Geum.ru

Программа курса лекций

Вид материалаПрограмма курса
Подобный материал:

Кристаллофизика полупроводников

Программа курса лекций
(3 курс, 5 сем., 36 ч., зачёт)


Доцент Сергей Ильич Чикичев

1. Идеальный кристалл

1.1. Симметрия кристаллов. Кристаллографические характеристики полупроводников: решетки, кристаллографические плоскости, индексы Миллера, связь межплоскостных расстояний с индексами Миллера семейства плоскостей. Анизотропия. Структура алмаза, сфалерита, вюрцита. Сингонии. Решетки Браве.

1.2. Методы структурного анализа кристаллических полупроводников. Рентгеновский и электронографический анализ. Кинематическая теория дифракции рентгеновских волн. Интерференционная функция Лауэ. Обратная решетка. Атомный фактор. Структурный фактор. Фактор Дебая -Уоллера.

1.3. Общая характеристика элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений. Кремний, германий, арсенид галлия, теллурид кадмия, теллурид ртути, теллурид свинца. Полупроводниковые твердые растворы.

2. Дефекты полупроводниковых кристаллов.

2.1. Точечные дефекты. Классификация собственных точечных дефектов в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. Влияние дефектов на электрические и оптические свойства кристаллов.

2.2. Примеси в полупроводниках: мелкие и глубокие, донорные и акцепторные, амфотерные, изовалентные, многозарядные. Дефектно-примесные комплексы. Метастабильные дефекты. Понятие об    центрах.

2.3. Методы идентификации и измерения концентрации примесей в полупроводниках: эффект Холла, метод вольт-фарадных характеристик, фотолюминесценция, фототермическая ионизация.

2.4. Методы исследования точечных дефектов : релаксационная емкостная спектроскопия глубоких уровней, электронный парамагнитный резонанс, прецизионные измерения плотности и постоянной решетки, аннигиляция позитронов.

2.5. Линейные дефекты: дислокации. Геометрия дислокаций, вектор Бюргерса. Деформационное поле дислокаций. Взаимодействие с точечными дефектами и носителями заряда. Виды дислокаций в моноатомных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.

2.6. Методы идентификации типа и измерения плотности дислокаций: электронная микроскопия, рентгеновская топография, химическое травление.

Литература.


1. Попов Г.М., Шафрановский И.И. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1972.

2. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984.

3. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972.

4. Егоров-Тисменко Ю.К., Литвинская Г.П., Загальская Ю.Г. Кристаллография. М.: изд-во МГУ, 1992.

5. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971.

6. Пенкаля Т. Очерки кристаллохимии. Л.: Химия, 1974.

7. Шимони К. Физическая электроника. М.: Энергия , 1977.

8. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1985.

9. Блэкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988.

10. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978.

11. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.

12. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969.

13. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987.

14. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд-во МГУ, 1978.

15. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984

16. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоя х полупроводников. М.: Металлургия, 1984

17. Жданов Г.С., Хунджуа А.Г. Лекции по физике твердого тела. М.: изд-во МГУ, 1988.

18. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988.

19. Точечные дефекты в твердых телах. Сб.статей. М.: Мир, 1979.

20. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974.

21. Дефекты в кристаллах полупроводников.Сб статей. М.: Мир, 1969.

22. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974.