“матеріали електронної техніки

Вид материалаДокументы

Содержание


Метою конференції
Організаційна підтримка
Співголови конференції
Робочі мови конференції
Контрольні дати роботи конференції
Адреса для листування
Мова рукопису
Оформлення рукопису статей
Оптимальний обсяг статті
вимогам до оформлення рукописів наукових статей, з урахуванням наступного
Моделювання процесу утворення мікродефектів при вирощуванні зливків кремнію
1. Постановка задачі
2. Основний матеріал та результати
2.1. Моделювання виникнення мікродефектів
2.2. Модель кластеризації мікродефектів
Реєстраційна картка учасника конференції “МЕТІТ- 4”
Подобный материал:

МЕТІТ-4


Кременчук 19-21 травня 2010 р


ІV Міжнародна науково–практична конференція

“МАТЕРІАЛИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ

ТА СУЧАСНІ ІНФОРМАЦІЙНІ ТЕХНОЛОГІЇ”,



присвячена 50-річчю Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.


Перше інформаційне повідомлення



Міністерство освіти і науки України (МОНУ); Наукова рада Національної академії наук (НАН) України з проблем фізики напівпровідників; Інститут фізики напівпровідників (ІФН) ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Українське фізичне товариство (УФТ); Харківський національний університет радіоелектроніки (ХНУРЕ); Науково-технологічний комплекс (НТК) “Інститут монокристалів” НАН України; Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій та управління (КУЕІТУ), м. Кременчук

проводять


IV Міжнародну науково-практичну конференцію “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” (МЕТІТ-4),

яка відбудеться 19-21 травня 2010 р., м. Кременчук, Україна

і пропонують


об’єднати зусилля вчених, дослідників, винахідників та бізнесменів для розвитку вітчизняної науки та напівпровідникової промисловості.


Метою конференції, окрім ознайомлення з науковими доробками спеціалістів та обміну інформацією за тематикою конференції, є визначення Hi-Tech розробок, що мають велике практичне значення для розвитку виробництва матеріалів електронної техніки, і рекомендація їх до впровадження на підприємствах України, що займаються виробництвом матеріалів електронної техніки.


Організаційна підтримка: ТОВ “Сілікон” (м. Світловодськ), ПП “Галар” (м. Світловодськ). ВАТ “Завод напівпровідників” (м. Запоріжжя).

Інформаційна підтримка: “Кременчуцький ТелеграфЪ”.


Співголови конференції:

Оксанич А.П., д.т.н., проф., Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління (Кременчук, Україна);

Мачулін В.Ф., д.ф.-м.н., академік НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);

Пузіков В.М., д.ф.-м.н., академік НАН України, Інститут монокристалів НАН України (Харків, Україна);

Бондаренко М.Ф., д.т.н., проф., Харківський національний університет радіоелектроніки (Харків, Україна).


Вчений секретар: Притчин С.Е., к.т.н., доц., Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління (Кременчук, Україна).


Програмний комітет:
  1. Ажажа В.М., д.ф.-м.н., проф., академік НАН України, Інститут фізики твердого тіла, матеріалів та нових технологій (ІФТТМНТ) Національного наукового центру “Харківський фізико-технічний інститут” (ННЦ “ХФТІ”), (Харків, Україна);
  2. Баранський П.І., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  3. Бєляєв О.Є., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  4. Вербицький В.Г., д.т.н., проф., ДП «Науково-дослідний інститут мікроприладів» НТК Інститут монокристалів НАН України (Київ, Україна);
  5. Власенко О.І., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  6. Влчек Мірослав, проф., Університет Пардубіце (Чехія);
  7. Глухов М.В., міський голова м. Кременчука (Україна);
  8. Горбань О.М., д.ф.-м.н., проф., Класичний приватний університет (Запоріжжя, Україна);
  9. Грибов Б.Г., чл.-кор. Російської академії наук, д.х.н., проф., Науково-дослідний інститут особливо чистих речовин (Москва, Росія);
  10. Данильченко Б.О., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики НАН України (Київ, Україна);
  11. Загірняк М.В., д.т.н., проф., Кременчуцький державний університет ім. М. Остроградського (Кременчук, Україна)
  12. Калашник О.М., д.т.н., Науково-дослідний інститут “СуперЕВМ” (Москва, Росія);
  13. Клюй М.І., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  14. Ковалюк З.Д., д.ф.-м.н., проф., Чернівецьке відділення Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України (Чернівці, Україна);
  15. Копп В.Я., д.т.н., проф., Севастопольський державний технічний університет (Севастополь, Україна);
  16. Корбутяк Д.В., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  17. Коробочка О.М., д.т.н., проф., Дніпродзержинський державний політехнічний університет (Дніпродзержинськ, Україна);
  18. Левикін В.М., д.т.н., проф., Харківський національний університет радіоелектроніки (Харків, Україна);
  19. Левінзон Д.І., д.т.н., проф., Класичний приватний університет (Запоріжжя, Україна);
  20. Литовченко В.Г., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  21. Михальов О.І., д.т.н., проф., Національна металургійна академія України (Дніпропетровськ, Україна);
  22. Місюк Анджей, проф., Інститут електронних технологій (Варшава, Польща);
  23. Петренко В.Р., д.т.н., проф., Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління (Кременчук, Україна);
  24. Прокопенко І.В., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  25. Сіренко С.І., перший помічник голови правління – головний інженер ВАТ «Завод напівпровідників» (Запоріжжя, Україна);
  26. Стріха М.В. д.ф.-м.н., заступник міністра освіти і науки України.
  27. Стронський О.В., д.ф.-м.н., с.н.с., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  28. Тербан В.А., к.т.н., заступник директора ПП «Галар» (Світловодськ, Україна);
  29. Томашик В.М., д.х.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  30. Фреїк Д.М., д.х.н., проф., Фізико-технічний інститут Прикарпатського університету (Івано-Франківськ, Україна).
  31. Хрипунов Г.С., д.т.н., проф., НТУ «Харківський політехнічний інститут» (Харків, Україна).
Експертна рада

з визначення розробок, рекомендованих до впровадження у виробництво:
  1. Мачулін В.Ф., д.ф.-м.н., академік НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  2. Оксанич А.П., д.т.н., проф., Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління (Кременчук, Україна);
  3. Литовченко В.Г., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);
  4. Пузіков В.М., д.ф.-м.н., академік НАН України, Інститут монокристалів НАН України (Харків, Україна);
  5. Тербан В.А., к.т.н., заступник директора ПП «Галар» (Світловодськ, Україна);
  6. Волохов С.О., генеральний директор ТОВ “Сілікон” (Світловодськ, Україна);
  7. Сіренко С.І., перший помічник голови правління – головний інженер ВАТ «Завод напівпровідників» (Запоріжжя, Україна).


Організаційний комітет:

Петренко В.Р. – голова;

Кравченко П.Ю. – заст. голови;

Костенко О.П. – заст. голови;

Вашерук О.В.;

Шевченко І.В.;

Черниш О.І.;

Максименко В.Г.


Наукові напрямки конференції:
  1. Матеріали, структури, технології, устаткування для сонячної енергетики.
  2. Перспективні методи вирощування напівпровідникових монокристалів, тонких плівок та квантово-розмірних структур. Фундаментальні дослідження процесів росту кристалів; пошук нових кристалічних та наноструктурних середовищ з функціонально важливими властивостями; фундаментальні основи нанотехнологій.
  3. Фізико-хімічні процеси на поверхні епітаксійних плівок і гетеромежах.
  4. Комплексні дослідження фізичних явищ в оптичних монокристалах, наносистемах та їх фізико-хімічних властивостей.
  5. Матеріали та обладнання для субмікронних напівпровідникових технологій.
  6. Матеріали і приладові структури для сенсорів, сонячних елементів і матричних перетворювачів інформації.
  7. Дефектоутворення, міжфазна взаємодія та релаксаційні процеси.
  8. Вимірювання, контроль та управління параметрами напівпровідникових матеріалів в технологічних процесах.
  9. Діагностика фізичних властивостей напівпровідникових матеріалів.
  10. Інформаційні технології, системи управління та відображення інформації.
  11. Інформаційні технології проектування автоматизованих систем.
  12. Комп’ютеризовані системи автоматики та управління
  13. Моделювання фізичних і фізико-хімічних процесів в монокристалах, епітаксійних плівках та приладових структурах на їх основі.
  14. Матеріали електронної техніки в цифровій радіографії.
  15. Економічні та екологічні аспекти виробництва напівпровідникових матеріалів.


Робочі мови конференції: українська, російська, англійська.


До початку роботи конференції планується видати: а) збірник тез доповідей на конференції; б) науковий журнал “Нові технології” зі статтями учасників конференції. Вимоги до оформлення рукописів наукових статей та тез доповідей наведені в Додатку 1.

Організаційний внесок за участь у конференції складає 252 грн. Сплату організаційного внеску з посиланням на реєстраційний номер доповіді та першого прізвища авторів необхідно перерахувати після отримання другого інформаційного повідомлення, але не пізніше 25 лютого 2010 р.

Організаційний внесок включає: видання програми конференції, збірника тез доповідей конференції, кава-брейк, часткове покриття витрат на організацію та проведення конференції.

За бажанням авторів доповіді у вигляді наукової статті можуть бути надруковані у науковому фаховому журналі “Нові технології”, внесеному до Переліку ВАК України, затвердженому постановою № 1-05/2 від 27.05. 2009 р. (Бюлетень ВАК №8, 2009 р.), який також буде виданий до початку конференції. Вартість опублікування доповідей – 24 грн. за 1 стор. тексту (А4, Times New Roman, 14 пт., через 1,5 інтервал, всі поля 20 мм). Копії платіжних доручень про перерахування організаційного внеску та плати за опублікування доповідей надіслати електронною або звичайною поштою в оргкомітет після одержання другого інформаційного повідомлення.

Зарубіжні учасники конференції сплачують організаційний внесок та вартість опублікування доповідей готівкою під час реєстрації.


Контрольні дати роботи конференції:
  1. Подача заявки на участь разом з тезами доповіді - до 15.01.10 р. (Прохання до учасників конференції заповнити та надіслати разом з заявкою реєстраційну картку учасника конференції – див. Додаток 2).
  2. Розсилка другого інформаційного повідомлення - до 15.02.10 р.
  3. Перерахування організаційного внеску - до 25.02.10 р.
  4. Перерахування плати за опублікування доповідей – до 30.03.10 р.
  5. Прийом текстів наукових статей у науковий вісник “Нові технології” - до 30.03.10 р.
  6. Розсилка запрошень на конференцію (третє інформаційне повідомлення) - до 15.04.10 р.



Організаційні внески та плату за опублікування доповідей необхідно перераховувати за такими реквізитами: КУЕІТУ, р/р 26009054504688 у відділенні “Кременчуцька філія” КБ “ПриватБанк” МФО 331401, ЄДРПОУ 13951369.

Призначення платежу: оргвнесок за участь у конференції “МЕТІТ-4”, ПІБ автора

або оплата публікації статті в “Нові технології”, ПІБ автора


Під час роботи конференції планується культурна програма, виїзд на природу.

Проживання та харчування плануються в готелі “Кремінь”; про їх вартість буде повідомлено додатково.


Адреса для листування: 39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24/37, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, відділ НДР

Контактні телефони:

тел/факс (05366) 3-11-44 – Петренко Василь Радіславович, голова організаційного комітету,

Е-mail: pvr@ient.net,

тел. (05366) 3-11-44 – Черниш Олена Іванівна, організаційний секретар,

Е-mail: vndr@ient.net


Спонсорський пакет


Організаційний комітет IV Міжнародної науково–практичної конференції “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” пропонує фірмам та організаціям розглянути можливість участі у спонсорській програмі конференції та використати наш захід для реклами своєї компанії, продукції або послуг.

Ми пропонуємо розміщення логотипу фірми та рекламних смуг на сторінках інформаційних листів, збірки тез, програми, списку учасників та інших матеріалів конференції.

Пакет для генерального спонсора конференції (вартість – 5000 грн.):
  • розміщення логотипу на першій сторінці програми та збірки тез доповідей конференції;
  • розміщення рекламної смуги у програмі конференції;
  • розміщення банеру спонсора у фойє та у конференц-залі;
  • представлення спонсора під час відкриття конференції;
  • безкоштовна участь двох співробітників фірми-спонсора в усіх заходах конференції.


Пакет для офіційних спонсорів конференції (вартість – 3000 грн.):
  • розміщення логотипу на другій сторінці програми та збірки тез доповідей конференції;
  • розміщення рекламної смуги у програмі конференції;
  • представлення спонсора під час відкриття конференції;
  • безкоштовна участь одного співробітника фірми-спонсора в усіх заходах конференції.


Додаток 1


Вимоги до оформлення рукописів наукових статей в науковий журнал “Нові технології”

Обов’язкові елементи статті:
  • індекс УДК (Times New Roman, 12);
  • заголовок (Times New Roman, 16, прописними);
  • прізвища авторів (Times New Roman, 12);
  • назва організації (Times New Roman, 12);
  • анотація – мовою статті об’ємом не більше 100 слів (Times New Roman, 12, курсивом);
  • ключові слова – мовою статті (слова з тексту статті, які з точки зору інформаційного пошуку несуть смислове навантаження. Ключові слова подаються у називному відмінку, загальна їх кількість — не менше трьох і не більше десяти, Times New Roman, 12);
  • основний текст статті (Times New Roman, 14); .
  • список використаної літератури (у відповідності до вимог ДСТУ 3008-95) (Times New Roman, 14); .

Основний текст статті повинен відповідати вимогам Постанови Президії ВАК України від 15.01.2003 р.­ № 7-05/1 (Бюлетень ВАК України № 1, 2003 р.) і бути структурованим:
  • вступ (постановка проблеми у загальному вигляді та її зв'язок із важливими науковими чи практичними завданнями; аналіз останніх джерел досліджень і публікацій, в яких започатковано розв 'язання поставленої проблеми і на які спирається автор, виділення невирішених раніше частин проблеми, яким присвячується стаття);
  • постановка задачі (формулювання мети та методів дослідження теми, що розглядається у статті);
  • основний матеріал та результати (виклад основного матеріалу дослідження з повним обгрунтуванням наукових результатів; розділ може бути поділено на підрозділи, що мають заголовки);
  • висновки (наукова новизна, наукове та практичне значення результатів дослідження, перспективи подальших наукових розробок у цьому напрямку).

Разом із статтею подаються:
  • рецензія за підписом доктора наук з іншої організації (якщо серед авторів відсутній доктор наук);
  • відомості про авторів (авторська довідка), де зазначаються: прізвище, ім'я, по батькові, вчене звання, науковий ступінь, посада або професія, місце роботи, контактні телефони, e-mail;
  • реферати українською, російською і англійською мовами (вимоги до анотації і рефератів - згідно з Міждержавним стандартом ГОСТ 7.9-95 (ИСО0214-76) "Реферат і анотація. Загальні вимоги", рекомендований середній обсяг — 500 друкованих знаків);
  • копія квитанції про оплату.

Мова рукопису: статті подаються українською, російською або англійською мовами і друкуються мовою оригіналу. Після текстів статей англійською мовою обов'язково подається розширена анотація українською мовою (до 1200 знаків).

Оформлення рукопису статей: статті подаються у вигляді файлу формату .rtf для MS Word-97 (або пізніша версія) на дискетах 1,44 (2 дискети), або на CD (CD-RW) в 1 екз. з обов'язковим роздрукуванням на стандартних аркушах паперу формату А4 згідно з вимогами ДСТУ 3772-98 "Оригінали для поліграфічного відтворення. Загальні технічні вимоги", а саме: основний текст повинен бути надрукований з одного боку аркуша через 1,5 інтервали, шрифт Times New Roman, 14пт. зі звичайним міжсимвольним інтервалом; всі поля - 20 мм.

Таблиці мають бути виконані в Excel або Word без заливання; формули мають бути виконані у редакторі формул MS Equaition.

Малюнки, виконані у Word, мають бути згруповані і являти собою один графічний об'єкт. Всі ілюстрації треба подавати у чорно-білому варіанті або у градаціях сірого кольору.

Штрихові графічні об'єкти, графіки, діаграми подаються в форматі WMF або TIFF. Растрові ілюстрації подаються в оригіналі (фотознімок, малюнок, негатив або слайд), які після сканування повертаються автору, або скановані у форматі TIFF з роздільною здатністю 300-600 dpi, окремими файлами.

Оптимальний обсяг статті — 12000-14000 знаків. Статті більшого розміру можуть друкуватися з продовженням.


Вимоги до оформлення рукописів тез для збірника тез доповідей “МЕТІТ-4” аналогічні
вимогам до оформлення рукописів наукових статей, з урахуванням наступного:
  • оптимальний обсяг тез – 2400-3500 друкованих знаків;
  • анотація, ключові слова та реферати не надаються;
  • список використаної літератури обмежується п’ятьма джерелами;
  • структуризація тексту не вимагається;
  • рецензія не вимагається.


Зразок


20 мм



УДК 621.315.592



МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ УТВОРЕННЯ МІКРОДЕФЕКТІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ ЗЛИВКІВ КРЕМНІЮ


А.П. Іванов1, С.О. Петров, О.В. Сидоров

Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління

1 Харківський національний університет радіоелектроніки


Викладений підхід до побудови математичної моделі утворення і розподілу мікродефектів в об’ємі зливка кремнію в процесі вирощування з розплаву.

Ключові слова: мікродефекти, кремній, дифузія, кластеризація, преципітати

Вступ


Проблема підвищення якості вирощених зливків кремнію за правом вважається однією з головних задач розвитку технології напівпровідникової електроніки. Аналіз формування і розподілу мікродефектів у вирощуваних зливках кремнію показав, що вони мають фундаментальний і апаратний характер [1, 2].

.....

1. Постановка задачі

Проведені дослідження виявлення природи та закономірностей утворення мікродефектів у зливках кремнію до цього часу не дозволили сформулювати повного розуміння механізму цього складного явища...


2. Основний матеріал та результати

Дефекти кристалічної решітки є джерелом для точкових дефектів кластеризації протягом термічної обробки кристала...

2.1. Моделювання виникнення мікродефектів

Основне рівняння виникнення вроджених дефектів у кристалі та їх наступна рекомбінація у гарячих зонах та поблизу фронту кристалізації може бути представлена як [4]...

2.2. Модель кластеризації мікродефектів

Модель об’єднала розрахунки для одночасного утворення та еволюції пустот та прецитат кисню, що дозволяє прогнозувати концентрації дефектів.

.......


Висновки

1.

2.

ЛІТЕРАТУРА:
  1. Эйдензон А.М. Выращивание совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского / А.М. Эйдензон, Н.И. Пузанов // Неорганические материалы. - 1997. – Т. 33. - № 3. – с. 272-279.
  2. Ландау Л.Д. Статистическая физика : учебн. [для студ. высш. уч. завед.] / Л.Л. Ландау, Е.М. Лифшиц. – М.: Наука, 1973. – 568 с.
  3. Надточий В.А. Микропластичность и электрические свойства приповерхностных слоев алмазоподобных проводников деформированных при низких температурах / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.А. Голоденко // 1-ая Украинская научная конференция по физике полупроводников, Одесса, 10-14 июня 2002 г. : Тезисы докладов. – Одесса: Астропринт. – Т. 2. – с. 70.





20 мм

20 мм








20 мм

Рукописи підлягають додатковому редакційному рецензуванню. Прорецензована стаття може бути повернута авторові на доопрацювання. Відхилений оригінал авторові не повертається, кошти, перераховані за публікацію, повертаються (за винятком ПДВ та поштових видатків)

Редакційна колегія

Додаток 2

Реєстраційна картка учасника конференції “МЕТІТ- 4”



Прізвище

Ім’я По батькові

Науковий ступінь Вчене звання

Посада

Назва організації

Адреса організації

Адреса для листування (якщо відрізняється від адреси організації)

Поштовий код Країна

Телефон Факс

Е-mail

Назва доповіді


Позначте відповідні пункти
  • Я хотів би представити доповідь (тези додаю)
  • Я планую приїхати без доповіді
  • Я хочу надрукувати наукову статтю у журналі “Нові технології”



Я хотів би, щоб моя доповідь була представлена в напрямку (необхідне закреслити - Х)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15


як  усна доповідь *  стендова доповідь *

*Остаточне рішення про презентацію доповіді (усна/стендова) буде прийняте програмним комітетом.