Методические указания к курсовой работе «разработка математических моделей электронных схем в различных режимах их работы»

Вид материалаМетодические указания

Содержание


Временная область.
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11

gK= I'К•(U*КБ)  IК/U*КБ |

| UКБ=U*КБ

rK=1/gK, CK=CK(UКБ)

gЭ= I'Э•(U*БЭ)  IЭ/U*БЭ |

| UБЭ=U*БЭ

rЭ=1/gЭ, CЭ=CЭ(UБЭ)


U*КБ, U*БЭ - значения напряжений в статическом режиме.


МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЫ В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ ПРИ МАЛОМ СИГНАЛЕ.

ВРЕМЕННАЯ ОБЛАСТЬ.

При малом входном сигнале нелинейные функции, описывающие свойства приборов, в окрестности статического режима можно счи­тать линейными и представлять параметрами, рассчитанными (или измеренными) в статическом режиме. Тогда на эквивалентной схеме транзистора (рис.2) диоды будут заменены резисторами rK и rЭ , нелинейные емкости - постоянными значениями. Математичес­кая модель ТРУ (9) приобретает вид линейных алгебро-дифференциальных уравнений, а ее обобщенный матричный аналог (14) -ММС-ДР1

Е|•|iЕ|+|АR|•|G|•|АtR|•||+|АH|•gН•|АtH|•||+|АД|•• gД•|АtД|•||+

+|АСЛ|•|СЛ|•d(|Аt|•||)/dt+|АСН|•|СН•d(|Аt|,||)/dt = 0 (43)

gН=|1/rк 1/rэ|, СН=|Ск Сэ|

или после перестановок:





d(Асл, )/dt)







|Асл Cл|Асн Cн |АЕ|•

d(Асн, )/dt)

=

[AR•GR•AtR+AH•gH•AtH+ AД••gД•AtД] •+

+ AR1•G1•UВХ (44)




iЕ