Blog

Лекций: 17 Лабораторных: 17 sv. 8 Проектирование систолических вычислителей на сбис. Часть 2

Вид материала

Документы

Содержание

Образовательная цель
Развивающая цель
Базовые курсы
Методика преподавания
Воеводин В. В., Воеводин Вл. В. Параллельные вычисления. Санкт-Петербург. БХВ-Петербург. 2002. -608с.

Подобный материал:

Лекций: 17 Лабораторных: 17	SV.8	Проектирование систолических вычислителей на СБИС. Часть 2	ECTS:2
Лектор	Доктор физико-математических наук, профессор кафедры уравнений математической физики Соболевский П.И.
Цель курса	Трех семестровый курс знакомит студентов с математическими основами архитектурного проектирования спецпроцессоров на СБИС. Образовательная цель: В курсе излагается широкая методическая основа построения специальных представлений алгоритмов и методов их отображения на многопроцессорные вычислительные устройства. Развивающая цель: Дальнейшее формирование у студентов навыков и умения применять полученные математические знания при решении конкретных задачах. В частности, применять формализованные методы, позволяющие проектировать систолические вычислители (плоские и линейные) для широкого класса алгоритмов вычислительной математики, линейной алгебры, обработки сигналов и изображений и др.
Базовые курсы	Используются методы линейной и векторной алгебры, аналитической геометрии, математического анализа. Требуется знание основ теории графов, вычислительной математики, микроэлектроники, которые должны быть изложены в предшествующих курсах.
Содержание	Во второй части курса рассматривается задача проектирования систолических матричных процессоров на СБИС заданной размерности и заданного размера в рамках локально параллельной глобально последовательной и локально последовательной глобально параллельной стратегии. Даются основы проектирования спецпроцессоров плоской и линейной систолической архитектуры.
Методика преподавания	Лекции и практические занятия, контрольные индивидуальные задания по проектированию спецпроцессоров.
Литература	Воеводин В. В., Воеводин Вл. В. Параллельные вычисления. Санкт-Петербург. БХВ-Петербург. 2002. -608с. Кун С. // Матричные процессоры на СБИС. М. Мир. 1991. 672 с. Соболевский П.И., Адуцкевич Е.В. Проектирование спецпроцессоров на СБИС. (От алгоритма к архитектуре). Учебное пособие. Мн. БГУ. 2008. 130с.
Экзаменационная методика	Зачёты.
Рекомендуется	Спецкурс предназначен для студентов четвертого и пятого курсов механико-математического факультета, специализирующихся по направлению «математическая электроника»
Примечания

Лекций: 34 Практических: 8 Лабораторных: 0	KZ.8	Краевые задачи в микроэлектронике	ECTS:2
Лектор	Доцент кафедры общей математики и информатики БГУ, кандидат физико-математических наук, доцент Яшкин В.И.
Цель курса	Цель курса – приобретение студентами знаний и навыков решения краевых задач с использованием специального и общего математического программного обеспечения, подготовка студентов к самостоятельному изучению разделов теории дифференциальных уравнений для практической и исследовательской работы в различных областях микроэлектроники.
Базовые курсы	Уравнения математической физики. Электричество. Физика полупроводников. Программирование. Разностные схемы.
Содержание	1. Аппаратное и программное обеспечение. Устройства с ПЗС. COM-технологии. Обмен данными API-32. Программное обеспечение микроэлектроники и математических дисциплин. CAE-системы. 2. Краевые задачи физико-химических процессов микроэлектроники. Визуализация решений уравнений математической физики. Определение потенциала иона. Задачи поверхности полупроводников. Диффузия в полупроводниках. Методы проведения и расчет распределения примеси легирования. Дифференциальные модели эпитаксии. Задачи для дифференциальных и интегральных уравнений электромагнитного поля. Краевые задачи на границах с полупроводниками. Физическая и химическая адсорбции. Задачи кинетики адсорбции и десорбции. Фотоадсорбция в полупроводниках. Моделирование электронных схем. 3. Аналитическое исследование краевых задач для дифференциальных уравнений с частными производными. Некоторые сведения о нормированных пространствах. Энергетические неравенства. Краевая задача для одномерного параболического уравнения. Смешанная задача для гиперболического уравнения. Центрально-симметрическая смешанная задача для гиперболического уравнения. Смешанная задача для эллиптических уравнений. Корректность краевых задач. 4. Численное исследование краевых задач. Математическое моделирование микроэлектронных структур. Прогнозирование радиационной деградации параметров КМОП ИС. Разностные схемы. Разностная аппроксимация задач для уравнений математической физики, моделирование базового кристалла. Практический расчет моделей логических элементов на МОП-транзисторах. Некоторые краевые задачи вычислительных моделей электронных схем.