Осрб 1-41 01 02-2007
| Вид материала | Образовательный стандарт |
- Осрб 1-40 03 01-2007, 771.09kb.
- Осрб 1-53 01 02-2007, 635.39kb.
- Осрб 1-39 02 03-2007, 834.19kb.
- Осрб 1-36 04 01-2007, 739.43kb.
- Осрб 1-39 02 02-2007, 761.48kb.
- Осрб 1-39 02 01-2007, 772.89kb.
- Осрб 1-40 02 01-2007, 741.74kb.
- Учебная программа для специальности: 1-26 02 02 Менеджмент (специализации 1-26, 201.85kb.
- Программа вступительного экзамена в магистратуру по специальности 1-40 80 03 «Вычислительные, 170.56kb.
- Осрб 1-40 01 02-09-2011, 757.7kb.
Основы экологии
Биосфера. Экосистема. Среда и условия существования организмов. Природные условия как фактор развития. Загрязнение биосферы. Нормативы допустимой антропогенной нагрузки на окружающую среду. Мониторинг окружающей среды. Методы очистки и обезвреживания выбросов. Обращение с отходами. Система управления окружающей средой. Стандарты. Экологическое нормирование, планирование и прогнозирование. Правовое регулирование Республики Беларусь и международное сотрудничество в области охраны окружающей среды.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- закономерности развития жизни на Земле и принципы устройства биосферы;
- основные экологические проблемы и мероприятия по охране окружающей среды;
- последствия и нормативы допустимого антропогенного воздействия на природу, экологические стандарты;
- основные нормативные документы в области охраны окружающей среды;
уметь:
- анализировать качество среды обитания и использовать информацию о ее состоянии;
- организовать мониторинг состояния окружающей среды и обосновать нормативы допустимого на нее воздействия;
- давать экономическую оценку природных ресурсов, ущерба от загрязнения окружающей среды, выбирать оборудование для очистки сточных вод и газовых выбросов.
Основы энергосбережения
Основные понятия. Энергетические ресурсы Республики Беларусь. Возобновляемые и невозобновляемый источники энергии. Источники энергии. Структура энергосбережения. Энергетическое хозяйство. Вторичные энергетические ресурсы. Транспортирование и аккумулирование тепловой и электрической энергии. Энергосбережение в системах потребления энергоресурсов. Экологические аспекты энергетики и энергосбережения. Энергосбережение в зданиях и сооружениях. Нормирование потребления энергии. Республиканская программа энергосбережения.
В результаты изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- свойства возобновляемых и невозобновляемых энергетических ресурсов Республики Беларусь и их природный потенциал;
- источники вторичных энергетических ресурсов, направления их использования;
- организацию и управление энергосбережением на производстве путем внедрения энергетического менеджмента по оценке эффективных инвестиций в энергосберегающие мероприятия на основе анализа затрат;
уметь:
- экономно и рационально использовать все виды энергии на рабочем месте;
- рассчитывать энергоэффективность энергоустановок и использование вторичных энергетических ресурсов;
- владеть приемами и средствами управления энергоэффективностью и энергосбережением.
Организация производства и управление предприятием
Промышленное предприятие как производственная система. Производственный процесс и принципы его организации во времени и в пространстве. Организация автоматизированного производства. Организация вспомогательных цехов и обслуживающих хозяйств предприятия. Организация управления качеством продукции. Организация труда, его нормирование, заработная плата на предприятии. Организация, планирование и управление процессами создания и основания новой техники (СОНТ). Организация внутризаводского планирования. Основы организации прогнозирования и бизнес-планирования производственно-хозяйственной деятельности предприятия. Управление предприятием.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- организацию, планирование и управление работой основных, вспомогательных цехов и обслуживающих хозяйств предприятия;
- методы организации, нормирования и оплаты труда работников предприятия;
- основы организации работ по созданию и освоению новой техники и технологии;
- организационные и методические основы управления предприятием;
уметь:
- организовывать производственные и трудовые процессы;
- решать практические задачи по внутрипроизводственному планированию работы основных, вспомогательных цехах и обслуживающих хозяйствах предприятия;
- принимать и оценивать эффективность управленческих решений.
Экономика предприятия
Предприятие и внешняя среда: место и роль радиоэлектронной промышленности в народнохозяйственном комплексе, предприятие как субъект хозяйствования. Производственные ресурсы и эффективность их использования: труд и его эффективность, основные фонды и их эффективность, оборотные средства предприятия и их эффективность. Функционирование предприятия: производственная программа предприятия, оплата труда на предприятии, издержки, себестоимость и цена продукции. Развитие предприятия: инновации и инновационная деятельность предприятия, инвестиции и инвестиционная деятельность предприятия. Формы и методы хозяйственной деятельности: концентрация и комбинирование производства, специализация и кооперирование производства. Результативность деятельности предприятия: доход, прибыль, рентабельность.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- основы функционирования производства; сущность и особенности развития современного производства, специфические особенности проявления объективных экономических законов в деятельности предприятий и объединений;
- сущность основных экономических категорий: производительность труда, заработная плата, себестоимость продукции, цена, прибыль, рентабельность;
- методические положения оценки эффективности производства и рационального использования всех видов ресурсов;
- методы анализа и обоснования выбора оптимальных научных, технических и организационных решений с использованием экономических рычагов, стимулов и критериев в рамках будущей профессиональной деятельности;
уметь:
- характеризовать организационно–правовые формы предприятий;
- характеризовать структуру основного и оборотного капитала;
- характеризовать виды издержек производства, показатели работы предприятия;
- оценивать факторы и резервы, влияющие на основные показатели работы предприятия;
- обосновывать производственную программу предприятия;
- рассчитывать фонд заработной платы, потребности в производственных ресурсах предприятия и показателей их использования;
- определять себестоимость продукции, рассчитывать выручку от реализации, прибыли и рентабельности;
- проводить технико-экономическое обоснование инвестиционных и инновационных проектов.
Основы защиты информации
Системная и правовая методология защиты информации: основные понятия и терминология, классификация угроз информационной безопасности, классификация методов защиты информации. Организационные методы защиты информации: государственное регулирование в области защиты информации, лицензирование деятельности юридических и физических лиц по защите информации, сертификация и аттестация средств защиты и объектов информации, управление рисками, физическая защита информации, комбинированные методы защиты информации. Технические каналы утечки информации. Пассивные методы защиты информации от утечки по техническим каналам. Активные методы защиты информации от утечки по техническим каналам. Программно-техническое обеспечение защиты информации: алгоритмы шифрования, электронно цифровая подпись, защита информации в электронных платежных системах, методы разграничения доступа и способы их реализации. Защита объектов от несанкционированного доступа: интегральные системы безопасности, противодействие техническим средствам разведки.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- системную методологию, правовое и нормативное обеспечение защиты информации;
- организационные и технические методы защиты информации;
- активные и пассивные мероприятия по защите информации и средства их реализации;
- основы криптологии;
- технические каналы утечки информации их обнаружение и обеспечение информационной безопасности;
уметь:
- проводить анализ вероятных угроз информационной безопасности для заданных объектов;
- определять возможные каналы утечки информации;
- обоснованно выбирать методы и средства блокирования каналов утечки информации;
- качественно оценивать алгоритмы, реализующие криптографическую защиту информации, процедуры аутентификации и контроля целостности;
- разрабатывать рекомендации по защите объектов различного типа от несанкционированного доступа.
Основы управления интеллектуальной собственностью
Интеллектуальная собственность. Авторское право и смежные права. Промышленная собственность. Патентная информация. Патентные исследования. Введение объектов интеллектуальной собственности в гражданский оборот. Коммерческое использование объектов интеллектуальной собственности. Защита прав авторов и правообладателей. Разрешение споров в области интеллектуальной собственности.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- основные понятия и термины в сфере интеллектуальной собственности;
- основные положения международного и национального законодательства об интеллектуальной собственности;
- порядок оформления и защиты прав на объекты интеллектуальной собственности;
- методики патентного поиска, обработки результатов;
уметь:
- проводить патентные исследования (патентно-информационный поиск, в том числе с использованием сети Интернет),
- проводить анализ патентной информации, оценивать патентоспособность и патентную чистоту технических решений;
- оформлять заявки на выдачу охранных документов на объекты промышленной собственности;
- оформлять договора на передачу имущественных прав на объекты интеллектуальной собственности;
- управлять интеллектуальной собственностью в организации.
Материалы и компоненты электронной техники
Виды химической связи и особенности внутреннего строения веществ. Общая классификация материалов по фазовому составу, свойствам и техническому назначению. Физическая природа электропроводности металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и композиционных материалов. Характеристика проводящих и резистивных материалов. Характеристика и основные свойства элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений и твердых растворов. Основные физические процессы в диэлектриках. Активные и пассивные диэлектрики. Магнитные материалы. Материалы микроэлектроники. Основные термины и определения микроэлектроники. Классификация интегральных микросхем. Типовые структуры и основные элементы пленочных, полупроводниковых, гибридных интегральных микросхем.В результате изучения дисциплины студенты должны:
знать:
- теоретические основы материалов электронной техники;
- природу свойств материалов;
- принципиальные пути управления свойствами материалов;
уметь:
- характеризовать основные свойства материалов электронной техники;
- характеризовать влияние внешних факторов на электрофизические параметры этих материалов;
- характеризовать условия сохранения стабильности свойств материалов;
- характеризовать основные материалы электронной техники;
- анализировать возможность улучшения свойств существующих материалов;
- анализировать возможность создания новых материалов с повышенными свойствами, учитывающее особенности, связанные со все большей миниатюризацией электронных устройств, вплоть до наноразмеров.
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем
Физика работы выпрямляющих диодов, туннельных, параметрических, лавинно-пролетных и диодов Шоттки. Структура и основные типы биполярных транзисторов. Коэффициенты передачи и усиления токов эмиттера и базы, пути их увеличения и их зависимость от режимов работы. Канальные полевые транзисторы: с управляемым p-n-переходом и с затвором Шоттки. МОП-транзистор, работающий в режимах обогащения и обеднения. Тиристоры. Методы метрологической обработки и представления результатов измерений параметров и характеристик активных элементов интегральных микросхем. Классификация параметров активных элементов интегральных микросхем. Основные виды нормативно-технической документации. Расчет полупроводниковых диодов и диодных структур интегральных микросхем; расчет биполярных транзисторов и транзисторных структур интегральных микросхем; основы конструирования полупроводниковых и микроэлектронных приборов; последовательность проектирования полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров; особенности конструирования интегральных микросхем; методы изоляции элементов полупроводниковых интегральных микросхем. Математические модели, используемые при проектировании топологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Электрические модели элементов интегральных микросхем.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- физические процессы, протекающие в полупроводниках структурах и р-n переходах;
- предельные электрические характеристики и области применения полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов;
- физико-топологические и электрические модели элементов интегральных микросхем;
- методы и схемы измерений электрических параметров полупроводниковых приборов;
- конструкции дискретных полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем;
уметь:
- характеризовать причины, приводящие к изменению величины порогового напряжения МОП-транзистора;
- характеризовать причины, вызывающие ограничения величин частоты отсечки мощных биполярных и МОП-транзисторов;
- характеризовать показатели надежности интегральных микросхем;
- рассчитывать полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы;
- характеризовать области использования изучаемых приборов и элементов.
Основы микроэлектроники
Основные термины и определения микроэлектроники. Классификация интегральных микросхем. Система обозначения интегральных микросхем. Классификация микросхем по конструктивно-технологическому признаку. Типовые конструкции и структуры пленочных, полупроводниковых, гибридных интегральных микросхем. Толстопленочные интегральные микросхемы. Расчет элементов толстопленочных интегральных микросхем. Проводящие, диэлектрические, резистивные пленки, их состав. Методы получения рисунка в толстопленочной технологии, последовательность этапов производства толстопленочных схем. Тонкопленочные интегральные микросхемы. Тонкопленочные элементы и конструкции тонкопленочных микросхем. Тонкопленочные проводники и контактные площадки, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Расчет тонкопленочных элементов. Основные этапы производства гибридных тонкопленочных интегральных микросхем. Обзор методов получения тонких пленок. Методы получения заданной конфигурации тонкопленочных элементов. Элементы полупроводниковых интегральных микросхем. Основные элементы полупроводниковых интегральных микросхем и их отличия от дискретных. Конструкции, структура и топология биполярных эпитаксиально-планарных транзисторов. Металлизация полупроводниковых интегральных микросхем. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- основную терминологию микроэлектроники, элементную базу пленочных и полупроводниковых интегральных микросхем;
- принципы конструирования и технологические процессы изготовления интегральных микросхем;
- схемотехнические основы интегральных микросхем;
уметь:
- характеризовать отличия интегральных микросхем различных конструкций;
- характеризовать физические и химические процессы, используемые при изготовлении различных интегральных микросхем;
- анализировать связь конструкции, топологии элементов интегральных микросхем и их электрических параметров;
- выбирать оптимальные решения по разработке топологии интегральных микросхем;
- выбирать материал и технологический маршрут изготовления интегральных микросхем.
Физика твердого тела
Структура и симметрия твердых тел. Обратная решетка. Рассеяние волн в кристаллах. Упругие свойства кристаллов. Колебания кристаллической решетки. Фононы. Электронные состояния в кристаллах. Зонная структура полупроводников. Типы дефектов и соответствующие им дефектные уровни в запрещенной зоне полупроводника. Статистика электронов и дырок в металлах и полупроводниках. Вырожденный и невырожденный электронный газ. Уравнение электронейтральности. Кинетические явления в кристаллах. Уравнение Больцмана и его применение в частных случаях: электропроводность, гальвано- и термоэлектрические и магнитные эффекты. Механизмы рассеяния носителей заряда. Оптические явления в твердых телах. Оптические константы и механизмы поглощения. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Уравнение непрерывности. Амбиполярные диффузия и дрейф носителей заряда. Механизмы рекомбинации носителей заряда. Некристаллические твердые тела, их электронная структура. Механизмы электропроводности в неупорядоченных средах. Диэлектрические свойства твердых тел. Механизмы поляризации и электропроводности в диэлектриках. Магнитные свойства кристаллов. Сверхпроводимость.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- основные структурные, электронные, оптические и магнитные свойства полупроводников, диэлектриков, проводников и сверхпроводников;
- методы теоретического описания и исследования свойств твердых тел и процессов в них;
уметь:
- использовать теоретические знания при экспериментальном анализе и теоретических расчетах свойств и физических процессов в твердых телах;
- качественно и количественно анализировать основные физические процессы, происходящие на границах раздела твердых тел.
Приборы на квантовых, оптических и магнитных эффектах
Способы описания и характеристики электромагнитного излучения. Квантовые переходы, оптические характеристики веществ. Соотношение Крамерса-Кроника, дисперсия. Усиление и генерация излучения, методы создания инверсии. Условие самовозбуждения, порог генерации лазеров. Стационарная и нестационарная генерация. Резонаторы оптического диапазона. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Оптические волноводы. Электромагнито- и акустооптические эффекты. Зонная структура полупроводниковых твердых растворов. Оптические переходы, правила отбора. Механизмы поглощения, излучательная рекомбинация и фотоэлектрические эффекты. Гетероструктуры и квантоворазмерные эффекты в полупроводниках. Газовые, твердотельные, жидкостные и полупроводниковые лазеры. Источники некогерентного излучения, индикаторы. Фотоприемники, приборы управления оптическим излучением. Оптроны и оптические датчики. Оптические методы обработки и передачи информации. Принципы и компоненты интегральной оптики. Физические основы, конструкции, технологические особенности элементов, эксплуатационные параметры, перспективы микроминиатюризации и применения устройств, использующих различные свойства твердых тел: оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, хемотроника, приборы на шнурах тока; приборы с использованием доменов сильного поля; биоэлектроника. Основы построения датчиков физических величин на квантовых, оптических и магнитных эффектах в твердых телах и на их поверхности.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- закономерности процессов взаимодействия внешних воздействий (свет, температура, магнитное поле, акустические волны) с твердотельными структурами;
- принцип действия, конструктивно-технологические особенности и области применения приборов и устройств квантовой электроники и оптоэлектроники, акустоэлектроники и биоэлектроники, магнетоэлектроники, хемотроники, приборов на шнурах тока и на доменах сильного поля;
уметь:
- конструировать и рассчитывать основные параметры приборов квантовой электроники и оптоэлектроники, акустоэлектроники и биоэлектроники, магнетоэлектроники, хемотроники, приборов на шнурах тока и на доменах сильного поля;
- разрабатывать технологию изготовления таких приборов;
- измерять основные характеристики и параметры указанных приборов.
Технология изготовления интегральных микросхем
Эволюция базовых технологических процессов в микроэлектронике. Механическая и физическая обработка полупроводников. Химическая, электрохимическая и ионно-плазменная обработка. Процессы литографической обработки поверхности технологических слоев; оптические способы литографии; рентгеновская и электроннолучевая литография; применение ионных пучков. Эпитаксиальные структуры, классификация эпитаксиальных процессов, эпитаксия кремния. Диффузионное легирование полупроводников. Ионная имплантация, электрическая активация имплантированных примесей. Методы формирования тонких и толстых пленок. Общие правила проектирования технологических маршрутов изготовления интегральных микросхем. Создание изоляции и активной структуры элементов интегральных микросхем. Формирование межэлементных электрических соединений в интегральной микросхеме. Методы контроля параметров и анализа элементов интегральных схем. Конструктивно-технологические особенности изготовления элементов больших гибридных интегральных микросхем. Многокристальные модули на основе технологии печатных плат (MKM-L). Тонкопленочная технология изготовления многокристальных модулей (MKM-D). Толстопленочная технология изготовления многокристальных модулей (MKM-C). Многокристальные модули на кремниевых подложках (MKM-Si). Электрохимическая алюмооксидная технология изготовления многокристальных модулей (МКЛ-А). Методы и технология сборки больших гибридных интегральных схем. Моделирование и компьютерное проектирование технологических процессов изготовления интегральных микросхем.
В результате изучения дисциплины обучаемый должен:
знать:
- физико-химические закономерности и модели процессов, используемых при изготовлении интегральных микросхем;
- основные технологические маршруты изготовления интегральных микросхем;
- методы контроля параметров и анализа элементов интегральных микросхем в процессе их формирования;
уметь:
- выбирать метод и режимы проведения конкретных технологических процессов;
- проектировать маршрутную технологию изготовления различных интегральных микросхем;
- анализировать виды брака после проведенной технологической операции и находить оперативные пути устранения причин брака;
- моделировать технологические процессы изготовления различных интегральных микросхем.