Програма фахового вступного випробування на навчання за освітньо-професійними програмами «Спеціаліст», «Магістр» на базі освітньо-кваліфікаційного рівня «Бакалавр»

Вид материала

Содержание

Порядок проведення іспиту
1. Обчислювальна техніка та програмування
2. Чисельні методи
3. Аналогова та цифрова електроніка
4. Елементна база електронних апаратів
5. Основи мікроелектроніки
6. Обчислювальні та мікропроцесорні засоби в електронних апаратах
7. Фізико-теоретичні основи конструювання електронних апаратів
8. Математичні методи оптимального конструювання електронно-обчислювальних засобів
9. Електронно-обчислювальні пристрої та системи
10. Автоматизація конструкторсько-технологічного проектування електронно-обчислювальних засобів
11. Основи технології електронно-обчислювальних засобів
12. Експлуатація комп'ютеризованих систем обробки інформації
14. Основи радіоелектроніки
15. Основи негатроніки
Основи матеріалознавства та матеріали електронних апаратів
Критерії оцінки
Перелік літератури

Подобный материал:

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Вінницький національний технічний університет

ЗАТВЕРДЖУЮ

Ректор ____________В. В. Грабко

«_____»____________ 2011 р.

ПРОГРАМА

фахового вступного випробування на навчання за освітньо-професійними програмами «Спеціаліст», «Магістр»

на базі освітньо-кваліфікаційного рівня «Бакалавр»

Галузь – 0509 «Радіотехніка, радіоелектронні апарати та зв’язок

Спеціальність 7.05090201, 8.05090201 - «Радіоелектронні апарати та засоби»

Вінниця 2011

ВСТУП

Фахове вступне випробування на навчання за освітньо-професійними програмами «Спеціаліст», «Магістр» на базі освітньо-кваліфікаційного рівня «Бакалавр» в галузі – 0509 «Радіотехніка, радіоелектронні апарати та зв’язок за спеціальністю 7.05090201, 8.05090201 - «Радіоелектронні апарати та засоби» приймається фаховою атестаційною комісією.

ПОРЯДОК ПРОВЕДЕННЯ ІСПИТУ

При підготовці до фахового вступного випробування студент завчасно отримує перелік запитань, які є основою побудови екзаменаційного білету.

Екзаменаційні білети складаються з чотирьох практичних і теоретичних завдань, які базуються на включених в програму дисциплінах, необхідних практичних навичках і знаннях виробничої практики. Тривалість усного екзамену в навчальній групі не повинна перевищувати 9 годин. Перебування претендента в екзаменаційному приміщенні не повинно тривати більше 4 годин. При проведенні усного фахового випробування в аудиторії одночасно може перебувати не більше 6 претендентів. Для підготовки до відповіді претенденту повинно надаватися не менше 30 хвилин. Практичні навички можуть перевірятися із застосуванням спеціального обладнання і технічних засобів.

Нижче наведений перелік базових дисциплін на основі яких побудовані завдання.

Перелік базових дисциплін

Обчислювальна техніка та програмування.
Чисельні методи.
Аналогова та цифрова електроніка.
Елементна база електронних апаратів.
Основи мікроелектроніки.
Обчислювальні та мікропроцесорні засоби в електронних апаратах.
Фізико-теоретичні основи конструювання електронних апаратів.
Математичні методи оптимального конструювання електронно-обчислювальних засобів.
Електронно-обчислювальні пристрої та системи.
Автоматизація конструкторсько-технологічного проектування електронно-обчислювальних засобів.
Основи технології електронно-обчислювальних засобів.
Експлуатація комп'ютеризованих систем обробки інформації.
Системотехніка.
Основи радіоелектроніки.
Основи негатроніки.
Основи матеріалознавства та матеріали електронних апаратів.

1. ОБЧИСЛЮВАЛЬНА ТЕХНІКА ТА ПРОГРАМУВАННЯ

Структура програми на мові Сі. Основні оператори. Організація вводу-виводу. Типи змінних та формати змінних. Глобальні та локальні зміни. Стандартні функції вводу-виводу. Створення функцій в мові Сі. Цикли в мові Сі. Оператори умови та вибору в мові Сі. Оператори виходу з циклів break, return, continue. Масиви та ініціалізація елементів масиву. Вказівки та звернення до елементів за допомогою вказівників. Форматоване введення-виведення. Арифметичні операції в мові Сі. Логічні операції в мові Сі. Операції приведення типів в мові програмування Сі. Функції. Структури. Класи. Робота з графікою в мові Ci. Робота з файлами на мові Сі.

2. ЧИСЕЛЬНІ МЕТОДИ

Основні поняття чисельного експерименту: складові, послідовність етапів, похибки. Розв’язання алгебраїчних рівнянь. Метод простої ітерації. Метод хорд. Метод Ньютона. Розв’язання систем лінійних алгебраїчних рівнянь. Метод Гауса. Метод простої ітерації. Метод Зейделя. Чисельне розв'язування нелінійних рівнянь: методи, алгоритми, контроль точності. Умови збіжності операційних процесів. Інтерполяція функцій. Основні поняття, методи, похибки. Наближення функцій за методом найменших квадратів, загальний підхід. Чисельне диференціювання. Властивості чисельного диференціювання. Формула Стірлінга. Інтерполяція функцій. Інтерполяційні поліноми Лагранжа і Ньютона. Чисельне інтегрування. Метод прямокутників. Метод трапецій. Метод Сімпсона. Чисельне інтегрування звичайних диференціальних рівнянь. Геометрична інтерпретація. Метод Ейлера. Чисельне інтегрування диференціальних рівнянь, метод Рунге-Кута. Формула Рунге для оцінки похибок ітераційних процесів. Чисельне розв'язування крайових задач. Метод «стрільби». Оптимізація функцій. Основні стратегії спуску. Апроксимація функцій.

3. АНАЛОГОВА ТА ЦИФРОВА ЕЛЕКТРОНІКА

Схеми випрямлячів. Стабілізатори напруги. Підсилювач низької частоти. Термостабілізація підсилювачів. Вибіркові підсилювачі. Широкосмугові підсилювачі. Вихідні каскади підсилення. Підсилювачі постійного струму (ППС). LC-генератори. Генератор на тунельному діоді. RC-генератори. Транзистор в режимі ключа. Детектори. Симетричний тригер з зовнішнім зміщенням. Несиметричний тригер з емітерним зв'язком (тригер Шмітта). Принцип дії та схеми базових логічних елементів. Одно- і двопівперіодні випрямлячі. Симетричні мультивібратори. Транзисторний мультивібратор, принцип дії, осцилограми. Мультивібратори на логічних елементах та операційних підсилювачах. Генератори лінійно змінної напруги (ГЛЗН).

4. ЕЛЕМЕНТНА БАЗА ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТІВ

Електрофізичні властивості напівпровідників. Контактні явища в напівпровідниках: p-n-перехід, перехід Шотткі. Напівпровідникові діоди. Система маркування та умовні графічні позначення. Випрямляючі діоди. Варікапи. Стабілітрони. Тунельні діоди. Імпульсні діоди. ВЧ та НВЧ діоди. Біполярні транзистори. Система маркування та умовні графічні позначення, принцип роботи. Схеми ввімкнення біполярних транзисторів, коефіцієнт передачі по струму, статистичні ВАХ. Параметри транзистора як активного чотириполюсника. Частотні властивості транзистора. Фізична еквівалентна схема біполярного транзистора. Залежність параметрів біполярного транзистора від режиму роботи і температури. Динамічний та ключовий режими роботи біполярного транзистора. Польові транзистори. Система маркування та умовні графічні позначення. Принцип роботи польового транзистора з р-n переходом. Параметри польового транзистора. ВАХ польового транзистора з р-n переходом. Фізична еквівалентна схема польового транзистора. МДН транзистор з вбудованим та з індукованим каналом. Чотирьохшарові напівпровідникові структури. IGBT-транзистори. Класифікація, умовні графічні позначення та основні параметри конденсаторів. Класифікація, умовні графічні позначення та основні параметри котушок індуктивності. Класифікація, умовні графічні позначення та маркування резисторів. Основні параметри резисторів. Трансформатори живлення та сигнальні трансформатори. Основні параметри трансформаторів. Магнітопроводи та обмотки трансформаторів та дроселів. Фоторезистор, фотодіод, фототранзистор. Світлодіоди. Лазери. Електронно-променеві трубки (ЕПТ) з електростатичним і електромагнітним відхиленням та фокусуванням. Електролюмінісцентні елементи. Індикатори на рідких кристалах. Прилади з зарядовим зв'язком (фізика роботи, основні параметри). Прилади функціональної електроніки (оптоелектроніки, хемотроніки, кріоелектроніки, діелектричної електроніки, акустоелектроніки, біоелектроніки, негатроніки).

5. ОСНОВИ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

Основні положення мікроелектроніки. Функціональна мікроелектроніка. Теплоємність твердих тіл. Теплові розширення твердих тіл. Зонний характер енергетичного спектра кристалів. Основні і неосновні носії. Природа електричної провідності твердих тіл. Контактна різність потенціалів. Робота р-n переходу. Оптичні явища в напівпровідниках. Термоелектричні явища в твердому тілі. Магнітні явища в твердих тілах. Технологічні процеси при виготовленні ІМС. Структура планарного біполярного транзистора. Параметри транзистора що залежать від структури шарів, технологічні операції для їх створення. Планарно-дифузійна технологія без прихованого шару. Методики розрахунку. Топологія з діодом Шоткі для підвищення швидкодії біполярного n-p-n транзистора інтегральних схем. Послідовність операцій технологічного процесу ізопланарної технології інтегральних схем для проведення локального оксидування при створенні кишень під транзистори. Виготовлення резистора на основі транзисторної структури. Визначення площі поверхні пластини під конденсатор з заданими параметрами матеріалу.

6. ОБЧИСЛЮВАЛЬНІ ТА МІКРОПРОЦЕСОРНІ ЗАСОБИ В ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТАХ

Історія розвитку мікропроцесорної техніки та її класифікація. Архітектура мікропроцесорів Нейманівського та Гарвардського типів. Їх особливості, приклади. Принцип шинної організації мікропроцесорних систем. Архітектура сімейства мікроконтролерів MCS-51, її особливості та основні характеристики. Система команд та способи адресації інформації в мікроконтролерах сімейства MCS-51. Організація пам'яті та її типи в в MCS 51 Організація, призначення та приклади використання таймерів-лічильників в MCS-51. Організація системи переривань в МСS-51. Особливості архітектури AVR RISC АТ90 мікропроцесорів. Способи адресації інформації та система команд AVR RISC АТ90 мікропроцесорів. Особливості організації пам'яті та системи переривань AVR RISC мікропроцесорах. Особливості архітектури мікропроцесорів Intel Х86 та програмно-логічна модель процесора для прикладного програміста. Відмінності 32-х та 16-розрядних мікропроцесорів сімейства Intel Х86. Організація системи переривань в мікропроцесорах сімейства Intel Х86. Призначення та принцип організації віртуальної пам'яті.

7. ФІЗИКО-ТЕОРЕТИЧНІ ОСНОВИ КОНСТРУЮВАННЯ ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТІВ

Основи розрахунку точності параметрів конструкцій PEA. Методи забезпечення заданої точності вихідного параметра виробу PEA. Методи статистичного планування експерименту. Обробка результатів факторного експерименту методом регресивного аналізу. Методика експериментального визначення коефіцієнта керування регресії. Метод теорії множинної кореляції. Оцінка основних параметрів і характеристик електромагнітної сумісності джерел електромагнітних перешкод. Ефективність екранування конструктивних елементів радіопередавальних пристроїв. Забезпечення надійності PEA на етапах проектування і виготовлення. Забезпечення надійності на етапі експлуатації. Аналітичні та статистичні показники та характеристики надійності невідновлюваних виробів. Одиничні показники надійності відновлювальних виробів. Комплексні показники надійності відновлених виробів. Структурні логічні схеми надійності. Оцінка надійності ЕА при використанні резервування. Інформаційні методи забезпечення надійності. Корегуючі коди.

8. МАТЕМАТИЧНІ МЕТОДИ ОПТИМАЛЬНОГО КОНСТРУЮВАННЯ ЕЛЕКТРОННО-ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ЗАСОБІВ

Математичні моделі ЕОЗ. Вимоги до математичних моделей. Методологія моделювання. Якість продукції та її математичні моделі. Показники якості ЕОЗ. Прогнозування стану ЕОЗ на основі теорії дискретних ланцюгів Маркова. Прогнозування стану ЕОС на основі теорії неперервних ланцюгів Маркова. Поставлення задачі оптимізації. Вибір критеріїв оптимізації. Лінійне програмування. Методи рішення задач лінійного програмування. Дискретне програмування. Динамічне програмування. Нелінійне програмування. Квадратичне програмування. Стохастичне програмування. Ігрові методи прийняття рішення. Пошукові методи оптимізації. Квадратичне програмування. Метод Гаусса розв’язання систем лінійних алгебраїчних рівнянь. Теорія систем масового обслуговування.

9. ЕЛЕКТРОННО-ОБЧИСЛЮВАЛЬНІ ПРИСТРОЇ ТА СИСТЕМИ

Основні характеристики ЕОМ. Позиційні системи числення. Перетворення чисел з одної системи числення в іншу. Кодування від'ємних чисел. Кодування алфавітно-цифрової інформації. Формати зображення чисел з фіксованою комою в ЕОМ. Формати зображення чисел з плаваючою комою в ЕОМ. Основні положення і теореми алгебри логіки. Таблиці істинності та булеві вирази. Зображення перемикаючих функцій, логічні елементи. Мінімізація перемикаючих функцій алгебри логіки. Карти Карно, діаграми Вейча. Аналіз і синтез комбінаційних систем. Тригери і їх синтез. Регістри і їх синтез. Лічильники і їх синтез. Генератори чисел і їх синтез. Шифратори, дешифратори і їх синтез. Мультиплексори, компаратори і їх синтез. Основи проектування цифрових пристроїв з пам'яттю. Комбінаційний суматор. Асинхронний суматор. Двійково-десятковий суматор. Структурна організація ЕОМ.

10. АВТОМАТИЗАЦІЯ КОНСТРУКТОРСЬКО-ТЕХНОЛОГІЧНОГО ПРОЕКТУВАННЯ ЕЛЕКТРОННО-ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ЗАСОБІВ

Загальні відомості про систему OrCAD. Навігація в OrCAD Capture. Робота з бібліотекою символів компонентів в OrCAD Capture. Створення електричної принципової схеми проекту в OrCAD Capture. Редагування електричної принципової схеми проекту в OrCAD Capture. Створення символів в OrCAD Capture. Створення компонентів в OrCAD Capture. Розміщення на схемі ієрархічних блоків. Загальні відомості про редактор топології друкованих плат OrCAD Layout Навігація в OrCAD Layout. Створення технологічного шаблону в OrCAD Layout. Ручне розміщення компонентів і трасування провідників в OrCAD Layout. Автоматичне розміщення компонентів в OrCAD Layout. Автоматичне трасування провідників в OrCAD Layout. Моделі джерел сигналів. Робота в STIMULUS EDITOR. Моделі компонентів. Аналогове та цифрове моделювання в програмі PSpice OrCAD. Запуск PSPICE та виправлення помилок в проекті. Аналіз перехідних процесів, параметричний та температурний аналіз. Аналіз та представлення результатів моделювання.

11. ОСНОВИ ТЕХНОЛОГІЇ ЕЛЕКТРОННО-ОБЧИСЛЮВАЛЬНИХ ЗАСОБІВ

Основні поняття і термінологія технологічного процесу. Технологія паяння. Технологія зварювання. Технологія виготовлення електричних провідників. Технологія виготовлення виробів з пластмаси та кераміки. Технологія нанесення тонких плівок. Технологія виготовлення рідинно-кристалічних приладів. Технологія виготовлення друкованих плат. Методи контролю друкованих плат. Абразивні матеріали. Різання, шліфування та полірування пластин при виробництві інтегральних мікросхем. Забруднення напівпровідникових підкладок та способи їх очищення. Види обробки пластин при виробництві інтегральних мікросхем. Технологія збирання напівпровідникових приладів. Технологія збирання ЕОЗ.

12. ЕКСПЛУАТАЦІЯ КОМП'ЮТЕРИЗОВАНИХ СИСТЕМ ОБРОБКИ ІНФОРМАЦІЇ

Microsoft Excel. Характеристики комірок. Види посилань. Створення таблиць значень функції. Створення і форматування діаграми. Основні поняття та функції бази даних і систем управління базами даних. Реляційний модуль бази даних Microsoft Access. Компоненти бази даних. Засоби створення таблиць баз даних. Типи полей бази даних. Пошук даних за допомогою фільтрів і запитів. Засоби створення звітів баз даних. Створення кнопок та макросів. Обслуговування бази даних. Використання операторів, функцій і виразів MathCad. Типові операції математичного аналізу Maple. Типові засоби програмування MATLAB.

13. СИСТЕМОТЕХНІКА

Складні системи і принципи системотехніки. Характеристики складних систем та задачі їх дослідження. Математичні моделі систем. Адекватність моделі й об’єкту. Загальні відомості про мозок. Нейрон. Структура та зовнішні зв'язки нейрона. Рівні моделювання нейронних мереж. Нейроподібний елемент. Нейроподібна мережа та її навчання. Навчання та методи дослідження нейроподібної мережі. Простий персептрон. Математична модель. Багатошаровий персептрон. Математична модель. Мережа Хопфілда. Математична модель. Напрями поліпшення характеристик. Машина Больцмана. Математична модель. Алгоритм навчання. Реалізація нейрокомп’ютерів. Програмне забезпечення моделювання нейронних мереж. Нанонейрокомп’ютери.

14. ОСНОВИ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ

Кола постійного струму. Закон Ома. Закони Кірхгофа. Послідовне, паралельне та змішане з’єднання опорів. Гармонічний струм. Миттєве, амплітудне, діюче та середнє значення. Поняття про активний та реактивні опори. Символічний метод розрахунку кіл змінного струму. Закони Ома та Кірхгофа для комплексних амплітуд. Комплексний і повний опори. Векторні діаграми для кіл. Послідовне, паралельне та змішане з’єднання комплексних опорів. Комплексна потужність. Повна потужність. Комплексно-спряжене узгодження генератора і навантаження. Послідовний коливальний контур та його характеристики. Приклади застосування коливальних контурів. Паралельний коливальний контур та його характеристики. Приклади застосування коливальних контурів. Електричні фільтри. Призначення, класифікація та параметри фільтрів. Класифікація сигналів. Спектр періодичної послідовності прямокутних імпульсів. Спектр неперіодичних сигналів. Радіосигнали. Види модульованих сигналів. Поняття перехідного процесу. Закони комутації. Перехідні процеси в RL- та RC-колах. Нелінійні процеси у радіоелектроніці. Спектральний склад струму у нелінійному елементі при дії моногармонічної напруги. Процеси випрямлення, нелінійного підсилення та помноження частоти. Процеси гетеродинування, модуляції та детектування.

15. ОСНОВИ НЕГАТРОНІКИ

Історія розвитку негатроніки. Основні визначення. Класифікація негатронів. Визначення R-негатрона. Оптимальне значення негативного опору і негативної провідності R-негатрона. Взаємозв'язок виду вольтамперної характеристики з типом зворотного зв'язку та характером реактивності R-негатрона. Визначення С-негатрона. Енергетичні властивості С-негатрона. Визначення L-негатрона. Енергетичні властивості L-негатрона. Узагальнені перетворювачі імітансу, класифікація, параметри. Активні взаємні НВЧ фільтри на базі транзисторних негатронів. Активні невзаємні НВЧ фільтри на базі транзисторних негатронів. Узагальнена математична модель ефективності інформаційних пристроїв на базі негатронів. Вимірювання W-параметрів потенційно-нестійких чотириполюсників.

ОСНОВИ МАТЕРІАЛОЗНАВСТВА ТА МАТЕРІАЛИ ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТІВ

Види хімічного зв'язку і їх вплив на структуру та властивості матеріалів. Матеріали кристалічної структури. Типи і орієнтація кристалів. Зв'язок властивостей матеріалів з їх кристалічною структурою. Основи зонної теорії твердих тіл. Структура і властивості пластичних мас. Класифікація та призначення діелектриків. Властивості діелектриків. Органічні високомолекулярні матеріали. Неорганічні діелектрики та їхні властивості. Види п'єзоелектричних матеріалів і їх властивості. Сегнетоелектрики. Класифікація провідникових матеріалів. Вплив температури та домішок на електропровідність матеріалів. Конструкційні метали та сплави. Класифікація напівпровідникових матеріалів. Принципи технології виробництва напівпровідникових матеріалів. Основні ефекти в напівпровідниках. Параметри магнітних матеріалів. Властивості електротехнічної сталі та пермалоїв. Феромагнетики. Магнітотверді матеріали та сплави.

КРИТЕРІЇ ОЦІНКИ

Критерії оцінки відповіді претендентів враховувують, насамперед, її повноту і правильність, а також здатність претендента:

узагальнювати отримані знання;
застосовувати правила, методи, принципи, закони у конкретних ситуаціях;
аналізувати і оцінювати факти, події, інтерпретувати схеми, графіки, діаграми;
викладати матеріал чітко, логічно, послідовно.

Ступінь відповідності знань певним оцінкам наведена в нижче:

“ВІДМІННО” ставиться, якщо претендент демонструє повні й міцні знання навчального матеріалу в заданому обсязі, необхідний рівень умінь і навичок, правильно й обґрунтовано приймає необхідні рішення в різних нестандартних ситуаціях.

“ДОБРЕ” – претендент допускає несуттєві неточності, має труднощі в трансформації умінь у нових умовах.

“ЗАДОВІЛЬНО” – претендент засвоїв основний теоретичний матеріал, але допускає неточності, що не є перешкодою до подальшого навчання. Уміє використовувати знання для вирішення стандартних завдань.

“НЕЗАДОВІЛЬНО” – незасвоєння окремих розділів, нездатність застосувати знання на практиці, що робить неможливим подальше навчання.

ПЕРЕЛІК ЛІТЕРАТУРИ

Бочлаев и.П. Вычислительная математика и программирование. -И.:
Высшая школа, 1990. - 544 с.
Самарский А.А. Введение в численные методы. - П.: Наука, 1987. - 288с.
Крэскевич В.Е. и др. Численные методы в инженерных исследованиях. - К.: Вища школа, 1986. - 263 с.
Кофанов Ю.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности радиоэлектронных средств: Учебник.- М.:Радио и связь,1991.-359с.
Львович Я,Е., Фролов В.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА: Учебник. - М.: Радио и связь, 1986. - 191 с.
Яншин А.А. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности ЭВА.: Учебное пособие. - М.: Радио и связь, 1983. - 312 с.
Технология деталей радиоэлектронной аппаратуры: Учебное пособие / Под. ред. С.Е.Ушаковой. - М. : Радио и связь, 1986. - 254 с.
Техніка обчислень і алгоритмізація: Навчальний посібник /І.Ф.
Следзінський, А.М. Ломакович, Ю.С. Рамський і ін. - К.:Вища школа, 1990. - 199 с.
Трей Д. Программирование на языке СИ для персонального компьютера IBM PC /Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1991 - 429с.
Ушаков В.Н. Основы радиоэлектроники: Учебник. - М.: Высш. школа, 1976. -287 с.
Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1990. - 511 с.
Гершунский Б. С. Справочник по расчету электронных схем. - К.: Вища школа, 1983.-240 с.
Гершунский В. С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. - 4-е изд. перераб. и доп. - К.: Вища школа, 1989. - 423 с.
Белевцев А.Т. Монтаж радиоаппаратуры и приборов. Учебник. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1982. - 255 с.
Технология и автоматизация производства радиоэлектронной аппаратуры : Учебник / Под ред. А.П.Достанко, Ш. М. Чабдарова. -М.: Радио и связь, 1989. -624 с.
Технология ЭВА, оборудование и автоматизация: Учебник /В.Г.Алексеев и др. - М.: Высшая школа, 1984. - 392 с.
Штернов А.А. Физические основы конструирования РЭА и микроэ
лектроники: Учебник. - М.: Радио и связь, 1984. - 248 с.
Ненашев А.П. Конструирование радиоэлектронных средств: Учебник. - М.; Высшая школа, 1990. - 432 с.
Преснухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование электронных машин и систем: Учебник. - М.: Высшая школа, 1986. - 512 с.
Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.Н. Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры: Учебник. - Л.:Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние. 1984. - 536с.
Справочник конструктора РЭА: Общие принципы конструирования / Под ред. Р.Г. Варламова. - И.: Сов. радио, 1980. - 480с.
Проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры / Е.М.Парфенов и др. - М. : Радио и связь, 1989. - 272 с.
Токарев М.Ф. и др. Механические воздействия и защита, радиоэлектронной аппаратуры /Под ред. В. А. Фролова. - М.: Радио и связь, 1984. - 224 с.
Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. - М.: Высшая школа, 1984. - 247 с.
Ильинский B.C. Защита РЭА и прецезионного оборудования от внешних воздействий. - М.: Радио и связь, 1982. - 296 с.
Гончаров A. ASSES в примерах. - СПб: Питер, 1997.-320 с.
Монсен, Лаура. Использование Microsoft Excel 97 : Пер. с англ. - К.; М.; СПб.: Издат. дом «Вильям», 1998.- 336 с.
Херхагер М., Партолль X. Mathcad 2000: Полное руководство. - К.: Издательсткая группа BHV, 2000. - 416 с.
Дьяконов В.П. Математическая система MAPLE V R3/R4/R5. - М.: «Солон», 1998.-400 с.
Серньезнов А.Н., Степанова Л.Н., Филинюк Н.А. и др. Негатроника. -Новосибирск, Наука, Сибирская издательская фирма РАН, 1995.-315 с.
Филинюк Н.А.Активные СВЧ-фильтры на транзисторах.- М.:«Радио и связь»,1982.-104 с.
Пасынков В.В. Сорокин B.C. Материалы электронной техники - М.: Высш. шк., 1986 - 376 с.
Богородицкий Н.П. Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы - Л.: Энергоиздат, 1985-304 с.
Філинюк М. А. Основи негатроніки. Т.1. Теоретичні і фізичні основи негатроніки. – Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2006. – 456 с.
Філинюк М. А. Основи негатроніки. Т.2. Прикладні аспекти негатроніки. – Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2006. – 306 с.
Елементна база електронних апаратів: Підручник / М.Д. Матвійків, В.М. Когут, О.М. Матвійків. – Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2005. – 420с.
Барась С.Т., Лободзінська Р.Ф., Лазарєв О.О. Конструювання радіоелектронних засобів телекомунікаційних систем. Навчальний посібник. – Вінниця, ВНТУ, 2004. – 82с.

Заступник голови приймальної комісії О.Н.Романюк

Голова фахової атестаційної комісії С.Т. Барась

Програма розглянута та схвалена на засіданнях:

Вченої Ради Університету

(Протокол № ___ від « ___ » __________ 2011 р.)

Приймальної комісії Університету

(Протокол № ____ від « ____ » _________ 2011 р.)

Blog

Содержание