Трассировка коммутационной платы корпуса микросхемы в сапр для корпусирования по технологии flip-chip
| Вид материала | Документы |
- К. т н. И. Н. Бычков, С. В. Егоров, И. Н. Лобанов, Г. М. Расулов, 148.52kb.
- Сапр 1 Общие положения, 684.54kb.
- Оренбургский государственный университет вопросы для вступительного экзамена в аспирантуру, 61.82kb.
- Технические средства информатизации, 129.95kb.
- Контрольная работа №1 Цифровые микросхемы Дата сдачи работы: 2005г. Работу, 322.63kb.
- Курс лекций дисциплины «Компьютерные технологии и сапр» для студентов специальностей, 1793.82kb.
- Уважаемые коллеги!, 57.4kb.
- Управление информационным обеспечением телекоммуникационной учебно-исследовательской, 27.98kb.
- 05. 13. 12 Системы автоматизации проектирования (машиностроение), 22.99kb.
- I микросхемы. Микросборки, 407.29kb.
ТРАССИРОВКА КОММУТАЦИОННОЙ ПЛАТЫ КОРПУСА МИКРОСХЕМЫ В САПР ДЛЯ КОРПУСИРОВАНИЯ ПО ТЕХНОЛОГИИ FLIP-CHIP
Федоткин А.С. Научный руководитель: к.т.н. Бычков И.Н.
ЗАО "МЦСТ"
105066, Москва, ул. Нижняя Красносельская, д. 35, стр. 50, Е-mail: alexey_f@mcst.ru
При разработке корпуса интегральной микросхемы по технологии монтажа кристалла объемными выводами на коммутационную плату корпуса (Flip-Chip) существует задача трассировки коммутационной платы, соединяющей выводы кристалла с выводами корпуса микросхемы. Эта задача является одной из самых трудоемких при проектировании корпуса интегральной микросхемы. Так как размеры коммутационной платы небольшие, а плотность и количество выводов кристалла, сделанного по современным технологиям, очень велико, и с каждым годом увеличивается, то для изготовления коммутационной платы типично применение технологий повышенной точности, позволяющих увеличить плотность трассировки линий связи. Тем не менее, в районе расположения кристалла требуется настолько плотная трассировка, что для решения задачи трассировки коммутационной платы корпуса целесообразно рассматривать отдельно три задачи: 1. трассировка коммутационной платы в районе кристалла и вывод линий связи от контактных площадок кристалла за его границы (Escape routing), 2. Трассировка коммутационной платы полностью, после вывода линий связи за пределы кристалла, 3. выравнивание длин линий связи одного интерфейса.
В ЗАО «МЦСТ» специфика разработки корпусов такова, что трассировка коммутационной платы выполняется после назначения сигналов с выводов кристалла на выводы корпуса микросхемы. На кристалле обычно имеется 8 рядов выводов периферийных сигналов, расположенных по периметру кристалла, а также выводы питания ядра, расположенные в центре кристалла. Расстояние на коммутационной плате между центрами контактных площадок для объемных выводов кристалла таково, что, применяя самые точные технологии производства печатных плат на сегодняшний день, между двумя соседними контактными площадками можно провести только одну линию связи. Поэтому, перед проведением полной трассировки коммутационной платы, следует сначала вывести линии связи за пределы кристалла, таким образом, уменьшив плотность линий связи.
В предлагаемом докладе рассматривается алгоритм трассировки, реализующий вывод линий связи из-под кристалла, с учетом особенностей разрабатываемых корпусов, а также расчет необходимого для выполнения трассировки количества сигнальных слоев. Предлагается применение шаблонов для вывода сигнальных линий связи и объединения питания одного номинала напряжения. Приводится подробное описание метода и блок-схема алгоритма.
В докладе также рассматривается методика трассировки коммутационной платы после вывода линий связи за пределы кристалла. Предлагается выделение областей по интерфейсам, затем расстановка опорных точек для возможности параллельной работы алгоритма трассировки от точки до точки и выравнивание длины линий связи одного интерфейса.