Иванов В. А.,Викторов И. А.,Гременок В. Ф.,Зарецкая Е. П

Вид материала

Документы

Подобный материал:

• А. Ж. Макашева викторов И. С., главный научный сотрудник нии проблем укрепления закон, 169.47kb.
• Книга памяти. Йошкар-Ола: Map кн изд-во, 1995. 528 с, К53 ил.,, 1691.88kb.
• Сказка " Вмире трения Сидя на уроке физики, Иванов не слушал учителя., 129.93kb.
• Н. А. Леонид Михайлович Иванов и его детище // Иванов Леонид Михайлович: Личность, 452.47kb.
• Индивидуальное задание выполнено, материал собран полностью. Во время практики Иванов, 11.11kb.
• Бюллетень новых поступлений Техническая литература за май – август 2011 автоматика, 270.15kb.
• Галимова Ольга Владимировна учебно-методическое обеспечение дисциплины основная литература, 633.26kb.
• Монография Издание второе, исправленное, 2072.88kb.
• Председатель Совета Консорциума д э. н., профессор А. Д. Викторов 2011 г. Учебная программа, 552.4kb.
• Председатель Совета Консорциума д э. н., профессор А. Д. Викторов 2011 г. Учебная программа, 703.22kb.

Термоэлектрические свойства тонких пленок CuInSe₂ полученных методом двухстадийной селенизации

Иванов В.А.,Викторов И.А.,Гременок В.Ф.,Зарецкая Е.П.^*, Залесский В.Б.^**, Бенте К.,

Шмитц В.^***

*Институт физики твердого тела и полупроводников НАНБ, г.Минск

**Институт Электроники НАНБ, г.Минск

***Институт Минералогии,Кристаллографии и Материаловедения, Лейпциг,Германия


Исследованы термоэлектрические свойства пленок CuInSe₂ (CIS), полученных методом двухступенчатой селенизации. Процесс получения пленок включал в себя предварительное нанесение на стеклянную подложку металлических слоев Cu,In и их последующий синтез в парах селена в потоке азота. Полученные пленки были поликристаллическими, имели р-тип проводимости, а их фазовый состав и структурные характеристики определялись как соотношением Cu/In, так и условиями синтеза.

В результате исследований установлена корелляция между значениями коэффициента термоэдс (  ) и удельного сопротивления (  ). При росте величины  значение  сначала монотонно увеличивается и достигает максимума =440-460 мкВ/К при =10^-1-10⁰ ом.см, а затем плавно уменьшается. Изменение значений удельного сопротивления определялось соотношением Cu/In и находилось в интервале =10^-2-10² ом.см. Из температурных зависимостей удельного сопротивления определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава пленок. Тип проводимости определяется дефектами типа вакансия меди, которые образуют акцепторные уровни в запрещенной зоне. При повышении концентрации атомов индия образуются дефекты типа замещения атомов меди атомами индия, которые образуют донорные уровни в запрещенной зоне, что приводит к повышению степени компенсации и, как следствие, к росту удельного сопротивления. Обсуждается механизм немонотонной зависимости коэффициента термоэдс от удельного сопротивления.

Проведенные исследования имеют важное значение при получении материалов, пригодных для создания высокоэффективных фотопреобразователей

Работа была финансирована проектом В-542 и поддержана Фондом фундаментальных исследований Республики Беларусь и немецким фондом DLR