Программа курса введение. Базовые идеи и материалы для построения структур пониженной размерности. 1 Элементарные сведения из физики кристаллических систем

Вид материала

Программа курса

Подобный материал:

• Ледовских Ирина Анатольевна 5 программа, 1578.26kb.
• И. И. Мечникова лаборатория кафедра компьютерных методов экспериментальной экспериментальной, 312.65kb.
• Программа курса лекций, 23.66kb.
• Программа дисциплины «Интеллектуальные агенты и агентные системы в электронном бизнесе», 140.43kb.
• С. Л. Основные идеи к построению теории физики в «Opus postumum» И. Канта, 321.84kb.
• Повестка заседания ус №9, 5.77kb.
• Физика, 200.62kb.
• Физика, 212.85kb.
• Программа дисциплины дпп. Ф. 02 «Основы теоретической физики. Физика атомного ядра, 222.48kb.
• Рабочая программа дисциплины «физическая химия», 80.79kb.

Основы физики полупроводниковых структур пониженной размерности

Программу составил профессор, д.ф.-м.н. В.Т.Долгополов


ПРОГРАММА КУРСА

1. Введение.

2. Базовые идеи и материалы для построения структур пониженной размерности.

2.1 Элементарные сведения из физики кристаллических систем.

2.2. Кремниевые полевые структуры.

2.3. Одиночные гетеропереходы.

2.4. Квантовые ямы.

2.5. Одномерные и нуль-мерные структуры.

3. Электронный спектр низкоразмерных структур.

1. Прямоугольная потенциальная яма с бесконечно высокими стенками.
   

3.2. Двойная квантовая яма.

3. . Треугольная потенциальная яма.
   

3.4 Одномерный канал и квантовое сужение.

5. Плотность состояний и термодинамическая плотность состояний.
   

3.6 Двумерный электронный газ в магнитном поле.

4. Транспорт в двумерных и одномерных системах.

4.1. Общее представление о рассеянии.

2. Проводимость двумерного электронного газа при низких температурах.
   
3. Точечный контакт. Формула Шарвина.
   
4. Одномерные каналы. Подход Ландауэра.
   

4.5. Локализация электронов в неидеальных одномерных системах. Роль интерференции электронов.

6. Скейлинговая гипотеза и слабая локализация.
   

5. Туннелирование.

1. Надбарьерное отражение и подбарьерное прохождение (туннелирование).
   

5.2 Матричная техника при расчете туннельных эффектов.

5.3 Резонансный туннельный диод.

5.4. Сверхрешетки.

6. Кулоновская блокада.

1. Постановка задачи.
   
2. Одноэлектронный транзистор. Принцип работы.
   
3. Одноэлектронный транзистор. Принцип работы.
   

6.3. Одноэлектронный транзистор. Диаграмма стабильности.

6.4. Возможности использования.

^{7. Управление потоками спина и элементы спинтроники.}

1. Спин и магнитный момент элементарной частицы.