных материалов НТК «Институт монокристаллов» НАН Украины, г.Харьков, Украина.