Список товарів подвійного використання, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки

Вид материалаДокументы
Подобный материал:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   24

| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |

| швидкості осадження; |

| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |

| g) для іонного покриття: |

| 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; |

| 2) елементи конструкції джерела іонів; |

| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |

| швидкості осадження; |

| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |

| 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість |

| випаровування; |

| 6) температура підкладки; |

| 7) параметри електричного зміщення підкладки. |

------------------------------------------------------------------

| Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА |

|----------------------------------------------------------------|

|3. |ЕЛЕКТРОНІКА | |

|------------------+------------------------------+--------------|

|3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |

| |КОМПОНЕНТИ | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та|

| |"компонентів", зазначених в позиції 3.A,|

| |інших, аніж описані у позиціях 3.A.1.a.3 -|

| |3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, які спеціально|

| |призначені або мають такі функціональні|

| |характеристики, як і інше обладнання,|

| |визначається контрольним статусом іншого|

| |обладнання. |

| |2. Контрольний статус інтегральних схем,|

| |зазначених в позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9|

| |або 3.A.1.a.12, програми яких не можуть бути|

| |змінені або які призначені для виконання|

| |конкретних функцій для іншого обладнання,|

| |визначається контрольним статусом іншого|

| |обладнання. |

| |3. Контрольний статус обладнання та|

| |"компонентів", зазначених у розділі 3, які|

| |спеціально розроблені або безпосередньо|

| |можуть бути використані для виконання функцій|

| |"захисту інформації", визначається з|

| |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2|

| |розділу 5 (Захист інформації). |

|------------------+---------------------------------------------|

|Особлива примітка.|Якщо виробник або заявник не може визначити|

| |статус контролю за іншим обладнанням, то цей|

| |статус визначається статусом контролю за|

| |інтегральними схемами, зазначеними в позиціях|

| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. Якщо ця|

| |інтегральна схема є "мікросхемою|

| |мікрокомп'ютера" на кремнієвій основі або|

| |мікросхемою мікроконтролера, зазначеними в|

| |позиції 3.A.1.a.3, і має довжину слова|

| |операнда 8 біт або менше, то тоді її статус|

| |контролю визначається відповідно до позиції|

| |3.A.1.a.3. |

|------------------+---------------------------------------------|

|3.A.1. |Електронні "компоненти",| |

|[3A001] |наведені нижче: | |

|------------------+------------------------------+--------------|

|3.A.1.a. |Інтегральні мікросхеми| |

| |загального призначення,| |

| |наведені нижче: | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або|

| |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна|

| |функція, визначається параметрами,|

| |зазначеними у позиції 3.A.1.a. |

| |2. Інтегральні схеми включають такі типи: |

| |"монолітні інтегральні схеми"; |

| |"гібридні інтегральні схеми"; |

| |" багатокристалічні інтегральні схеми"; |

| |"плівкові інтегральні схеми", включаючи|

| |інтегральні схеми типу кремній на сапфірі; |

| |"оптичні інтегральні схеми". |

|------------------+---------------------------------------------|

| |1) інтегральні схеми,|з 8542 |

| |спроектовані або класифіковані| |

| |виробником як радіаційно| |

| |стійкі для того, щоб витримати| |

| |будь-що з наведеного нижче: | |

| | 5 | |

| |a) загальну дозу - 5 x 10 рад| |

| |(кремній) або вище; | |

| |b) межу потужності дози| |

| | 8 | |

| |- 5 x 10 рад| |

| |(кремній)/секунда або вище; | |

| |c) флюенс (інтегральна густота| |

| |потоку) нейтронів (еквівалент| |

| | 13| |

| |1 Ме-В) 5 x 10 | |

| |нейтронів/кв.см або вище на| |

| |кремнії, або його еквівалент| |

| |для інших матеріалів | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до|

| |структур метал-діелектрик-напівпровідник|

| |(MIS). |

|------------------+---------------------------------------------|

| |2) "мікросхеми|з 8542 |

| |мікропроцесора", "мікросхеми| |

| |мікрокомп'ютера", мікросхеми| |

| |мікроконтролера, інтегральні| |

| |схеми пам'яті, виготовлені із| |

| |складного напівпровідника,| |

| |перетворювачі з аналогової| |

| |форми у цифрову, перетворювачі| |

| |з цифрової форми в аналогову,| |

| |електрооптичні або "оптичні| |

| |інтегральні схеми", призначені| |

| |для "оброблення сигналів",| |

| |логічні пристрої з| |

| |експлуатаційним | |

| |програмуванням, інтегральні| |

| |схеми нейронної мережі,| |

| |інтегральні схеми на| |

| |замовлення, для яких не відома| |

| |або функція, або стан контролю| |

| |обладнання, у якому буде| |

| |використана інтегральна схема,| |

| |процесори швидкого| |

| |перетворення Фур'є (FFT),| |

| |програмована постійна пам'ять| |

| |із стиранням електричним| |

| |струмом (EEPROMs), імпульсна| |

| |пам'ять або статична пам'ять з| |

| |довільною вибіркою (SRAMs),| |

| |які мають будь-яку з наведених| |

| |нижче характеристик: | |

| |a) працездатні при температурі| |

| |навколишнього середовища понад| |

| |398 К (+125 град. C); | |

| |b) працездатні при температурі| |

| |навколишнього середовища нижче| |

| |218 К (-55 град. C); | |

| |c) працездатні за межами| |

| |діапазону температур| |

| |навколишнього середовища від| |

| |218 К (-55 град. C) до 398 К| |

| |(+125 град. C); | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.a.2 контролю не|

| |підлягають інтегральні схеми, що|

| |використовуються в цивільних автомобілях або|

| |залізничних поїздах. |

|------------------+---------------------------------------------|

| |3) "мікросхеми|з 8542 |

| |мікропроцесора", "мікросхеми| |

| |мікрокомп'ютера" і мікросхеми| |

| |мікроконтролерів, які| |

| |виготовлені з| |

| |напівпровідникових з'єднань та| |

| |працюють з тактовою частотою| |

| |понад 40 МГц; | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори|

| |цифрових сигналів, цифрові матричні процесори|

| |і цифрові співпроцесори. |

|------------------+---------------------------------------------|

| |4) інтегральні схеми пам'яті,|з 8542 |

| |виготовлені на основі| |

| |напівпровідникових з'єднань; | |

| |------------------------------+--------------|

| |5) інтегральні схеми|з 8542 |

| |аналого-цифрових та| |

| |цифро-аналогових | |

| |перетворювачів, наведені| |

| |нижче: | |

| |------------------------------+--------------|

| |a) аналого-цифрові| |

| |перетворювачі, які мають одну| |

| |з таких ознак: | |

| |1) роздільна здатність 8 біт| |

| |або більше, але менше ніж 10| |

| |біт при швидкості виведення| |

| |даних більше ніж 500 млн. слів| |

| |за секунду; | |

| |2) роздільна здатність 10 біт| |

| |або більше, але менше ніж 12| |

| |біт при швидкості виведення| |

| |даних більше ніж 200 млн. слів| |

| |за секунду; | |

| |3) роздільна здатність 12 біт| |

| |при швидкості виведення даних| |

| |більше ніж 50 млн. слів за| |

| |секунду; | |

| |4) роздільна здатність більше| |

| |ніж 12 біт, але дорівнює або| |

| |менше 14 біт, при швидкості| |

| |виведення даних більше ніж 5| |

| |млн. слів за секунду; | |

| |5) роздільна здатність більше| |

| |ніж 14 біт при швидкості| |

| |виведення даних більше ніж| |

| |1 млн. слів за секунду; | |

| |b) цифро-аналогові| |

| |перетворювачі з роздільною| |

| |здатністю 12 біт або більше та| |

| |"часом установлення" менше ніж| |

| |10 нс; | |

|------------------+------------------------------+--------------|

|Технічні примітки.|1. Роздільна здатність n біт| |

| | n | |

| |відповідає 2 рівням| |

| |квантування. | |

| |2. Кількість біт у виведеному| |

| |слові дорівнює роздільній| |

| |здатності аналого-цифрового| |

| |перетворювача. | |

| |3. Швидкість виведення даних є| |

| |максимальною швидкістю| |

| |виведення даних перетворювача| |

| |незалежно від архітектури або| |

| |надлишкової дискретизації| |

| |(вибірки). Постачальники| |

| |можуть також посилатись на| |

| |швидкість виведення даних як| |

| |на частоту дискретизації,| |

| |швидкість перетворення або| |

| |пропускну здатність. Вона| |

| |часто визначається у| |

| |мегагерцах (МГц) або| |

| |мегавибірках за секунду| |

| |(MSPS). | |

| |4. Для цілей вимірювання| |

| |швидкості виведення даних одне| |

| |виведене слово за секунду є| |

| |еквівалентом одного Герца або| |

| |однієї вибірки за секунду. | |

|------------------+------------------------------+--------------|

| |6) електронно-оптичні або|з 85421 |

| |"оптичні інтегральні схеми"| |

| |для "оброблення сигналів", які| |

| |мають усі наведені нижче| |

| |характеристики: | |

| |a) один внутрішній "лазерний"| |

| |діод або більше; | |

| |b) один внутрішній| |

| |світлочутливий елемент або| |

| |більше; | |

| |c) оптичні хвилеводи; | |

| |------------------------------+--------------|

| |7) програмовані в користувача|з 8542 |

| |логічні пристрої, які мають| |

| |одну з наведених нижче| |

| |характеристик: | |

| |a) еквівалентна кількість| |

| |придатних до використання| |

| |вентилів понад 30000 (в| |

| |переліку на двовходові); | |

| |b) типовий "час затримки| |

| |поширення базового логічного| |

| |елемента" менше ніж 0,4 нс; | |

| |c) тактова частота понад| |

| |133 МГц; | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.7 включає: |

| |прості програмовані логічні пристрої (SPLD); |

| |складні програмовані логічні пристрої (CPLD);|

| |вентильні матриці з можливістю програмування|

| |користувачем (FPGA); |

| |логічні матриці з можливістю програмування|

| |користувачем (FPLA); |

| |схеми з'єднань з можливістю програмування|

| |користувачем (FPIC). |

|------------------+---------------------------------------------|

|Особлива примітка.|Логічні пристрої з можливістю програмування|

| |користувачем, відомі також як вентилі або|

| |логічні матриці з можливістю програмування|

| |користувачем. |

|------------------+---------------------------------------------|

| |8) позицію виключено; | |

| |9) інтегральні схеми для|з 8542 |

| |нейронних мереж; | |

| |10) інтегральні схеми на|з 8542 30 |

| |замовлення, функція яких не| |

| |відома, або контрольний статус| |

| |обладнання, у якому будуть| |

| |використовуватися зазначені| |

| |інтегральні схеми, не відомі| |

| |виробнику, що мають одну з| |

| |наведених нижче характеристик:| |

| |a) кількість виводів понад| |

| |1000; | |

| |b) типовий "час затримки| |

| |поширення базового логічного| |

| |елемента" менше ніж 0,1 нс;| |

| |або | |

| |c) робоча частота понад 3 ГГц;| |

| |------------------------------+--------------|

| |11) цифрові інтегральні схеми,|8542 13 99 00,|

| |що відрізняються від|8542 14 99 00,|

| |зазначених у позиціях|8542 19 98 00,|

| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та|8542 12 00 00 |

| |3.A.1.a.12 які створені на| |

| |основі будь-якого складного| |

| |напівпровідника і мають одну з| |

| |наведених нижче характеристик:| |

| |a) еквівалентна кількість| |

| |вентилів понад 3000 (у| |

| |перерахунку на двовходові); | |

| |b) частота перемикання понад| |

| |1,2 ГГц; | |

| |------------------------------+--------------|

| |12) процесори швидкісного|з 8542, 8543 |

| |перетворення Фур'є (FFT), які| |

| |мають номінальний час| |

| |виконання для N-позначкового| |

| |комплексного швидкісного| |

| |перетворення Фур'є менше ніж| |

| |(N log ) / 20480 мкс, де| |

| | 2 | |

| |N - кількість позначок | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Технічна примітка.|Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у|

| |позиції 3.A.1.a.12 визначає час виконання 500|

| |мкс. |

|------------------+---------------------------------------------|

|3.A.1.b. |Прилади мікрохвильового та| |

| |міліметрового діапазону,| |

| |наведені нижче: | |

| |1) електронні вакуумні лампи| |

| |та катоди, наведені нижче: | |

|------------------+---------------------------------------------|

|Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не|

| |підлягають лампи, призначені або нормовані|

| |для роботи у будь-якому діапазоні частот,|

| |який відповідає всім наведеним нижче|

| |характеристикам: |

| |a) максимальна робоча частота якого не|