Geum.ru

Учебно-методический комплекс дисциплины «материаловедение и технология конструкционных материалов» (миткм)

Вид материалаУчебно-методический комплекс

Содержание


Учебно-методического комплекса (умк)
Федеральное государственное автономное образовательное
«южный федеральный университет»
«согласовано» «утверждаю»
Рабочая программа
Зачетные единицы
Итоговый рейтинг
Материаловедение и технология конструкционных материалов
Уч. степень
Место, цели и задачи дисциплины фм
2. Содержание теоретического курса
2.2. Лабораторные занятия
2.4. Индивидуальные занятия
Основные требования
Методы контроля достижения и реализации
Рейтинг и итоговая дифференциальная оценка
5.3. Рейтинг и итоговая дифференциальная оценка по дисциплине
Федеральное государственное автономное образовательное
«южный федеральный университет»
Календарный план
...
Полное содержание
Подобный материал:

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное автономное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»


ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ В г. ТАГАНРОГЕ

(ТТИ Южного федерального университета)

_____________________________________________________________________


учебно-методический комплекс


дисциплины «МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ»

(МИТКМ)


Образовательной профессиональной программы (ОПП)

направления 200200 «Оптотехника»,

специальности 200201 «Лазерная техника и лазерные технологии»


Факультет __Электроники и приборостроения_______________________


Выпускающая кафедра по ОПП ___Радиотехнической электроники


Таганрог, 2011

СОДЕРЖАНИЕ

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА (УМК)

Учебной дисциплины МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ (МИТКМ)

  1. Проектирование учебного процесса по учебной дисциплине «Материаловедение и технология конструкционных материлов» (МИТКМ) ( 5 семестры)

Дисциплина МИТКМ предназначена, с одной стороны, для глубокого изучения свойств, параметров и характеристик материалов (металлов, сплавов, полупроводников, сверхпроводников, диэлектриков и магнитных материалов), применяемых в опто- и электронной технике, а с другой знакомство с физическими процессами, которые реализуются в различных материалах, их соединениях и сплавах под действием внешних факторов, для проектирования устройств систем и оптоэлектронных приборов с учетом номенклатуры и свойств материалов и этапов технологических процессов производства.


Общая трудоемкость – 130 часа.

  1. Технология процесса обучения по учебной дисциплине ТЭ.

Процесс обучения в пятом семестре состоит в чтении лекций, проведении 4-х четырехчасовых лабораторных работ, в проведении тестирования и экзамена, при этом вопросы и задачи выносимые на экзамен и тесты студентам известны. Лекции дублируют методические разработки представленные на сайте кафедры, доступном по университетской сети.

  1. Междисциплинарные связи учебной дисциплины в общем перечне дисциплин ОПП Дисциплина «МИТКМ» базируется на следующих дисциплинах, изучаемых ранее: «Высшая математика», «Химия», «Основы оптики», «Физика», «Спецразделы физики». Знания, полученные студентами при изучении данной дисциплины, используются при изучении следующих дисциплин: «Физические основы квантовой электроники», «Лазерные технологии», «Лазерная техника», «Когерентная и нелинейная оптика», «Специализированные лазерные и микроволновые системы», «Электроника лазерных систем».

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное автономное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»


ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ В г. ТАГАНРОГЕ

(ТТИ Южного федерального университета)

_____________________________________________________________________

«СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ»

Председатель методической комиссии Декан ЭП факультета

по образовательной программе Коноплев Б.Г.

______________________

________________________ ___________________________


«____»_________ 2011/12 учеб. год «____»________2011 /12 учеб. год

Образовательная профессиональная

программа (ОПП) специальности 200201 «Лазерная техника и лазерные

технологии»


Факультет _____________ЭП_______________________

Выпускающая кафедра по ОПП РТЭ______


РАБОЧАЯ ПРОГРАММА


ДИСЦИПЛИНЫ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ (МИТКМ)

Кафедра ______РТЭ_______________________


Форма обучения __________очная________ Срок обучения____5 лет______


Технология обучения лекции, лабор.работы, тесты,

Курсы__2____Семестры___4______


Академические часы _130__



Зачетные единицы __3 з.е._

Учебных занятий
4сем

130 час



Учебных занятий
4 сем 100 бал

Из них:

лекций

практических

лабораторных

самостоятельных

индивидуальных

(курсовой проект)
−

36 ч


18 ч

40 ч

18 ч



Из них:

лекций

практических

лабораторных

самостоятельных

индивидуальных

(курсовой проект)

30

15

15

25

15

Промежуточный

рейтинг-контроль 4 сем

(зачет)






Промежуточный

рейтинг-контроль 4 сем

(зачет)



Итоговый рейтинг-

контроль (экзамен)







Итоговый рейтинг-

контроль (экзамен)




Таганрог 2011 г.

Рабочая программа составлена в соответствии с требованиями Государственного образовательного стандарта Российской Федерации образовательной профессиональной программы (ОПП)

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ________________________индекс_______Ф.04_______________________________


Составители:




Должность


Уч. степень

Звание

Ф.И.О.

Подпись

профессор

каф. РТЭ,

ассистент.
д.т.н.
Профессор
Червяков Г.Г.


Филь К.А.




Рабочая программа обсуждена и одобрена на заседании кафедры радиотехнической

электроники


Зав. кафедрой РТЭ Г.Г. Червяков


Согласовано с другими кафедрами или организациями:



Название организации

Подпись


Ф.И.О. руководителя







































МЕСТО, ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ ФМ

В ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ПРОГРАММЕ,

реализуемой в университете

    1. Место дисциплины в реализации основных задач образовательной профессиональной программы (ОПП).

Дисциплина МИТКМ служит для более глубокого изучения процессов и закономерностей, которые обуславливают свойства, параметры и характеристики различных материалов, применяемых в электронной технике.
    1. Место дисциплины в обеспечении образовательных интересов личности обучающегося студента по данной ОПП.

Дисциплина МИТКМ существенно расширяет и углубляет научный и технический кругозор в избранной специальности, что обеспечивает образовательные интересы личности обучающегося студента по данной ОПП.
    1. Место дисциплины в удовлетворении требований заказчиков выпускников университета данной ОПП

Дисциплина МИТКМ существенно углубляет и расширяет знание студентов в избранной ими специальности, что удовлетворяет требованиям заказчиков выпускников университета данной ОПП.
    1. Знания каких учебных дисциплин должны предшествовать изучению дисциплины в ОПП

Изучение дисциплины МИТКМ использует материал дисциплин «Высшая математика», «Физика», «Специальные разделы физики».
    1. Для изучения каких дисциплин будет использоваться материал дисциплины при реализации рассматриваемой ОПП

Дисциплина МИТКМ является одной из основ для дисциплин: «Физические основы квантовой электроники», «Лазерные технологии», «Лазерная техника», «Когерентная и нелинейная оптика», «Специализированные лазерные и микроволновые системы», «Электроника лазерных систем».
    1. Цель преподавания дисциплины

Целью дисциплины МИТКМ ТЭ является глубокое изучение существующих классов материалов электронной техники, совершенствование которых и их нетрадиционные применения позволяют активно продвигаться как вверх по частотному диапазону, так и создавать устройства и системы на новых принципах и явлениях.
    1. Задачи изучения дисциплины

В результате изучения дисциплины МИТКМ студенты должны:
  • освоить прикладные вопросы базовых знаний в области материаловедения и физики твердого тела;
  • получить информацию о существующих и прогрессивных материалах электронной и оптотехники;
  • получить навыки расчета и измерения параметров и характеристик материалов, их сплавов и соединений;
  • получить базовые знания о физических процессах во всех современных материалах, сплавах и соединениях, используемых в оптоэлектронике и микроэлектроннике.


2. СОДЕРЖАНИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО КУРСА

    1. Лекции
      1. Содержание лекций

(4 семестр)

Лекция 1. Основы материаловедения. Материалы и вещества. Процесс переработки сырья в изделие.

Лекция 2. Элементы и компоненты электроники и микроэлектроники. Классификации материалов электронной техники

Лекция 3. Свойства материалов. Терминология и определение. Электрические, оптические, физико-химические, механические, тепловые, технологические и потребительские свойства материалов.

Лекция 4. Конструкционные материалы и устойчивисть к воздействию внешней рабочей среды. Состав и структура материалов.

Лекция 5. Виды химических связей. Энергия связи. Понятие “структура”. Кристаллические решетки. Модели энергетических зон основных групп материалов.

Лекция 6. Определение полупроводниковых материалов, классификация и их функции в опто- и микроэлектронике.

Лекция 7. Полупроводниковый кремний. Свойства, характеристики, параметры и технология производства.

Лекция 8. Германий и полупроводниковые соединения. Свойства, характеристики, параметры и технология выращивания.

Лекция 9. Соединения АШ ВV. Свойства, характеристики, параметры и применение. Сложные твердые растворы. Узкозонные и широкозонные соединения. Особенности технологии.

Лекция 10. Соединения АП ВVI и другие халькогены. Свойства, особености структуры технология получения. Оптические материалы.

Лекция 11. Металлы и сплавы. Классификация металлов и сплавов. Свойства, характеристики. Особенности поликристаллических и тонкопленочных металлов. Функции металлов в опто- и микроэлектронике.

Лекция 12. Проводники толстопленочных ГИС- стеклоэмали. Резистивные материалы. Твердые растворы сплавов металлов.

Лекция 13. Сверхпроводниковые материалы. Пары Купера. Свойства, характеристики, параметры и технология производства металлов.

Лекция 14. Магнитные материалы. Классификация веществ по магнитным свойствам. Основные магнитные величины.

Лекция 15. Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики, ферримагнетики, магнитооптические материалы- ортоферриты. Основные свойства и параметры.

Лекция 16. Диэлектрические материалы и физические процессы в них (10 час). Поляризация. Стекла, керамики, полимеры. Селикатное и кварцевае стекло. Кварц. Основные группы технологических процессов производства.

Лекция 17. Пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрики. Свойства, характеристики, параметры и технология производства. Функции диэлектрических материалов в электронике и микроэлектронике

Лекция 18. Полимеры и пластмассы. Технологические свойства. Синтетические эмали, лаки и компаунды. Полимерные клеи и адгезивы. Материалы для волоконно-оптических линий связи.


2.1.2. Основная литература:

1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. -М.: ВШ. 1986

2. Мишин Д.Д. Магнитные материалы. -М.: ВШ. 1981.

3. Быстров Ю.А., Гамкрелидзе С.А., Иссерлин Е.Б., Черепанов В.П. Электронные приборы и устройства на их основе: Справочная книга.- М.: ИП РадиоСофт, 2002 – 656с.


Дополнительная литература:

1. Ефимов И.Е., Козырев И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. -М.: ВШ. 1986

2. Материалы микроэлектронной техники: Учебное прособие для вузов /В.М. Андреев, М.Н. Бронгулеева, С.Н. Дацко, Л.В. Яманова; Под ред. В.М. Андреева. -М.: Радио и связь, 1989. -325с.

3. Червяков Г.Г. Руководство к лаб. работам по курсу Элементы электронной техники Часть1. -Таганрог: ТРТИ, 1985.

4. Червяков Г.Г. Руководство к лаб. работам по курсу «Элементы электронной техники» Часть2. -Таганрог: ТРТИ, 1988.

5. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. -М.: Радио и связь, 1984. -276с.

6. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. -Вильнюс.: Можлас. 1989. -262с.

7. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. -М.: Мир, 1991. - 632с.

8. Дворников А.А., Огурцов В.И., Уткин Г.М. Стабильные генераторы с фильтрами на поверхностных акустических волнах. -М.: Радио и связь, 1983. -216с.

9. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. Схемы, топология, конструкции. -М.: Радио и связь, 1987. -246с.


2.2. Лабораторные занятия

5 семестр

Занятие 1. Исследование параметров и свойств полупроводников.

Занятие 2 Измерение подвижности носителей и зависимости подвижности от поля

Занятие 3. Измерение параметров и характеристик диэлектриков.

Занятие 4. Исследование параметров сегетоэлектриков.

Занятие 5. Исследование ферромагнитных материалов.






    1. Практические занятия

Планом подготовки не предусмотрены.


2.4. Индивидуальные занятия

Самостоятельных индивидуальных занятий нет.


2.5. Курсовое проектирование

Не предусмотрено программой.

  2. ОСНОВНЫЕ ТРЕБОВАНИЯ

ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЦЕЛЕЙ ПРЕПОДАВАНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ


Студенты в процессе изучения дисциплины и после ее завершения в соответствии с профилем материала должны демонстрировать:
    1. способность применять полученные знания;
    2. способность идентифицировать, формулировать и решать поставленные проблемы;
    3. способность использовать навыки, методы, оборудование и технологии для решения проблем;
    4. способность разрабатывать и проводить эксперименты, анализировать и объяснять полученные данные и результаты;
    5. понимание профессиональной и этической ответственности;
    6. формирование достаточно широкого образования, необходимого для понимания влияния профессиональных проблем и их решений на общество и мир в целом;
    7. знание современных проблем;
    8. способность работать в многопрофильных командах;
    9. способность результативного общения;
    10. понимание необходимости и стремления обучаться в течение всей жизни.



  1. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ И РЕАЛИЗАЦИИ

ЗАЯВЛЕННЫХ ЦЕЛЕЙ И ЗАДАЧ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

(отмечаются используемые методы, корректировка осуществляется по мере необходимости, но не реже, чем 1 раз в 3-4 года)
    1. Метод анкетных опросов и письменных обзоров.
    2. Метод выходного или иного интервью.
    3. Стандартные формы контроля качества усвоения знаний.
    4. Метод авторского формирования содержания экзаменов.
    5. Информационная база студентов и архивные записи.
    6. Группы по интересам (студенческая работа по интересам, группы по проблемам).
    7. Система требований (собрание образцов работ).
    8. Метод конкретных ситуаций (метод моделирования).
    9. Оценка работы.
    10. Внешний экзаменатор.
    11. Устные экзамены.
    12. Метод наблюдения поведения.



  1. РЕЙТИНГ И ИТОГОВАЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ОЦЕНКА

ПО УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ
    1. Рейтинговая система РИТМ – ТРТУ использует 100 балльную оценку.
    2. Промежуточный и суммарный (рубежный или итоговый) рейтинг по дисциплине

5 семестр

Рейтинг первого контроля
Рейтинг второго контроля
Рейтинг третьего контроля
Суммарный

(рубежный или итоговый) рейтинг

Макс.
Мин.
Макс.
Мин.
Макс.
Мин.
Макс.
Мин.

30
17
20
12
50
26
100
55
























5.3. Рейтинг и итоговая дифференциальная оценка по дисциплине





Дифференциальная оценка

Отлично
Хорошо
Удовлетво-

рительно
Неудовлетво

рительно

Рейтинг (в баллах системы РИТМ)
100-85
84-70
69-55
менее 55

Обозначение оценки в системе ЕСТS
A
C
E
F


МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное автономное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»


ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ В г. ТАГАНРОГЕ

(ТТИ Южного федерального университета)

_____________________________________________________________________

«УТВЕРЖДАЮ»

Декан ЭП факультета

Коноплев Б.Г.

___________________________


«____»________2011/2012 учеб. год

Образовательная профессиональная

программа (ОПП) специальности 210105 «Электронные приборы и

устройства»

Факультет _____________ЭП_______________________

Выпускающая кафедра по ОПП РТЭ______


КАЛЕНДАРНЫЙ ПЛАН


ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ (МИТКМ)


Кафедра _____РТЭ_______________________

Лекторы Червяков Г.Г.


Форма обучения __________очная________ Срок обучения____5 лет______


Технология обучения лекции, лабор.работы, тесты

Курсы__3____Семестры___5______


Академические часы _74__



Зачетные единицы __2 з.е._

Учебных занятий
5 сем

74 час



Учебных занятий
5 сем.

100 бал.

Из них:

лекций

практических

лабораторных

самостоятельных

индивидуальных

(курсовой проект)

36 ч

−

18 ч

20 ч

−



Из них:

лекций

практических

лабораторных

самостоятельных

индивидуальных

(курсовой проект)

50


24

26

Промежуточный

рейтинг-контроль

(зачет)






Промежуточный

рейтинг-контроль

(зачет)



Итоговый рейтинг-

контроль (экзамен)

5 сем.



Итоговый рейтинг-

контроль (экзамен)
5сем.

ПРОВОДЯТ ЗАНЯТИЯ


Практические

(ф.и.о. преподавателя группы)
Лабораторные

(ф.и.о.преподавателя группы)
Руководство курсовым проекти рованием (ф.и.о.преподават.гр.)




Осадчий Е.Н.


  1. ЛЕКЦИИ




Неделя,

число,

месяц

ТЕМА ЛЕКЦИИ
Тип и число часов
Практические, семинарские занятия
Число часов

(4 семестр)

№ 1
Основы материаловедения. Материалы и вещества. Процесс переработки сырья в изделие.
2






№ 2
Элементы и компоненты электроники и микроэлектроники. Классификации материалов электронной техники.
2






№ 3
Свойства материалов. Терминология и определение. Электрические, оптические, физико-химические, механические, тепловые, технологические и потребительские свойства материалов.
2






№ 4
Конструкционные материалы и устойчивисть к воздействию внешней рабочей среды. Состав и структура материалов.
2






№ 5
Виды химических связей. Энергия связи. Понятие “структура”. Кристаллические решетки. Модели энергетических зон основных групп материалов.
2






№ 6
Определение полупроводниковых материалов, классификация и их функции в опто- и микроэлектронике.
2






№ 7
Полупроводниковый кремний. Свойства, характеристики, параметры и технология производства.
2






№ 8
Германий и полупроводниковые соединения. Свойства, характеристики, параметры и технология выращивания
2






№ 9
Соединения АШ ВV. Свойства, характеристики, параметры и применение. Сложные твердые растворы. Узкозонные и широкозонные соединения. Особенности технологии.
2






№ 10
Соединения АП ВVI и другие халькогены. Свойства, особености структуры технология получения. Оптические материалы.
2






№ 11
Металлы и сплавы. Классификация металлов и сплавов. Свойства, характеристики. Особенности поликристаллических и тонкопленочных металлов. Функции металлов в опто- и микроэлектронике
2






№ 12
Проводники толстопленочных ГИС- стеклоэмали. Резистивные материалы. Твердые растворы сплавов металлов
2






№ 13
Сверхпроводниковые материалы. Пары Купера. Свойства, характеристики, параметры и технология производства металлов.
2






№ 14
Магнитные материалы. Классификация веществ по магнитным свойствам. Основные магнитные величины
2






№ 15
Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики, ферримагнетики, магнитооптические материалы- ортоферриты. Основные свойства и параметры.
2






№ 16
Диэлектрические материалы и физические процессы в них (10 час). Поляризация. Стекла, керамики, полимеры. Селикатное и кварцевае стекло. Кварц. Основные группы технологических процессов производства
2






№ 17
Пьезо-, пиро-, сегнетоэлектрики. Свойства, характеристики, параметры и технология производства. Функции диэлектрических материалов в электронике и микроэлектронике
2






№ 18
Полимеры и пластмассы. Технологические свойства. Синтетические эмали, лаки и компаунды. Полимерные клеи и адгезивы. Материалы для волоконно-оптических линий связи.
2








  1. ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАНЯТИЯ




Самостоятельная работа студентов под контролем преподавателя

Число


Часов

Лабораторные


Занятия

Число


часов
Контроль

усвоения

материала

4 семестр







Занятие 1. Исследование параметров и свойств полупроводников
4









Занятие 2 Измерение подвижности носителей и зависимости подвижности от поля
4









Занятие 3. Измерение параметров и характеристик диэлектриков
4









Занятие 4. Исследование параметров сегетоэлектриков
4









Занятие 5. Исследование ферромагнитных материалов





3. Курсовые проекты и работы, типовые расчеты, типовые задания, домашние задания по учебному плану ТРТУ реализации ОПП





№

Вид и содержание

Дата

выдачи
сдачи




Не предусмотрены

















4. Бюджет времени на самостоятельную и индивидуальную работу студента


№

Вид работы

Часов


в неделю

Всего часов

1.
Работа над лекциями

0,5
20

2.
Подготовка к лабораторным работам
2
18

Всего 38 часов

Лекторы
Г.Г. Червяков

Ответственный за дисциплину (цикл)

Г.Г. Червяков

Зав. кафедрой РТЭ
Г.Г. Червяков

Банк контрольных заданий и вопросов по учебной дисциплине

(портфель студента)


Вопросы 1 рейтинга(4 балла) и экзамена (10 баллов)

Твердотельная электроника

1. Полупроводниковые материалы их свойства и типы, проводимость (собственная и примесная), диффузионный и дрейфовый токи.

2. Уровень Ферми, зонные модели твердотельных материалов, локальные примесные и поверхностные уровни, генерация и рекомбинация носителей, зависимость положения уровня Ферми от температуры.

3. Поведение полупроводника в электрическом поле (обедненные, обогащенные и инверсные слои и их зонные диаграммы).

4. Электронно-дырочный переход (энергетические диаграммы в различных состояниях и понятие квазиуровня Ферми).

5. Типы пробоя и физика процесса.

6. Контакт металл-полупроводник, зонные модели выпрямляющих и омических контактов.

7. Варизонные переходы и сверхрешетки.

8. Уравнение ВАХ p-n-перехода и контактов металл-полупроводник.

9. Структура и классификация диодов. ВАХ диодов.

10. Влияние температуры на ВАХ диодов.

11. Переключающие свойства диодов при больших и малых уровнях сигнала.

12. Выпрямительные НЧ и ВЧ диоды. Точечно-контактные и мезапланарные ВЧ и СВЧ диоды.

13. Диоды с барьером Шотки. Импульсные, детекторные и смесительные диоды, универсальные, ограничительные диоды.

14. Стабилитроны, стабисторы и варикапы, параметрические диоды.

15. Лавинно-пролетные, туннельные и обращенные диоды.

16. Диоды Ганна и СВЧ диоды. Принцип работы. Физические процессы. Зонные диаграммы.

17. Примеры применения и схемы включения СВЧ диодов. Рабочие и предельные эксплуатационные параметры.

18. Устройство, зонные диаграммы, принцип действия, основные режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов.

19. Статические характеристики в схеме с общей базой и общим эмиттером.

20. Пробой транзисторов в схеме с общей базой и общим эмиттером.

21. Зависимость коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера и коллектора.

22. Температурные зависимости параметров.

23. Работа транзистора при малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры.

24. Расчет параметров транзисторов по экспериментальным характеристикам.

25. Формальные и физические эквивалентные схемы. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон работы транзисторов.


Вопросы 2 рейтинга(4 балла) и экзамена (10 баллов)

Твердотельная электроника

1. Особенности СВЧ транзисторов.

2. Сверхбыстродействующие транзисторы, особенности конструкций и зонные диаграммы структур.

3. Параметры, характеризующие частотные свойства БТ.

4. Импульсный режим работы. Разновидности транзисторов, их классификация и примеры применения.

5. Структура и принцип действия тиристоров. Двухэлектродные, трехэлектродные и симметричные тиристоры.

6. Характеристики и параметры тиристоров, схемы включения и способы переключения. Примеры использования.

7. Полевые транзисторы их виды, конструктивные особенности, классификация, принцип работы.

8. Статические характеристики и характеристики передачи ПТ с управляющим электронно-дырочным переходом.

9. Эквивалентные схемы и частотные свойства.

10. Особенности СВЧ и сверхбыстродействующих полевых транзисторов.

11. Схемы включения и примеры использования ПТ.

12. Полевые транзисторы с изолированным затвором (со встроенным и индуцированным каналом).

13. Статические характеристики, параметры и свойства МДП-структур. Схемы включения.

14. Приборы с зарядовой связью. Структура и физические принципы функционирования ПЗС, формирование, хранение и перенос зарядовых пакетов.

15. ПЗС с 2-х и 3-х тактным питанием затворов секции переноса. Основные характеристики и параметры.

16. Применение ПЗС и ПЗИ в радиоэлектронике и оптотехнике.

17. Излучающие полупроводниковые приборы. Принцип действия и физические процессы, свойства и характеристики светодиодов и полупроводниковых лазеров.

18. Фотодиоды Шотки и гетерофотодиоды.

19Электролюминисцентные порошковые и пленочные излучатели.

20. Индикаторы на жидких кристаллах. Применение и схемы включения.

21. Полупроводниковые приемники излучения. Фоторезисторы. Фотодиоды.

22. Гетерофотодиоды. Фототранзисторы и фототиристоры. Элементы солнечных батарей.

23. Полупроводниковые оптопары. Оптоэлектронные интегральные микросхемы.

24. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.

25. Позисторы и варисторы.

26. Гальваномагнитные приборы. Преобразователи Холла.

278. Магниторезисторы и тензорезисторы. Принцип действия, основные характеристики и параметры, схемы включения и примеры использования.

28. Элементы акустоэлектроники. Устройства и приборы на основе поверхностных акустических волн.


Разработчики программы:

Червяков Г.Г. – доктор технических наук, профессор, зав. кафедрой РТЭ ТРТУ