Удк 538. 945(06)+539. 2(06) Сверхпроводимость и физика наноструктур
Вид материала | Документы |
- Удк 538. 945(06)+539. 2(06) Сверхпроводимость и физика наноструктур, 53.7kb.
- Удк 538. 945(06)+539. 2(06) Сверхпроводимость и физика наноструктур, 33kb.
- Удк 539. 3: 539. 4 Построение модели роста усталостной трещины по классической и оригинальной, 64.83kb.
- Программа курса лекций (4 курс, 8 сем., 32 ч., экзамен) Доцент Батыев Эдуард Газизович, 26.27kb.
- Магистерской программы «Физика наноструктур и наносистем» по направлению 011200., 52.19kb.
- «физиКА, технология, моделирование наноструктур и сверхпроводников», 101.21kb.
- Что такое сверхпроводимость, 73.86kb.
- Рабочая программа дисциплины «Физика низкоразмерных структур», 49.43kb.
- Public Affairs Center: (095) 945-69-48 Fax: (095) 945-78-99 семинар, 11.51kb.
- Удк 539. 213 Влияние размерного несоответствия компонентов на формирование структуры, 261.5kb.
УДК 538.945(06)+539.2(06) Сверхпроводимость и физика наноструктур
А.И. Головашкин, Л.н. жерихина1,
Г.В. Кулешова, А.М. Цховребов1
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
квантование сопротивления: Следы эффекта
на ВАХ вакуумного СВЧ триода и выбор
адекватно объясняющей модели
В нашем докладе [1] на прошлой сессии МИФИ-2007 сообщалось об обнаружении следов квантования сопротивления электронного потока в вакуумном СВЧ триоде ГС-13 (рис. 1). В заключение того доклада было указано на возможность выбора одной из двух альтернативных теоретических моделей квантования сопротивления посредством проведения измерений интенсивности дробового шума в точке ВАХ, лежащей на «квантовой полочке» [1]. Однако в ходе подготовки этого весьма непростого эксперимента (регистрация флуктуаций тока на уровне 50фА/Гц-0,5…) был предложен более легкий способ выбора адекватной модели.
Рассмотрим возможные альтернативы. Первая модель, предложенная Ландауэром [2] объясняет эффект квантования сопротивления, основы-ваясь на простейших положениях квантово-статистической физики одно-мерных Ферми систем. Так, электронная плотность состояний в одно-мерном случае есть , где VF – фермиевская скорость. Из-за различия электронной плотности, возникающего вследствие разности химпотенциалов на концах одномерной (т.е. квантоворазмерной в поперечных направлениях) нити , разность прямого и обратного электронного потока оказывается ненулевой, в результате чего возникает макроскопический электрический ток . В итоге отношение разности потенциалов на концах нити к силе тока можно выразить только через мировые константы, которые определяют квантовый эталон сопротивления R(I)=U/I=2πħ/e2= RQ =25813Ом.
Вторая модель [3,4] основывается на аналогии с нестационарным эффектом Джозефсона. Здесь разность потенциалов, приложенная к мезоскопическому объекту, вызывает осцилляции тока с «одноэлектонной» джозефсоновской частотой ωJ=eU/ħ. Когда ωJ совпадает с частотой 1,2,3…n-электронного прохождения через такой объект, происходит резонанс ωJ=ωne→eU/ħ=2πI/ne→R=U/I=2πħ/ne2=RQ/n. Как видно при этом сопротивление объекта R квантуется.
Обсуждая применимость первой модели, мы обратили внимание на то, что при плотностях заряда соответствующих электронному потоку в вакуумном триоде (ne-=106÷107см3) температура вырождения TF составляет примерно 1мкК. Таким образом, электронный газ в потоке является заведомо невырожденным, и в этом смысле к нему неприменима Ферми статистика, а, следовательно, все выводы, основанные на формулах типа , в данном случае оказываются абсолютно не оправданными. В итоге, «по методу исключения» остается вторая модель, согласно которой механизм квантования сопротивления здесь аналогичен нестационарному эффекту Джозефсона.
Рис. 1. Квантование проводимости: на вкладке приведена исходная зависимость проводимости анод/катод от сеточного напряжения σАС=σАС(UG), а на самом рисунке представлен график разности исходной и усредненной зависимости ΔσАС=σАС-<σAC>
Работа выполнена при поддержке программы ОФН РАН «Сильно коррелированные электроны в полупроводниках, металлах, сверхпроводниках и магнитных материалах», а также программы «Развитие ведущих научных школ»
Список литературы
1. А.И. Головашкин, Л.Н. Жерихина, Г.В. Кулешова, А.М. Цховребов // МИФИ-2007, Сборние трудов. Т.4, C.138.
2. R.Landauer // IBM J. Res. Dev. V.1, P. 223 (1957)
3. А.И. Головашкин, А.Н. Жерихин, Л.Н. Жерихина, Г.В. Кулешова, А.М.Цховребов // Поверхность. Рентг., синхр. и нейтр. иссл-я. 2005. №10, С.3-15.
4. А.И. Головашкин, А.Н. Жерихин, Л.Н. Жерихина, Г.В. Кулешова, А.М.Цховребов // Краткие сообщения по физике2006. №1. С.23.