Федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы паспор тфедеральной целевой программы
| Вид материала | Программа |
- Форма №1 Аналитическая справка за 9 месяцев 2009 года, 167.28kb.
- Форма №1 Аналитическая справка, 292.14kb.
- Федеральная целевая программа "Социально-экономическое развитие Чеченской Республики, 1587.67kb.
- Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. №809 связано с корректировкой, 1210.52kb.
- Методические материалы по формированию целевой программы «Развитие электронной компонентной, 462.11kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4200.13kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.34kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.39kb.
- Федеральная целевая программа "Преодоление последствий радиационных аварий на период, 1444.55kb.
- Федеральная целевая программа «Чистая вода» на 2011 2017 годы паспор тфедеральной целевой, 559.1kb.
500
250*
500
250
создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования**
286.
Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей",
г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей
2200
1100*
2200
1100
повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения**
287.
Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж
500
250*
500
250
создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем;
создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения**
288.
Создание базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производствен-ное предприятие "Рубин",
г. Пенза
440
220*
440
220
обеспечение производства комплексных средств автоматизации для управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса**
289.
Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет",
г. Челябинск
200
100*
200
100
обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям;
повышение надежности и качества и ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня;
разработка технологий двойного назначения**
290.
Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения",
г. Рыбинск, Ярославская область
200
100*
200
100
обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям;
разработка технологий двойного назначения**
291.
Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Всероссийский научно-исследовательский институт "Эталон",
г. Москва
180
90*
180
90
обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**
292.
Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно-исследовательский институт связи",
г. Москва
180
90*
180
90
обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств**
293.
Расширение базового центра системного
проектирования по
проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва
320
160*
320
160
расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования, перевод ключевых проектов, выполняемых концерном, на использование технологии современного системного проектирования.
Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза**
294.
Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон",
г. Москва
210
105*
210
105
обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей -
до 3,5 тысяч штук в год **
295.
Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область
210
105*
210
105
обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей -
до 3,5 тысяч штук**
296.
Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Московский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский радиотехнический институт", г. Москва, для создания базового центра проектирования универсальных цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств
500
250*
500
250
создание базового центра проектирования и разработки высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем и микропроцессорной техники, оснащенного современными средствами проектирования, разработки и отладки сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", а также матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков и радиоэлектронной аппаратуры для систем и средств связи двойного и гражданского применения**
297.
Создание базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин",
г. Москва.
370
185*
120
60
100
50
150
75
создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроизводительных вычислительных систем широкого применения**
298.
Техническое перевооружение и реконструкция базового регионального научно-технологического центра по микросистемотехнике федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно-исследовательский институт приборостроения",
г. Омск
840
420*
840
420
ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов.
Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей**
299.
Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи федерального государственного унитарного предприятия
"Научно-производствен-ный центр "Вигстар", г. Москва
490
245*
490
245
создание конкурентоспособных изделий мирового уровня для комплексов аппаратуры спутниковой связи. Разработка технологий двойного назначения**
300.
Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз",
г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств
1080
540*
1080
540
создание дизайн-центра площадью 2000 кв.м и увеличение выпуска
продукции на 500 млн. рублей в год**
301.
Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж
90
45*
90
45
создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам**
302.
Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследователь-ский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург
340
170*
340
170
организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы:
микромеханических датчиков;
датчиков акустического давления;
датчиков угловых перемещений и других**
303.
Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва
360
180*
360
180
создание отраслевого центра проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли**
3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
304.
Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно-технических средств) с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
1306
653*
156
78
830
415
320
160
создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 штук в год**