Гольданский В. И
| Вид материала | Литература |
Литература
1. Гольданский В.И. Физическая химия позитрона и позитрония. - М.: Наука, 1968. - 268 с.
2. Арифов У.А., Арифов П.У. Физика медленных позитронов. - Ташкент: ФАН, 1971. - 244 с.
3. Арифов У.А., Арифов П.У., Гатауллин Р.М. и др. Атомные системы и аннигиляция позитронов. - Ташкент: ФАН, 1972. - 263 с.
4. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. - Ташкент: ФАН, 1975. - 242 с.
5. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. - Ташкент: ФАН, 1978. - 192 с.
6. Воробьев С.А. Прохождение бета-частиц через кристаллы. -
М.: Атомиздат, 1975. - 144 с.
7. West R.N. Positron studies of condensed matter // Appl. Phys. - 1973. - Vol. 22, № 22. - P. 263 - 375.
8. Seeger A. The study of defects in crystals by positron annihilation // Appl. Phys. - 1974. - Vol. 4, № 2. - P. 183 - 199.
9. Brandt W. Positron dynamics in solids // Appl. Phys. - 1974. -
Vol. 5, № 1. - P. 1 - 23.
10. Topics in Current Physics. Positron in Solids / Ed. P.Hautojarvi. - Berlin-Heidelberg-New York, Springer-Verlag. - 1979. - 256 p.
11. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1964. - Т. 47, вып.8. -
С. 659 - 666.
12. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах // Физика твердого тела. - 1964. - Т. 6, вып.11. - С. 3301 - 3306.
13. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1965. - Т. 48, вып. 4. - С. 1155 - 1158.
14. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри - Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа / Ядерная химия. - М., 1965. - С. 249 - 267.
15. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах / Ядерная
химия. - М., 1965. - С. 282 - 289.
16. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах / Ядерная химия. - М., 1965. -
С. 290 - 297.
17. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // Тез. докл. на 4-м Всесоюзном совещании по квантовой химии. - Киев, 1966. - С. 70.
18. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // Тез. докл. на 4-м Всесоюзном совещании по квантовой химии. - Киев, 1966. - С. 71.
19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8, вып. 2. - С. 464 - 466.
20. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8, вып. 2. - С. 515 - 524.
21. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. - 1966. - Т. 2, вып. 4. -
С. 543 - 545.
22. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. - 1966. - Т. 4, вып. 5. - С. 422 - 425.
23. Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8, вып. 11. - С. 2770 - 2772.
24. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. - 1967. - Т. 3, вып. 4. - С. 471 - 477.
25. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. - 1967. - Т. 9, вып. 7. - С. 1266 - 1268.
26. Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. - 1968. - Т. 9, № 2. - С. 450, 451.
27. Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. - 1969. - Т. 11, вып. 8. - С. 2079 - 2087.
28. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1970. - Т. 58, вып. 6. - С. 1904 - 1910.
29. Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. - 1970. - № 1. - С. 227 - 230.
30. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в
ионных кристаллах // Физика твердого тела. - 1970. - Т. 12, вып. 6. -
С. 2733 - 2735.
31. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования
процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. - 1970. - Т. 11, вып. 3. -
С. 808, 809.
32. Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. - 1970. - № 5. - С. 197 - 203.
33. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. - 1970. - № 7. - С. 71 - 75.
34. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. - 1970. - № 6. - С. 1123, 1124.
35. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. - 1970. - Т. 197, № 2. - С. 560 - 563.
36. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О2–е+
в кристаллах // Физика твердого тела. - 1971. - Т. 13, вып. 3. -
С. 1211 - 1213.
37. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллах // Известия вузов.
Физика. - 1971. - № 4. - С. 68 - 72.
38. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. - 1971. - Т. 13, вып. 10. - С. 2955 - 2964.
39. Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. - 1971. - Т. 13, вып. 11. - С. 3194 - 3198.
40. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. - 1971. - Т. 103, вып. 2. - С. 339 - 354.
41. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решеткой типа NaCl // Физика твердого тела. - 1972. - Т. 14, вып. 3. -
С. 715 - 717.
42. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. - 1972. - Т. 14, вып. 2. - С. 588 - 590.
43. Прокопьев Е.П. О свойствах F+-центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. - 1972. -
Т. 14, вып. 10. - С. 2924 - 2926.
44. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. - 1972. - Т. 41, вып. 4. - С. 585 - 599.
45. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. - 1974. - Т. 36, вып. 2. - С. 361 - 367.
46. Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. - 1974. - Т. 8, вып. 4. - С. 368. - Деп. в ВИНИТИ. № 59-74 Деп., 47 с.
47. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. - 1974. - № 4. - С. 38 - 40.
48. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. - 1974. -
Т. 16, вып. 3. - С. 730 - 732.
49. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. - 1974. - № 10. - С. 76 - 79.
50. Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. - 1977. - Т. 18. - С. 776 - 779.
51. Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. - М., 1975. - 6 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.
52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах // Известия вузов.
Физика. - 1975. - № 6. - С. 147, 148.
53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. - М., 1975. - 15 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1454. РИ.75.3800.
54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. - 1975. -
Т. 39. - С. 998, 999.
55. Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. - М., 1975. - 11 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-1455. РИ.75.15.3797.
56. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. - М., 1975. - 29 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1422. РИ.75.09.2278.
57. Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. - М., 1975. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1452. РИ.75.15.3795.
58. Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. - М., 1975. - 8 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1457. РИ.75.15.3796.
59. Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. - М., 1975. - 11 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1453. РИ.75.15.3798.
60. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах / Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. - Ташкент, 1975. - С. 117 - 136.
61. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Тез. докл.
"3-е Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов". - Саласпилс, 1975. - С. 275.
62. Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // Тез. докл. "3-е Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов". - Саласпилс, 1975. - С. 271.
63. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах //
Известия вузов. Физика. - 1977. - № 9. - С. 50 - 55.
64. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояниях в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. - 1978. - № 1. - С. 76 - 80.
65. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В.,
Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. - Ташкент, 1978. - С. 118 - 122.
66. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors / Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. - Helsingor, Denmark. - 23-26 august 1976. - P. 2. F-3.
67. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. - 1977. - Т. 19, вып. 2. - С. 472 - 475.
68. Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // Тез. докл. "23-я Всесоюзная конференция по люминесценции". - Кишинев, 1976. - С. 5.
69. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. - М., 1976. - 17 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника".
Р-1717. РИ.76.12.3940.
70. Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в
реальных ионных кристаллах / Квантовые свойства атомов и ионов и
позитронная диагностика. - Ташкент, 1975. - С. 137 - 167.
71. Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к
задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках / Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. - Ташкент, 1978. - С. 100 - 103.
72. Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами / Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. - Ташкент, 1978. - С. 95 - 100.
73. Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках / Тез. докл. "28-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1978. - С. 550.
74. Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Тез. докл.
"28-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1978. - С. 551.
75. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // Тез. докл.
"4-е Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов". - Саласпилс, 1978. - С. 101.
76. Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // Тез. докл. "28-е Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра". - Л., 1978. - С. 552.
77. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. - М., 1976. - 15 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-1664. РИ.76.07.2280.
78. Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов / "Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения". - Воронеж: Изд-во ВГУ,
1976. - С. 333.
79. Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // Тез. докл. "Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященный памяти академика АН УзССР У.А.Арифова". - Ташкент, 1979. -
С. 113.
80. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тез. докл.
на 4-м Всесоюзном совещании "Физика и технические применения полупроводников А2В6". - Киев, 1976. - С. 165.
81. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6 // Тез. докл. на 4-м Всесоюзном совещании "Физика и технические применения полупроводников А2В6". – Киев, 1976. - С. 166.
82. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. - 1977. - Т. 19, вып. 3. - С. 1339 - 1344.
83. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. - М., 1977. - 15 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.
84. Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. - 1979. - Вып. 1. - С. 93 - 95.
85. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. - М., 1976. - 343 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2073. РИ.77.06.3412.
86. Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. - М., 1978. - 5 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2543. МРС ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 6. - 1979. - Сер. "ЭР".
87. Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Проко-
пьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. - 1977. -
Т. 19, вып. 11. - С. 3339 - 3344.
88. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. - 1977. -
Т. 11, вып. 4. - С. 651 - 655.
89. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1978. - Вып. 1. - С. 64 - 67.
90. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1977. - Вып. 2. - С. 114 - 116.
91. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. - 1978. - № 7. -
С. 152, 153.
92. Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. - М., 1978. - 12 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2367. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика".
Сер. общетехническая. - № 14. - 1978.
93. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Т. 12, вып. 5. - С. 891 - 894.
94. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // Тез. докл.
"6-е Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках". - Киев, 1977. - С. 88.
95. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. - 1980. - № 11. - С. 118 - 120.
96. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1978. - Вып. 7. -
С. 35 - 39.
97. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. - 1978. -
Т.12. - С. 803 - 806.
98. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. - 1978. -
Т. 12, вып. 2. - С. 172 - 174.
99. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. - 1978. -
№ 7. - С. 153 - 155.
100. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1978. - Вып. 7. - С. 46 - 52.
101. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. - 1979. - Т. 21, вып. 1. - С. 278 - 280.
102. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка - подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // Тез. докл.
"5-й Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов". - Новосибирск, 1978. - С. 157.
103. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. - М., 1978. - 292 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика". Сер. общетехническая. - № 14. - 1978.
104.