Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы (в ред. Постановления Правительства РФ от 26. 11. 2007 n 809)
| Вид материала | Программа |
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3650.19kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 3594.41kb.
- Федеральная целевая программа «Национальная технологическая база» на 2007 2011 годы, 816.3kb.
- Программа "Национальная технологическая база" на 2007 2011 годы (утв постановлением, 4539.38kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4200.13kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.34kb.
- Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы, 4193.39kb.
- Паспор т подпрограммы "Развитие отечественного станкостроения и инструментальной промышленности", 1861.22kb.
- Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. №809 связано с корректировкой, 1210.52kb.
- Федеральная целевая программа развития образования на 2006 2010 годы, утв. Постановлением, 230.46kb.
со сквозными токопроводящими трехмерных структур
каналами
71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения
73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов
соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
белого, зеленого, синего и диодов;
ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства
технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техники
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства
производства современных -- -- -- компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-
специализированных лучевых;
фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства
производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия
77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для
для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек для создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоения
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числе
микрочипов, сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а также
особо прочной электронной
компонентной базы оптоэлектроники
и фотоники
79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства
производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных
гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объемной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированными
прецизионных и наполнителями для создания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и
комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных
факторов внешних факторов
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и долговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания
резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до
2 - 5 нс
81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и конструкции
нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и
частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для
2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических
пассивных и активных приложениях на транспорте, в
акустоэлектронных меток- торговле и промышленности
транспондеров, в том числе
работающих в реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и
систем управления доступом
82. Разработка базовой конструкции и 56 24 17 15 - - создание технологии
промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых
производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных
поверхностного монтажа корпусах для поверхностного
монтажа при изготовлении связной
аппаратуры массового применения
83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии
проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для
технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,
конструирования измерительной и навигационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,
промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиорелейных
характеристиками для современных линий связи, цифрового
систем связи, включая интерактивного телевидения,
высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станций,
частотной селекции на спутниковых навигационных систем
поверхностных и приповерхностных
волнах и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно низким
уровнем вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии производства
проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной
технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь
устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и модернизируемых
частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектронных систем и
типа "система в корпусе" комплексов
85. Разработка базовой конструкции и 69 - - - 48 21 создание базовой технологии (2010
технологии изготовления -- -- -- г.) и базовой конструкции
высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных
фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и
акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и
телекоммуникационных и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и базовой 80 50 30 - - - создание нового поколения
конструкции фоточувствительных -- -- -- оптоэлектронных приборов для
приборов с матричными 53 33 20 обеспечения задач предотвращения
приемниками высокого разрешения аварий и контроля
для видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля изображений
87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии
унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов
оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для задач
микроканальных пластин, теплоэнергетики, медицины,
пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольной
на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспорте,
до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных
инфракрасного диапазона системах
88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии (2008
создания интегрированных --- -- -- -- г.) и конструкции новых типов
гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 приборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные
высокоразрешающих приборов и технологии, с целью получения
усилителей для задач экстремально достижимых
космического мониторинга и характеристик для задач контроля
специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного
научной и метрологической назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии (2008
мощных полупроводниковых --- -- -- -- г.) и конструкций принципиально
лазерных диодов (непрерывного и 106 42 30 34 новых мощных диодных лазеров,
импульсного излучения) предназначенных для широкого
специализированных лазерных применения в изделиях двойного
полупроводниковых диодов, назначения, медицины,
фотодиодов и лазерных волоконно- полиграфического оборудования и
оптических модулей для создания системах открытой оптической
аппаратуры и систем нового связи
поколения
90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта
технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных
навигационных приборов, включая 65 10 40 15 компонентов для лазерных
интегральный оптический модуль гироскопов широкого применения
лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание комплекса
сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и
полупроводниковых лазеров формирования структурных и
инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестации,
широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень
лазерных систем управления технико-экономических показателей
движением гражданских и производства
специальных средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций и 74 27 22 25 - - создание базовой технологии
технологий создания квантово- -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров для
электронных приемо-передающих 50 18 15 17 лазерных дальномеров,
модулей для малогабаритных твердотельных лазеров с
лазерных дальномеров нового пикосекундными длительностями
поколения на основе импульсов для установок по
твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработке
полупроводниковой накачкой, композитных материалов, для
технологических лазерных создания элементов и изделий
установок широкого спектрального микромашиностроения и в
диапазона производстве электронной
компонентной базы нового
поколения, мощных лазеров для
применения в машиностроении,
авиастроении, автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и сборки,
систем экологического мониторинга
окружающей среды, контроля
выбросов патогенных веществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии получения
формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элементов на
узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой
нового поколения и технологии легированной керамики композитных
создания полного комплекта составов для лазеров с диодной
электронной компонентной накачкой (2008 г.),
базы для производства лазерного высокоэффективных
устройства определения наличия преобразователей частоты
опасных, взрывчатых, отравляющих лазерного излучения, организация
и наркотических веществ в промышленного выпуска оптических
контролируемом пространстве изделий и лазерных элементов
широкой номенклатуры
93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенной серии
базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных
организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других
интегрированных дисплеев с широким диапазоном
катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и
дисплеев двойного назначения со свойств по условиям применения
встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных
управлением систем
94. Разработка технологии и базовых 72 27 24 21 - - создание ряда принципиально новых
конструкций высокояркостных -- -- -- -- светоизлучающих приборов с
светодиодов и индикаторов 48 18 16 14 минимальными геометрическими
основных цветов свечения для размерами, высокой надежностью и
систем подсветки в приборах устойчивостью к механическим и
нового поколения климатическим воздействиям,
обеспечивающих энергосбережение
за счет замены ламп накаливания в
системах подсветки аппаратуры и
освещения
95. Разработка базовой технологии и 90 - - 15 57 18 создание базовой технологии
конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения
приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной высокоэффективной
светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной
корпусах для поверхностного компонентной базы для
монтажа промышленного оборудования и
систем связи
96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии новых классов
решений и унифицированных -- -- -- -- носимой и стационарной
базовых конструкций и технологий 54 20 16 18 аппаратуры, экранов отображения
формирования твердотельных информации коллективного
видеомодулей на пользования повышенных емкости и
полупроводниковых формата
светоизлучающих структурах для
носимой аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного пользования с
бесшовной стыковкой
97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии массового
изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечных элементов
солнечных элементов на базе 62 22 20 20 для индивидуального и
использования кремния, коллективного использования в
полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития
технологии и технологии "литого" солнечной энергетики в жилищно-
кремния прямоугольного сечения коммунальном хозяйстве в
обеспечение задач
энергосбережения
98. Разработка базовой технологии и 59 21 18 20 - - создание технологии массового
освоение производства -- -- -- -- производства нового класса
оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных приборов для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре
поверхностного монтажа
99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой технологии
разработка технологий получения --- -- -- -- массового производства экранов с
новых классов органических 108 22 66 20 предельно низкой удельной
(полимерных) люминофоров, стоимостью для информационных и
пленочных транзисторов на основе обучающих систем
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной основы и
технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо
плоских экранов, в том числе на
базе высокоразрешающих процессов
струйной печати и непрерывного
процесса изготовления типа "с
катушки на катушку"
100. Разработка базовых конструкций и 183 - 45 33 105 - создание технологии и конструкции
технологии активных матриц и --- -- -- --- активно-матричных органических
драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 электролюминесцентных,
основе аморфных, жидкокристаллических и
поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев,
кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и
интегральных структур на климатическим воздействиям
различных подложках и создание
на их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные, создание
базовой технологии серийного
производства монолитных модулей
двойного назначения
101. Разработка базовой конструкции и 162 - - 33 99 30 создание технологии и базовых
технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных
полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей
видеомодулей специального и двойного
назначения для наборных экранов
коллективного пользования
102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенного ряда
прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов,
гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем
цифро-аналоговых и аналого- цифро-аналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на их цифровых преобразователей с
основе в металлокерамических параметрами, превышающими уровень
корпусах для аппаратуры двойного существующих отечественных и
назначения зарубежных изделий для аппаратуры
связи, диагностического контроля,
медицинского оборудования,
авиастроения, станкостроения,
измерительной техники
103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенного ряда
особо стабильных и особо точных --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с
резисторов широкого диапазона 70 30 40 повышенной удельной мощностью
сопротивления, прецизионных рассеяния, высоковольтных
датчиков тока для измерительной высокоомных резисторов для
и контрольной аппаратуры и измерительной техники, приборов
освоение их производства ночного видения и
аппаратуры контроля
104. Разработка технологии и базовых 192 - - 24 78 90 создание базовой технологии и
конструкций резисторов и --- -- -- -- конструкции резисторов с
резистивных структур нового 128 16 52 60 повышенными значениями
поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности в